KR970076077A - 더미패턴을 사용하는 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체장치의 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은, 반도체 웨이퍼 상에 감광막을 도포하는 단계와, 상기 감광막을 미리 정해진 레티클의 메인 필드를 사용하여 매트릭스 형태로 노광시키어 반도체 웨이퍼 내부에 반도체소자 영역을 한정하는 단계와, 상기 반도체소자 영역과 인접한 웨이퍼 가장자리의 감광막을 상기 메인 필드의 크롬패턴보다 큰 크롬패턴을 구비하는 더미 필드를 사용하여 노광시킴으로써 더미패턴을 영역을 한정하는 단계와, 상기 반도체소자 영역 및 상기 더미패턴 영역이 한정된 웨이퍼의 노광된 감광막을 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 더미패턴 영역으로부터 감광막 패턴이 쉽게 떨어지지 않으므로 오염입자 발생을 크게 억제시킬 수 있다. 따라서, 반도체소자의 수율을 크게 개선시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래기술 및 본 발명에 의한 반도체소자의 제조방법을 설명하기 위한 웨이퍼의 평면도이다.
Claims (1)
- 반도체 웨이퍼 상에 감광막을 도포하는 단계; 상기 감광막을 미리 정해진 레티클의 메인 필드를 사용하여 매트릭스 형태로 노광시키어 반도체 웨이퍼 내부에 반도체소자의 영역을 한정하는 단계; 상기 반도체소자 영역과 인접한 웨이퍼 가장자리의 상기 메인 필드의 크롬패턴보다 큰 크롬패턴을 구비하는 더미 필드를 사용하여 노광시킴으로써 더미패턴 영역을 한정하는 단계; 및 상기 반도체소자 영역 및 상기 더미패턴 영역이 한정된 웨이퍼의 노광된 감광막을 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018213A KR970076077A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 더미패턴을 사용하는 반도체소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018213A KR970076077A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 더미패턴을 사용하는 반도체소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076077A true KR970076077A (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=66284456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018213A KR970076077A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 더미패턴을 사용하는 반도체소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970076077A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020035708A (ko) * | 2000-11-08 | 2002-05-15 | 박종섭 | 반도체 제조 방법 |
| KR100510467B1 (ko) * | 1998-05-12 | 2005-10-24 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼상에 물반점 형성이 방지되는 커패시터하부전극 형성방법 |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018213A patent/KR970076077A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100510467B1 (ko) * | 1998-05-12 | 2005-10-24 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼상에 물반점 형성이 방지되는 커패시터하부전극 형성방법 |
| KR20020035708A (ko) * | 2000-11-08 | 2002-05-15 | 박종섭 | 반도체 제조 방법 |
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