KR970022503A - 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 - Google Patents

반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 Download PDF

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KR970022503A
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KR
South Korea
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bit line
memory device
semiconductor memory
photomask
forming method
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Application number
KR1019950034944A
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Inventor
이중현
문성용
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크가 포함되어 있다. 본 발명은 비트라인의 비트라인콘택 패드부분만을 위상반전 패턴으로 구성된 포토마스크를 만들고, 이 마스크를 사용하여 비트라인을 형성함으로써, 전체적으로 위상반전패턴으로 구성되는 하프톤 위상반전마스크 사용시에 문제가 될 소지가 있는 사이드로브(SIDE-LOBE)를 제거할 수 있으며, 기존의 투과형 포토마스크 사용시 문제가 되고 있는 해상도와 공정 마진을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명에 의한 포토마스크 형성방법으로 마스크를 만들 경우 라인 (LINE)과 스페이스 (SPACE) 뿐만아니라 아이랜드(ISLAND) 패턴에도 적용이 가능하다.

Description

반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 의한 포토마스크를 나타내는 도면,
제4도는 본 발명에 의한 포토마스크로 패턴형성을 시험한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면.

Claims (2)

  1. 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법에 있어서, 상기 비트라인이 빛이 투과하는 부분과 상기 비트라인의 다이렉트콘택 패드 부분이 180°의 위상차를 갖는 포토마스크로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 비트라인 형성방법.
  2. 반도체 메모리장치의 제조에 사용되는 포토마스크의 비트라인 패턴에 있어서, 상기 비트라인 패턴이, 빛이 투과하는 부분과 비트라인의 다이렉트콘택 패드 부분이 각기 투과하는 빛의 위상의 180° 반전된 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034944A 1995-10-11 1995-10-11 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 KR970022503A (ko)

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