KR970016833A - 버퍼 산화 식각용액(boe)을 이용한 콘택홀의 형성방법 - Google Patents
버퍼 산화 식각용액(boe)을 이용한 콘택홀의 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 콘택홀 형성시 서로 다른 막질간을 균형있게 식각할 수 있는 버퍼산화식각(BOE)용액을 이용한 콘택홀을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 암모늄 플로라이드(NH4F), 불산(HF) 및 H2O의 혼합 화학용액을 사용하여 여러가지 막질의 식각량을 조절하여 콘택홀을 식각하여 콘택홀의 형성 방법은 상기 암모늄플로라이드(NH4F) 대 상기 불산의 혼합비를 7 대 1로 하는 버퍼 산화 식각용액과 탈이온순수의 비가 1 대 5 내지 1 대 30의 비율로 구성된 화학 용액을 이용하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명에 따른 BOE 희석용액에 의한 변형된 BOE인 BOE 대 탈이온 순수의 비가 1 대 20이고 20초의 식각 시간을 통하여 양호한 콘택홀의 모양을 얻을 수 있으며, PE-oxide막의 두께가 충분한 경우에는 변형된 BOE 조건인 BOE 대 탈이온 순수의 비가 1대 5.6인 경우에도 양호한 콘택홀을 얻는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 버퍼 산화막 식각(BOE)용액을 이용하여 형성된 콘택홀의 모양을 보이는 도면이다.
Claims (1)
- 암모늄 플로라이드(NH4F), 불산(HF) 및 H2O의 혼합화학용액을 사용하여 여러가지 막질의 식각량을 조절하여 콘택홀을 식각하여 콘택홀의 형성 방법에 있어서, 상기 암모늄플로라이드(NH4F) 대 상기 불산의 혼합비를 7 대 1로 하는 버퍼 산화 식각용액과 탈이온순수의 비가 1 대 5 내지 1 대 30의 비율로 구성된 화학 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 콘택홀의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950032987A KR970016833A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 버퍼 산화 식각용액(boe)을 이용한 콘택홀의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019950032987A KR970016833A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 버퍼 산화 식각용액(boe)을 이용한 콘택홀의 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970016833A true KR970016833A (ko) | 1997-04-28 |
Family
ID=66615507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950032987A KR970016833A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 버퍼 산화 식각용액(boe)을 이용한 콘택홀의 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970016833A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100239759B1 (ko) * | 1997-01-14 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체 소자의 산화막 식각방법 |
KR100816720B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2008-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
KR100816721B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2008-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032987A patent/KR970016833A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100239759B1 (ko) * | 1997-01-14 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체 소자의 산화막 식각방법 |
KR100816721B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2008-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
KR100816720B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2008-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
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