KR930011347A - 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents

레이저 다이오드의 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체 기판의 표면에 제1클래드층, 활성층, 제2클래드층 및 전류차단층을 1차 에피택시 성장하고, 상기 전류차단층의 소정부분을 소정두께 식각한후 전류 차단층을 용해 시각을 포함하는 2차 에피택시 성장에 의해 캡층을 형성하므로 제2클래드층의 표면에 산화되지 않아 깨끗한 표면에 캡층을 형성할 수 있다. 따라서, 용해 식각된 표면에 산화막이 존재하지 않으므로 주입되는 전자의 흐름이 양호하여 드레쉬홀드 전류가 낮으며, 또한 용해식각된 표면이 양호하므로 계속되는 2차 에피택시성장이 쉽게 결함이 발생되지 않는다.

Description

레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)∼(c)도는 종래의 레이저 다이오드의 제조공정도.
제2(a)∼(c)도는 이 발명에 따른 레이저 다이오드의 제조공정도이다.

Claims (5)

  1. 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판상에 제1도전형의 제1클래드층, 제1층, 제1 또는 제2도전형의 활성층, 제2도전형의 제2클래드층 및 제1도전형의 전류 차단층을 순차적으로 형성하는 1차에피택시 공정과, 상기 전류 차단층의 소정부분을 소정 두께로 제거하는 식각공정과, 상기 전류 차단층을 액상식각하여 제2클래드층을 노출시키는 개구를 형성하 후 제2도전형의 캡층을 형성하는 2차 에피택시공정과, 상기 개구와 대응하는 부분을 제외한 갭층의 표면에 절연막을 형성하는 공정과, 제1 및 제2도전형 전극을 형성하는 공정을 구비한 레이저 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1차 에피택시를 LPE 또는 MOCVD중 어느 하나로 실시하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전류 차단층의 소정부분을 ⅓두께 정도만을 남기고 식각하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 식각은 용해식각임을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 2차 에피텍시를 LPE로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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