KR970022519A - 스토리지 전극을 형성하는데 이용되는 위상반전 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

스토리지 전극을 형성하는데 이용되는 위상반전 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR970022519A
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storage electrode
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photoresist
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KR1019950036455A
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이중현
문성용
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
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Abstract

스토리지 전극을 형성하는데 이용되는 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는 비트라인을 공유하는 셀들은 일방향으로 배치되고, 워드라인을 공유하는 셀들은 타방향으로 배치되는 메모리 셀 어레이를 형성하는데 이용되는 위상반전 마스크에 있어서, 각 셀들의 스토리지 전극에 해당하는 부분은 광의 위상이 변화되지 않도록 형성되고, 비트라인을 공유하는 셀들의 스토리지 전극 사이에 해당하는 부분은 광이 180° 위상반전되도록 형성되고, 그 외의 부분에는 광차단막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 종래보다 패턴간의 크기 차이를 줄일 수 있다.

Description

스토리지 전극을 형성하는데 이용되는 위상반전 마스크 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 스토리지 전극을 형성하는데 이용되는 본 발명에 의한 위상반전 마스크를 도시한 평면도이다,
제3A도 내지 제3C도는 본 발명에 의한 위상반전 마스크의 제조방법을 순차적으로 설명하기 위해 도시한 평면도들이다.

Claims (2)

  1. 비트라인을 공유하는 셀들은 일방향으로 배치되고, 워드라인을 공유하는 셀들은 타방향으로 배치되는 메모리 셀 어레이를 형성하는데 이용되는 위상반전 마스크에 있어서, 상기 각 셀들의 스토리지 전극에 해당하는 부분은 광의 위상이 변화되지 않도록 형성되고, 비트라인을 공유하는 상기 셀들의 스토리지 전극 사이에 해당하는 부분은 광이 180° 위상반전되도록 형성되고, 그 외의 부분에는 광차단막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스토리지 전극을 형성하는데 이용되는 위상반전 마스크.
  2. 마스크 상에 제1감광막을 도포하는 제1단계; 상기 제1감광막을 현상함으로써 비트라인을 공유하는 셀들의 스토리지 전극에 해당하는 부분의 마스크를 노출시키는 일방향으로 긴 직사각형의 개구부를 갖는 제1감광막패턴을 형성하는 제2단계; 상기 제1감광막패턴이 형성되어 있는 마스크 상에 제2감광막을 도포하는 제3단계;
    상기 제2감광막을 현상함으로써 비트라인을 공유하는 셀들의 스토리지 전극 사이에 해당하는 부분의 마스크 및 상기 제1감광막패턴을 노출시키는 타방향으로 긴 직사각형의 개구부를 갖는 제2감광패턴을 형성하는 제4단계; 및 상기 제2감광막패턴 및 상기 제2감광막패턴을 통해 노출된 제1감광막 패턴을 식각마스크로 하여 마스크를 식각함으로써 홈을 형성하는 제5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스토리지 전극을 형성하는데 이용되는 위상반전 마스크의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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