KR960001894A - 레지스트 패턴의 형성방법과 그 방법에 쓰이는 산성 수용성 재료 조성물 - Google Patents

레지스트 패턴의 형성방법과 그 방법에 쓰이는 산성 수용성 재료 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR960001894A
KR960001894A KR1019950005875A KR19950005875A KR960001894A KR 960001894 A KR960001894 A KR 960001894A KR 1019950005875 A KR1019950005875 A KR 1019950005875A KR 19950005875 A KR19950005875 A KR 19950005875A KR 960001894 A KR960001894 A KR 960001894A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
resist film
light
resist
acidic
Prior art date
Application number
KR1019950005875A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0160921B1 (ko
Inventor
신지 기시무라
Original Assignee
기다오까 다까시
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 기다오까 다까시, 미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤 filed Critical 기다오까 다까시
Publication of KR960001894A publication Critical patent/KR960001894A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0160921B1 publication Critical patent/KR0160921B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

레지스트 패턴을 형성하는 방법은 고해상도와 넓은 초점 여유와 좋은 구성 및 높은 감도를 갖는다.
알칼리 현상액으로 현상되며 빛을 받자마자 화학적 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)은 반도체 기판(1)에 형성된다.
산성막은 레지스트막(2)위에 산성 수용성 재료로 부터 형성되며, 막의 두께가 1㎛일 때, 그 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖는다.
그 빛(5)은 선택적으로 레지스트막(2)을 향하여 조사(照射)되어 레지스트막 (2) 상(像)을 형성한다.
알칼리 현상액으로 레지스트막(2)을 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성한다.

Description

레지스트 패턴의 형성방법과 그 방법에 쓰이는 산성 수용성 재료 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 따른 레지스트 패턴(resist pattern)의 제조방법의 제1 내지 3단계를 나타낸 반도체 소자의 단면도.
제4도는 레지스트 패턴을 형성하는 종래의 방법에서 현상시간과 레지스트 잔류막과의 관계를 도시한 관계도.
제5도는 본 발명에 따른 레지스트 패턴을 형성하는 방법에서 현상시간과 레지스트 잔류막과의 관계를 도시한 관계도.

Claims (13)

  1. 알칼리 현상액으로 현상되고 빛을 받자마자 화학적 변화를 일을키는 형태의 레지스트막(resist film)(2)을 반도체 기판(1)위에 형성하는 단계; 막의 두께가 1㎛일 때, 상기 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖으며 산성 수용성 재료인 산성막(3)을 상기 레지스트막(2)위에 형성하는 단계; 상기 레지스트막(2)을 향하여 상기 빛(5)을 선택적으로 조사(照射)하여 상기 레지스트막 (2)에 상(像)이 형성되게 하는 단계; 및 알칼리 현상액으로 상기 레지스트막(2)을 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성하는 단계로 이루어진 레지스트 패턴(a Resist Pattern)의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빛을 조사(照射)한 후, 상기 현상을 하기 전, 상기 산성막(3)을 제거하는 단계를 부가하는 레지스트 패턴의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산성막(3)을 형성하기 전에 상기 레지스트막(2)을 베이킹(baking)하는 단계를 부가하는 레지스트 패턴의 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 빛을 조사(照射)하기 전에 상기 레지스트막(2)과 상기 산성막(3)을 베이킹하는 단계를 부가하는 레지스트 패턴의 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 빛을 조사(照射)하기 전에 상기 레지스트막(2)과 상기 산성막(3)을 베이킹하는 단계를 부가하는 레지스트 패턴의 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 레지스트막(2)은 퀴논 디아지드(quinone diazide)영역을 포함하는 감광성 에이전트(photosensitive agent)와 노볼락 수지(novolacresin)로 이루어진 레지스트 패턴의 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 산성(3)막의 두께는 500Å 내지 2000Å인 레지스트 패턴의 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 수용성 재료는 카르복실산(carboxylic acid)과 술폰산 (sulfonicacid)같은 산성그룹(group)을 포함하는 수지로 이루어진 레지스트 패턴의 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 수용성 재료는 카르복실 산이나 술폰 산 같은 산성 저분자 유기 화합물과 수용성 수지로 이루어진 레지스트 패턴의 형성방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 산성막(3)이 상기 레지스트막(2)에 남아 있을 때, 상기 빛은 상기 레지스트막(2)을 향하여 조사(照射)되는 레지스트 패턴의 형성방법.
  11. 알칼리 현상액으로 현상되고 빛을 받자마자 화학적 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)을 반도체 기판(1)위에 형성하는 단계; 막의 두께가 1㎛일 때, 상기 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖고 산성 수용성 재료인 산성막(3)을 상기 레지스트막(2)위에 형성하는 단계; 상기 산성막(3)을 제거하는 단계; 상기 레지스트막(2)을 향하여 상기 빛(5)을 선택적으로 조사(照射)하여 상기 레지스트막(2)에 상(像)이 형성되게 하는 단계; 및 알칼리 현상액으로 상기 레지스트막(2)을 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성하는 단계로 이루어진 레지스트 패턴의 형성방법.
  12. 알칼리 현상액으로 현상되고 빛을 받자마자 화학 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2) 상에 코팅(coating)된 산성 수용성 재료 조성물에 있어서, 카를복실 산과 술폰 산 같은 산성그룹을 포함하는 수지와 물로 구성되는 것을 특징으로 하는 상기 산성 수용성 재료 조성물.
  13. 알칼리 현상액에 현상되고 빛을 받자마자 화학 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)에 코팅되는 산성수용성 재료 조성물에 있어서, 카르복실 산과 술폰 산 같은 산성 저분자 유기 화합물과 물 및 수용성 수지로 구성되는 것을 특징으로 하는 상기 산성 수용성 재료 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950005875A 1994-06-24 1995-03-20 레지스트 패턴의 형성방법 KR0160921B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6143131A JPH086256A (ja) 1994-06-24 1994-06-24 レジストパターンの形成方法および該方法に用いられる酸性の水溶性材料組成物
JP94-143131 1994-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960001894A true KR960001894A (ko) 1996-01-26
KR0160921B1 KR0160921B1 (ko) 1998-12-15

Family

ID=15331642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950005875A KR0160921B1 (ko) 1994-06-24 1995-03-20 레지스트 패턴의 형성방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5648199A (ko)
JP (1) JPH086256A (ko)
KR (1) KR0160921B1 (ko)
DE (1) DE4443934A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100388396B1 (ko) * 1999-03-12 2003-06-25 루센트 테크놀러지스 인크 에너지 민감성 레지스트 물질 및 에너지 민감성 레지스트물질을 사용하는 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6180320B1 (en) 1998-03-09 2001-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device having a fine pattern, and semiconductor device manufactured thereby
JP2002148820A (ja) * 2000-11-15 2002-05-22 Clariant (Japan) Kk パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤
JP4320312B2 (ja) * 2005-06-02 2009-08-26 株式会社日立製作所 相変化膜を含む記録媒体の製造方法
JP2007206229A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Renesas Technology Corp レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法
US7510978B2 (en) * 2007-02-13 2009-03-31 Tdk Corporation Method for forming mask for using dry-etching and method for forming fine structure pattern
JP5898985B2 (ja) 2011-05-11 2016-04-06 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01106049A (ja) * 1987-10-20 1989-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
GB8926281D0 (en) * 1989-11-21 1990-01-10 Du Pont Improvements in or relating to radiation sensitive devices
JP2956387B2 (ja) * 1992-05-25 1999-10-04 三菱電機株式会社 レジスト被覆膜材料、その形成方法とそれを用いたパターン形成方法および半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100388396B1 (ko) * 1999-03-12 2003-06-25 루센트 테크놀러지스 인크 에너지 민감성 레지스트 물질 및 에너지 민감성 레지스트물질을 사용하는 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5648199A (en) 1997-07-15
DE4443934A1 (de) 1996-01-11
JPH086256A (ja) 1996-01-12
KR0160921B1 (ko) 1998-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930010219B1 (ko) 차단층을 포함하는 사진평판 방법 및 콤비네이션
US4196003A (en) Light-sensitive o-quinone diazide copying composition
EP0851305B1 (en) Rinsing and stripping process for lithography
JP3158710B2 (ja) 化学増幅レジストパターンの形成方法
US5635333A (en) Antireflective coating process
JPS63500616A (ja) コントラスト強化層
KR20010015280A (ko) 포토레지스트패턴의 형성방법
KR940006195A (ko) 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법
KR940005992A (ko) 기판 상에 패턴화된 폴리이미드 피막을 형성하는 방법
KR960001894A (ko) 레지스트 패턴의 형성방법과 그 방법에 쓰이는 산성 수용성 재료 조성물
US6171761B1 (en) Resist pattern forming method utilizing multiple baking and partial development steps
JPH05326358A (ja) 微細パターン形成方法
JPH1055068A (ja) 高分解能リソグラフィを用いる半導体装置の製造方法及び装置
JPS59175725A (ja) 多層レジスト膜
JPH08272107A (ja) レジストパターンの形成方法
JPH04328747A (ja) 均一にコートされたフォトレジスト組成物
JPS59106119A (ja) 微細レジストパタ−ンの形成方法
KR930008141B1 (ko) 다층감광막 사진식각방법
EP0197519A2 (en) Process for masking and resist formation
KR950025854A (ko) 반도체 소자의 미세패턴 제조방법
JPH0684784A (ja) レジストパターン形成方法
KR910001460A (ko) 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선 방법
KR970071126A (ko) 이중 포토레지스트를 이용한 패턴 형성방법
KR970077296A (ko) 알루미늄 박막의 식각 방법
KR960008424A (ko) 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee