KR960006021A - 미세환형패턴을 이용한 이중실린더 전하저장전극 형성방법 - Google Patents
미세환형패턴을 이용한 이중실린더 전하저장전극 형성방법 Download PDFInfo
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- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
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- H01L28/91—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
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Abstract
본 발명은 미세환형패턴을 이용한 이중실린더 전하저장전극 형성방법에 있어서, 제1폴리실리콘막(4)을 기판(1)의 활성영역(3)에 콘택시키고 상기 제1폴리실리콘막(4) 상부에 산화막(5)과 감광막을 차례로 형성하는 단계; 위상반전 마스크를 사용하여 상기 감광막을 노광시켜 환형의 감광막패턴(6)을 형성하는 단계; 환형으로 형성된 상기 감광막패턴(6)을 식각 마스크로 하여 하부의 상기 산화막(5)과 제1폴리실리콘막(4)을 식각하는 단계; 상기 식각으로부터 잔류되어 있는 상기 산화막(5)과 제1폴리실리콘막(4)의 측벽에 스페이서 제2폴리실리콘막(8)을 형성하고 산화막(5)을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전하저장전극 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 본 발명의 일실시예에 따른 이중실린더 전하저장전극을 형성하기 위한 위상반전 포토마스크 평면도.
제2도는 제1도의 포토마스크 A-A'선을 투과하는 빛의 강도 분포도.
제3도는 제1도의 포토마스크 B-B'선을 투과하는 빛의 강도 분포도.
Claims (2)
- 미세환형패턴을 이용한 이중실린더 전하저장전극 형성방법에 있어서, 제1폴리실리콘막(4)을 기판(1)의 활성영역(3)에 콘택시키고 상기 제1폴리실리콘막(4) 상부에 산화막(5)과 감광막을 차례로 형성하는 단계; 위상반전 마스크를 사용하여 상기 감광막을 노광시켜 환형의 감광막패턴(6)을 형성하는 단계; 환형으로 형성된 상기 감광막패턴(6)을 식각 마스크로 하여 하부의 상기 산화막(5)과 제1폴리실리콘막(4)을 식각하는 단계; 상기 식각으로부터 잔류되어 있는 상기 산화막(5)과 제1폴리실리콘막(4)의 측벽에 스페이서 제2폴리실리콘막(8)을 형성하고 산화막(5)을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전하저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 위상반전 마스크는 일방향으로 돌출부(E)를 형성하여 상기 돌출부(E)가 상기 제1전하저장전극(4)이 기판(1)과 콘택을 이루는 영역에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 전하저장전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016510A KR0135246B1 (ko) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 미세환형패턴을 이용한 이중실린더 전하저장전극 형성방법 |
| DE19524846A DE19524846B4 (de) | 1994-07-08 | 1995-07-07 | Verfahren zur Herstellung einer feinen, ringförmigen Ladungsspeicherelektrode in einer Halbleitervorrichtung unter Benutzung einer Phasensprungmaske |
| US08/499,705 US5583069A (en) | 1994-07-08 | 1995-07-07 | Method for making a fine annular charge storage electrode in a semiconductor device using a phase-shift mask |
| CN95109438A CN1048822C (zh) | 1994-07-08 | 1995-07-08 | 在半导体器件中制造细环形电荷存储电极的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016510A KR0135246B1 (ko) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 미세환형패턴을 이용한 이중실린더 전하저장전극 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960006021A true KR960006021A (ko) | 1996-02-23 |
| KR0135246B1 KR0135246B1 (ko) | 1998-04-22 |
Family
ID=19387646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940016510A KR0135246B1 (ko) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 미세환형패턴을 이용한 이중실린더 전하저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0135246B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100796264B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2008-01-21 | 박래웅 | 케이블 이상여부 감지장치 |
| US8083122B2 (en) | 2003-06-05 | 2011-12-27 | Lg Electronics Inc. | Drum for washer and dryer |
-
1994
- 1994-07-08 KR KR1019940016510A patent/KR0135246B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8083122B2 (en) | 2003-06-05 | 2011-12-27 | Lg Electronics Inc. | Drum for washer and dryer |
| US8365437B2 (en) | 2003-06-05 | 2013-02-05 | Lg Electronics Inc. | Drum for washer and dryer |
| KR100796264B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2008-01-21 | 박래웅 | 케이블 이상여부 감지장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0135246B1 (ko) | 1998-04-22 |
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