KR970054204A - 마스크 롬의 제조방법 - Google Patents

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KR970054204A KR1019950048281A KR19950048281A KR970054204A KR 970054204 A KR970054204 A KR 970054204A KR 1019950048281 A KR1019950048281 A KR 1019950048281A KR 19950048281 A KR19950048281 A KR 19950048281A KR 970054204 A KR970054204 A KR 970054204A
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신진
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김주용
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/32055—Deposition of semiconductive layers, e.g. poly - or amorphous silicon layers

Abstract

본 발명은 마스크 롬의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 낸드(NAND)형 마스크 롬의 제조공정시 미세한 간격의 워드 라인을 제조할 수 있는 마스크 롬의 제조방법에 관한 것으로, 본 실시예에 의하면 식각 선택비가 다른 절연막과 텅스텐을 형성하여 식각 공정을 진행하여 미세한 간격을 갖는 워드 라인을 구비하므로써 고집적화를 실현함과 더불어 소자의 제조 소율을 증대시킬 수 있다.

Description

마스크 롬의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 마스크 롬이 제조방법을 설명하기 위한 각 제조공정에 있어서의 마스크 롬의 요부 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 기판상에 제1게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상부에 폴리실리콘을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘 상부에 절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴으로 노출된 폴리실리콘 부분에 텅스텐층을 형성하는 단계; 상기 텅스텐층의 일부분 상단 및 절연막 패턴의 양측벽에 존재하도록 절연막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 노출된 텅스텐층을 식각하는 단계; 상기 결과물 상부에 SOG막을 형성하는 단계; 상기 SOG막, 절연막 패턴 및 절연막 스페이서를 상기 절연막 스페이서의 하부에 존재하는 텅스텐이 노출될 때까지 식각하는 단계; 상기 식각 공정시 잔존하는 절연막을 마스크로하여 텅스텐 및 텅스텐 하부의 폴리실리콘을 식각하는 단계; 상기 식각이 이루어진 폴리실리콘 상부의 절연막을 식각하여 워드 라인을 형성하는 단계; 및 상기 노출된 기판면에 불순물 이온 주입 공정을 진행하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막 패턴 및 스페이서를 구성하는 막은 산화막인 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연막 패턴 및 스페이서를 구성하는 막은 질화막인 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950048281A 1995-12-11 1995-12-11 마스크 롬의 제조방법 KR100192172B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700279B1 (ko) * 2005-12-28 2007-03-26 동부일렉트로닉스 주식회사 플랫 노아 마스크롬의 제조 방법

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