KR960009300A - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 이온 주입에 의해 통전 채널을 형성하여 그 구조 및 제조 공정을 간단화한 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법은 상부 크래드층 상면에 캡층 대신 전류 차단층을 형성하고 프로톤 충역 대신 이온 주입을 싱시하여 통전 태널을 형성함으로써, 통전 채널을 활성층의 굴곡부에 자동적을 일치시킬 수 있고, 프론톤 충격용 Ti마스크를 증착하시 위한 공정이 생략되므로 제조공정이 비교적 간단하고, 고출력 동작이 용이한 특성을 가진다. 또한 프로톤 충격에 의한 고저항 형성시 보다 누설 전류를 현격히 줄일 수 있어 낮은 발진 개시 전류를 얻을 수 있고 발광 효율이 놓아지게 되며, 프로톤 충격에 의한 기판의 손상도 줄일 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 내지 제14도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조 단계별 공정 후의 수직 단면도로서, 제8도는 에피택시 성장 후의 수직 단면도,
제9도는 포토레지스트 도로 후의 수직 단면도,
제10도는 돌기부 노출 후의 수직 단면도,
제11도는 건식 또는 습식 식각에 의한 돌기부 식각 후의 수직 단면도,
제12도는 이온 주입 공정 후의 수직 단면도,
제13도는 잔류 포토레지스트 제거후 완성된 소자의 수직 단면도,
제14도는 상기 돌기부 식각 공정을 생략했을 경우의 완성된 소자의 수직 단면도이다.
Claims (8)
- 그중앙 상면에 돌기부가 형성된 가판; 상기 기판 상면에 상기 돌기부에 대응하는 굴곡부를 가지도록 적층된 하부 크래드층; 상기 하부 크래드층 상면에 상기 돌기부에 대응하는 굴곡부를 가지도록 적층된 활성층; 상기 활성층 상면에 상기 돌기부에 대응하는 굴곡부를 가지도록 적층된 상부 크래드층; 그리고 상기 상부 크래드층 상면에 그 상면이 평탄하도록 적층된 전류 차단층;을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 돌기부는 메사형 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 그 중앙 상면에 돌기부가 형성된 기판; 상기 기판 상면에 상기 돌기부에 대응하는 굴곡부를 가지도록 적층된 하부 크래드층; 상기 하부 크래드층 상면에 상기 돌기부에 대응하는 굴곡부를 가지도록 적층된 활성층; 상기 활성층 상면에 상기 돌기부에 대응하는 굴고부를 가지도록 적층된 상부 크래드층; 그리고 상기 상부 크래드층 상면에 상기 돌기부에 대응하는 굴곡부를 가지도록 적층된 전류 차단층;을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제3항에 있어서, 상기 돌기부는 메사형 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 기판 상면 중앙에 돌기부를 형성하는 돌기부 형성 단계; 상기 기판 상면에 상기 돌기부에 대응하는 굴곡부를 갖도록 하부 크래드층, 활성층, 상부 크래드층 및 전류 차단층을 순차적으로 성장시키는 성장 단계; 상기 전류 차단층 상면에 포토레지스트를 평탄하게 도포하는 포토레지스트 도포 단계; 상기 포토레지스트를 식각하여 상기 전류 차단층의 국곡부를 노출시키는 굴곡부 노출 단계; 상기 잔류된 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 굴곡부에 이온을 주입하여 통전 채널을 형성하는 이온 주입 단계; 그리고 상기 잔류된 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 돌기부 형성 단계는 포토리소그래피법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 굴곡부 노출 단계 다음에 잔류된 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 전류 차단층의 굴곡부를 식각하는 굴곡부 식각 단계를 더 포한하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 굴곡부 식각 단계는 건식 또는 습식 식각법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940021899A KR960009300A (ko) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940021899A KR960009300A (ko) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960009300A true KR960009300A (ko) | 1996-03-22 |
Family
ID=66686691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940021899A KR960009300A (ko) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960009300A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101013422B1 (ko) * | 2003-05-12 | 2011-02-14 | 소니 주식회사 | 면발광형 반도체 레이저소자 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-08-31 KR KR1019940021899A patent/KR960009300A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101013422B1 (ko) * | 2003-05-12 | 2011-02-14 | 소니 주식회사 | 면발광형 반도체 레이저소자 및 그 제조방법 |
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