KR960002479A - 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 감광 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 서로 다른 단차를 갖는 콘택홀 형성을 위한 식각마스크로 이용될 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법에 있어서, 단차가 작은 콘택홀의 감광 패턴 형성을 위한 리소그라피공정 단계와 단차가 큰 콘택홀의 감광패턴 형성을 위한 리소그라피공정 단계로 각각 분리하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 감광패턴 형성방법에 관한 것으로, 점차 심화되는 단차의 차이를 극복함에 따라 공정의 용이성 및 균일한 크기의 패턴을 형성하는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 서로 다음 단차를 갖는 콘택홀 형성을 위한 식각마스크로 이용될 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법에 있어서, 단차가 작은 콘택홀의 감광 패턴 형성을 위한 라소그라피공정 단계와 단차가 큰 콘택홀의 감광 패턴 형성을 휘한 리소그라피공정 단계로 각각 분리하여 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013038A KR960002479A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013038A KR960002479A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002479A true KR960002479A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66685615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013038A KR960002479A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002479A (ko) |
-
1994
- 1994-06-09 KR KR1019940013038A patent/KR960002479A/ko not_active Application Discontinuation
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