KR970054201A - 마스크 롬의 제조방법 - Google Patents

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김형덕
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김주용
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    • H01L21/32055—Deposition of semiconductive layers, e.g. poly - or amorphous silicon layers

Abstract

본 발명은 마스크 롬의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 낸드(NAND)형 마스크 롬의 제조공정시 미세한 간격의 워드 라인을 제조할 수 있는 마스크 롬의 제조방법에 관한 것으로, 식각 선택비가 다른 두 개의 절연막을 이용하여 미세한 간격을 갖는 워드 라인을 구비하므로써 고집적화를 실현함과 더불어 소자의 제조 수율을 증대시킬 수 있다.

Description

마스크 롬의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 a도 내지 e도는 본 발명의 [실시예1]에 따른 마스크 롬의 제조방법을 설명하기 위한 각 제조공정에 있어서의 마스크롬의 요부 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상부에 폴리실리콘을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘 상부에 제1절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘 상부와 제1절연막 패턴의 상부 및 양측벽부에 질화막을 고르게 증착하는 단계; 상기 결과물 상부에 제2절연막을 형성하고, 에치백하여 제2절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 패턴 상부 및 제1, 제2절연막 패턴사이에 존재하는 질화막을 제거하는 단계; 상기 제1 및 제2절연막 패턴을 마스크로 하여 하부의 폴리실리콘을 식각하는 단계; 및 상기 식각이 이루어진 폴리실리콘 상부의 제1, 제2 절연막 패턴 및 질화막을 식각하여 워드라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
  2. 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상부에 폴리실리콘을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘 상부에 절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 결과물이 매립되도록 감광막을 형성하는 단계; 상기 감광막을 상기 질화막 패턴 사이에 일정 간격을 두고 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴 및 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 하부의 폴리실리콘을 식각하는 단계; 상기 식각이 이루어진 폴리실리콘 상부에 존재하는 절연막 패턴 및 감광막 패턴을 제거하여 워드 라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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