KR970022503A - 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 - Google Patents
반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크가 포함되어 있다. 본 발명은 비트라인의 비트라인콘택 패드부분만을 위상반전 패턴으로 구성된 포토마스크를 만들고, 이 마스크를 사용하여 비트라인을 형성함으로써, 전체적으로 위상반전패턴으로 구성되는 하프톤 위상반전마스크 사용시에 문제가 될 소지가 있는 사이드로브(SIDE-LOBE)를 제거할 수 있으며, 기존의 투과형 포토마스크 사용시 문제가 되고 있는 해상도와 공정 마진을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명에 의한 포토마스크 형성방법으로 마스크를 만들 경우 라인 (LINE)과 스페이스 (SPACE) 뿐만아니라 아이랜드(ISLAND) 패턴에도 적용이 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 의한 포토마스크를 나타내는 도면,
제4도는 본 발명에 의한 포토마스크로 패턴형성을 시험한 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면.
Claims (2)
- 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법에 있어서, 상기 비트라인이 빛이 투과하는 부분과 상기 비트라인의 다이렉트콘택 패드 부분이 180°의 위상차를 갖는 포토마스크로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 비트라인 형성방법.
- 반도체 메모리장치의 제조에 사용되는 포토마스크의 비트라인 패턴에 있어서, 상기 비트라인 패턴이, 빛이 투과하는 부분과 비트라인의 다이렉트콘택 패드 부분이 각기 투과하는 빛의 위상의 180° 반전된 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950034944A KR970022503A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950034944A KR970022503A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970022503A true KR970022503A (ko) | 1997-05-28 |
Family
ID=66583674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950034944A KR970022503A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 메모리장치의 비트라인 형성방법 및 이에 사용되는 포토마스크 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970022503A (ko) |
-
1995
- 1995-10-11 KR KR1019950034944A patent/KR970022503A/ko not_active Application Discontinuation
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