KR970018062A - 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 접촉창(contact hole)을 형성함에 있어서 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법에 관한 것이다. 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법은, 활성 영역과 비활성 영역이 구분되어진 후 소자분리용 절연층을 기르는 제1공정, 게이트 전극을 형성하는 제2공정, 상기 결과물 전면에 제1절연층을 적층하는 제3공정, 상기 제1절연층에 제1물질층을 적층하는 제4공정, 상기 제1물질층에 감광막을 도포하는 제5공정, 접촉창을 형성하기 위해 감광막을 패터닝하는 제6공정, 감광막 패턴을 열처리에 의해 확장시키는 제7공정, 확장된 감광막을 마스크로 제1물질층을 식각하는 제8공정, 감광막을 제거하는 제9공정, 제1물질층을 식각마스크로 하여 제1절연층을 식각하는 제10공정을 포함함을 특징으로 한다. 따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법은 다결정 실리콘을 식각 마스크로 사용하므로써 최종 접촉창의 구조가 상단부와 하단부 모두 작아지는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 이에 따라서, 하부 도전층과의 연결에 있어서의 공정 여유도와 후속 공정에 있어서의 공정 여유도를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창을 형성하는 것을 도시한 단면도들이다.
Claims (3)
- 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법에 있어서, 활성 영역과 비활성 영역이 구분되어진 후 소자분리용 절연층을 기르는 제1공정, 게이트 전극을 형성하는 제2공정, 상기 결과물 전면에 제1절연층을 적층하는 제3공정, 상기 제1절연층에 제1물질층을 적층하는 제4공정, 상기 제1물질층에 감광막을 도포하는 제5공정, 접촉창을 형성하기 위해 감광막을 패터닝하는 제6공정, 감광막 패턴을 열처리에 의해 확장시키는 제7공정, 확장된 감광막을 마스크로 제1물질층을 식각하는 제8공정, 감광막을 제거하는 제9공정, 제1물질층을 식각마스크로 하여 제1절연층을 식각하는 제10공정을 포함함을 특징으로 하는 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연층은 BPSG이외에도 HTO(고온 증착 산화막), LTO(저온 증착 산화막), USG(도핑되지 않은 산화막) 등과 같은 물질의 산화막임을 특징으로 하는 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1물질층은 다결정 실리콘, 비결정 실리콘등, SiON, SiN등과 같이 제1절연층과 선택비가 우수한 막질인 것을 특징으로 하는 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032910A KR970018062A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032910A KR970018062A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018062A true KR970018062A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032910A KR970018062A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 감광막 확장을 이용한 미세 접촉창 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018062A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372816B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2003-02-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032910A patent/KR970018062A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372816B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2003-02-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
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