KR950012902A - 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
InGaP/InGaAlP계 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 레이저 다이오드는 레이저 발진층의 상부에 다이아몬드 전류 차단층이 형성되어 있는 것으로, 이러한 다이아몬드 전류 차단층은 플라즈마 강화 화학 증착법(PECVD)에 의하여 성장시키게 된다. 보다 구체적으로는 릿지 구조를 갖는 레이저 발진층의 상부에 다이아몬드 전류 차단층을 전면 증착한 후 채널부위를 사진식각하거나, 아니면 채널부위에 대응되는 마스크 패턴을 사용하여 다이아몬드 전류 차단층을 선택적으로 성장시킬 수 있다. 이와 같이 다이아몬드 전류 차단층을 포함하는 레이저 다이오드는 열전도도가 우수하여 열특성이 개선되고, 누설전류를 최소화 할 수 있으며, 강한 굴절률 도파를 수행하게 되는 잇점을 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.
제3A도 내지 제3D도는 본 발명의 일실시예에 따른 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위하여, 공정 순서에 따라 나타나는 중간 결과물들의 단면도를 순차적으로 나타낸 것이다.
제4A도 내지 제4D도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위하여, 공정 순서에 따라 나타나는 중간 결과물들의 단면도를 순차적으로 나타낸 것이다.
Claims (9)
- 반도체 기판; 상기 기판상에 형성되어 있는 레이저 발진층; 및 상기 레이저 발진층상에 선택적으로 형성되어 있는 다이아몬드 전류 차단층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 발진층은 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층 및 제2도전형 InGaAlP 클래드층이 순차적으로 적층되어 있으며, 릿지 구조를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제2항에 있어서, 상기 레이저 발진층은 상기 릿지의 상부에 제2도전형 InGaP버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 다이아몬드 전류 차단층의 상부에 전면적으로 형성되어 있으며, AuZn/Au로 구성되는 제2도전형 금소전주; 및 상기 가판의 하부에 형성되어 있으며 AuZn/Au로 구성되는 제1도전형 금속전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 반도체 기판상에 레이저 발진층을 형성하는 공정; 전류가 공급되는 채널부위에 대응되는 상기 레이저 발진층의 상부에 마스크 패턴을 형성하는 공정; 및 상기 마스크 패턴을 결정성장 방지마스크로 사용하여 다아아몬드 전류 차단층을 선택적으로 성장시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 다이아몬드 전류 차단층을 성장시키는 공정은 플라즈마 강화 화학 증착법(PECVD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 레이저 발진층을 형성하는 공정은 상기 기판의 상부에 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층, 제2도전형 InGaAlP 클래드층 및 제2도전형 InGaP 버퍼층을 순차적으로 성장시키는 공정; 상기 제2도전형 InGaP 버퍼층의 상부에 릿지 형성을 위한 마스크 패턴을 형성하는 공정; 및 상기 릿지 형성을 위한 마스크 패턴을 사용하여 상기 제2도전형 InGaP 버퍼층, 제2도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층 및 제1도전형 InGaAlP 클래드층을 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 공정을 포함하며, 상기 다이아몬드 전류 차단층을 성장시키는 공정에서 상기 릿지 형성을 위한 마스크 패턴을 결정성장 방지 마스크로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 반도체 기판상에 레이저 발진층을 형성하는 공정; 상기 레이저 발진층상에 전면적으로 다이아몬드 전류 차단층을 성장시키는 공정; 및 채널부위를 노출시키는 마스크 패턴을 사용하여 상기 다이아몬드 전류 차단층을 선택적으로 식각하여, 그 하부에 형성되어 있는 상기 레이저 발진층을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 레이저 발진층을 형성하는 공정은 상기 기판의 상부에 제1도전형 InGaAlP 클래드층, InGaP 활성층, 제2도전형 InGaAlP 클래드층 및 제2도전형 InGaP 버퍼층을 순차적으로 성장시키는 공정; 및 릿지 형성을 위한 소정 마스크 패턴을 사용하여, 상기 제2도전형 InGaP 버퍼층, 제2도전형 nGaAlP 클래드층, InGaP 활성층 및 제1도전형 InGaAlP 클래드층을 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022226A KR950012902A (ko) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022226A KR950012902A (ko) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012902A true KR950012902A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66825215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930022226A KR950012902A (ko) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012902A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100571843B1 (ko) * | 2004-10-07 | 2006-04-17 | 삼성전기주식회사 | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR100590565B1 (ko) * | 2004-10-30 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
-
1993
- 1993-10-25 KR KR1019930022226A patent/KR950012902A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100571843B1 (ko) * | 2004-10-07 | 2006-04-17 | 삼성전기주식회사 | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR100590565B1 (ko) * | 2004-10-30 | 2006-06-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 |
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