KR970018028A - 반도체 장치의 금속 콘택 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 금속 콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
포토레지스트의 플로우(f1ow)을 이용한 반도체 장치의 금속(metal) 콘택 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 절연막의 표면 일부를 1차로 건식식각하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 플로우시켜 콘택홀의 임계크기를 줄이는 단계와, 상기 절연막을 2차로 건식식각하여, 상기 반도체기판을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 포토레지스트막을 플로우시키는 단순한 공정으로 반도체 기판 상에 완만한 금속 콘택 프로마일을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제10도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 금속 콘택 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
Claims (1)
- 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 절연막의 표면 일부를 1차로 건식식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 플로우시켜 콘택홀의 임계크기를 줄이는 단계; 및 상기 절연막을 2차로 건식식각하여, 상기 반도체 기판을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029292A KR970018028A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치의 금속 콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950029292A KR970018028A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치의 금속 콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018028A true KR970018028A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950029292A KR970018028A (ko) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 반도체 장치의 금속 콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018028A (ko) |
-
1995
- 1995-09-07 KR KR1019950029292A patent/KR970018028A/ko not_active Application Discontinuation
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