KR0160921B1 - 레지스트 패턴의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
레지스트 패턴을 형성하는 방법은 고해상도와 넓은 초점 여유와 좋은 구성 및 높은 감도를 갖는다.
알칼리 현상액으로 현상되며 빛을 받자마자 화학적 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)은 반도체 기판(1)에 형성된다.
산성막은 레지스트막(2) 위에 산성 수용성 재료로부터 형성되며, 막의 두께가 1㎛일 때, 그 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖는다.
그 빛 (5)은 선택적으로 레지스트막(2)을 향하여 조사(照射)되어 레지스트막(2)에 상(像 )을 형성한다.
알칼리 현상액으로 레지스트막(2)을 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성한다.
Description
제1도 내지 제3도는 본 발명에 따른 레지스트 패턴(resist pattern)의 제조방법의 제1내지 3단계를 나타낸 반도체 소자의 단면도.
제4도는 레지스트 패턴을 형성하는 종래의 방법에서 현상시간과 레지스트 잔류막과의 관계를 도시한 관계도.
제5도는 본 발명에 따른 레지스트 패턴을 형성하는 방법에서 현상시간과 레지스트 잔류막과의 관계를 도시한 관계도.
제6도는 본 발명에 혼합층(mixing layer)의 효과를 나타낸 도면.
제7도 내지 제10도는 레지스트 패턴을 형성하는 종래의 방법에서 제1 내지 4단계를 나타낸 반도체 소자의 단면도.
제11도는 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinone diazide, NQD)의 광화학적 반응의 반응식을 나타낸 도면.
[발명의 분야]
본 발명은 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 높은 해상도와 넓은 초점심도를 갖는 양호(良好)한 형상(configura- tion)의 레지스트 패턴을 제공할 수 있는 개선된 레지스트 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
[종래 기술의 설명]
레지스트 패턴 형성과정은 4메가 내지 16메가 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 같은 고밀도 집적회로(Large Scale Intergrated Circuit, 이하 LSI라고 약칭함)의 제조방법에 있어서 매우 중요하다.
레지스트 패턴을 형성하는 방법은, 현상(現象) 공정전에 수은등(水銀燈)에서 방출되는 g-라인 광선(파장 463nm)으로 노볼락 수지(novolac resin)의 포지티브형 포토레지스트(positive type photoresist)와 나프토퀴논 디아지드 (naphthoquinone diazide, 이하 NQD라고 약칭함)를 선택적으로 조사(照射)하는 단계들을 포함한다.
최근 몇 년동안, 집적도는 16메가 내지 64메가의 수준으로 증가되어 왔다.
이러한 미세구조(microstructure)를 갖는 LSI에서, g-라인 광선보다 단파장을 갖는 i-라인 광선(파장 365nm)이 레지스트 패턴을 형성하는 광원으로서 사용된다.
LSI의 집적도가 증가됨에 따라 I-라인 광선을 이용하는 안정된 방법에서도 0.5㎛ 이하의 레지스트 패턴을 제조하는 것이 어려워질 것이다.
광원으로서 보다 짧은 파장을 갖는 KrF 에기머 레이저(exeimer laser)(파장 248nm)와 ArF 엑시머 레이저(파장 193nm)를 이용하여 레지스트 패턴을 형성하고자 하는 연구의 노력이 있어왔다.
이러한 엑시머 레이저 빔(beam)을 이용한 기술에서, 광원 유형의 개조뿐만 아니라 새로운 레지스트 재료의 개발도 필수적이다.
그 이유는, 종래의 노볼락-NQD형 레지스트가 g-라인 광선과 i-라인 광선에 대하여 사용되었는데, 그것의 큰 흡광도 때문에 엑시머 레이저 빔에 대한 레지스트로 쓰이게 되면, 기판에 수직인 측벽을 갖는 고해상도의 레지스트 패턴이 얻어질수 없기 때문이다.
엑시머 레이저 빔에 맞는 보다 우수한 특성을 갖는 새로운 레지스트 재료는 아직 발견되지 않았다.
광원과 레지스트 재료에 관한 상기 문제의 관점에서 보면, i-라인과 g-라인 광선을 이용한 종래의 기술과 통상의 노볼락 NQD형 레지스트의 개선으로부터 고해상도와 넓은 공정여유(wide process margin)를 제공하기 위하여, 레지스트 패턴을 형성하는 기술의 개발이 바람직하다.
노볼락 NQD형 레지스트를 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 종래의 방법이 이하에 기술될 것이다.
제7도를 참조하면, 기판(1)상에 레지스트를 도포(塗布)하고, 프리베이킹(prebaking)하여 레지스트막(resist film)(2)을 만든다.
프리베이킹은 핫 플레이트(hot plate)로 수행된다.
제8도를 참조하면, 레티클(reticle)(4)을 이용하여 레지스트막(2)을 향해서 선택적으로 i-라인 빔(5)을 조사(照射)한다.
i-라인 빔은 i-라인 스텝퍼(stepper)에 의해 형성된다.
이때, 레지스트막(2)은 노광영역(6a)과 비노광 영역(6b)으로 나뉜다.
제11도를 참조하면, 노광영역은 인덴 키틴(inden keten)을 거쳐 인덴 카르복실 산(inden carboxylic acid)으로되는 나프토퀴논 디아지드(NQD)를 갖는다. 인덴 카르복실 산은 알칼리 현상액에 용해된다.
제9도를 참조하면, 노광 후 현상 전에 베이킹(baking)이 수행된다.
입사광과 밑에 있는 기판으로부터 반사되는 반사광과의 간섭으로 인하여 정재파가 발생하는데, 그 정재파의 영향(影響)을 감소시킴으로써 고해상도의 패턴을 얻기 위하여 이 베이킹이 수행된다.
이 단계를, 노광 후 베이킹(post exposure baking, 이하 PEG라 약칭함)라고 부른다.
PEB는 핫 플링트(8)를 이용하여 수행한다.
제10도를 참조하면 테트라메틸 암모늄 히드록시드(tetramethyl ammonium hydroxide)용액과 같은 알칼리 현상액을 이용하여 레지스트막(2)을 현상한다.
노광 영역(6a)을 제거하여 레지스트 패턴(7)을 형성한다.
상술한 레지스트 패턴을 형성하는 종래의 방법은 다음의 문제들을 가지고 있다.
제10도를 참조하면, 비노광부의 축퇴된막이 많아져서 기판(1)에 수직한 측벽을 갖는 레지스트 패턴을 얻을 수 없게 된다.
이것은 광이 레지스트막(2)의 바닥에까지 도달되지 않기 때문이다.
현재 사용되는 고해상도의 포지티브형 포토레지스트에서는, 상술한 문제점을 해결하기 위하여, 즉 비노광부의 막의 축퇴를 억제하기 위해서 현상액에 대한 레지스트막의 용해 속도를 줄임으로써 개선한다.
그러나 이러한 개선에도 불구하고 노광부의 용해 속도는 증가시킬 수 없었다.
노광부와 비노광부의 용해 속도는 큰 차이가 없었다.
따라서 충분한 해상도와 좋은 레지스트 형상은 얻을 수 없었다.
[발명의 요약]
종래의 기술을 감한한 본 발명의 목적은 노광 영역의 용해 속도를 증가시키는 것이 가능하도록 개선된 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 비노광 영역의 레지스트 표면층 부분(resist surface layer portion)이 용해되지 않도록 개선된 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 노광 영역의 용해 속도를 증가시키도록 개선된 레지스트 패턴을 형성하고 비노광 영역의 레지스트 표면층 부분이 용해되지 않도록 개선된 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 제공하여, 컨트래스트(contrast)를 향상시키는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 해상도를 증가시키도록 개선된 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 공정 여유를 증가시키도록 개선된 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판에 수직한 측벽을 갖는 레지스트 패턴을 허용하는 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 방법에 적용할 수 있는 산성 수용성 재료 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명의 일국면에 따른 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 레지스트 막은 광을 받아 화학 변화를 일으키고 알카리 현상액으로 현상되는 타입으로 반도체 기판상에 형성된다.
레지스트막에서, 막의 두께가 1㎛일 때, 산성막은 상기 광에 노광되기 전과 노광되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖는 산성 수용성 재료로 형성된다.
광은 레지스트막에 선택적으로 조사되어 상(像)을 형성한다.
그 레지스트막은 알칼리 현상액으로 현상되어 레지스트 패턴을 형성한다.
본 발명의 다른 국면에 따른 레지스트 패턴을 형성하는 방법에서는, 반도체 기판상에 알칼리 현상액으로 현상되고 광을 받아 화학 변화를 일으키는 타입의 레지스트막이 형성된다.
레지스트막 위에서 막의 두께가 1㎛일 때, 산성막은 상기 광에 노광되기 전과 노광되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖는 산성 수용성 재료로 형성된다.
이어서, 상기 산성막이 제겅된다.
그 광이 레지스트막에 선택적으로 조사되어 레지스트막에 상(像)을 형성한다.
그 레지스트막은 알칼리 현상액으로 현상되어 레지스트막을 형성한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 카르복실 산과 술폰 산(sulfonic acid)과 같은 산성기(酸性基)의 수지는 바람직하게는 산성 수용성 재료로 사용된다.
폴리아크릴 산(polyacrylic acid), 폴리알릴 술폰 산(polyallyl sulfonic acid), 폴리(poly)(2-아크릴아미드-2-메틸 프로판 술폰 산(2-acrylamide-2-methyl propane sulfonic acid)), 알긴 산(alginic acid) 등은 산성기를 포함하는 수지라 할 수 있다.
본 발명의 산성 수용성 재료의 다른 바람직한 예로는 카르복실 산과 술폰 산과 같은 저분자 유기 화합물과 수용성 수지가 있다.
폴리아크릴 산, 알긴 산, 풀룰란(pullulan), 폴리(poly)(N-비닐 피롤리돈(N-vinyl pyrrolidone)), 폴리 비닐 알코올(poly vinyl acohol), 산화 폴리에틸렌(polyethylene oxide)은 수용성 수지라 할 수 있다.
카르복실 산으로는 갈 산(gallic acid), 벤조 산(benzoic acid), o-벤졸 벤조산(o-benzoil benzoic acid), 2-브로모아세트 산(2-bromoacetic acid)과 같은 것들이 있고, 술폰 산으로는 벤젠 술폰 산(benzene, sufonic acid), 4-페놀 술폰 산(4-phenol sufonic acid), 4-클로로벤젠 술폰 산(4-chlorobenzene sufonic acid), 2-시클로헥실 아미노에탄 술폰 산(2-cyclohexyl aminiethane sufonic acid), 3-시클로헥실 아미노에탄 술폰 산, 디클로로벤젠 술폰 산(dichlorobenzene sufonic acid), 도데실 벤젠 술폰 산(dodecyl benzene sufonic acid), 에탄 술폰 산(ethane sufonic acid), 에틸 벤젠 술폰 산(ethyl benzene sufonic acid), 2-히드록시-4-메톡시 벤조페논-5-술폰 산(2-hydroxy-4-methoxy benzophenone-5-sulfonic acid), 3-히드록시 프로판 술폰 산(2-hydroxy propane sufonic acid), 메탄 술폰 산(methane sufonic acid), 나프탈렌 술폰 산(naphthalene sufonic acid), m-니트로 벤젠 술폰 산(m-nitro benzene sufonic acid), o-니트로 벤젠 술폰 산, p-니트로 벤젠 술폰산, p-톨루엔 술폰 산(p-toluene sufonic acid), 2,4,5-트리클로로 벤젠 술폰 산(2,4,5-trichlorobenzene sufonic acid), 트리플루오로메탄 술폰 산(trifluoro methane sufonic acid), m-크실렌-4-술폰 산(m-xylene-4-sufonic acid), p-크실렌-2-술폰 산과 같은 것들은 카르복실 산과 술폰 산은 저분자 유기 화합물이라 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 국면에 따르면, 레지스트막상에 알칼리 현상액으로 현상되며 광을 받아 화학 변화를 일으키는 타입의 산성 수용성 재료 조성물이 피복(被覆)된다.
그 산성 수용성 재료 조성물은 물, 카르복실 산 또는 술폰 산과 같은 산성기의 수지로 구성된다.
본 발명의 또 다른 국면에 따르면, 레지스트막상에 알칼리 현상액으로 현상되며 광을 받아 화학 변화를 일으키는 타입의 산성 수용성 재료 조성물이 피복(被覆)된다.
그 산성 수용성 재료 조성물은 물, 수용성 수지, 카르복실 산과 같은 산성 저분자 유기 화합물과 술폰 산으로 구성된다.
상기 레지스트 패턴을 형성하는 방법과 본 발명의 다른 국면에 따라면, 산성막이 레지스트막위에 형성되고, 레지스트막과 산성막 사이의 계면에 혼합층이 형성된다.
노광부에서는, 수소 이온이 혼합층으로부터 레지스트막으로 확산되어 들어간다.
그 때문에 노광부는 알칼리 현성액에 더 잘 용해된다.
반면에 비노광부에서는, 레지스트막상에 형성된 혼합층으로 인해 알칼리 현상액에 대해 비노광부의 용해 속도가 줄어든다.
상술한 것과 본 발명의 다른 국면에 따른 산성 수용성 재료 조성물에 따르면, 산성 수용성 재료 조성물이 레지스트막에 피복될 때 레지스트막과 산성 수용성 재료 조성물의 혼합층이 레지스트막의 표면에 형성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
[본 발명의 바람직한 실시예]
제1도를 참조하면, 기판(1)상에 퀴논 디아지드(quinone diazide)부와 노볼락 수지로 구성된 감광제(photosensitive agent)를 함유한 레지스트 조성물이 도포(塗布)되고, 그 후 프리 베이킹된다.
결과적으로 레지스트막(2)이 형성된다.
산성막(3)은 레지스트막(2) 위에 형성된다.
산성막은 후술될 산성 수용성 재료로 형성된다.
막의 두께가 1㎛일 때, 투과도는 광에 노광되기 전과 노광되는 동안에 적어도 70%이다.
산성막(3)의 두께는 바람직하게는 약 1000Å 내지 2000Å이다.
본 발명과 유사한 기술로서 일특개평 1-106049는 레지스트막상에 콘트라스트 인핸스먼트층(contrast enhancement layer, 이하 CEL이라 약칭함)을 형성하는 기술을 개시하고 있다.
그러나, 이 CEL의 노광 전과 노광하는 동안의 광의 투과도는 낮다.
콘크라스트에 있어서, 막의 두께가 1㎛일 때, 본 발명에 쓰이는 산성막의 광투과도는 노광도기 전과 노광되는 동안에 최하 70%이다.
본 원의 기술은 상술한 일특개평1-106049에 제시된 것과는 확실히 다르다.
제2도를 참조하면, 산성막(3)이 아직 남아있는 상태에서 레티클(4)을 이용하여 레지스트막(2)에 i-라인 빔(5)을 선택적으로 조사(照射)한다.
그 결과, 레지스트막에 화상(畵像)이 형성된다.
레지스트막(3)은 노광부(6a)와 비노광부(6b)로 나뉜다.
본 실시예에서, 제6도에 도시된 바와 같이 산성막(3)이 레지스트막(2)에 도포(塗布)될 때, 제시스트막(2)과 산성막(3)의 계면에 혼합층(10)이 형성된다.
상술한 바와같이, 노광부에서 NQD는 인덴 키틴을 거쳐 인덴 카르복실 산이 된다.
산성 재료 내에 있는 수소 이온(30)이 혼합층(10)으로부터 레지스트막(2)으로 확산되어 들어간다.
결과적으로 알칼리 현상액에 관한 노광부의 용해 속도는 증가한다.
비노광부에서는, 혼합층(10)에 의해 알칼리 현상액에 대하여 레지스트막의 비노광부의 용해 속도가 줄어든다.
레지스트막(2)으로의 수소 이온의 확산 정도는 수용성 재료의 도포(塗布)에 이어서 베이킹 처리를 하는 것에 의해 조절된다.
비노광부에서, 레지스트막상의 불용해층(혼합층 10)의 용해 속도는 기판(1)상에 레지스트 용액을 도포(塗布)하고 베이킹 처리하는 것과 수용성 재료를 도포(塗布)한 후 베이킹 처리하는 것에 의해 조절된다.
제2도 내지 제3도를 참조하면, 레지스트막(2)은 알칼리 현상액으로 현상되어 기판(1)에 대해 수직인 측벽을 갖는 레지스트 패턴(7)이 형성된다.
제4도는 레지스트막을 형성하는 종래의 방법에 따라 얻어진 현상 시간과 어느 정도의 노광에 의한 레지스트 잔류막과의 관계도이다.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 관계도이다.
제4도와 제5도를 비교하면, 본 실시예에 따라 레지스트막(2)내부의 용해속도가 증가함에 반하여, 레지스트막의 표면 근처의 용해 속도는 감소한다.
따라서 현상으로 레지스트막 전체를 제거하는데 걸리는 시간이 줄어든다.
따라서 감도(sensitivity)가 개선된다.
본 실시예에 따르면, 노광부와 비노광부의 현상(現像)시 용해속도의 차이가 커져서, 고해상도를 얻을 수 있게 된다.
비노광부에서 레지스트막의 축퇴(縮退)가 억제될 수 있으므로 초점이 맞지 않는 시간에서의 막의 축퇴(縮退)도 억제 될 수 있다.
그 결과, 초점 여유가 증가하고 좋은 레지스트 패턴을 얻을 수 있게 된다.
그러므로 감도 (sensitivity)가 보다 개선된다.
특정치(specific value)를 이용하여 본 발명을 자세히 설명한다.
[실시예 1 내지 실시예 13]
이 실시예에서 쓰이는 산성 수용성 재료는 다음 표 1에 요약되어 있다.
다시 제1도를 참조하면, 퀴논 디아지드 부와 노볼락 수지로 구성된 감광성 에이전트를 함유하는 PERIX700(일본 합성고무 유한회사의 제품)(12)는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)위에 스핀코팅(spin coating)된다.
핫 플레이트(8)위에서 90℃로 60초 동안 베이킹할 때, 레지스트막의 두께가 1㎛가 되게 스핀코팅 조건을 선택하였다.
이때 표 1에 나열된 산성 수용성 재료(3)를 도포(塗布)한다.
베이킹 조건과 그에 쓰이는 산성 수용성 재료 및 공정수선 (레지스트의 도포→베이킹→수용성 재료의 도포(塗布) →베이킹 → 노광→ 수용성 재료의 막의 벗기기 → PEB → 현상(現像)하기)는 다음 표 2에 요약되어 있다.
표2에서 ○는 공정이 수행되었음을 나타낸다.
○가 없는 것은 그 공정이 수행되지 않았음을 나타낸다.
산성 수용성 재료의 막의 두께는 약 1000Å 내지 2000Å이다.
1) 사용된 (아라비아 수자로 나타낸) 수용성 재료의 종류(type)는 표 1에 나열되어 있다.
다시 제2도를 참조하여, 산성 수용성 재료(3)를 도포(塗布)한 레지스트막(2)은 i-라인 광선 스텝퍼 NSR-2005i8A(니콘사의 제품)를 이용하여 노광된다.
이어서, 표2에 나타난 순서에 따라서 수용성 재료의 막을 물로 행구어 벗겨 내어, 120℃의 핫 플레이트 위에서 90초 동안 PEB를 수행한다.
그 다음, 2.38wt%의 테트라메틸 암모늄 히드록시스 용액 NMD-3 (토쿄 오오카 유한 산업 회사의 제품)을 이용하여 스프레이 패들(spray paddle) 방법에 따라 60초 동안 현상하였다.
그 결과, 레지스트 패턴(7)을 얻는다.
표 3에 0.4㎛ 의 홀 패턴(hole pattern)의 감도 (마스크로 완성될 때 수 msec정도 노광), 홀 패턴의 여유 해상도(㎛ 단위의 이 값이 낮으면 바람직하다), 0.4㎛ 의 홀 패턴의 초점 깊이의 해상도(이 값이 큰 것이 바람직하다) 및 레지스트 패턴의 단면이 요약되어 있다.
표 3의 실시예 번호는 표 2의 실시예 번호와 일치한다.
[비교예]
레지스트 패턴을 형성하는 종래의 방법에 따라서 얻어진 결과가 비교예에 도시되어 있다.
상기 실시예에서 사용된 것과 동일한 레지스트 PFRIX700가 반도체 기판상에 스핀-코딩되고, 핫 플레이트에서 90℃로 60초 동안 프리베이킹된다.
그 결과, 1㎛ 두께의 레지스트막이 얻어진다.
실시예 1 내지 13과 마찬가지로, 이 레지스트막의 i-라인 광선 스텝퍼 NSR-2005i8A를 이용하여 노광된다.
그 다음, 이것은 120℃의 핫 플레이트에서 90초 동안 PEB가 수행된다.
그리고 나서, 그것은 스프레이 패들 시스템에 의해 NMD-3 현상액으로 60초 동안 현상되어 레지스트 패턴이 된다.
비교예의 공정 순서는 표 3의 결과와 함께 표 2에 나타나 있다.
본 발명의 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 따라서 고해상도의 레지스트 패턴, 넓은 초점 여유도, 바람직한 구조가 얻어질 수 있음이 표 3의 결과로부터 명백하다.
또한, 고감도를 얻을 수 있다.
상기 실시예는 수용성 재료를 레지스트막 상에 도포(塗布)하고 나서 수용성 재료가 아직 남아 있는 레지스트를 노광시키는 것을 기술하였다.
산성막은 반사 방지막으로서의 새로운 효과를 제공한다.
그러나 본 발명은 위에 서술된 실시예에 제한되지 아니한다.
수용성 재료를 도포(塗布)하고 제지스트막과 수용성 재료의 혼합층을 형성한 후, 즉시 수용성 재료막을 제거하고 레지스트막을 노광시키는 것에 의해 상응하는 효과를 얻을 수 있다.
이 경우, 반사 방지막의 효과는 얻을 수 없다.
실시예 1 내지 10을 참조하면, 노광 후와 현상전에 수용성 재료을 벗겨냄으로써 강하게 흡착(吸着)된 혼합층의 형성을 방지한다.
실시예 13은 레지스트막이 베이킹되지 않는 것을 특징으로 한다.
이 베이킹 단계가 생략되더라도 적합한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면, 산성막이 레지스트막 위에 형성되는 것에 의해 혼합층이 레지스트막과 산성막 사이의 계면에 형성된다.
노광부에서는, 수소 이온이 혼합층으로부터 레지스트막으로 확산되어 들어 가서 노광부의 현상속도가 증가한다.
비노광부에서는, 알칼리 현상액에 대한 비노광부의 현상 속도는 혼합층에 의해 감소한다.
그 결과, 고해상도와 넓은 초점 여유도 및 좋은 형상을 갖는 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.
또한, 높은 감도를 얻을 수 있게 된다.
산성 수용성 재료 조성물이 레지스트막위에 도포(塗布)될 때, 본 발명에 따른 산성 수용성 재료 조성물에 의해 레지스트막과 산성 수용성 재료 조성물의 혼합층은 레지스트막 표면에 형성된다.
이 혼합층은 알칼리 현상액에 대하여 노광부의 현상속도를 증가시키고 비노광부의 용해 속도를 감소시킨다.
본 발명이 상세하게 기술되고 설명되었다할지라도, 실시예와 설명에 의해서 제한되지 않으며 본원 발명의 범위와 사상이 첨부된 청구범위의 항에 의해서만 제한됨은 명백히 이해된다.
Claims (11)
- 반도체 기판(1)상에 알칼리 현상액으로 현상되는 타입으로, 광을 받아 화학변화를 일으키는 레지스트막(2)을 형성하는 단계와, 상기 레지스트막(2)에 산성 수용성 재료로 이루어지고, 그 막의 두께가 1㎛일 때, 상기 광에 노광되기 전 및 노광되는 동안에 적어도 70% 투과도를 가지는 산성막(3)을 형성하는 단계와, 상기 광(5)을 레지스트막(2) 선택적으로 조사하여 상기 레지스트막(2)에 화상(畵像)을 형성하는 단계, 및 상기 레지스트막(2)을 알칼리 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성하는 단계를 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 광을 조사(照射)한 후, 상기 현상에 앞서, 상기 산성막(3)을 제거하는 단계를 더욱 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산성막(3)을 형성하기 전에 상기 레지스트막(2)을 베이킹(dbaking)하는 단계를 더욱 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 광을 조사(照射)하기 전에 상기 레지스트막(2)과 상기 산성막(3)을 베이킹하는 단계를 더욱 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 광을 조사하기 전에 상기 레지스트막(2)과 상기 산성막(3)을 베이킹하는 단계를 더욱 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 레지스트막(2)은 퀴논 디아지드(quinone diazide) 부분을 가지는 감광제와 노볼락 수지(novolac resin)를 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산성막(3)의 두께는 500Å 내지 2000Å인 레지스트 패턴의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산성 수용성 재료는 카르복실산(carboxylic acid) 또는 술폰산(sulfonic acid) 등의 산성기를 가지는 수지를 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산성 수용성 재료는 수용성 수지와, 카르복실 산 또는 술폰 산 등의 산성 저분자 유기 화합물을 포함하도록 형성되는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산성막(3)을 상기 레지스트막(2)에 남긴 상태로, 상기 레지스트막(2)에 광을 조사(照射)하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 반도체 기판(1)상에 알칼리 현상액으로 현상되는 타입으로, 광을 받아 화학변화를 일으키는 레지스트막(2)을 형성하는 단계와, 상기 레지스트막(2)상에 산성 수용성 재료로 이루어지고, 그 막의 두께가 1㎛일 때, 상기 광에 노광되기 전 및 노광되는 동안 적어도 70%의 투과도를 가지는 산성막(3)을 형성하는 단계와, 상기 산성막(3)을 제거하는 단계와, 상기 광(5)을 레지스트막(2)에 선택적으로 조사하여 상기 레지스트막(2)에 화상을 형성하는 단계, 및 상기 레지스트막(2)을 알칼리 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성하는 단계를 포함하는 레지스트 패턴의 형성방법.
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Legal Events
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |