KR970016833A - 버퍼 산화 식각용액(boe)을 이용한 콘택홀의 형성방법 - Google Patents

버퍼 산화 식각용액(boe)을 이용한 콘택홀의 형성방법 Download PDF

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KR970016833A
KR970016833A KR1019950032987A KR19950032987A KR970016833A KR 970016833 A KR970016833 A KR 970016833A KR 1019950032987 A KR1019950032987 A KR 1019950032987A KR 19950032987 A KR19950032987 A KR 19950032987A KR 970016833 A KR970016833 A KR 970016833A
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South Korea
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boe
contact hole
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forming
etching
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KR1019950032987A
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윤병문
오영선
고용선
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 콘택홀 형성시 서로 다른 막질간을 균형있게 식각할 수 있는 버퍼산화식각(BOE)용액을 이용한 콘택홀을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 암모늄 플로라이드(NH4F), 불산(HF) 및 H2O의 혼합 화학용액을 사용하여 여러가지 막질의 식각량을 조절하여 콘택홀을 식각하여 콘택홀의 형성 방법은 상기 암모늄플로라이드(NH4F) 대 상기 불산의 혼합비를 7 대 1로 하는 버퍼 산화 식각용액과 탈이온순수의 비가 1 대 5 내지 1 대 30의 비율로 구성된 화학 용액을 이용하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명에 따른 BOE 희석용액에 의한 변형된 BOE인 BOE 대 탈이온 순수의 비가 1 대 20이고 20초의 식각 시간을 통하여 양호한 콘택홀의 모양을 얻을 수 있으며, PE-oxide막의 두께가 충분한 경우에는 변형된 BOE 조건인 BOE 대 탈이온 순수의 비가 1대 5.6인 경우에도 양호한 콘택홀을 얻는 효과를 갖는다.

Description

버퍼 산화 식각용액 (BOE)을 이용한 콘택홀의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 버퍼 산화막 식각(BOE)용액을 이용하여 형성된 콘택홀의 모양을 보이는 도면이다.

Claims (1)

  1. 암모늄 플로라이드(NH4F), 불산(HF) 및 H2O의 혼합화학용액을 사용하여 여러가지 막질의 식각량을 조절하여 콘택홀을 식각하여 콘택홀의 형성 방법에 있어서, 상기 암모늄플로라이드(NH4F) 대 상기 불산의 혼합비를 7 대 1로 하는 버퍼 산화 식각용액과 탈이온순수의 비가 1 대 5 내지 1 대 30의 비율로 구성된 화학 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 콘택홀의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950032987A 1995-09-29 1995-09-29 버퍼 산화 식각용액(boe)을 이용한 콘택홀의 형성방법 KR970016833A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100239759B1 (ko) * 1997-01-14 2000-01-15 윤종용 반도체 소자의 산화막 식각방법
KR100816720B1 (ko) * 2002-06-07 2008-03-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자 제조방법
KR100816721B1 (ko) * 2002-06-03 2008-03-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100239759B1 (ko) * 1997-01-14 2000-01-15 윤종용 반도체 소자의 산화막 식각방법
KR100816721B1 (ko) * 2002-06-03 2008-03-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자 제조방법
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