KR950025854A - 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 미세패턴 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 서로 다른 파장의 광에 반응하는 두가지 감광액을 혼합하여 감광막을 형성하고, 서로 다른 파장의 광으로 두차례 노광하며, 각각의 노광공정에서 광차단막 패턴이 형성하고자 하는 패턴에 대응하여 분리 형성되어있어 스페이스가 넓은 두장의 노광마스크를 사용하여 스페이스가 좁은 미세패턴을 형성하였으므로, 종래의 스태퍼를 사용하여 광분해능 이하의 미세패턴을 형성하여 반도체 소자를 고집적화할 수 있으며, 신뢰성 및 공정수율을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 소자의 미세패턴 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A)-(B)는 본 발명에 따른 반도체소자의 미세패턴 제조공정도.

Claims (2)

  1. 반도체기판상에 서로 다른 파장의 광에 반응하는 두가지의 감광액을 포함하는 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 제1노광마스크를 사용하여 소정 파장의 광으로 일차노광하는 공정과, 상기 제1노광마스크의 광차단막패턴과 중첩되지 않도록 광차단막패턴이 형성되어 있는 제2노광마스크를 사용하여 상기 일차 노광공정시의 광파장과 다른 파장의 광으로 이차 노광하는 공정과, 상기 감광막을 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 소자의 미세패턴 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감광막이 H,I,G 및 단자외선으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 두가지 파장의 광에 반응하는 감광액을 혼합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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