JPS6039642A - ネガチブレリーフコピーの製造方法 - Google Patents

ネガチブレリーフコピーの製造方法

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JPS6039642A
JPS6039642A JP59142511A JP14251184A JPS6039642A JP S6039642 A JPS6039642 A JP S6039642A JP 59142511 A JP59142511 A JP 59142511A JP 14251184 A JP14251184 A JP 14251184A JP S6039642 A JPS6039642 A JP S6039642A
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JP
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quinonediazide
ether
hexamethylolmelamine
photosensitive
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JP59142511A
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English (en)
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パウル・シユタールホーフエン
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Hoechst AG
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Hoechst AG
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

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  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Fats And Perfumes (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、1,2−キノンジアジドを基剤とする通常ポ
ジチブ作用をする感光材料によってネガテブコピーを製
造するだめの反転方法に関する。
従来の技術 1.2−ナフトキノンジアジドを基材とするポジチブ作
用を有する複写材料が、特定の順序の処理段階によって
ネガテブ加工されうることは公知である。米国特許第3
,264,104号にはこの種の反転方法が記載されて
いるが、この方法の場合には、好ましくは熱可塑性ポリ
マーを含有する感光層を原図下に画像露光し、適当な場
合には高められた温度で同方法では露光部分を洗い出す
ことなくアルカリ性溶液又は水で処理し、再び原図なし
に露光し、次に常法で現像すると、支持体上に原図によ
り露光された部分が残りかつ他の部分が洗い出される。
この方法は、比較的多数の処理段階が要求されておシ、
水性アルカリ中に可溶の露光層から可及的に僅かしか分
離されないように特に注意深く常に実施されなければな
らずかつアルカリ%6Q微溶であって、該材料や他の用
途への適用性を限定する。f リマーを加えることが必
要であるという欠点を有する。
ヨーロツノξ特許出願公開第0.024,916号は、
レジスト層の同様な反転製造方法を開示しているが、こ
の方法の場合には】、2−キノンジアジドを基剤とする
材料を、画像露光後に加熱し、次いで原図なしに再び露
光し、アルカリ性水溶液を用いて現像してネガテブを形
成する。該月料の感光層は同材料を加熱するとキノンジ
アットの光反応生成物と反応しかつ感光層の硬化を生じ
させる特定のホトクロミック(pho Iochro+
旧0化合物を含有する。該材料にはホトクロミック物質
の存在することが不可欠であるが、同物質の光反応は若
干の用途においては不都合な変色を惹起する。
英国特許第2,082,339号には、0−キノンジア
ジド及び少なくとも1種のレゾールから成り、ポノチブ
及びネガチプ加工の両方に適した平版印刷板の製造で使
用される感光層組成物が記載されている。この反転方法
は前記方向と同じ順序の段階を含む。その作用は、0−
キノンジアジドの光分解生成物が熱作用下にレゾールと
共に不溶の反応生成物を形成するという事実に基いてい
る。この種の反応はノボラックを使用する場合には起ら
ない。このようにして製造された印刷版は、レゾールの
自己硬化性により保存寿命が比較的不十分であるという
欠点を有する。
西独国特許出願公開第2.855,723号及び同第2
.529,054号には、反転方法のために使用される
1、2−キノンジアジドを含むレジスト層が記載されて
いる。該レジスト層は同層を熱硬化さぜるN−ア/ルー
N′−メチロールーエチレンジアミン又はヒドロキシエ
チルイミダゾールの添加から成る。米国特許第4,19
6,003号にも第二又は第三アミンを含む同様な材料
が記載されている。
しかしこの種の添加物は一般に、複写層の保存寿命及び
複写法に関係する特定の性質、例えば光感度及び露光後
の画像コントラストに対して不利な影響を及ぼす。さら
に、反転画像を得るだめに要求される温度も多くの用途
に関して高すぎるか又は低温での加熱時間も長すぎる。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、1,2−キノンジアジドを基剤とし、
複写層中に同層の保存寿命を減する添加物を混入する必
要がなくかつ露光された層部分の熱硬化を可能にするた
めに比較的低い温度での短い加熱時間しか要求しない、
通常ボジチブ作用を有する感光材料によってネガテブコ
ピーを製造するための反転力法を提供することである。
本発明は、支持体、及び必須成分として熱硬化促進化合
物及び1,2−キノンジアジISを含む感光層から成る
感光材料を、画像により露光し、次に加熱し、冷却後に
原図なしに再び露光し、次にアルカリ性水性現像液によ
って現像することから成る、ネガテブレリーフコビ一〇
製遣方法を提供する。
問題点を解決するだめの手段 前記目的は、感光材料が熱硬化促進化合物としてヘキサ
メチロールメラミンのエステルを含有することによって
達成される。
本発明により使用される場合に適当な感光剤後 (sensitizer)には、化学光による照射九へ
にアルカリ性水溶液中で可溶化される1、2−キノン’
;7) t’−スルホン酸エステル、l、2−キノンジ
アジド−スルホン酸アミド、1,2−キノンジアジド−
カルボン酸エステル及ヒ1,2−キノンジアジド−カル
ボン酸アミドが包含される。1,2−ベンゾキノンジア
ジド又は1゜2−ナフトキノンジアジドの4−又は5−
スルホン酸又は酸塩化物と、フェノールアルデヒド/ア
セトン縮合生成物又はp−ヒドロキシスチレン、p−ア
ミノスチレンのポリマー又はこれら両化合物のコポリマ
ーとの反応生成物も包含される。
特に、l、2−キノンジアジドの4−スルホン酸及び4
−カルボン酸のアミド及びエステルは有利に使用される
、それというのもこれら化合物は本発明による方法にお
いてへキサメチロールメラミンエーテルを添加しないで
も反転効果を生じるからである。従ってこれらの化合物
を使用する場合には、ヘキサメチロールメラミンの量を
減少させるか又は加熱の時間又は温度を低減することが
できる。
使用することのできる1、2−キノンジアジド誘導体の
エステルには、前記誘導体の酸又はハロゲン化物と、フ
ェノール、特に多価フェノ” 、fl’J エIrf、
 2 + 3 + 4− )リヒドロキシベンゾフエノ
ン、2.4−ジヒPロキシーペンゾフエノン、4−7”
カノイルーレソルシノール、4−(2−フェニル−ゾロ
ピー2−イル)フェノールとの公知反応生成物、没食子
酸オクチルエステル又ij:4.4−ヒス−(4−ヒド
ロキシフェニル)−パレリアン酸フチルエステルモ包含
される。アミドは長鎖脂肪族アミン又は好ましくは芳香
族アミンから公知法で誘導されうる。
0−キノンジアジド化合物の量は一般に、複写層の非揮
発性成分の重量に対して3〜50重量%、好捷しくは7
〜35重量%の範囲である。
一般にヘキサメチロールメラミンエーテルのアルキルエ
ーテル基は、炭素原子1〜10個、好ましくは1〜4個
を有する。メチルエーテルが有利である。ヘキサメチロ
ールメラミンは完全に又は部分的にエーテル化されてい
てもよい。
使用することのできる部分エーテル化生成物には、特に
異なる程度のエーテル化を有する成分の工業銘柄混合物
が含まれる。ヘキサアルキルエーテルは通常部分エーテ
ル化化合物よりも有利である。感光性組成物中のへキサ
メチロールメラミンエーテルの濃度は比較的広い範囲内
で変化してよい。一般にヘキサメチロールメラミンエー
テルは、感光性組成物の非揮発性成分の重量に対して1
〜50重量%、好1しくは3〜45重量%の量で存在す
る。該組成物がポリマーバインダーを含む場合には、ヘ
キサメチロールメラミンの量的割合は、好ましくは30
重量%を越えない。
標準環境温度では、ヘキサメチロールメラミンエーテル
の架橋基−CH2−04の反応性は明らかに、層中の早
期架橋を形成するには十分高くないので、室温で未露光
状態で貯蔵される抄写層は長い保存寿命を有する。
感光性組成物は好ましくはさらに、本発明による組成物
に対して使用される溶剤中に可溶であり、また水性アル
カリ中でも可溶であるか又は少なくとも膨潤可能であり
、水に不溶の重合樹脂バインダーも含有する。
また、ナフトキシンジアジドを基剤とする数多のボジチ
ブ複写材料に関して十分に確証されたノボラック縮合樹
脂も、本発明による方法でバインダーとして使用するの
に有利であることが判った。このようなノゼランクはま
た、公知法でそのヒドロキシ基の部分を、例えばクロル
酢酸、インシアネート、エポキシド無水カルボン酸と反
応させることによって変性することもできる。さらに、
アルカリ中で可溶か又は膨潤可能な有利なバインダーに
は、フェノールとアルデヒド又はケトンとの縮合によっ
て製造されるポリヒドロキシフェニル樹脂、スチレン及
び無水マレイン酸のコポリマー、ポリビニルフェノール
、又はアクリル酸又はメタクリル酸と、特にアクリル酸
又はメタクリル酸エステルとのコポリマーが含まれる。
アルカリ可溶性樹脂の種類及び量は意図された目的に依
存して変化してよい。好ましくは全固体中のアルカリ可
溶性樹脂の割合は90〜30重量%、特に好捷しくけ8
5〜55重量%である。
さらにまた他の数多の樹脂も付加的に使用することがで
きる。これらの樹脂には好ましくは、エポキシ樹脂及び
ビニルポリマー、すなわちポリ酢酸ビニル、ポリアクリ
ル酸エステル、ポリビニルアセタール、ポリビニルエー
テル、ポリビニルピロリドン及びこれらの基礎となって
いるモノマーのコポリマーならびに水素化又は部分水素
化ロジン誘導体が含まれる。
これらの樹脂の最も有利な割合は、技術的要求及び現像
条件に対する影響に依存しかつアルカリ可溶性樹脂の5
0重量%未満、好ましくは約2〜35重量%である。特
殊な要求、すなわち柔軟性、付着性、光沢及び着色を満
足させるためには、感光性組成物は付加的にポリグリコ
ール、エチルセルロースのヨウナセルロース誘導体、界
面活性剤、染料、定着剤及び微細顔料、必要な場合には
また紫外線吸収剤を含有することができる。
また露光後の変色に関しては、感光性組成物に、露光時
に好ましくは強酸を形成するか又は分離し、その結果生
じる適当な染料との反応で変色を生じる放射線過敏性成
分の少量を添加するとともできる。この種の放射線過敏
性成分は例えば、発色性置換基を・有する1、2−ナフ
トキノン−ジアジド−4−スルホン酸クロリド、ハロゲ
ノメチル−s −1−リアジン又はテトラフルオロ硼酸
又はヘキサフルオロ燐酸のような鉛酸との塩の形のジア
ゾニウム化合物である。
該組成物は、適当な支持体に塗布するためには一般に溶
剤に溶かす。溶剤の選択はその場の塗布法、層厚及び乾
燥条件に適合されなければならない。本発明による組成
物に適当な溶剤は、メチルエチルケトンのようなケトン
、トリクロロエチレン及び1,1.l−トリクロロエタ
ンのような塩素化炭化水素、n−プロノミノールのよう
なアルコール、テトラヒドロフランのようなエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテルのようなアルコ
ールエーテル及び酢酸ブチルのようなエステルである。
また、特殊な目的のためにはまたアセトニトリル、ジオ
キサン又はジメチルホルムアミドのような溶剤も含有す
ることのできる混合物を使用してもよい。原理的には、
層成分と不可逆的に反応しないすべての溶剤を使用する
ことができる。特に好捷しい溶剤はグリコールの部分エ
ーテル、特にエチレングリコールモノメチルエーテルか
ら成る。
約10μmη未満の層厚の場合に使用される支持体は大
抵の場合金属である。次のものはオフセット印刷版用に
使用することができる:所望の場合には陽極酸化されか
つ付加的にまた、例えばポリビニル燐酸、珪酸塩、燐酸
塩、ヘキサフルオロジルコネート、又は加水分解テトラ
エチルオルト珪酸塩を用いて化学的に前処理されていて
もよいフライス仕上げの機械的又は電気化学的に粗面化
したアルミニウムである。
支持体材料の塗布は、公知法で回転塗布、吹付け、浸漬
、ローラー塗によって、スロットダイを用いて、ナイフ
塗布又はコーター塗布によって実施する。露光のために
は、工業で慣用の光源を使用する。画像形成の他の可能
な手段は電子又はレーザーを用いる照射である。
現像のために使用されるアルカリ性水溶液は等級別アル
カリ度を有する、つ1り該溶液は好ましくはlO〜14
の範囲のpHを有しかつまた少量の有機溶剤又は界面活
性剤を含有していてもよい。
感光材料は、原図下照射又は露光後に他の中間的処理な
しに加熱される。加熱は、照射、対流、加熱面例えばロ
ーラとの接触又は不活性液体、例えば水を含む加熱浴中
への浸漬によって行なうことができる。温度は70〜1
50℃、好捷しくは90〜130℃の範囲にあってよい
このような温度は未露光部分の性質の重大な変化なl〜
に組成物によって許容される。加熱時間は選択された加
熱方法に依存して広範囲で変化してもよい。伝熱媒体を
使用する場合には、加熱時間は一般に10秒〜10分、
好tL<30秒〜4分の範囲にある。
加熱及び冷却の次に、感光層に全露光を施こし、これに
よってまだ感光性を有する層部分が光分解生成物に完全
に転化される。この第2露光の場合には、画像による露
光で使用した光源を再び有利に使用することができる。
第2露光の次に慣用現像液で現像し、これによって画像
露光で光の照射されなかった層部分を洗い出す。適、当
な現像液は好ましくは、アルカリ性物質、例えばアルカ
リ金属燐酸塩、珪酸塩、炭酸塩又は水酸化物の水溶液か
ら成り、同溶液は付加的に界面活性剤又は比較的少量の
有機溶剤も含有していてよい。特別な場合には、適当な
現像液はまだ有機溶剤又は有機溶剤と水との混合物から
成っている。感光材料は加熱又は冷却直後に又は例えば
数時間の時間間隔後に硬化された層部分に伺らの作用も
起ることなしに現像されつる。これは、露光された層部
分が加熱によって不可逆的に硬化されることを示す。
従来の反転法と比較して本発明方法は、複写層の良好な
保存寿命にもかかわらず、画像により露光された層部分
の高められた温度での硬化が比較的迅速に起こりかつ反
転段階に要求される焼付は温度は公知法の場合よりも低
くかつ高められた温度での停止時間は相当に短いという
利点を有する。さらに、該方法は露光時間を変えること
によって解像力の調節を可能にする。
液体の使用される付加的処理段階又は感光材料の特定な
組成物は不要である。唯一の付加的処理段階、つまり加
熱のためには大抵の場合現存の乾燥装置を容易に使用す
ることができる。
原図なしの第2露光は感光材料の画像露光のために使用
した光源によって極めて単純に行なうことができる。
本発明方法は、例えば活版印刷、グラビア印刷及び平版
印刷用印刷版の製造、印刷回路板の減色法及び加色性製
造のだめのフォトレジストステンシルの製造、電気メツ
キ法によって製造されるスクリーン印刷用ニッケルシリ
ンダーの製造又はミクロ電子光学におけるリフトオフ(
Brt−orf)法によるマスクの製造の場合に適用す
ることができる。
水下の実施例で本発明方法の有利な実施態様を記載する
。パーセンテージ及び量比は他に指示がなければ重量単
位と解すべきである。
実施例 911化 電解により粗面しかつ陽極酸化したアルミニウム薄板を
、 エチレンクリコールモノメチルエーテル50.00重量
部及びテトラヒドロフラン50.00重量部中の、 4−(2−フェニル−ゾロビー2.−イル)フェノール
1m01及びナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(
214−スルホン酸クロリド1molから得られたエス
テル化生成物3.00重量部、 ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2)−4−ス
ルホン酸クロリド0.20重量部、105〜120℃の
軟化範囲(毛管法DIN53.181により測定)を有
するクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック6.00
重量部、及びヘキサメ九ロールメラミンへキサメチルエ
ーテル2.00重量部、 クリスタルバイオレット0.06重量部からなる溶液を
塗布した。
陽極酸化アルミニウム支持体は、感光複写層を塗布する
前に、西独−特許第1,621,478号に記載されて
いるように、ポリビニルホスホン酸の水溶液を用いて処
理してあった。
このようにして製造した、層重量約2.9 t/;r?
の感光性複写層を有するプレセン7タイズ材料を、透明
なポジチブ原図下に画像により露光し、次にメタ珪酸ナ
トリウム・91−120の2%水溶液を用いて現像した
。現像過程で、複写層の光の照射された部分が除去され
、未露光画像部分が支持体上に残存されて、原図による
印刷ステンシルが得られた。脂肪性印刷インキを着ける
ことによって印刷準備のできたポジチブ印刷版が得られ
た。
同一プレセン7タイズ材料の他の試料を加工してネカ゛
テブ印刷版を得た。この目的のために、同試料をネガチ
プ原図下に露光し、次に90℃で30秒間又は80℃で
2分間加熱し、次いで原図なしに、画像露光の場合に用
いたのと同一の時間の間再び露光した。画像露光の場合
と同一の現像液中で、同一の時間の間現像すると、原図
の反転画像が得られた。
ポジチブ印刷版及びネガテブ印刷版とも、180℃を越
える温度で焼付けすることができ、その結果得られる印
刷コピーの数は幾倍も増大されうる。
例2 電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化し、ポリビニルホス
ホン酸0.1重量%の水溶液で処理したアルミニウム薄
板を、 エチレンクリコールモノメチルエーテル2500重量部
及びテトラヒドロフ2フ25.00重量部中の、 2.3.4−トリヒドロキシ−ベンゾフェノン1mol
及びナフトキノン−1,2−ジアジド−(2)−5−ス
ルホン酸クロリド3m01から得られたエステル化生成
物4.0’O重量部、ヘキサメチロールメラミンへキサ
メチルエーテル3.00重量部、 ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2)−4−ス
ルホン酸クロリド0.30重量部、及びクリスタルバイ
オレット0.06重量部から成る溶液を塗布した。
このように製造した、層重量31/n?の感光性複写層
を有するプレセン7タイズ材料を、透明なポジチブ原図
下に画像により露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの0.
5%溶液で現像すると、原図によるポジチブ印刷ステン
シルが得られた。
同一材料の他の試料を加工してネガチプ印刷版を得た。
この目的のために同試料をネガテブ原図下に露光し、次
いで120℃で30秒間又は100℃で1分間又は90
℃で3分間又は80℃で4分間加熱し、次に原図なしに
画像露光の場合に用いたのと同一の時間の間再び露光し
た。
画像露光の場合に用いたのと同一の現像液中で、同一の
時間の間現像すると、原図の反転画像が得られた。
例3 例1で記載したように処理したアルミニウム薄板を、 エチレングリコールモノメチルエーテル50.00重量
部及びテトラヒドロフラン50.001Kft 部中の
、 例2で記載したナフトキノンジアジドスルホン酸エステ
ル3.00重量部、 例1で記載したクレゾール−ホルムアルデヒドノミラッ
ク6.00重量部、 ヘキサメチロールメラミンへキサメチルエーテル3.0
0重量部、 2−(4−エトキシ−ナフチ−1−イル)−4,6−ピ
スートリクロロメチルーs−トリアジン0.30重量部
、 及びクリスタルバイオレット0.06重量部から成る溶
液を塗布した。
このように製造した、層重量3 f / +r?の感光
性複写層を有するプレセン7タイズ材料を、透明なポジ
チブ原図下に画像により露光し、次にメタ珪酸ナトリウ
ム4%溶液を用いて現像すると、原図に相応するポジチ
ブ印刷ステンシルが得られた。
同一材料の他の試料を加工してネガテブ印刷版を得た。
この目的のだめに同試料を、ネガテブ原図下に露出し、
次いで120℃で30秒間又は100℃で1分間又は9
0℃で2分間又は80℃で4分間加熱し、次いで原図な
しに、画像露光の場合に使用したのと同一の時間の間再
び露光した。画像露光の場合に使用しだのと同一の現像
液中で、同様に同一の時間の間現像すると原図の反転画
像が得られた。
例4 例1で記載したように前処理し、たアルミニウム薄板に
、 エチレンクリコールモノメチルエーテル5000重量部
及びテトラヒドロフラン50.00重量部中の、 4.4−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−n−パレ
リアン酸のエトキシエチルエステル1mol及びナフト
キノン−(t、2)−ジアジド−(2)−5−スルホン
酸クロリド2molから得られたエステル化生成物4,
00重量部、平均分子量10,000を有するポリ−p
−ビニルフェノール5.00重量部、 ヘキサメチロールメラミンー・キサメチルエーテル1.
00重量部、 ナフトキノン−(i、2)−ジアジF−(2)−4−ス
ルホン酸クロリド0−20 m fL 部、及ヒクリス
タルバイオレット0.07重量部から成る溶液を塗布し
た。
このように製造した、層重量2,89 / m’の感光
性独写層を有するプレセンシタイズ利料を、透明なボジ
チブ原図下に画像露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの1
%溶液を用いて現像すると、原図に相応するボジチブ印
刷ヌテンソルが得られた。
同−月料の他の試料を加工してネガテブ印刷版を得た。
この目的のために同試料を、ネガテブ原図下に露光し、
次に140℃で30秒又は100℃で2分又は90℃で
3分加熱し、次いで画像露光の場合に用いたのと同一の
時間の間原図なしに再び露光した。画像露光の場合に用
いだのと同一の現像液中で、同一の時間の間現像すると
、原図の反転画像が得られた。
例5 電解により粗面化しかつ陽極酸化したアルミニウム薄板
に、 エチレングリコールモノメチルエーテル5000重量部
及びテトラヒドロフラフ50.00重量部中の、 例1で記載したナフトキノン・シアノドスルポン酸エス
テル3.00重量部、 例1で記載したクレゾールーホルlアルデヒISノゼラ
ツク6.00重量部、 ヘキサメチロールメラミンヘキサメチルエーテル0.6
0重量部、 2−(4−エトキシ−ナフチ−1−イル)−4,6−ビ
ス−トリクロロメチル−s−)リアジン0.10重量部
、 及びクリスタルバイオレット0.075重量部から成る
溶液を塗布した。
このように製造した、層重量2.5t/n−1の感光性
複写月料を有するゾレセンンクイズ材料を透明なボジチ
ブ原図下に画像露光し、次にメタ珪酸ナトリウムを2%
溶液で現像すると、原図によるボジチブ印刷ステンシル
が得られた。
同−旧制の他の試料を加工してネガテブ印刷版を得た。
この目的のために、同試料をネガチプ原図下に露光し、
次に120℃で30秒又は100℃で1分加熱し、次い
で画像露光でイ吏用したのと同一の時間の間原図なしに
再び露光した。画像露光の場合と同一の現像液中で、−
一の時間の開路光すると原図の反転画像75−得られた

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 支持体及び必須成分として熱硬化促進化合物及び
    J、2−キノンジアジドを含む感光層から成る感光材料
    を画像により露光し、次に同材料を加熱し、冷却後に同
    材料を原図なしに再び露光し、次にアルカリ性水性現像
    液によって同材料を現像することによってネガチプレリ
    ーフコピーを製造するに当り、該材料が熱硬化促進化合
    物としてヘキサメチロールメラミンのエーテルを含むこ
    とを特徴とするネガテブレリーフコピーの製造方法。 2. 熱硬化促進化合物がへキサメチロールメラミンへ
    キサメチルエーテルより成る特許請求の範囲第1項記載
    の方法。 3. 画像により露光された材料を、70〜150℃の
    範囲の温度に加熱する特許請求の範囲第4. 感光材料
    を10秒〜10分の範囲の時間の間加熱する特許請求の
    範囲第1項又は第2項記載の方法。 5. 感光材料が水に不溶のかつアルカリ性水溶液に可
    溶のバインダーを含む特許請求の範囲第1項記載の方法
    。 6. 使用されるバインダーがノボラックより成る特許
    請求の範囲第5項記載の方法。 7. 感光層が、その非揮発性成分に対して3〜50重
    量%の1.2−キノンジアジド化合物から成る特許請求
    の範囲第1項記載の方法。 8. 感光層が、その非揮発性成分に対して1〜50重
    量%のへキサメチロールメラミンから成る特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 9. 感光層が、1,2−キノンジアジドとして1.2
    −キノンジアジド−4−スルホン酸又は1,2−キノン
    ジアジド−4−カルボン酸のエステル又はアミドを含む
    特許請求の範囲第1項記載の方法。
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ES (1) ES8504392A1 (ja)
ZA (1) ZA845110B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235350A (ja) * 1985-08-07 1987-02-16 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 像反転に有用な保存寿命の長いフオトレジスト
JPH02502312A (ja) * 1987-12-10 1990-07-26 マクダーミツド インコーポレーテツド 像反転性乾燥フィルムホトレジスト
JPH0375652A (ja) * 1989-07-07 1991-03-29 Rohm & Haas Co 改良された感度の酸硬化性フォトレジスト
JPH04163552A (ja) * 1990-10-29 1992-06-09 Toyo Gosei Kogyo Kk 感光性着色樹脂組成物
JPH05158232A (ja) * 1991-03-14 1993-06-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3325023A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
US4596763A (en) * 1984-10-01 1986-06-24 American Hoechst Corporation Positive photoresist processing with mid U-V range exposure
DE3442756A1 (de) * 1984-11-23 1986-05-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von waermebestaendigen reliefaufzeichnungen
CA1281578C (en) * 1985-07-18 1991-03-19 Susan A. Ferguson High contrast photoresist developer with enhanced sensitivity
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4931381A (en) * 1985-08-12 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US4942108A (en) * 1985-12-05 1990-07-17 International Business Machines Corporation Process of making diazoquinone sensitized polyamic acid based photoresist compositions having reduced dissolution rates in alkaline developers
ZA872295B (ja) * 1986-03-13 1987-09-22
DE3634371A1 (de) * 1986-10-09 1988-04-21 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
EP0288533A4 (en) * 1986-10-20 1989-02-06 Macdermid Inc IMAGE INVERSION METHOD AND SYSTEM.
DE3637717A1 (de) * 1986-11-05 1988-05-11 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von positiven oder negativen reliefkopien unter verwendung dieses materials
DE3711263A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von druckformen
DE3711264A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
GB8708747D0 (en) * 1987-04-11 1987-05-20 Ciba Geigy Ag Formation of image
DE3716848A1 (de) * 1987-05-20 1988-12-01 Hoechst Ag Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
US4873176A (en) * 1987-08-28 1989-10-10 Shipley Company Inc. Reticulation resistant photoresist coating
US5462840A (en) * 1987-09-16 1995-10-31 Hoechst Celanese Corporation Use of poly(35-disubstituted 4-hydroxystyrene/N-substituted maleimide for forming a negative image
JPS6478249A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and image forming method
DE3735852A1 (de) * 1987-10-23 1989-05-03 Hoechst Ag Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch, enthaltend einen farbstoff, und daraus hergestelltes positiv arbeitendes lichtempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5019488A (en) * 1988-09-29 1991-05-28 Hoechst Celanese Corporation Method of producing an image reversal negative photoresist having a photo-labile blocked imide
US5286609A (en) * 1988-11-01 1994-02-15 Yamatoya & Co., Ltd. Process for the formation of a negative resist pattern from a composition comprising a diazoquinone compound and an imidazole and having as a heat step the use of a hot water containing spray
DE3837500A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-23 Hoechst Ag Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
US5180653A (en) * 1988-11-28 1993-01-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Electron beam-curable resist composition and method for fine patterning using the same
EP0430302B1 (en) * 1989-12-01 1996-10-09 Tosoh Corporation Positive photosensitive compositions for forming lenses
DE3940911A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-13 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung negativer kopien
DE4004719A1 (de) * 1990-02-15 1991-08-22 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
DE4013575C2 (de) * 1990-04-27 1994-08-11 Basf Ag Verfahren zur Herstellung negativer Reliefkopien
US5206116A (en) * 1991-03-04 1993-04-27 Shipley Company Inc. Light-sensitive composition for use as a soldermask and process
DE4111443A1 (de) * 1991-04-09 1992-10-15 Hoechst Ag Strahlungsempfindlicher ester sowie verfahren zu dessen herstellung
DE4111444A1 (de) * 1991-04-09 1992-10-15 Hoechst Ag Naphthochinondiazid-sulfonsaeure-mischester enthaltendes gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
US5397685A (en) * 1992-02-03 1995-03-14 Shipley Company Inc. Light-sensitive composition and process
JP3016952B2 (ja) * 1992-04-28 2000-03-06 クラリアント インターナショナル リミテッド ネガ型フォトレジスト組成物
JPH06236024A (ja) * 1992-09-24 1994-08-23 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
JP3114166B2 (ja) * 1992-10-22 2000-12-04 ジェイエスアール株式会社 マイクロレンズ用感放射線性樹脂組成物
TW288112B (ja) * 1993-06-02 1996-10-11 Sumitomo Chemical Co
KR19990045397A (ko) * 1997-11-17 1999-06-25 고오사이 아끼오 레지스트 패턴 형성법 및 이 방법에 사용되는포지티브 레지스트 조성물
US6245491B1 (en) * 1999-02-05 2001-06-12 National Semiconductor Corp. Photo-assisted post exposure bake for chemically amplified photoresist process
US6391535B1 (en) * 1999-04-19 2002-05-21 Konica Corporation Silver halide photothermograhic material
JP4645789B2 (ja) * 2001-06-18 2011-03-09 Jsr株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物
US6852464B2 (en) * 2002-01-10 2005-02-08 Kodak Polychrome Graphics, Llc Method of manufacturing a thermally imageable element
US20040038152A1 (en) * 2002-07-15 2004-02-26 Goodin Jonathan W. Method for making printing plate by inkjet deposition on positive-working media
US7470500B2 (en) * 2005-07-19 2008-12-30 Az Electronic Materials Usa Corp. Organic bottom antireflective polymer compositions
US20070083995A1 (en) * 2005-10-12 2007-04-19 Purdy William J Fluidized positioning and protection system
US20080241745A1 (en) 2007-03-29 2008-10-02 Fujifilm Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
EP2218519A4 (en) 2007-11-14 2012-03-21 Fujifilm Corp METHOD FOR DRYING A COATING FILM AND METHOD FOR PRODUCING A PRECURSOR FOR A LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE
JP2009236355A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Fujifilm Corp 乾燥方法及び装置
JP5743783B2 (ja) 2011-07-27 2015-07-01 富士フイルム株式会社 感光性組成物、平版印刷版原版、及びポリウレタン
US20130105440A1 (en) 2011-11-01 2013-05-02 Az Electronic Materials Usa Corp. Nanocomposite negative photosensitive composition and use thereof
JP6167016B2 (ja) 2013-10-31 2017-07-19 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
TW202112837A (zh) 2019-09-26 2021-04-01 日商富士軟片股份有限公司 導熱層的製造方法、積層體的製造方法及半導體器件的製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE620660A (ja) * 1961-07-28
CA774047A (en) * 1963-12-09 1967-12-19 Shipley Company Light-sensitive material and process for the development thereof
US3660097A (en) * 1969-11-28 1972-05-02 Polychrome Corp Diazo-polyurethane light-sensitive compositions
US4196003A (en) * 1974-02-01 1980-04-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive o-quinone diazide copying composition
US4259430A (en) * 1974-05-01 1981-03-31 International Business Machines Corporation Photoresist O-quinone diazide containing composition and resist mask formation process
DE2529054C2 (de) * 1975-06-30 1982-04-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
US4125650A (en) * 1977-08-08 1978-11-14 International Business Machines Corporation Resist image hardening process
JPS5635130A (en) * 1979-08-31 1981-04-07 Fujitsu Ltd Resist material and method for forming resist pattern
GB2082339B (en) * 1980-08-05 1985-06-12 Horsell Graphic Ind Ltd Lithographic printing plates and method for processing
DE3039926A1 (de) * 1980-10-23 1982-05-27 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235350A (ja) * 1985-08-07 1987-02-16 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 像反転に有用な保存寿命の長いフオトレジスト
JPH02502312A (ja) * 1987-12-10 1990-07-26 マクダーミツド インコーポレーテツド 像反転性乾燥フィルムホトレジスト
JPH0375652A (ja) * 1989-07-07 1991-03-29 Rohm & Haas Co 改良された感度の酸硬化性フォトレジスト
JPH04163552A (ja) * 1990-10-29 1992-06-09 Toyo Gosei Kogyo Kk 感光性着色樹脂組成物
JPH05158232A (ja) * 1991-03-14 1993-06-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物

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BR8403439A (pt) 1985-06-25
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ES8504392A1 (es) 1985-04-16
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EP0133216A1 (de) 1985-02-20
ZA845110B (en) 1985-02-27
CA1248401A (en) 1989-01-10

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