KR950012652A - 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents

선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. 제1도전형 GaAs 기판의 상부에 제1도전형 GaAs 버퍼층, 제1도전형 InGaAIP 하부 클래드층. InGaP 환성층, 제2도전형 InGaAIP 내부 클래드층, InGaP 식각저지층, 제1도전형 GaAs 전류 차단층 및 제2도전형 GaAs 캡층을 순차적으로 성장시킨다. 이어서, 상기 제2도전형 GaAs 캡층중 릿지가 형성되지 않아야 할 부위에 마스크 패턴을 형성하고. 이를 식각 방지 마스크로 사용하여, 상기 제1도전형 GaAs 전류 차단층 및 상기 제2도 전형 GaAs 캡층을 선택적으로 식각한다. 그런 다음, 상기 마스크 패턴을 결정성장 방지 마스크로 사용하여, 상기 InGaP 식각저지층중 상기 제 3공정을 통하여 노출된 표면의 상부에 제2도전형 InGaAIP 외부 클래드층, 제2도전형 InGaP 통전용이층 및 제2도전형 GaAs 캡층을 순차적으로 성장시키게 된다. 이는 InGaAIP로 구성되는 층이 식각공정후 대기중에 노출될 우려가 없기 때문에 자연 산화막이 형성되는 문제점을 제거하여 소자의 신뢰도를 증가시키는 잇점이 있으며, 2회의 결정성장 공정으로 소자의 제조가 가능하여 생산 효율이 증가하게 된다

Description

선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.
제4A도 내지 제4C도는 본 발명에 따른 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 나타나는 중간 결과물들의 단면도를 순차적으로 나타낸 것이다.

Claims (2)

  1. 제1도전형 GaAs 기판; 상기 제1도전형 GaAs 기판의 상부에 순차적으로 형성된 제1도전형 InGaAIP 하부 클래드층, InGaP 활성층, 제2도전형 InGaAIP 내부 클래드층 및 InGaP 식각저지층 상기 InGaP 식각저지층의 중앙 상부에 순차적으로 적층되어 릿지를 형성하는 제2도전형 InGaAIP 외부 클래드층, 제2도전형 InGaP 통전용이층 및 제2도전형 GaAs 캡층 ; 상기 InGaP 식각저지층의 릿지가 형성되지 아니한 부위상에 순차적으로 적층된 제1도전형 GaAs 전류 차단층 및 제2도전형 GaAs 콘택층을 구비하는 것을 특징으로 하는 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1도전형 GaAs 기판상에 제1도전형 InGaAIP 하부 클래드층, InGaP 활성층, 제2도전형 InGaAlP 내부 클래드층, InGaP 식각저지층, 제1도전형 GaAs 전류 차단층 및 제2도전형 GaAs 캡층을 순차적으로 성장시키는 제1공정; 상기 제2도전형 GaAs 캡층상에 릿지 형성 부위를 노출하는 마스크 패턴을 형성하는 제2공정 ; 상기 마스크 패턴을 식각 방지 마스크로 사용하여, 상기 제1도전형 GaAs 전류 차단층 및 상기 제2도전형 GaAs캡층을 선택적으로 식각하여 상기 식각저지층의 일부를 노출시키는 제 3공정 ; 상기 마스크 패턴을 결정성장 방지 마스크로 사용하여, 상기 InGaP 식각저지층의 노출된 표면의 상에 제2도전형 InGaAIP 외부 클래드층, 제2도전형 InGaP 통전용이층 및 제2도전형 GaAs 캡층을 순차적으로 성장시키는 제 4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930021457A 1993-10-15 1993-10-15 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 KR100263933B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883478B1 (ko) * 2002-02-26 2009-02-16 주식회사 엘지이아이 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법

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