JP2001267686A - レーザ素子 - Google Patents
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
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- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
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- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はレーザ発振閾値が小さく、かつ生産
性の高い窒化物半導体（たとえばＩｎxＡｌyＧａ1-x-y
Ｎ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からなる端面発光型
のレーザ素子を提供することを目的とする。また、本発
明は、窒化物半導体（たとえばＩｎxＡｌyＧａ
1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からなる面発
光型のレーザ素子を提供することを他の目的とする。 【解決手段】上記目的を達成するために、本発明のレー
ザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を
有する窒化物半導体からなる面発光型のレーザ素子にお
いて、前記ｐ型層に、キャリアを集中させる開口部を除
いてイオン注入を行うことによって電流狭窄層が形成さ
れる構成とする。また、本発明のレーザ素子は、活性層
がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導
体からなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型
層に、キャリアを集中させるストライプ領域を除いてイ
オン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構
成とする。
性の高い窒化物半導体（たとえばＩｎxＡｌyＧａ1-x-y
Ｎ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からなる端面発光型
のレーザ素子を提供することを目的とする。また、本発
明は、窒化物半導体（たとえばＩｎxＡｌyＧａ
1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からなる面発
光型のレーザ素子を提供することを他の目的とする。 【解決手段】上記目的を達成するために、本発明のレー
ザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を
有する窒化物半導体からなる面発光型のレーザ素子にお
いて、前記ｐ型層に、キャリアを集中させる開口部を除
いてイオン注入を行うことによって電流狭窄層が形成さ
れる構成とする。また、本発明のレーザ素子は、活性層
がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導
体からなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型
層に、キャリアを集中させるストライプ領域を除いてイ
オン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構
成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化物半導体（たとえ
ばＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦
１）よりなる発光素子、受光素子等の各種素子、特にレ
ーザ素子とその製造方法に関する。
ばＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦
１）よりなる発光素子、受光素子等の各種素子、特にレ
ーザ素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、窒化物半導体（たとえばＩｎxＡ
ｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）よりな
る発光素子、受光素子等の各種素子が注目されている。
特に、窒化物半導体であるＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（ｘ
≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）を含む活性層を有する半導
体からなる高輝度紫色、青色、緑色等の発光ダイオード
（ＬＥＤ）が商品化されており、さらにこれらの色の波
長域あるいは近紫外域、すなわち近紫外の発光波長３０
０ｎｍから緑色の発光波長５５０ｎｍを有するレーザ装
置の開発が望まれている。
ｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）よりな
る発光素子、受光素子等の各種素子が注目されている。
特に、窒化物半導体であるＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（ｘ
≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）を含む活性層を有する半導
体からなる高輝度紫色、青色、緑色等の発光ダイオード
（ＬＥＤ）が商品化されており、さらにこれらの色の波
長域あるいは近紫外域、すなわち近紫外の発光波長３０
０ｎｍから緑色の発光波長５５０ｎｍを有するレーザ装
置の開発が望まれている。
【０００３】たとえば、短波長である近紫外から青色と
いった波長域のレーザ装置においては、従来の赤色半導
体レーザと比較して、光記録装置の記憶密度を大きく高
密度化できるという利点を有する。また、銀塩写真の印
画紙等にレーザ光を照射する銀塩写真現像技術において
は、光の３原色である青色、緑色、赤色の高輝度なレー
ザ装置が必要とされている。
いった波長域のレーザ装置においては、従来の赤色半導
体レーザと比較して、光記録装置の記憶密度を大きく高
密度化できるという利点を有する。また、銀塩写真の印
画紙等にレーザ光を照射する銀塩写真現像技術において
は、光の３原色である青色、緑色、赤色の高輝度なレー
ザ装置が必要とされている。
【０００４】
【発明が解決使用とする課題】一般に、半導体からなる
素子をレーザ発振させるためには、注入されたキャリア
を特定の部分に集中させる電流狭窄を行うことによっ
て、効率が向上すると考えられている。たとえば、窒化
物半導体からなる端面発光型レーザ素子においては、電
極をストライプ状に形成する、あるいは半導体層をリッ
ジ構造とすること等によって電流狭窄を行う技術が知ら
れている。
素子をレーザ発振させるためには、注入されたキャリア
を特定の部分に集中させる電流狭窄を行うことによっ
て、効率が向上すると考えられている。たとえば、窒化
物半導体からなる端面発光型レーザ素子においては、電
極をストライプ状に形成する、あるいは半導体層をリッ
ジ構造とすること等によって電流狭窄を行う技術が知ら
れている。
【０００５】しかしながら、電極をストライプ状に形成
した端面発光型のレーザ素子においては、水平横方向の
光を閉じ込めることができないため、レーザ発振閾値が
大きいという問題点があった。また、半導体層をリッジ
構造とした端面発光型のレーザ素子においては、高度な
微細加工技術が必要であり、歩留まりが低く、製造コス
トが高くなるという問題点があった。
した端面発光型のレーザ素子においては、水平横方向の
光を閉じ込めることができないため、レーザ発振閾値が
大きいという問題点があった。また、半導体層をリッジ
構造とした端面発光型のレーザ素子においては、高度な
微細加工技術が必要であり、歩留まりが低く、製造コス
トが高くなるという問題点があった。
【０００６】さらに、面発光型レーザ素子は、端面発光
型レーザ素子と比較して構造を簡略化でき、かつレーザ
発振閾値を低減できるという利点が期待されるが、いま
だ窒化物半導体からなる面発光型レーザ素子は実現され
ていない。
型レーザ素子と比較して構造を簡略化でき、かつレーザ
発振閾値を低減できるという利点が期待されるが、いま
だ窒化物半導体からなる面発光型レーザ素子は実現され
ていない。
【０００７】そこで、本発明はレーザ発振閾値が小さ
く、かつ生産性の高い窒化物半導体（たとえばＩｎxＡ
ｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からな
る端面発光型のレーザ素子を提供することを目的とす
る。また、本発明は、窒化物半導体（たとえばＩｎxＡ
ｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からな
る面発光型のレーザ素子を提供することを他の目的とす
る。
く、かつ生産性の高い窒化物半導体（たとえばＩｎxＡ
ｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からな
る端面発光型のレーザ素子を提供することを目的とす
る。また、本発明は、窒化物半導体（たとえばＩｎxＡ
ｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からな
る面発光型のレーザ素子を提供することを他の目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のレーザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層と
で挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる面発光型
のレーザ素子において、前記ｐ型層に、キャリアを集中
させる開口部を除いてイオン注入を行うことによって電
流狭窄層が形成される構成とする。
に、本発明のレーザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層と
で挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる面発光型
のレーザ素子において、前記ｐ型層に、キャリアを集中
させる開口部を除いてイオン注入を行うことによって電
流狭窄層が形成される構成とする。
【０００９】また、本発明のレーザ素子は、活性層がｎ
型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体か
らなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型層
に、キャリアを集中させるストライプ領域を除いてイオ
ン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構成
とする。
型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体か
らなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型層
に、キャリアを集中させるストライプ領域を除いてイオ
ン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構成
とする。
【００１０】また、本発明のレーザ素子は、前記ｐ型層
は、少なくともｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層を有
し、前記電流狭窄層の一部は少なくとも前記ｐ型コンタ
クト層に形成される構成とすることができる。
は、少なくともｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層を有
し、前記電流狭窄層の一部は少なくとも前記ｐ型コンタ
クト層に形成される構成とすることができる。
【００１１】また、本発明のレーザ素子は、前記ｐ型層
は、少なくともｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層を有
し、前記電流狭窄層の一部は少なくとも前記ｐ型クラッ
ド層に形成される構成とすることができる。
は、少なくともｐ型クラッド層とｐ型コンタクト層を有
し、前記電流狭窄層の一部は少なくとも前記ｐ型クラッ
ド層に形成される構成とすることができる。
【００１２】また、本発明のレーザ素子は、前記電流狭
窄層の上部の前記ｐ型コンタクト層の膜厚が０．０５μ
ｍ以上である構成とすることによってリークを防止する
ことができる。
窄層の上部の前記ｐ型コンタクト層の膜厚が０．０５μ
ｍ以上である構成とすることによってリークを防止する
ことができる。
【００１３】また、本発明のレーザ素子は、前記電流狭
窄層はＡｌをイオン注入することによって形成される構
成とすることによって、効果的な電流狭窄を得ることが
できる。
窄層はＡｌをイオン注入することによって形成される構
成とすることによって、効果的な電流狭窄を得ることが
できる。
【００１４】また、本発明のレーザ素子は、前記電流狭
窄層の下部の前記ｐ型層の膜厚が発光波長以下である構
成とすることによって、活性層における水平方向の光を
閉じ込めることができる。
窄層の下部の前記ｐ型層の膜厚が発光波長以下である構
成とすることによって、活性層における水平方向の光を
閉じ込めることができる。
【００１５】さらに、本発明のレーザ素子は、前記電流
狭窄層はｎ型不純物をイオン注入することによって形成
される構成とすることによって、効果的な電流狭窄を得
ることができる。
狭窄層はｎ型不純物をイオン注入することによって形成
される構成とすることによって、効果的な電流狭窄を得
ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１に本発明の
実施の形態１における面発光型レーザ素子の概略図を示
す。サファイア、あるいはスピネル等の絶縁性物質から
なる基板１０上に、負電極３２とオーミック接触を得る
ための層であるｎ型コンタクト層１１が形成される。ｎ
型コンタクト層１１上にはキャリア結合によって光を発
生させる活性層１２が形成される。活性層１２上には活
性層１２にキャリアを閉じ込めるためのｐ型クラッド層
１３が形成される。ｐ型クラッド層１３上には正電極３
１とオーミック接触を得るためのｐ型コンタクト層１４
が形成される。
実施の形態１における面発光型レーザ素子の概略図を示
す。サファイア、あるいはスピネル等の絶縁性物質から
なる基板１０上に、負電極３２とオーミック接触を得る
ための層であるｎ型コンタクト層１１が形成される。ｎ
型コンタクト層１１上にはキャリア結合によって光を発
生させる活性層１２が形成される。活性層１２上には活
性層１２にキャリアを閉じ込めるためのｐ型クラッド層
１３が形成される。ｐ型クラッド層１３上には正電極３
１とオーミック接触を得るためのｐ型コンタクト層１４
が形成される。
【００１７】ｐ型クラッド層１３とｐ型コンタクト層１
４との境界近傍には、電流狭窄層１５がキャリアを集中
させる開口部を除いてイオン注入を行うことによって形
成される。イオン注入に用いられる元素としては、Ｓ
ｉ、Ｇｅといった窒化物半導体をｎ型化する元素、窒化
物半導体のバンドギャップエネルギーを大きくするＡ
ｌ、窒化物系半導体を高抵抗化するIII族元素である
Ｂ、窒化物半導体を高抵抗なｐ型とするｐ型不純物であ
るＢｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、VI族元素であるＳｅ、Ｔｅ等が挙
げられる。
４との境界近傍には、電流狭窄層１５がキャリアを集中
させる開口部を除いてイオン注入を行うことによって形
成される。イオン注入に用いられる元素としては、Ｓ
ｉ、Ｇｅといった窒化物半導体をｎ型化する元素、窒化
物半導体のバンドギャップエネルギーを大きくするＡ
ｌ、窒化物系半導体を高抵抗化するIII族元素である
Ｂ、窒化物半導体を高抵抗なｐ型とするｐ型不純物であ
るＢｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、VI族元素であるＳｅ、Ｔｅ等が挙
げられる。
【００１８】一般に、窒化物半導体は低抵抗なｐ型が得
られにくいことから、ｐ型層に抵抗率の異なる層を形成
したとしても、十分な電流狭窄効果が得られにくい。こ
の理由から、窒化物半導体のバンドギャップエネルギー
を大きくするＡｌは、イオン注入の元素として好まし
い。Ａｌは窒化物半導体（たとえばＩｎxＡｌyＧａ1-x-
yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）を形成する元素と
して用いられており、また、ＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦
１）と比較してＡｌ混晶比ｙに対するエネルギーバンド
ギャップの変化が大きく、十分な電流狭窄効果が得られ
るためである。さらに、バンドギャップエネルギーの大
きい窒化物半導体は屈折率が小さく、Ａｌのイオン注入
によって、活性層１２における水平方向の光を閉じ込め
る効果が得られることから、レーザ発振閾値を低減する
ことができ、特に好ましい。また、この光の閉じ込め効
果は、電流狭窄層１５下部のｐ型層（ｐ型クラッド層１
３およびｐ型コンタクト層１４）の膜厚、すなわち電流
狭窄層１５の下面から活性層１２の上面との距離が発光
波長以下の場合に効果があり、電流狭窄層１５下部のｐ
型層の膜厚と活性層の膜厚との和が発光波長以下の場合
に効果が大きい。
られにくいことから、ｐ型層に抵抗率の異なる層を形成
したとしても、十分な電流狭窄効果が得られにくい。こ
の理由から、窒化物半導体のバンドギャップエネルギー
を大きくするＡｌは、イオン注入の元素として好まし
い。Ａｌは窒化物半導体（たとえばＩｎxＡｌyＧａ1-x-
yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）を形成する元素と
して用いられており、また、ＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦
１）と比較してＡｌ混晶比ｙに対するエネルギーバンド
ギャップの変化が大きく、十分な電流狭窄効果が得られ
るためである。さらに、バンドギャップエネルギーの大
きい窒化物半導体は屈折率が小さく、Ａｌのイオン注入
によって、活性層１２における水平方向の光を閉じ込め
る効果が得られることから、レーザ発振閾値を低減する
ことができ、特に好ましい。また、この光の閉じ込め効
果は、電流狭窄層１５下部のｐ型層（ｐ型クラッド層１
３およびｐ型コンタクト層１４）の膜厚、すなわち電流
狭窄層１５の下面から活性層１２の上面との距離が発光
波長以下の場合に効果があり、電流狭窄層１５下部のｐ
型層の膜厚と活性層の膜厚との和が発光波長以下の場合
に効果が大きい。
【００１９】さらに、Ｓｉは、窒化物半導体にドープす
ることによって良好なｎ型が得られ、ｐ型層において十
分な電流狭窄効果が得られることから、イオン注入の元
素として好ましい。Ｓｉの注入量は、ｐ型層のキャリア
濃度よりも高濃度で注入することが好ましい。Ｓｉの濃
度はドーズ量によって制御できる。
ることによって良好なｎ型が得られ、ｐ型層において十
分な電流狭窄効果が得られることから、イオン注入の元
素として好ましい。Ｓｉの注入量は、ｐ型層のキャリア
濃度よりも高濃度で注入することが好ましい。Ｓｉの濃
度はドーズ量によって制御できる。
【００２０】ｐ型コンタクト層１４上には、活性層１２
において発生した光を反射する第１反射膜２１が電流狭
窄層１５の開口部分の上方に形成される。第１反射膜２
１以外のｐ型コンタクト層１４表面のほぼ全面には正電
極３１が形成される。
において発生した光を反射する第１反射膜２１が電流狭
窄層１５の開口部分の上方に形成される。第１反射膜２
１以外のｐ型コンタクト層１４表面のほぼ全面には正電
極３１が形成される。
【００２１】ｎ型コンタクト層１１上には負電極３２が
形成される。また、基板１０の表面には、活性層１２に
おいて発生した光を反射する第２反射膜２２が、活性層
を挟んで第１反射膜２１と対向して形成される。
形成される。また、基板１０の表面には、活性層１２に
おいて発生した光を反射する第２反射膜２２が、活性層
を挟んで第１反射膜２１と対向して形成される。
【００２２】ここでは、電流狭窄層１５をｐ型クラッド
層１３の上部からｐ型コンタクト層１４の下部にかけて
形成する例を示したが、図２に示すように電流狭窄層１
５をｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層１４との境界
面から上方に形成してもよい。また、図３に示すように
電流狭窄層１５をｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層
１４との境界面よりも上方に形成してもよい。以上の図
１乃至３に示した電流狭窄層１５の一部は少なくともｐ
型コンタクト層１４に形成される場合においては、電流
狭窄層１５の形成されていない所定の部分のｐ型コンタ
クト層１４は膜厚０．５μｍ以下、より好ましくは０．
２μｍ以下に形成し、電流狭窄層１５上部のｐ型コンタ
クト層の膜厚、すなわち電柱狭窄層１５の上面からｐ型
コンタクト層１４の上面との距離が０．０５μｍ以上と
することが、キャリアの注入効率上およびリーク防止の
観点から好ましい。
層１３の上部からｐ型コンタクト層１４の下部にかけて
形成する例を示したが、図２に示すように電流狭窄層１
５をｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層１４との境界
面から上方に形成してもよい。また、図３に示すように
電流狭窄層１５をｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層
１４との境界面よりも上方に形成してもよい。以上の図
１乃至３に示した電流狭窄層１５の一部は少なくともｐ
型コンタクト層１４に形成される場合においては、電流
狭窄層１５の形成されていない所定の部分のｐ型コンタ
クト層１４は膜厚０．５μｍ以下、より好ましくは０．
２μｍ以下に形成し、電流狭窄層１５上部のｐ型コンタ
クト層の膜厚、すなわち電柱狭窄層１５の上面からｐ型
コンタクト層１４の上面との距離が０．０５μｍ以上と
することが、キャリアの注入効率上およびリーク防止の
観点から好ましい。
【００２３】あるいは、電流狭窄層１５の一部は少なく
ともｐ型クラッド層１３に形成される場合の一例でとし
て図４に示すように電流狭窄層１５をｐクラッド層１３
とｐ型コンタクト層１４との境界面から下方に形成して
もよい。また、電流狭窄層１５の一部は少なくともｐ型
クラッド層１３に形成される例として、電流狭窄層１５
を活性層１２とｐ型クラッド層１３との境界面から上
方、あるいは境界面よりも上方に形成することも可能で
ある。電流狭窄層１５の一部は少なくともｐ型クラッド
層１３に形成される例としては図１の電流狭窄層１５を
ｐ型クラッド層１３の上部からｐ型コンタクト層１４の
下部にかけて形成する例も含まれる。
ともｐ型クラッド層１３に形成される場合の一例でとし
て図４に示すように電流狭窄層１５をｐクラッド層１３
とｐ型コンタクト層１４との境界面から下方に形成して
もよい。また、電流狭窄層１５の一部は少なくともｐ型
クラッド層１３に形成される例として、電流狭窄層１５
を活性層１２とｐ型クラッド層１３との境界面から上
方、あるいは境界面よりも上方に形成することも可能で
ある。電流狭窄層１５の一部は少なくともｐ型クラッド
層１３に形成される例としては図１の電流狭窄層１５を
ｐ型クラッド層１３の上部からｐ型コンタクト層１４の
下部にかけて形成する例も含まれる。
【００２４】さらに、第２反射膜２２を互いに組成比の
異なるＡｌyＧａ1-yＮを膜厚λ／４ｎ（ｎｍ）（λ：発
光波長、ｎ：材料の屈折率）で積層し多層膜とした場合
は、図５に示すように、第２反射膜２２を、基板１０と
ｎ型コンタクト層１１との間に形成することも可能であ
る。あるいは、図６に示すようにｎ型コンタクト層１１
と活性層１２との間に形成してもよい。また、正電極面
の光の反射が十分であれば、正電極３１を第１反射膜２
１とすることも可能である。第１反射膜２１を互いに組
成比の異なるＡｌyＧａ1-yＮを膜厚λ／４ｎ（ｎｍ）
（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折率）で積層し多層膜と
した場合は、第１反射膜２１を正電極３１とｐ型コンタ
クト層１４との間に形成することも可能である。さら
に、電極を透光性の電極とし、その上に反射膜を形成し
てもよい。 （実施の形態２）図７に本発明の実施の形態２における
面発光型レーザ素子の概略図を示す。ＧａＮ、ＳｉＣ等
の導電性あるいは半導電性物質からなる基板１０上に、
各半導体層が形成される。基板１０上に負電極３２とオ
ーミック接触を得るための層であるｎ型コンタクト層１
１が形成される。ｎ型コンタクト層１１上にはキャリア
結合によって光を発生させる活性層１２が形成される。
活性層１２上には活性層１２にキャリアを閉じ込めるた
めのｐ型クラッド層１３が形成される。ｐ型クラッド層
１３上には正電極３１とオーミック接触を得るためのｐ
型コンタクト層１４が形成される。
異なるＡｌyＧａ1-yＮを膜厚λ／４ｎ（ｎｍ）（λ：発
光波長、ｎ：材料の屈折率）で積層し多層膜とした場合
は、図５に示すように、第２反射膜２２を、基板１０と
ｎ型コンタクト層１１との間に形成することも可能であ
る。あるいは、図６に示すようにｎ型コンタクト層１１
と活性層１２との間に形成してもよい。また、正電極面
の光の反射が十分であれば、正電極３１を第１反射膜２
１とすることも可能である。第１反射膜２１を互いに組
成比の異なるＡｌyＧａ1-yＮを膜厚λ／４ｎ（ｎｍ）
（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折率）で積層し多層膜と
した場合は、第１反射膜２１を正電極３１とｐ型コンタ
クト層１４との間に形成することも可能である。さら
に、電極を透光性の電極とし、その上に反射膜を形成し
てもよい。 （実施の形態２）図７に本発明の実施の形態２における
面発光型レーザ素子の概略図を示す。ＧａＮ、ＳｉＣ等
の導電性あるいは半導電性物質からなる基板１０上に、
各半導体層が形成される。基板１０上に負電極３２とオ
ーミック接触を得るための層であるｎ型コンタクト層１
１が形成される。ｎ型コンタクト層１１上にはキャリア
結合によって光を発生させる活性層１２が形成される。
活性層１２上には活性層１２にキャリアを閉じ込めるた
めのｐ型クラッド層１３が形成される。ｐ型クラッド層
１３上には正電極３１とオーミック接触を得るためのｐ
型コンタクト層１４が形成される。
【００２５】ｐ型クラッド層１３とｐ型コンタクト層１
４との境界近傍には、キャリアを所定の部分に集中させ
る電流狭窄層１５が、イオン注入によって形成される。
電流狭窄層１５の形成方法については実施の形態１と同
様の方法が用いられる。また、電流狭窄層１５の形成位
置についても、実施の形態１と同様とすることができ
る。
４との境界近傍には、キャリアを所定の部分に集中させ
る電流狭窄層１５が、イオン注入によって形成される。
電流狭窄層１５の形成方法については実施の形態１と同
様の方法が用いられる。また、電流狭窄層１５の形成位
置についても、実施の形態１と同様とすることができ
る。
【００２６】ｐ型コンタクト層１４上には、活性層１２
において発生した光を反射する第１反射膜２１がｐ型コ
ンタクト層１４の中央部分に形成される。第１反射膜２
１以外のｐ型コンタクト層１４表面のほぼ全面には正電
極３１が形成される。
において発生した光を反射する第１反射膜２１がｐ型コ
ンタクト層１４の中央部分に形成される。第１反射膜２
１以外のｐ型コンタクト層１４表面のほぼ全面には正電
極３１が形成される。
【００２７】基板１０の表面には、活性層１２において
発生した光を反射する第２反射膜２２が、電流狭窄層１
５の開口部分に対向して形成される。第２反射膜２２以
外の基板１０表面には負電極３２が形成される。このよ
うに、第２反射膜２２を基板１０の表面の一部に形成し
た場合は、負電極３２を直接基板１０の表面に形成でき
ることから、第２反射膜２２を絶縁性物質から形成がで
きる。
発生した光を反射する第２反射膜２２が、電流狭窄層１
５の開口部分に対向して形成される。第２反射膜２２以
外の基板１０表面には負電極３２が形成される。このよ
うに、第２反射膜２２を基板１０の表面の一部に形成し
た場合は、負電極３２を直接基板１０の表面に形成でき
ることから、第２反射膜２２を絶縁性物質から形成がで
きる。
【００２８】また第２反射膜２２は、第１反射膜２１と
比較して活性層１２からの距離が大きいため、第１反射
膜２１よりも大きな面積とすることが好ましい。さらに
窒化物半導体においては、ｎ型層はｐ型層と比較して十
分なキャリアの拡散が行われることから、負電極３２の
面積は正電極よりも小さく構成することが可能である。
比較して活性層１２からの距離が大きいため、第１反射
膜２１よりも大きな面積とすることが好ましい。さらに
窒化物半導体においては、ｎ型層はｐ型層と比較して十
分なキャリアの拡散が行われることから、負電極３２の
面積は正電極よりも小さく構成することが可能である。
【００２９】さらに、第２反射膜２２を互いに組成比の
異なるＡｌyＧａ1-yＮを膜厚λ／４ｎ（ｎｍ）で積層し
多層膜とした場合は、図８に示すように第２反射膜２２
を負電極３２と基板１０との間に形成してもよい。ま
た、図９示すように、第２反射膜２２を基板１０とｎ型
コンタクト層１１との間に形成してもよい。また、図１
０に示すように、第２反射膜２２をｎ型コンタクト層１
１と活性層１２との間に形成してもよい。さらに、電極
を透光性の電極とし、その上に反射膜を形成してもよ
い。
異なるＡｌyＧａ1-yＮを膜厚λ／４ｎ（ｎｍ）で積層し
多層膜とした場合は、図８に示すように第２反射膜２２
を負電極３２と基板１０との間に形成してもよい。ま
た、図９示すように、第２反射膜２２を基板１０とｎ型
コンタクト層１１との間に形成してもよい。また、図１
０に示すように、第２反射膜２２をｎ型コンタクト層１
１と活性層１２との間に形成してもよい。さらに、電極
を透光性の電極とし、その上に反射膜を形成してもよ
い。
【００３０】あるいは、図１１に示すように、ｐ型コン
タクト層１４上に第２反射膜２２を互いに組成比の異な
るＡｌyＧａ1-yＮを膜厚λ／４ｎ（ｎｍ）で積層し多層
膜として形成し、第２反射膜２２上に正電極３１を形成
することも可能である。また、正電極面の光の反射が十
分であれば、図１２に示すように正電極３１を第１反射
膜２１とすることも可能である。
タクト層１４上に第２反射膜２２を互いに組成比の異な
るＡｌyＧａ1-yＮを膜厚λ／４ｎ（ｎｍ）で積層し多層
膜として形成し、第２反射膜２２上に正電極３１を形成
することも可能である。また、正電極面の光の反射が十
分であれば、図１２に示すように正電極３１を第１反射
膜２１とすることも可能である。
【００３１】もちろん、基板１０に絶縁性物質を用い、
研磨等によって基板を除去した場合にも、基板１０が省
略あるいは導電性あるいは半導電性物質の補強部材と置
き換えられた状態として、実施の形態２の態様を適用で
きる。 （実施の形態３）図１３に本発明の実施の形態３におけ
る端面発光型レーザ素子の概略図を示す。サファイア、
あるいはスピネル等の絶縁性物質からなる基板１０上
に、各半導体層が形成される。基板１０上に負電極３２
とオーミック接触を得るための層であるｎ型コンタクト
層１１が形成される。ｎ型コンタクト層１１上には活性
層１２で発生した光を閉じ込めるｎ型クラッド層１１ａ
が形成される。ｎ型クラッド層１１ａ上には活性層１２
とともに光導波路を構成する下部光ガイド層１２ａが形
成される。下部光ガイド層１２ａ上にはキャリア結合に
よって光を発生させる活性層１２が形成される。活性層
１２上には活性層１２とともに光導波路を構成する上部
光ガイド層１２ｂが形成される。上部光ガイド層１２ｂ
上には活性層１２側に光およびキャリアを閉じ込めるた
めのｐ型クラッド層１３が形成される。ｐ型クラッド層
１３上には正電極３１とオーミック接触を得るためのｐ
型コンタクト層１４が形成される。
研磨等によって基板を除去した場合にも、基板１０が省
略あるいは導電性あるいは半導電性物質の補強部材と置
き換えられた状態として、実施の形態２の態様を適用で
きる。 （実施の形態３）図１３に本発明の実施の形態３におけ
る端面発光型レーザ素子の概略図を示す。サファイア、
あるいはスピネル等の絶縁性物質からなる基板１０上
に、各半導体層が形成される。基板１０上に負電極３２
とオーミック接触を得るための層であるｎ型コンタクト
層１１が形成される。ｎ型コンタクト層１１上には活性
層１２で発生した光を閉じ込めるｎ型クラッド層１１ａ
が形成される。ｎ型クラッド層１１ａ上には活性層１２
とともに光導波路を構成する下部光ガイド層１２ａが形
成される。下部光ガイド層１２ａ上にはキャリア結合に
よって光を発生させる活性層１２が形成される。活性層
１２上には活性層１２とともに光導波路を構成する上部
光ガイド層１２ｂが形成される。上部光ガイド層１２ｂ
上には活性層１２側に光およびキャリアを閉じ込めるた
めのｐ型クラッド層１３が形成される。ｐ型クラッド層
１３上には正電極３１とオーミック接触を得るためのｐ
型コンタクト層１４が形成される。
【００３２】ｐ型クラッド層１３とｐ型コンタクト層１
４との境界近傍には、図１４に示されたキャリアを集中
させるストライプ領域を除いてイオン注入を行うことに
よって電流狭窄層１５が形成される。電流狭窄層１５の
形成方法については実施の形態１と同様の方法が用いら
れる。また、電流狭窄層１５の形成位置についても、実
施の形態１と同様とすることができる。
４との境界近傍には、図１４に示されたキャリアを集中
させるストライプ領域を除いてイオン注入を行うことに
よって電流狭窄層１５が形成される。電流狭窄層１５の
形成方法については実施の形態１と同様の方法が用いら
れる。また、電流狭窄層１５の形成位置についても、実
施の形態１と同様とすることができる。
【００３３】ｐ型コンタクト層１４上には、正電極３１
が形成される。また、ｎ型コンタクト層１１上には負電
極３２が形成される。端面発光型レーザ素子において
は、半導体層を劈開、あるいはエッチング等を用いて共
振面を形成する。このとき共振面のいずれか一方、ある
いは両方に、たとえばＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそ
れぞれ膜厚λ／４ｎ（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折
率）として２層以上を蒸着により積層し多層膜とした反
射膜を形成してもよい。
が形成される。また、ｎ型コンタクト層１１上には負電
極３２が形成される。端面発光型レーザ素子において
は、半導体層を劈開、あるいはエッチング等を用いて共
振面を形成する。このとき共振面のいずれか一方、ある
いは両方に、たとえばＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそ
れぞれ膜厚λ／４ｎ（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折
率）として２層以上を蒸着により積層し多層膜とした反
射膜を形成してもよい。
【００３４】さらに、端面発光型のレーザ素子において
も、Ａｌのイオン注入によって、光導波路における水平
横方向の光を閉じ込める効果が得られることから、レー
ザ発振閾値を低減することができ、特に好ましい。ま
た、この光の閉じ込め効果は、電流狭窄層１５下部のｐ
型層（ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト層１
４）の膜厚、すなわち電流狭窄層１５の下面から活性層
１２の上面との距離が発光波長以下の場合に効果があ
り、電流狭窄層１５下部のｐ型層の膜厚と光ガイド層の
膜厚と活性層の膜厚との和が発光波長以下の場合に効果
が大きい。 （実施の形態４）図１５に本発明の実施の形態４におけ
る端面発光型レーザ素子の概略図を示す。ＧａＮ、Ｓｉ
Ｃ等の導電性あるいは半導電性物質からなる基板１０上
に、各半導体層が形成される。基板１０上に負電極３２
とオーミック接触を得るための層であるｎ型コンタクト
層１１が形成される。ｎ型コンタクト層１１上には活性
層１２で発生した光を閉じ込めるｎ型クラッド層１１ａ
が形成される。ｎ型クラッド層１１ａ上には活性層１２
とともに光導波路を構成する下部光ガイド層１２ａが形
成される。下部光ガイド層１２ａ上にはキャリア結合に
よって光を発生させる活性層１２が形成される。活性層
１２上には活性層１２とともに光導波路を構成する上部
光ガイド層１２ｂが形成される。上部光ガイド層１２ｂ
上には活性層１２側に光およびキャリアを閉じ込めるた
めのｐ型クラッド層１３が形成される。ｐ型クラッド層
１３上には正電極３１とオーミック接触を得るためのｐ
型コンタクト層１４が形成される。
も、Ａｌのイオン注入によって、光導波路における水平
横方向の光を閉じ込める効果が得られることから、レー
ザ発振閾値を低減することができ、特に好ましい。ま
た、この光の閉じ込め効果は、電流狭窄層１５下部のｐ
型層（ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト層１
４）の膜厚、すなわち電流狭窄層１５の下面から活性層
１２の上面との距離が発光波長以下の場合に効果があ
り、電流狭窄層１５下部のｐ型層の膜厚と光ガイド層の
膜厚と活性層の膜厚との和が発光波長以下の場合に効果
が大きい。 （実施の形態４）図１５に本発明の実施の形態４におけ
る端面発光型レーザ素子の概略図を示す。ＧａＮ、Ｓｉ
Ｃ等の導電性あるいは半導電性物質からなる基板１０上
に、各半導体層が形成される。基板１０上に負電極３２
とオーミック接触を得るための層であるｎ型コンタクト
層１１が形成される。ｎ型コンタクト層１１上には活性
層１２で発生した光を閉じ込めるｎ型クラッド層１１ａ
が形成される。ｎ型クラッド層１１ａ上には活性層１２
とともに光導波路を構成する下部光ガイド層１２ａが形
成される。下部光ガイド層１２ａ上にはキャリア結合に
よって光を発生させる活性層１２が形成される。活性層
１２上には活性層１２とともに光導波路を構成する上部
光ガイド層１２ｂが形成される。上部光ガイド層１２ｂ
上には活性層１２側に光およびキャリアを閉じ込めるた
めのｐ型クラッド層１３が形成される。ｐ型クラッド層
１３上には正電極３１とオーミック接触を得るためのｐ
型コンタクト層１４が形成される。
【００３５】ｐ型クラッド層１３とｐ型コンタクト層１
４との境界近傍には、キャリアを所定の部分に集中させ
る電流狭窄層１５が、イオン注入によって形成される。
電流狭窄層１５の形成方法については実施の形態１と同
様の方法が用いられる。また、電流狭窄層１５の形成位
置についても、実施の形態１と同様とすることができ
る。
４との境界近傍には、キャリアを所定の部分に集中させ
る電流狭窄層１５が、イオン注入によって形成される。
電流狭窄層１５の形成方法については実施の形態１と同
様の方法が用いられる。また、電流狭窄層１５の形成位
置についても、実施の形態１と同様とすることができ
る。
【００３６】ｐ型コンタクト層１４上には正電極３１が
形成される。また、ｎ型コンタクト層１１上には負電極
３２が形成される。端面発光型レーザ素子においては、
半導体層を劈開、あるいはエッチング等を用いて共振面
を形成する。このとき共振面のいずれか一方、あるいは
両方に、たとえばＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそれぞ
れ膜厚λ／４ｎ（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折率）と
して２層以上を蒸着により積層し多層膜とした反射膜を
形成してもよい。
形成される。また、ｎ型コンタクト層１１上には負電極
３２が形成される。端面発光型レーザ素子においては、
半導体層を劈開、あるいはエッチング等を用いて共振面
を形成する。このとき共振面のいずれか一方、あるいは
両方に、たとえばＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそれぞ
れ膜厚λ／４ｎ（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折率）と
して２層以上を蒸着により積層し多層膜とした反射膜を
形成してもよい。
【００３７】さらに、端面発光型のレーザ素子において
も、Ａｌのイオン注入によって、光導波路における水平
横方向の光を閉じ込める効果が得られることから、レー
ザ発振閾値を低減することができ、特に好ましい。ま
た、この光の閉じ込め効果は、電流狭窄層１５下部のｐ
型層（ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト層１
４）の膜厚、すなわち電流狭窄層１５の下面から活性層
１２の上面との距離が発光波長以下の場合に効果があ
り、電流狭窄層１５下部のｐ型層の膜厚と光ガイド層の
膜厚と活性層の膜厚との和が発光波長以下の場合に効果
が大きい。
も、Ａｌのイオン注入によって、光導波路における水平
横方向の光を閉じ込める効果が得られることから、レー
ザ発振閾値を低減することができ、特に好ましい。ま
た、この光の閉じ込め効果は、電流狭窄層１５下部のｐ
型層（ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト層１
４）の膜厚、すなわち電流狭窄層１５の下面から活性層
１２の上面との距離が発光波長以下の場合に効果があ
り、電流狭窄層１５下部のｐ型層の膜厚と光ガイド層の
膜厚と活性層の膜厚との和が発光波長以下の場合に効果
が大きい。
【００３８】
【実施例】（実施例１）実施例１は図１の構造のレーザ
素子を得る例を示しており、図１を元に説明する。まず
サファイア基板１０のＣ面（０００１）上に低温で成長
させたＧａＮよりなるバッファ層（図示せず）を２００
〜３００Åの膜厚で成長させる。このバッファ層上に、
バッファ層の成長温度よりも高温で成長させたＧａＮ層
を形成し、その上にストライプ幅１０μｍ、ストライプ
間隔（窓部）２μｍのＳｉＯ2膜を形成し、さらにその
上にＧａＮ層を成長させて形成し、下地層としてもよ
い。
素子を得る例を示しており、図１を元に説明する。まず
サファイア基板１０のＣ面（０００１）上に低温で成長
させたＧａＮよりなるバッファ層（図示せず）を２００
〜３００Åの膜厚で成長させる。このバッファ層上に、
バッファ層の成長温度よりも高温で成長させたＧａＮ層
を形成し、その上にストライプ幅１０μｍ、ストライプ
間隔（窓部）２μｍのＳｉＯ2膜を形成し、さらにその
上にＧａＮ層を成長させて形成し、下地層としてもよ
い。
【００３９】次に、バッファ層または下地層上にＳｉを
３×１０18／ｃｍ3ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型
コンタクト層１１を４μｍの膜厚で成長させる。次にＳ
ｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなる活性層
１２を０．１μｍの膜厚で成長させる。このときｎ型コ
ンタクト層１１と活性層１２との間にＳｉをドープした
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型クラッド層を０．２
μｍの膜厚で成長させてもよい。また、ここでは活性層
１２を単一井戸構造として形成する例を示したが、膜厚
３０ÅのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ／膜厚５０ÅのＩｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎを１層〜１０層積層した単一あるいは多重量子井
戸構造として形成してもよい。このとき、最初のＩｎ
0.2Ｇａ0.8Ｎの下にはＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層が形成され
ることが好ましい。さらに、活性層の組成比ＩｎxＧａ
1-xＮ（０≦ｘ≦１）は所望の発光波長等によって適宜
選択可能である。
３×１０18／ｃｍ3ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型
コンタクト層１１を４μｍの膜厚で成長させる。次にＳ
ｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなる活性層
１２を０．１μｍの膜厚で成長させる。このときｎ型コ
ンタクト層１１と活性層１２との間にＳｉをドープした
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型クラッド層を０．２
μｍの膜厚で成長させてもよい。また、ここでは活性層
１２を単一井戸構造として形成する例を示したが、膜厚
３０ÅのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ／膜厚５０ÅのＩｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎを１層〜１０層積層した単一あるいは多重量子井
戸構造として形成してもよい。このとき、最初のＩｎ
0.2Ｇａ0.8Ｎの下にはＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層が形成され
ることが好ましい。さらに、活性層の組成比ＩｎxＧａ
1-xＮ（０≦ｘ≦１）は所望の発光波長等によって適宜
選択可能である。
【００４０】次にＭｇを１×１０20／ｃｍ3ドープした
ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層よりなるｐ型クラッド層１３を
２００Å〜０．６μｍで成長させる。このｐ型クラッド
層１３は、ノンドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎからなる膜厚２
５Åの層と、Ｍｇを１×１０ 20／ｃｍ3ドープしたＡｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎからなる膜厚２５Åの層とから構成される
総膜厚０．６μｍの超格子層として形成してもよい。次
にＭｇを１×１０20／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなる
ｐ型コンタクト層１４を成長させる。
ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層よりなるｐ型クラッド層１３を
２００Å〜０．６μｍで成長させる。このｐ型クラッド
層１３は、ノンドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎからなる膜厚２
５Åの層と、Ｍｇを１×１０ 20／ｃｍ3ドープしたＡｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎからなる膜厚２５Åの層とから構成される
総膜厚０．６μｍの超格子層として形成してもよい。次
にＭｇを１×１０20／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなる
ｐ型コンタクト層１４を成長させる。
【００４１】ｐ型コンタクト層１４成長後、ウェーハを
反応容器から取り出し、ｐ型コンタクト層１４の所定の
部分をＳｉ酸化物またはレジスト等からなるたとえば１
０μｍφの形状のマスクによって覆い、イオン注入装置
を用いて、ｐクラッド層１３の上部からｐ型コンタクト
層１４の下部の深さにかけてイオン注入を行い、マスク
部分を開口部とした電流狭窄層１５を形成する。このイ
オン注入の深さは注入エネルギーによって制御できる。
このときイオン注入に用いられる元素としては、Ｓｉ、
Ｇｅといった窒化物半導体をｎ型化する元素、窒化物半
導体のバンドギャップエネルギーを大きくするＡｌ、窒
化物系半導体を高抵抗化するIII族元素であるＢ、窒化
物半導体を高抵抗なｐ型とするｐ型不純物であるＢｅ、
Ｚｎ、Ｃｄ、VI族元素であるＳｅ、Ｔｅ等が挙げられ
る。
反応容器から取り出し、ｐ型コンタクト層１４の所定の
部分をＳｉ酸化物またはレジスト等からなるたとえば１
０μｍφの形状のマスクによって覆い、イオン注入装置
を用いて、ｐクラッド層１３の上部からｐ型コンタクト
層１４の下部の深さにかけてイオン注入を行い、マスク
部分を開口部とした電流狭窄層１５を形成する。このイ
オン注入の深さは注入エネルギーによって制御できる。
このときイオン注入に用いられる元素としては、Ｓｉ、
Ｇｅといった窒化物半導体をｎ型化する元素、窒化物半
導体のバンドギャップエネルギーを大きくするＡｌ、窒
化物系半導体を高抵抗化するIII族元素であるＢ、窒化
物半導体を高抵抗なｐ型とするｐ型不純物であるＢｅ、
Ｚｎ、Ｃｄ、VI族元素であるＳｅ、Ｔｅ等が挙げられ
る。
【００４２】特に、Ａｌは窒化物半導体（たとえばＩｎ
xＡｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）を
形成する元素として用いられており、また、ＩｎxＧａ
1-xＮ（０≦ｘ≦１）に対して十分なバンドギャップエ
ネルギー差が得られ、電流狭窄効果が大きいことから、
イオン注入の元素としてより好ましい。さらに、ｐ型ク
ラッド層をＡｌyＧａ1-yＮ（０＜ｙ≦１）として形成し
た場合、Ａｌをイオン注入の元素としてｐ型クラッド層
の領域に注入し、電流狭窄層を形成することが好まし
い。少ないＡｌの注入量で、ｐ型コンタクト層１４に対
して大きなバンドギャップエネルギー差となり、十分な
電流狭窄効果が得られるからである。また、活性層にお
ける水平方向の光を閉じ込める効果に対しても有効であ
る。また、この光の閉じ込め効果は、電流狭窄層１５下
部のｐ型層（ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト
層１４）の膜厚が発光波長以下の場合に効果が大きい。
xＡｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）を
形成する元素として用いられており、また、ＩｎxＧａ
1-xＮ（０≦ｘ≦１）に対して十分なバンドギャップエ
ネルギー差が得られ、電流狭窄効果が大きいことから、
イオン注入の元素としてより好ましい。さらに、ｐ型ク
ラッド層をＡｌyＧａ1-yＮ（０＜ｙ≦１）として形成し
た場合、Ａｌをイオン注入の元素としてｐ型クラッド層
の領域に注入し、電流狭窄層を形成することが好まし
い。少ないＡｌの注入量で、ｐ型コンタクト層１４に対
して大きなバンドギャップエネルギー差となり、十分な
電流狭窄効果が得られるからである。また、活性層にお
ける水平方向の光を閉じ込める効果に対しても有効であ
る。また、この光の閉じ込め効果は、電流狭窄層１５下
部のｐ型層（ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト
層１４）の膜厚が発光波長以下の場合に効果が大きい。
【００４３】また、Ｓｉは、窒化物半導体にドープする
ことによって良好なｎ型が得られ、ｐ型層において十分
な電流狭窄効果があることから、イオン注入の元素とし
て好ましい。Ｓｉの注入量は、ｐ型層のキャリア濃度よ
りも高濃度、たとえば１０×１０17／ｃｍ3以上で注入
することが好ましい。Ｓｉの濃度はドーズ量によって制
御できる。
ことによって良好なｎ型が得られ、ｐ型層において十分
な電流狭窄効果があることから、イオン注入の元素とし
て好ましい。Ｓｉの注入量は、ｐ型層のキャリア濃度よ
りも高濃度、たとえば１０×１０17／ｃｍ3以上で注入
することが好ましい。Ｓｉの濃度はドーズ量によって制
御できる。
【００４４】イオン注入後は、イオン注入によるダメー
ジの回復のためにアニーリングを行う。電流狭窄層に注
入した元素の拡散防止のため、このダメージの回復のア
ニーリングののちに行われる電極形成後のアニーリング
をランプアニーリング等の高速アニーリングとすること
が好ましい。また、このダメージの回復のためのアニー
リングは電極形成後のアニーリングによって代用するこ
とも可能である。この場合も同様に、電流狭窄層に注入
した元素の拡散が防止できる。
ジの回復のためにアニーリングを行う。電流狭窄層に注
入した元素の拡散防止のため、このダメージの回復のア
ニーリングののちに行われる電極形成後のアニーリング
をランプアニーリング等の高速アニーリングとすること
が好ましい。また、このダメージの回復のためのアニー
リングは電極形成後のアニーリングによって代用するこ
とも可能である。この場合も同様に、電流狭窄層に注入
した元素の拡散が防止できる。
【００４５】その後、ｐ型コンタクト層１４のほぼ全面
にＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４ｎ
として２層以上蒸着により積層し多層膜とし、フォトリ
ソグラフィー技術を用いて、電流狭窄層１５の開口部分
の上方に多層膜を所定の形状にして第１反射鏡２１を形
成する。この第１反射鏡２１は電流狭窄層１５の開口部
よりもやや大きめに形成することが好ましい。
にＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４ｎ
として２層以上蒸着により積層し多層膜とし、フォトリ
ソグラフィー技術を用いて、電流狭窄層１５の開口部分
の上方に多層膜を所定の形状にして第１反射鏡２１を形
成する。この第１反射鏡２１は電流狭窄層１５の開口部
よりもやや大きめに形成することが好ましい。
【００４６】一方、サファイア基板１０側にもＳｉＯ2
とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４ｎとして２
層以上蒸着により積層し多層膜とし、第２反射鏡２２を
形成する。
とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４ｎとして２
層以上蒸着により積層し多層膜とし、第２反射鏡２２を
形成する。
【００４７】次にエッチングを行い、負電極３２を形成
すべきｎ型コンタクト層１１を露出させ、たとえばＴｉ
／Ａｌからなる負電極３２を形成する。また、第１反射
膜２１が形成されている以外のｐ型コンタクト層１４表
面のほぼ全面にも、たとえばＮｉ／Ａｕからなる正電極
を形成する。そして、チップ状に分離することにより図
１に示すような構造のレーザ素子を得ることができる。
すべきｎ型コンタクト層１１を露出させ、たとえばＴｉ
／Ａｌからなる負電極３２を形成する。また、第１反射
膜２１が形成されている以外のｐ型コンタクト層１４表
面のほぼ全面にも、たとえばＮｉ／Ａｕからなる正電極
を形成する。そして、チップ状に分離することにより図
１に示すような構造のレーザ素子を得ることができる。
【００４８】本実施例では、電流狭窄層１５をｐクラッ
ド層１３の上部からｐ型コンタクト層１４の下部にかけ
て形成する例を示したが、実施の形態１において述べた
位置に形成してもよい。ただし、電流狭窄層１５の形成
されていない所定の部分のｐ型コンタクト層１４は膜厚
０．５μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下に形成
し、電流狭窄層１５上部のｐ型コンタクト層の膜厚、す
なわち電柱狭窄層１５の上面からｐ型コンタクト層１４
の上面との距離が０．０５μｍ以上とすることが、キャ
リアの注入効率上およびリーク防止の観点から好まし
い。あるいは、図４に示すように電流狭窄層１５をｐク
ラッド層１３とｐ型コンタクト層１４との境界面から下
方に形成することも可能である。特に、イオン注入の元
素としてＡｌを用いた場合は、少なくとも電流狭窄層１
５の一部をｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層１４と
の境界面よりも下方に形成することによって、活性層１
２における水平方向の光を閉じ込める効果を高めること
ができることからより好ましい。これら電流狭窄層１５
の形成深さは、イオン注入の注入エネルギーによって制
御できる。
ド層１３の上部からｐ型コンタクト層１４の下部にかけ
て形成する例を示したが、実施の形態１において述べた
位置に形成してもよい。ただし、電流狭窄層１５の形成
されていない所定の部分のｐ型コンタクト層１４は膜厚
０．５μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下に形成
し、電流狭窄層１５上部のｐ型コンタクト層の膜厚、す
なわち電柱狭窄層１５の上面からｐ型コンタクト層１４
の上面との距離が０．０５μｍ以上とすることが、キャ
リアの注入効率上およびリーク防止の観点から好まし
い。あるいは、図４に示すように電流狭窄層１５をｐク
ラッド層１３とｐ型コンタクト層１４との境界面から下
方に形成することも可能である。特に、イオン注入の元
素としてＡｌを用いた場合は、少なくとも電流狭窄層１
５の一部をｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層１４と
の境界面よりも下方に形成することによって、活性層１
２における水平方向の光を閉じ込める効果を高めること
ができることからより好ましい。これら電流狭窄層１５
の形成深さは、イオン注入の注入エネルギーによって制
御できる。
【００４９】また、本実施例１の第２反射膜２２を、互
いに組成比の異なるＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）をそ
れぞれ膜厚λ／４ｎ（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折
率）となるように交互に積層して多層膜とし、第２反射
膜２２を形成することによって、図５に示すように、第
２反射膜２２を、基板１０とｎ型コンタクト層１１との
間に形成することも可能である。あるいは、図６に示す
ようにｎ型コンタクト層１１と活性層１２との間に形成
してもよい。さらに、電極を透光性の電極とし、その上
に反射膜を形成してもよい。 （実施例２）実施例２は図７の構造のレーザ素子を得る
例を示しており、図１を元に説明する。まずＳｉＣまた
はＧａＮ等の基板１０上に、実施例１と同様にして、各
半導体層１１〜１４を形成し、イオン注入によって電流
狭窄層１５を形成する。ＧａＮ基板の場合は特に下地層
を必要としない。
いに組成比の異なるＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）をそ
れぞれ膜厚λ／４ｎ（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折
率）となるように交互に積層して多層膜とし、第２反射
膜２２を形成することによって、図５に示すように、第
２反射膜２２を、基板１０とｎ型コンタクト層１１との
間に形成することも可能である。あるいは、図６に示す
ようにｎ型コンタクト層１１と活性層１２との間に形成
してもよい。さらに、電極を透光性の電極とし、その上
に反射膜を形成してもよい。 （実施例２）実施例２は図７の構造のレーザ素子を得る
例を示しており、図１を元に説明する。まずＳｉＣまた
はＧａＮ等の基板１０上に、実施例１と同様にして、各
半導体層１１〜１４を形成し、イオン注入によって電流
狭窄層１５を形成する。ＧａＮ基板の場合は特に下地層
を必要としない。
【００５０】その後、ｐ型コンタクト層１４のほぼ全面
にＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４ｎ
として２層以上蒸着により積層し多層膜とし、フォトリ
ソグラフィー技術を用いて、電流狭窄層１５の開口部分
の上方に多層膜を所定の形状にして第１反射鏡２１を形
成する。この第１反射鏡２１は電流狭窄層１５の開口部
よりもやや大きめに形成することが好ましい。
にＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４ｎ
として２層以上蒸着により積層し多層膜とし、フォトリ
ソグラフィー技術を用いて、電流狭窄層１５の開口部分
の上方に多層膜を所定の形状にして第１反射鏡２１を形
成する。この第１反射鏡２１は電流狭窄層１５の開口部
よりもやや大きめに形成することが好ましい。
【００５１】同様に、基板１０側にも基板１０のほぼ全
面にＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４
ｎ（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折率）として２層以上
蒸着により積層し多層膜とし、活性層１２を挟んで電流
狭窄層１５の開口部分に対向した位置に多層膜を所定の
形状で第２反射鏡２２を形成する。この第２反射鏡２２
は電流狭窄層１５の開口部よりも少なくとも大きく形成
する。
面にＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４
ｎ（λ：発光波長、ｎ：材料の屈折率）として２層以上
蒸着により積層し多層膜とし、活性層１２を挟んで電流
狭窄層１５の開口部分に対向した位置に多層膜を所定の
形状で第２反射鏡２２を形成する。この第２反射鏡２２
は電流狭窄層１５の開口部よりも少なくとも大きく形成
する。
【００５２】そして、第２反射膜２２が形成された以外
の基板１０の表面に、たとえばＴｉ／Ａｌからなる負電
極３２を形成する。また、第１反射膜２１が形成されて
いる以外のｐ型コンタクト層１４の表面にも、たとえば
Ｎｉ／Ａｕからなる正電極を形成する。そして、チップ
状に分離することにより図７に示すような構造のレーザ
素子を得ることができる。
の基板１０の表面に、たとえばＴｉ／Ａｌからなる負電
極３２を形成する。また、第１反射膜２１が形成されて
いる以外のｐ型コンタクト層１４の表面にも、たとえば
Ｎｉ／Ａｕからなる正電極を形成する。そして、チップ
状に分離することにより図７に示すような構造のレーザ
素子を得ることができる。
【００５３】さらに、第２反射膜２２を互いに組成比の
異なるＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）をそれぞれ膜厚λ
／４ｎとなるように交互に積層して多層膜とした場合
は、図８に示すように第２反射膜２２を負電極３２と基
板１０との間に形成することも可能である。また、図９
示すように、第２反射膜２２を基板１０とｎ型コンタク
ト層１１との間に形成してもよい。また、図１０に示す
ように、第２反射膜２２をｎ型コンタクト層１１と活性
層１２との間に形成してもよい。
異なるＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）をそれぞれ膜厚λ
／４ｎとなるように交互に積層して多層膜とした場合
は、図８に示すように第２反射膜２２を負電極３２と基
板１０との間に形成することも可能である。また、図９
示すように、第２反射膜２２を基板１０とｎ型コンタク
ト層１１との間に形成してもよい。また、図１０に示す
ように、第２反射膜２２をｎ型コンタクト層１１と活性
層１２との間に形成してもよい。
【００５４】あるいは、図１１に示すように、ｐ型コン
タクト層１４上に第２反射膜２２を互いに組成比の異な
るＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）を膜厚λ／４ｎ（ｎ
ｍ）で積層し多層膜として形成し、第２反射膜２２上に
正電極３１を形成することも可能である。また、正電極
面の光の反射が十分であれば、図１２に示すように第１
反射膜２１を省略することも可能である。さらに、電極
を透光性の電極とし、その上に反射膜を形成してもよ
い。 （実施例３）実施例３は図１３の構造のレーザ素子を得
る例を示しており、図１３を元に説明する。まずサファ
イア基板１０のＣ面（０００１）上にＧａＮよりなるバ
ッファ層（図示せず）を３００オングストロームの膜厚
で成長させる。実施例１と同様にバッファ層上に下地層
を形成してもよい。バッファ層または下地層上にＳｉを
ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１１を
４μｍの膜厚で成長させる。次に、ｎ型コンタクト層１
１上にＳｉをドープしたＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型
クラッド層１１ａを０．２μｍの膜厚で成長させる。次
に、ｎ型クラッド層１１ａ上に、活性層１２と同程度の
光屈折率を示す下部光ガイド層１２ａを形成する。下部
光ガイド層１２ａは、たとえばノンドープＧａＮあるい
は活性層１２のＩｎ混晶比ｘよりも混晶比の少ないＩｎ
xＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を２００Å〜１μｍの膜厚で
成長させる。この下部光ガイド層１２ａはＳｉをドープ
しｎ型としてもよい。
タクト層１４上に第２反射膜２２を互いに組成比の異な
るＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦１）を膜厚λ／４ｎ（ｎ
ｍ）で積層し多層膜として形成し、第２反射膜２２上に
正電極３１を形成することも可能である。また、正電極
面の光の反射が十分であれば、図１２に示すように第１
反射膜２１を省略することも可能である。さらに、電極
を透光性の電極とし、その上に反射膜を形成してもよ
い。 （実施例３）実施例３は図１３の構造のレーザ素子を得
る例を示しており、図１３を元に説明する。まずサファ
イア基板１０のＣ面（０００１）上にＧａＮよりなるバ
ッファ層（図示せず）を３００オングストロームの膜厚
で成長させる。実施例１と同様にバッファ層上に下地層
を形成してもよい。バッファ層または下地層上にＳｉを
ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層１１を
４μｍの膜厚で成長させる。次に、ｎ型コンタクト層１
１上にＳｉをドープしたＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型
クラッド層１１ａを０．２μｍの膜厚で成長させる。次
に、ｎ型クラッド層１１ａ上に、活性層１２と同程度の
光屈折率を示す下部光ガイド層１２ａを形成する。下部
光ガイド層１２ａは、たとえばノンドープＧａＮあるい
は活性層１２のＩｎ混晶比ｘよりも混晶比の少ないＩｎ
xＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を２００Å〜１μｍの膜厚で
成長させる。この下部光ガイド層１２ａはＳｉをドープ
しｎ型としてもよい。
【００５５】次にＳｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.05Ｇａ
0.95Ｎよりなる活性層１２を０．１μｍの膜厚で成長さ
せる。また、ここでは活性層１２を単一井戸構造として
形成する例を示したが、膜厚３０ÅのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ
／膜厚５０ÅのＩｎ0.05Ｇａ0. 95Ｎを１層〜１０層積層
した単一あるいは多重量子井戸構造として形成してもよ
い。このとき、最初のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎの下にはＩｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎ層が形成されることが好ましい。さら
に、活性層の組成比ＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）は所
望の発光波長等によって適宜選択可能である。
0.95Ｎよりなる活性層１２を０．１μｍの膜厚で成長さ
せる。また、ここでは活性層１２を単一井戸構造として
形成する例を示したが、膜厚３０ÅのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ
／膜厚５０ÅのＩｎ0.05Ｇａ0. 95Ｎを１層〜１０層積層
した単一あるいは多重量子井戸構造として形成してもよ
い。このとき、最初のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎの下にはＩｎ
0.05Ｇａ0.95Ｎ層が形成されることが好ましい。さら
に、活性層の組成比ＩｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）は所
望の発光波長等によって適宜選択可能である。
【００５６】次に、活性層１２上に、活性層１２と同程
度の光屈折率を示す上部光ガイド層１２ｂを形成する。
上部光ガイド層１２ｂは、たとえばノンドープＧａＮあ
るいは活性層１２のＩｎ混晶比よりも混晶比の少ないＩ
ｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を２００Å〜１μｍの膜厚
で成長させる。この上部光ガイド層１２ｂはＭｇをドー
プしｐ型としてもよい。 次にＭｇをドープしたｐ型Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層よりなるｐ型クラッド層１３を０．２
μｍで成長させる。次にＭｇドープＧａＮよりなるｐ型
コンタクト層１４を成長させる。
度の光屈折率を示す上部光ガイド層１２ｂを形成する。
上部光ガイド層１２ｂは、たとえばノンドープＧａＮあ
るいは活性層１２のＩｎ混晶比よりも混晶比の少ないＩ
ｎxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）を２００Å〜１μｍの膜厚
で成長させる。この上部光ガイド層１２ｂはＭｇをドー
プしｐ型としてもよい。 次にＭｇをドープしたｐ型Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層よりなるｐ型クラッド層１３を０．２
μｍで成長させる。次にＭｇドープＧａＮよりなるｐ型
コンタクト層１４を成長させる。
【００５７】次に、ｐ型コンタクト層１４成長後、ウェ
ーハを反応容器から取り出し、ｐ型コンタクト層１４の
所定の部分を、Ｓｉ酸化膜またはレジスト等からなるた
とえば幅１０μｍのストライプ状のマスクによって図１
４のように覆い、イオン注入装置を用いて、ｐクラッド
層１３の上部からｐ型コンタクト層１４の下部の深さに
かけてイオン注入を行い、マスク部分をストライプ領域
とした電流狭窄層１５を形成する。このイオン注入は、
実施例１と同様に行われる。電流狭窄層１５の形成位置
についても、実施例１と同様に適宜選択可能である。さ
らに端面発光型のレーザ素子においても、イオン注入の
元素としてＡｌを用いた場合は、少なくとも電流狭窄層
１５の一部をｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層１４
との境界面よりも下方に形成することによって、光導波
路における水平横方向の光を閉じ込める効果を高めるこ
とができることからより好ましい。また、この光の閉じ
込め効果は、電流狭窄層１５下部のｐ型層（ｐ型クラッ
ド層１３およびｐ型コンタクト層１４）の膜厚、すなわ
ち電流狭窄層１５の下面から活性層１２の上面との距離
が発光波長以下の場合に効果があり、電流狭窄層１５下
部のｐ型層の膜厚と光ガイド層の膜厚と活性層の膜厚と
の和が発光波長以下の場合に効果が大きい。
ーハを反応容器から取り出し、ｐ型コンタクト層１４の
所定の部分を、Ｓｉ酸化膜またはレジスト等からなるた
とえば幅１０μｍのストライプ状のマスクによって図１
４のように覆い、イオン注入装置を用いて、ｐクラッド
層１３の上部からｐ型コンタクト層１４の下部の深さに
かけてイオン注入を行い、マスク部分をストライプ領域
とした電流狭窄層１５を形成する。このイオン注入は、
実施例１と同様に行われる。電流狭窄層１５の形成位置
についても、実施例１と同様に適宜選択可能である。さ
らに端面発光型のレーザ素子においても、イオン注入の
元素としてＡｌを用いた場合は、少なくとも電流狭窄層
１５の一部をｐクラッド層１３とｐ型コンタクト層１４
との境界面よりも下方に形成することによって、光導波
路における水平横方向の光を閉じ込める効果を高めるこ
とができることからより好ましい。また、この光の閉じ
込め効果は、電流狭窄層１５下部のｐ型層（ｐ型クラッ
ド層１３およびｐ型コンタクト層１４）の膜厚、すなわ
ち電流狭窄層１５の下面から活性層１２の上面との距離
が発光波長以下の場合に効果があり、電流狭窄層１５下
部のｐ型層の膜厚と光ガイド層の膜厚と活性層の膜厚と
の和が発光波長以下の場合に効果が大きい。
【００５８】その後、エッチングを行い、負電極３２を
形成すべきｎ型コンタクト層１１を露出させ、たとえば
Ｔｉ／Ａｌからなる負電極３２を形成する。また、ｐ型
コンタクト層１４上のほぼ全面にも、たとえばＮｉ／Ａ
ｕからなる正電極３１を形成する。
形成すべきｎ型コンタクト層１１を露出させ、たとえば
Ｔｉ／Ａｌからなる負電極３２を形成する。また、ｐ型
コンタクト層１４上のほぼ全面にも、たとえばＮｉ／Ａ
ｕからなる正電極３１を形成する。
【００５９】そして、ｐ型層が残された半導体領域を、
ストライプの幅方向の半導体層の端面が光共振面となる
ように劈開、あるいはエッチングを行い、チップ状に分
離する。この光共振面には、必要に応じて両光共振面あ
るいはいずれか一方に、ＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層を
それぞれ膜厚λ／４ｎとして２層以上蒸着により積層し
多層膜とし、反射膜を形成してもよい。 （実施例４）実施例４は図１５の構造のレーザ素子を得
る例を示しており、図１５を元に説明する。まずＧａＮ
基板１０上に、実施例３と同様にして、各半導体層１１
〜１４を形成し、イオン注入によって電流狭窄層１５を
形成する。
ストライプの幅方向の半導体層の端面が光共振面となる
ように劈開、あるいはエッチングを行い、チップ状に分
離する。この光共振面には、必要に応じて両光共振面あ
るいはいずれか一方に、ＳｉＯ2とＴｉＯ2からなる層を
それぞれ膜厚λ／４ｎとして２層以上蒸着により積層し
多層膜とし、反射膜を形成してもよい。 （実施例４）実施例４は図１５の構造のレーザ素子を得
る例を示しており、図１５を元に説明する。まずＧａＮ
基板１０上に、実施例３と同様にして、各半導体層１１
〜１４を形成し、イオン注入によって電流狭窄層１５を
形成する。
【００６０】その後、基板１０の表面のほぼ全面に、た
とえばＴｉ／Ａｌからなる負電極３２を形成する。ま
た、ｐ型コンタクト層１４上のほぼ全面にも、たとえば
Ｎｉ／Ａｕからなる正電極３１を形成する。
とえばＴｉ／Ａｌからなる負電極３２を形成する。ま
た、ｐ型コンタクト層１４上のほぼ全面にも、たとえば
Ｎｉ／Ａｕからなる正電極３１を形成する。
【００６１】そして、ストライプの幅方向の半導体層の
端面が光共振面となるように劈開、あるいはエッチング
を行い、チップ状に分離する。この光共振面には、必要
に応じて両光共振面あるいはいずれか一方に、ＳｉＯ2
とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４ｎとして２
層以上蒸着により積層し多層膜とし、反射膜を形成して
もよい。
端面が光共振面となるように劈開、あるいはエッチング
を行い、チップ状に分離する。この光共振面には、必要
に応じて両光共振面あるいはいずれか一方に、ＳｉＯ2
とＴｉＯ2からなる層をそれぞれ膜厚λ／４ｎとして２
層以上蒸着により積層し多層膜とし、反射膜を形成して
もよい。
【００６２】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明によって レー
ザ発振閾値が小さく、かつ生産性の高い窒化物半導体
（たとえばＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、
ｘ＋ｙ≦１）からなる端面発光型のレーザ素子を提供す
ることができる。また、本発明によって、窒化物半導体
（たとえばＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、
ｘ＋ｙ≦１）からなる面発光型のレーザ素子を提供する
ことができる。
ザ発振閾値が小さく、かつ生産性の高い窒化物半導体
（たとえばＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、
ｘ＋ｙ≦１）からなる端面発光型のレーザ素子を提供す
ることができる。また、本発明によって、窒化物半導体
（たとえばＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、ｘ≧０、ｙ≧０、
ｘ＋ｙ≦１）からなる面発光型のレーザ素子を提供する
ことができる。
【図１】本発明の実施の形態１における面発光型レーザ
素子の概略図である。
素子の概略図である。
【図２】本発明の実施の形態１における面発光型レーザ
素子の電流狭窄層形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
素子の電流狭窄層形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
【図３】本発明の実施の形態１における面発光型レーザ
素子の電流狭窄層形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
素子の電流狭窄層形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
【図４】本発明の実施の形態１における面発光型レーザ
素子の電流狭窄層形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
素子の電流狭窄層形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
【図５】本発明の実施の形態１における面発光型レーザ
素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
【図６】本発明の実施の形態１における面発光型レーザ
素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
【図７】本発明の実施の形態２における面発光型レーザ
素子の概略図である。
素子の概略図である。
【図８】本発明の実施の形態２における面発光型レーザ
素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
【図９】本発明の実施の形態２における面発光型レーザ
素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図であ
る。
【図１０】本発明の実施の形態２における面発光型レー
ザ素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図で
ある。
ザ素子の第２反射膜形成位置の変形例に関する概略図で
ある。
【図１１】本発明の実施の形態２における面発光型レー
ザ素子の第１反射膜形成位置の変形例に関する概略図で
ある。
ザ素子の第１反射膜形成位置の変形例に関する概略図で
ある。
【図１２】本発明の実施の形態２における面発光型レー
ザ素子の第１反射膜の変形例に関する概略図である。
ザ素子の第１反射膜の変形例に関する概略図である。
【図１３】本発明の実施の形態３における端面発光型レ
ーザ素子の概略図である。
ーザ素子の概略図である。
【図１４】本発明の実施の形態３における端面発光型レ
ーザ素子をｐ型層側から見た概略図である。
ーザ素子をｐ型層側から見た概略図である。
【図１５】本発明の実施の形態４における端面発光型レ
ーザ素子の概略図である。
ーザ素子の概略図である。
１０・・・基板 １１・・・ｎ型コンタクト層 １１ａ・・・ｎ型クラッド層 １２・・・活性層 １２ａ・・・下部光ガイド層 １２ｂ・・・上部光ガイド層 １３・・・ｐ型クラッド層 １４・・・ｐ型コンタクト層 １５・・・電流狭窄層 ２１・・・第１反射膜 ２２・・・第２反射膜 ３１・・・正電極 ３２・・・負電極
Claims (8)
- 【請求項１】活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造
を有する窒化物半導体からなる面発光型のレーザ素子に
おいて、 前記ｐ型層に、キャリアを集中させる開口部を除いてイ
オン注入を行うことによって電流狭窄層が形成されるこ
とを特徴とするレーザ素子。 - 【請求項２】活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造
を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子
において、 前記ｐ型層に、キャリアを集中させるストライプ領域を
除いてイオン注入を行うことによって電流狭窄層が形成
されることを特徴とするレーザ素子。 - 【請求項３】前記ｐ型層は、少なくともｐ型クラッド層
とｐ型コンタクト層を有し、 前記電流狭窄層の一部は少なくとも前記ｐ型コンタクト
層に形成されることを特徴とする請求項１乃至２に記載
のレーザ素子。 - 【請求項４】前記ｐ型層は、少なくともｐ型クラッド層
とｐ型コンタクト層を有し、 前記電流狭窄層の一部は少なくとも前記ｐ型クラッド層
に形成されることを特徴とする請求項１乃至２に記載の
レーザ素子。 - 【請求項５】前記電流狭窄層の上部の前記ｐ型コンタク
ト層の膜厚が０．０５μｍ以上であることを特徴とする
請求項３に記載のレーザ素子。 - 【請求項６】前記電流狭窄層はＡｌをイオン注入するこ
とによって形成されることを特徴とする請求項１乃至５
に記載のレーザ素子。 - 【請求項７】前記電流狭窄層の下部の前記ｐ型層の膜厚
が発光波長以下であることを特徴とする請求項６に記載
のレーザ素子。 - 【請求項８】前記電流狭窄層はｎ型不純物をイオン注入
することによって形成されることを特徴とする請求項１
乃至５に記載のレーザ素子。
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003061021A2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-24 | Regents Of The University Of California, The Office Of Technology Transfer | Implantation for current confinement in nitride-based vertical optoelectronics |
| WO2003075425A1 (fr) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element laser a semi-conducteur a base de nitrure |
| JP2003273399A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 垂直の発光方向を有する放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2004055854A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ素子 |
| JP2013102043A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子、及び、半導体レーザ素子の作製方法 |
| JP2018157034A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 住友電気工業株式会社 | 垂直共振型面発光レーザを作製する方法、垂直共振型面発光レーザ |
| JP2018186213A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
| CN110021876A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| CN110323131A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 脸谱科技有限责任公司 | 微型led中表面重组损失的减少 |
| JP2020120051A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | 株式会社リコー | 窒化物半導体多層構造、発光素子、光源装置及び窒化物半導体多層構造の製造方法 |
| WO2021177036A1 (ja) * | 2020-03-05 | 2021-09-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 面発光レーザ |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246670A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体発光素子 |
| JPH1093192A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH10229246A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法 |
| JPH11112088A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH11214800A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2000022271A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光レーザおよび面発光レーザアレイ |
-
2000
- 2000-03-22 JP JP2000079426A patent/JP3671807B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246670A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体発光素子 |
| JPH1093192A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH10229246A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法 |
| JPH11112088A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面発光半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH11214800A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2000022271A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光レーザおよび面発光レーザアレイ |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003061021A2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-24 | Regents Of The University Of California, The Office Of Technology Transfer | Implantation for current confinement in nitride-based vertical optoelectronics |
| WO2003061021A3 (en) * | 2001-12-21 | 2004-04-15 | Univ California The Office Of | Implantation for current confinement in nitride-based vertical optoelectronics |
| JP2003273399A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 垂直の発光方向を有する放射線を発する半導体デバイス及びその製造方法 |
| WO2003075425A1 (fr) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Element laser a semi-conducteur a base de nitrure |
| JP2004055854A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ素子 |
| JP2013102043A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子、及び、半導体レーザ素子の作製方法 |
| JP2018157034A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 住友電気工業株式会社 | 垂直共振型面発光レーザを作製する方法、垂直共振型面発光レーザ |
| JP2018186213A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
| CN110021876A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| CN110323131A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 脸谱科技有限责任公司 | 微型led中表面重组损失的减少 |
| JP2020120051A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | 株式会社リコー | 窒化物半導体多層構造、発光素子、光源装置及び窒化物半導体多層構造の製造方法 |
| US11444434B2 (en) | 2019-01-25 | 2022-09-13 | Ricoh Company, Ltd. | Nitride semiconductor multilayer structure, light emitting element, light source apparatus, and method for producing nitride semiconductor multilayer structure |
| WO2021177036A1 (ja) * | 2020-03-05 | 2021-09-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 面発光レーザ |
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| Publication number | Publication date |
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