KR940001500A - 반도체 레이저 다이오드 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940001500A KR940001500A KR1019920010577A KR920010577A KR940001500A KR 940001500 A KR940001500 A KR 940001500A KR 1019920010577 A KR1019920010577 A KR 1019920010577A KR 920010577 A KR920010577 A KR 920010577A KR 940001500 A KR940001500 A KR 940001500A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- laser diode
- conductive
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
본 발명은 고출력용 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로 종래의 고출력용 반도체 레이저 다이오드 제조시 세번의 화학 식각공정과 세번의 에피택시 성장 공정등, 공정이 복잡함을 해결하기 위한 것이다.
이와같은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 제조방법은 제1도전형 기판에 도프되지 않은 AlGaAs층과 GaAs층, 절연막을 차례로 증착한뒤 중앙부분을 기판 표면까지 제거하고 그 부위에 DH를 생성한 것이다.
따라서 종래의 레이저 다이오드가 갖고있는 특징들을 포함하면서 공정이 간단해졌다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 공정을 나타낸 단면도 및 사시도.
Claims (1)
- 제1도전형 기판(11)위에 언도프트된 AlGaAs층(12)과 언도프트된 GaAs층(13)과 다음 공정에서 선택적 성장에 필요한 마스크 및 전류차단막으로 사용하기 위한 절연막(14)을 차례로 증착하는 공정과, 포토에치 공정으로 상기 절연막(14)의 중앙 부근을 직사각형태로 제거하고 이를 마스크로 하여 기판(11) 표면까지 식각하는 공정과, 식각된 직사각형태의 부위에 차례로 제1 도전형 클래드층(15), 활성층(16), 제2도전형 클래드층(17), 고농도 제2도전형 캡층(18)을 증찬하는 공정과, 고농도 제2도전형 캡층(18)위와 기판(11)아래에 각각 제2도전형 전극(19)과 제1도전형 전극(20)을 형성하는 공정으로 이루어진 반도체 레이저 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920010577A KR100239498B1 (ko) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920010577A KR100239498B1 (ko) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940001500A true KR940001500A (ko) | 1994-01-11 |
| KR100239498B1 KR100239498B1 (ko) | 2000-02-01 |
Family
ID=19334861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920010577A KR100239498B1 (ko) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100239498B1 (ko) |
-
1992
- 1992-06-18 KR KR1019920010577A patent/KR100239498B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100239498B1 (ko) | 2000-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2044532A (en) | Integrated laser and fet | |
| KR970024411A (ko) | 반도체 레이저의 제조방법 및 반도체 레이저(semiconductor laser and method of fabricating semiconductor laser) | |
| KR970013531A (ko) | 반도체 레이저 장치 및 그의 제조방법 | |
| JPH02299283A (ja) | ミラー・フアセツトを有するレーザーの製造方法 | |
| KR940001500A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR930011350A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 | |
| JPS61281561A (ja) | 半導体面発光素子の製造方法 | |
| KR950002206B1 (ko) | 반도체 레이저 제조 방법 | |
| KR950002207B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 | |
| KR930011347A (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR950008859B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR930020786A (ko) | 레이저다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR910005392B1 (ko) | 접합전류 제한 영역을 갖는 이중 헤테로 접합형 발광다이오드의 제조방법 | |
| KR940008178A (ko) | 매립형 반도체 레이저 다이오드 | |
| KR950012940A (ko) | 굴절율도파형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| KR950012652A (ko) | 선택적 매몰 릿지형 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| KR930005299A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR930017249A (ko) | 레이저다이오드 제조방법 | |
| KR960009302B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor laser diode with multi lasing area | |
| KR970018882A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR930005298A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR950010242A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그의 제조 방법 | |
| JPS54141591A (en) | Production of light emitting diode | |
| KR970054999A (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR930022647A (ko) | 레이저다이오드의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070918 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |