KR970049065A - 반도체 소자 제조에 이용되는 마스크 및 이를 이용한 노광 방법 - Google Patents

반도체 소자 제조에 이용되는 마스크 및 이를 이용한 노광 방법 Download PDF

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KR970049065A
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이중현
차동호
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김광호
삼성전자 주식회사
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract

반도체 소자 제조에 이용되는 마스크 및 이를 이용한 노광방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 제1두께의 구조물이 형성되어 있는 제1영역과 제1두께보다 두꺼운 제2두께의 구조물이 형성되어 있는 제2영역에 각각 대응하도록 하프톤 위상반전 마스크와 크롬 마스크가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 즉, 제1두께의 구조물이 형성되어 있는 제1영역과 제1두께보다 두꺼운 제2두께의 구조물이 형성되어 있는 제2영역에 각각 대응하도록 하프톤 위상반전 마스크와 크롬 마스크를 이용하여 노광 공정을 행하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 단차가 심하게 발생되어 있는 구조물에서도 프로파일이 좋은 패턴을 형성할 수 있다.

Description

반도체 소자 제조에 이용되는 마스크 및 이를 이용한 노광 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 반도체 메모리 소자 제조를 위한 본 발명에 의한 마스크를 도시한 평면도이다.

Claims (5)

  1. 제1두께의 구조물이 형성되어 있는 제1영역과 상기 제1두께보다 두꺼운 제2두께의 구조물이 형성되어 있는 제2영역에 각각 대응하도록 하프톤 위상반전 마스크와 크롬 마스크가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는반도체 소자 제조에 이요되는 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1영역은 주변회로 영역이고, 상기 제2영역은 셀 어레이 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조에 이용되는 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하프톤 위상반전 마스크는 0°-270°위상반전이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조에 이용되는 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하프톤 위상반전 마스크는 투과율이 0%-99%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조에 이용되는 마스크.
  5. 제1두께의 구조물이 형성되어 있는 제1영역과 상기 제1두께보다 두꺼운 제2두께의 구조물이 형성되어 있는 제2영역에 갖는 구조물에 사진 식각 공정을 행하는데 있어서, 제1영역은 하프톤 마스크를 사용하여 노광하고, 제2영역은 크롬 마스크를 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 마스크를 이용한 노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950067016A 1995-12-29 1995-12-29 반도체 소자 제조에 이용되는 마스크 및 이를 이용한 노광 방법 KR970049065A (ko)

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