KR970030800A - 반도체 소자의 비트라인 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 비트라인 형성방법 Download PDFInfo
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- H10B12/482—Bit lines
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의인 비트라인 형성방법에 관한 것으로, 공정을 단순화 시키며 산화막의 식각 깊이를 정확히 제어하기 위해 식각비를 조절하여 ARC층으로 사용되는 질화막 및 산화막을 동시에 식각하므로써 소자의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 비트라인 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 비트라인 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 비트라인 형성방법에 있어서, 소정의 소자 제조공정을 거친 실리콘 기판상에 절연을 위해 산화막을 형성한 후 전체 상부면에 폴리 실리콘층, 텅스텐 실리사이드층, 질화막 및 감광막을 순차적으로 형성하는 제1단계와, 상기 제1단계로부터 소정의 마스크를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하는 제2단계와, 상기 제2단계로부터 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 상기 질화막, 텅스텐 실리사이드층 및 폴리 실리콘층을 순차적으로 패터닝하는 제3단계와, 상기 제3단계로부터 상기 질화막이 제거되는 동시에 상기 산화막이 일정 깊이 식각되도록 식각비를 조절하여 식각공정을 실시하는 제4단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비트라인 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4단계의 식각공정은 건식 식각 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비트라인 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4단계의 식각공정시 상기 산화막과 질화막의 식각비는 3:1이하가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비트라인 형성방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 식각비에 사용되는 상기 고주파 전력은 500W이하인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 비트라인 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950041449A KR100205095B1 (ko) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950041449A KR100205095B1 (ko) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030800A true KR970030800A (ko) | 1997-06-26 |
| KR100205095B1 KR100205095B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19434183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950041449A KR100205095B1 (ko) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100205095B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100564427B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2006-03-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비트라인 세정방법 |
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1995
- 1995-11-15 KR KR1019950041449A patent/KR100205095B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100205095B1 (ko) | 1999-06-15 |
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