KR950010231A - 레이저 다이오드의 메사 형성방법 - Google Patents

레이저 다이오드의 메사 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화합물 반도체의 광소자인 레이저 다이오드(LASER Diode)의 메사 형성방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼상에 반도체 기판(1), 완충층(2), 활성층(3), 도파관층(4), 클래딩층(5), 옴접촉(ohmic)층(6)을 차례로 형성하고, 상기 옴접촉층 상에 절연층(9)을 포함하여 이루어지는 화합물 반도체 레이저 다이오드(LASER Diode)의 메사 형성방법에 있어서, 포토리소그래피 공정을 통하여 상기 절연층(9)을 소정부위 식각하여 식각마스크를 형성하는 제1단계; 상기 옴접촉층(6), 클래딩층(5)을 차례로 소정부위 비선택 식각방밥으로 식각하되 클래딩층(5)의 저면을 소정정도 남기는 제2단계; 상기 식각단계에서 잔류된 클래딩층(5)을 선택식각제로 완전히 제거하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함으로써 식각후 메사 경사각이 55°정도로 종래의 35°보다 크게 형성됨으로써 임계전류값을 낮추고 단일모드를 형성하기 쉬워 레이저의 특성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.

Description

레이저 다이오드의 메사 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래방법에 따라 식각된 리지 도파관 레이저 다이오드의 단면도,
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 다이오드의 메사형성 공정 단면도.

Claims (4)

  1. 웨이퍼 상에 반도체 기판(1), 완충층(2), 활성층(3), 도파관층(4), 클래딩층(5), 옴접촉(ohmic)층(6)을 차례로 형성하고, 상기 옴접촉층 상에 절연층(9)을 포함하여 이루어지는 화합물 반도체 레이저 다이오드(LASER Diode)의 메사 형성방법에 있어서, 포토리소그래피 공정을 통하여 상기 절연층(9)을 소정부위 식각하여 식각마스크를 형성하는 제1단계; 상기 옴접촉층(6), 클래딩층(5)을 차례로 소정부위 비선택 식각방밥으로 식각하되 클래딩층(5)의 저면을 소정정도 남기는 제2단계; 상기 식각단계에서 잔류된 클래딩층(5)을 선택식각제로 완전히 제거하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 메사 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계의 비선택 식각제는 HCl, H2O2, CH3COOH를 3대 1대 36의 혼합비로 혼합한 용액(3HCl:H2O2:36CH3COOH)또는 0.1내지 0.3퍼센트의 브롬-메탄올(0.1내지 0.3%Br-Methanol)용액중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 메사 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제3단계의 선택 식각제는 HCl과 H3PO4를 1대 2내지 1대 6의 비율로 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 메사 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체는 InP-InGaAsP인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 메사 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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