KR940005992A - 기판 상에 패턴화된 폴리이미드 피막을 형성하는 방법 - Google Patents
기판 상에 패턴화된 폴리이미드 피막을 형성하는 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 폴리이미드 전구체를 감광성 기를 함유하는 화합물을 사용하여 개질시켜 얻은 광가교성 중합체 조성물을 기판의 표면에 도포하여 피막을 형성하고, 생성된 피막을 상 형태로 노광시키고, 미노광 부분을 현상액을 사용하여 용해시켜 제거하고, 노광부분에 잔류하는 피막을 가열하여 폴리이미드 수지로 전환시키는 방법에 관한 것이며, 1-30중량%의 디메틸 술폭시드를 함유하는 현상액이 현상 공정 중에 사용되었다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- (1)방향족 테트리카르복실산 또는 대응하는 일 또는 이산 무수물 및 방향족 디아민으로부터 유도된 폴리이미드 전구체를 감광성기를 함유하는 화합물을 사용하여 개질시켜 얻는 광가교성 중합체 조성물을 기판의 표면상에 도포하여 피막을 형성하는 단계, (2)피막을 상 형태로 노광시키는 단계, (3)미노광부분을 현상액을 사용하여 제거하는 단계, 및 (4)노광부분에 잔류하는 피막을 가열하는 단계로 이루어진, 기판상에 패턴화된 폴리이미드피막을 형성하는 방법.
- 1중량% 내지 30중량%의 디메틸 술폭시디를 함유하는 제1항 기재의 현상액.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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---|---|---|---|---|
KR100836872B1 (ko) * | 2008-02-22 | 2008-06-11 | 충남대학교산학협력단 | 무기고분자 및 친수성 고분자를 이용한 미세·나노유체 소자및 mems 미세구조물 제조 방법 |
KR100837829B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2008-06-13 | 충남대학교산학협력단 | 무기고분자 및 친수성 고분자를 이용한 미세·나노유체 소자및 mems 미세구조물 제조 방법 |
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KR100855601B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2008-09-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 네거티브 감광성 열경화성 수지 조성물, 네거티브 감광성열경화성 수지층 전사재료, 및 네거티브 내성 화상형성방법 |
Families Citing this family (9)
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---|---|---|---|---|
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US20040126708A1 (en) * | 2002-12-31 | 2004-07-01 | 3M Innovative Properties Company | Method for modifying the surface of a polymeric substrate |
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WO2007007730A1 (ja) * | 2005-07-14 | 2007-01-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | ポジ型感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
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Family Cites Families (3)
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DE2933827A1 (de) * | 1979-08-21 | 1981-03-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung. |
CA2025681A1 (en) * | 1989-09-22 | 1991-03-23 | Allan E. Nader | Photoreactive resin compositions developable in a semi-aqueous solution |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100855601B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2008-09-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 네거티브 감광성 열경화성 수지 조성물, 네거티브 감광성열경화성 수지층 전사재료, 및 네거티브 내성 화상형성방법 |
KR100837829B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2008-06-13 | 충남대학교산학협력단 | 무기고분자 및 친수성 고분자를 이용한 미세·나노유체 소자및 mems 미세구조물 제조 방법 |
KR100836872B1 (ko) * | 2008-02-22 | 2008-06-11 | 충남대학교산학협력단 | 무기고분자 및 친수성 고분자를 이용한 미세·나노유체 소자및 mems 미세구조물 제조 방법 |
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