KR950027954A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀 형성시 식각예정된 막(film, 2)에 불순물을 선택적으로 이온주입하는 단계; 상기 불순물의 선택적 이온주입에 의한 식각예정된 막(2)내의 불순물의 농도구배에 따른 식각률 차이를 이용하여 상기 식각예정된 막(2)을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 새로운 장비 또는 추가공정 없이 향상된 스탭커버리지 특성을 갖는 미세 콘택홀을 안정적으로 형성할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성 공정 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 콘택홀 형성시 식각예정된 막(film, 2)에 불순물을 선택적으로 이온주입하는 단계; 상기 불순물의 선택적 이온주입에 의한 식각예정된 막(2)내의 불순물의 농도구배에 따른 식각률 차이를 이용하여 상기 식각예정된 막(2)을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각예정된 막(2)은 SiO2막 또는 BPSG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940005342A KR950027954A (ko) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940005342A KR950027954A (ko) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950027954A true KR950027954A (ko) | 1995-10-18 |
Family
ID=66690065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940005342A KR950027954A (ko) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950027954A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200097358A (ko) * | 2018-02-09 | 2020-08-18 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 메모리 디바이스 도펀트-조절 에칭 |
| US11545625B2 (en) | 2018-02-09 | 2023-01-03 | Micron Technology, Inc. | Tapered memory cell profiles |
| US11735261B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-08-22 | Micron Technology, Inc. | Programming enhancement in self-selecting memory |
-
1994
- 1994-03-17 KR KR1019940005342A patent/KR950027954A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11735261B2 (en) | 2017-04-28 | 2023-08-22 | Micron Technology, Inc. | Programming enhancement in self-selecting memory |
| KR20200097358A (ko) * | 2018-02-09 | 2020-08-18 | 마이크론 테크놀로지, 인크 | 메모리 디바이스 도펀트-조절 에칭 |
| US11545625B2 (en) | 2018-02-09 | 2023-01-03 | Micron Technology, Inc. | Tapered memory cell profiles |
| US11800816B2 (en) | 2018-02-09 | 2023-10-24 | Micron Technology, Inc. | Dopant-modulated etching for memory devices |
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