KR970018072A - 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 층간 절연층 위에 다결정 실리콘막을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 다결정 실리콘막을 경사 식각하여 상기 포토레지스트 패턴보다 작은 개구부를 형성한다. 그리고, 상기 개구부를 마스크로 상기 층간 절연층을 식각하여 상기 층간 절연층에 미세 접촉창을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제5도는 본 발명의 제1실시예에 의해서 미세 접촉창을 형성하고, 비트 라인을 연결하는 방법을 보여주는 단면도들이다.
Claims (2)
- 게이트 전극이 형성된 반도체 기판 위에 층간 절연층을 형성하는 단계; 상기 층간 절연층 위에 다결정실리콘막을 형성하는 단계; 상기 다결정 실리콘막 위에 제1개구부를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 다결정 실리콘막을 경사 식각하여 제2개구부를 형성하는 단계; 상기 다결정 실리콘막을 마스크로 상기 층간 절연층을 식각하여 미세 접촉창을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 경사 식각에 의해서 상기 제1개구부보다 상기 제2개구부가 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032977A KR970018072A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032977A KR970018072A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018072A true KR970018072A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032977A KR970018072A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 미세 접촉창을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018072A (ko) |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032977A patent/KR970018072A/ko not_active Application Discontinuation
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