KR940003066A - 콘택홀 접속방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 콘택홀 접속 방법에 관한 것으로, 반도체 기판(1)에 동작영역과 절연분리 산화막(2)을 형성하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 완충 산화막(9)과 식각 장애물질(10)을 차례로 증착하는 제2단계, 상기 제2단계 후에 감광물질 (6)로 절연분리 산화막 (2)의 새부리 형태 (bird's beak)를 포함하지 않는 동작영역을 패턴하고 상기 식각장애물질(10)과 완충산화막(9)을 차례로 선택 식각한 후에 게이트 산화막과 게이트 전극 (4)을 형성하고 불순물 이온을 주입하여 제1차 확산영 역 (3)을 형성한 다음에 층간 절연막 (5)을 도포하여 감광물질(6)로 상기 동작영역과 게이트 전극(4)의 접속패턴을 형성하는 제3단계, 및 상기 제3단계 후에 상기 패턴지역의 상기 층간 절연막(5)을 식각하고 전도물질(7)을 증착하는 제4단계를 구비함을 특징으로 하는 콘택홀 접속방법.

Description

콘택홀 접속방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 따른 콘택홀 접속 공정도.

Claims (6)

1. 콘택홀 접속 방법에 있어서, 반도체 기판(1)에 동작영역과 절연분리 산화막(2)을 형성하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 완충 산화막(9)과 식각 장애물질(10)을 차례로 증착하는 제2단계, 상기 제2단계 후에 감광물질(6)로 절연분리 산화막(2)의 새부리 형태(bird's beak)를 포함하지 않는 동작영역을 패턴하고 상기 식각장애물질(10)과 완충 산화막(9)을 차례로 선택 식각한 후에 게이트 산화막과 게이트 전극(4)을 형성하고 불순물 이온을 주입하여 제1차 확산영역(3)을 형성한 다음에 층간 절연막(5)을 도포하여 감광물질(6)로 상기 동작영역과 게이트 전극(4)의 접속패턴을 형성하는 제3단계, 및 상기 제3단계 후에 상기 패턴지역의 상기 층간 절연막(5)을 식각하고 전도물질(7)을 증착하는 제4단계를 구비함을 특징으로 하는 콘택홀 접속방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계의 식각장애물질(10)은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 콘택홀 접속방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제3단계의 상기 게이트 전극(4)의 콘택홀 접속에서 패턴 불함으로 상기 전도물질(7)이 상기 식각장애물질(17)과 접속되는 것을 특징으로 하는 콘택홀 접속방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 게이트 전극(4) 형성후 LDD용 저농도 불순물 이온을 주입하여 제1차확산 영역(3)을 형성하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 접속방법.
5. 제3항에 있어서, 상기 게이트 전극(4) 형성후LDD용 저농도 불순물 이온을 주입하고 게이트스테이서 형성 후 고농도 불순물 이온을 주입하여 제1차 확산영역(3)을 형성하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 접속방법.
6. 제1항에 있어서 전도물질(7)이 폴리실리콘이나 폴리사이드 실리사이, Al중 어느 하나로 되는 것을 특징으로 하는 콘택홀 접속방법.

   ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.