KR100273621B1 - (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-설폰산의 에스테르를 함유하는 감방사선성 조성물 및 이를 사용하여 제조된 감방사선성 기록물질 - Google Patents

(1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-설폰산의 에스테르를 함유하는 감방사선성 조성물 및 이를 사용하여 제조된 감방사선성 기록물질 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수중에서 불용성이지만 알칼리성 수용액중에서 가용성이거나 적어도 팽윤가능한 중합체 바인더(binder) 및 (1, 2-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 및/또는 -5-설폰산으로 부분적으로 에스테르화된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논을 함유하고, (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 및/또는 -5-설폰산으로 완전히 에스테르화된 디하이드록시벤조페논 또는 (1,2-타프토퀴논 2-디아지드)-4- 및/또는 -5-설폰산으로 부분적으로 또는 완전히 에스테르화된 트리하이드록시벤조페논을 추가로 함유하며, 에스테르화된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페는 대 에스테르화된 디- 또는트리하이드록시벤조페논의 중량비율이 4:6 내지 7:3으로 다양하고, 조성물에 함유된 총 고체의 중량을 기준하여 전체의 에스테르화된 하이드록시벤조페논이 5 내지 40중량%의 비로 존재함을 특징으로 하는 감방사선성 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 지지체 및 상기 화합물이 지지체상에 존재하는 층을 포함하는 감방사선성 기록물질에 관한 것이다.

Description

[발명의 명칭]
(1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-설폰산의 에스테르를 함유하는 방사선 민감성 조성물 및 이를 사용하여 제조한 방사선 민감성 기록 물질
[발명의 상세한 설명]
본 발명은 2개 이상의 상이한 하이드록시벤조페논을 갖는 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 및/또는 5-설폰산의 에스테르를 함유하는 방사선 민감성 조성물 및 이를 사용하여 제조한 방사선 민감성 기록 물질에 관한 것이다.
전자 부품의 제조시 중요한 단계는 영상 방식의 노출(imagewise exposure) 단계와 이어서 패턴(pattern)을 제공하는 물질에 적용되는 방사선 민감성 층의 현상 단계이다.
적합한 방사선 민감성 층은 일반적으로 물 속에서 불용성이고 알칼리성 수용액중에서 가용성이거나 적어도 팽윤가능한 수지상 결합제 및 하나 이상의 방사선 민감성 화합물 및 경우에 따라, 추가로 첨가제를 함유한다. 포지티브 작용성 층에 사용되는 광활성 성분(photoactive component)은 대부분의 경우 1,2-나트로퀴논 2-디아지드의 유도체이다.
위에서 언급한 유형의 다수의 유도체 중에서, 우선 방향족 하이드록실 화합물을 갖는 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-설폰산의 에스테르가 당해 분야에 공지되어 있으며 포지티브 작용성 기록 물질에서 방사선 민감성 성분으로서 사용된다. 자로미르 코자르(Jaromir Kosar)는 그의 문헌[참조: "Light-Sensitive Systems", published by John Wiley ＆ Sons, New York, 1965, Pages 343 to 351]에서 다수의 방사선 민감성 나프토퀴논 디아지드를 기술하고 있다.
폴리하이드록실화된 벤조페논, 특히 2,3,4-트리하이드록시벤조페논 및 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논을 갖는 (나프토퀴논 디아지드)-설폰산의 에스테르가 통상적으로 사용되며 많은 문헌에 기술되어 있다.
전자 부품의 소형화를 촉진하기 위해서는 점점 더 작은 패턴의 생성을 요구한다. 따라서, 분해능이 더욱 큰 방사선 민감성 층, 소위 "감광성 내식막"이 요구된다. 분해능은 방사선 민감성 층중의 디아조퀴논 함량을 증가시킴으로써 증진될 수 있는 것으로 공지되어 있다[참조: H. Muenzel, J. Lux, R. Schulz: A- and B- Parameter Dependent Submicron Stepper Performance of Positive Type Photoresist; Microelectronic Engineering 6, 1987, pages 421 to 426]. 더욱이, 다관능성 디아조나프토퀴논은 감광성 내식막의 콘트라스트(contrast) 및 분해능을 증진시킬 수 있다[참조: P. Trefonas III, B. K. Daniels: New Principle for Image Enhancement in Single Layer Positive Photoresists; Proceedings of SPIE, 771, 1987, pages 194 to 210].
포지티브 작용성 감광성 내식막에서 방사선 민감성 성분으로서 사용하기에 매우 적합한 다관능성 디아조나프토퀴논은 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논을 갖는 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 및 -5-설폰산의 테트라에스테를 포함한다. 그러나, 이러한 화합물들은 용해도가 비교적 낮기 때문에, 방사선 민감성 조성물에서 이러한 화합물들의 농도는 개선된 분해능을 수득하기에 불충분한 정도로만 증가될 수 있다.
에스테르화도에 따라, 나프토퀴논 디아지드 설폰산으로 완전히 에스테르화되지 않은 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논은 또한 포지티브 작용성 감광성 내식막용으로 적합한 방사선 민감성 성분이 될 수 있지만, 이러한 감광성 내식막의 저장 안정성은 매우 열악하다.
JP-A 제01-222255호, 제01-49038호(1989) 및 제63-249143호(1988)에는 이미 위에서 언급한 단점들을 제거하기 위한 대책이 기술되어 있다. 이러한 문헌에 따르면, 내식막의 저장 안정성은 방사선 민감성 성분의 특수한 정제에 의하거나 용매로서 디메틸 포름아미드를 사용함으로써 개선된다. 그러나, 고비용의 정제 처리는 사용하지 않고, 물리적 특성(비점 등)이 내식막의 석판 인쇄술적 특성을 손상시키지 않고 완전히 무독성인 용매만을 사용하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 목적은 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 및 (1,2-나프토퀴논 2-ㄷ아지드)-4- 또는 -5-설폰산의 에스테르로 제조된 조성물과 적어도 동등하게 양호한 석판 인쇄술적 특성을 지니며, 이렇게 제조된 조성물의 단점을 나타내지 않는, 하이드록시벤조페논 및 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 및/또는 -5-설폰산의 에스테르를 기본으로 하는 방사선 민감성 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 예상외로, (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 및/또는 -5-설폰산으로 완전히 에스테르화되지 않은 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 이외에, 추가로 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 및/또는 -5-설폰산으로 완전히 에스테르화되는 디하이드록시벤조페논 또는 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 및/또는 -5-설폰산으로 부분적으로 또는 완전히 에스테르화되는 트리하이드록시벤조페논을 함유하는 방사선 민감성 조성물을 사용하여 성취한다.
트리하이드록시벤조페논이 디하이드록시벤조페논보다 바람직하며, 특히 2,3,4-트리하이드록시벤조페논이 바람직하다.
에스테르화도는 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논의 테트라에스테르 70 내지 95중량%, 바람직하게는 80 내지 90중량%, 또는 트리하이드록시벤조페논의 트리에스테르 70 내지 100중량%, 바람직하게는 75 내지 95중량%, 특히 80 내지 90중량%를 포함하는 에스테르화 생성물이 수득되도록 선택된다.
트리에스테르의 함량은 상응하게 더 낮은 정도로 에스테르화되는 트리하이드록시벤조페논을 순수한 트리에스테르와 혼합함으로써 조절할 수 있다.
에스테르화된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 대 에스테르화된 디- 또는 트리하이드록시벤조페논(들)의 중량비는 4:6 내지 7:3, 바람직하게는 4.5:5.5 내지 5.5:4.5로 다양하다.
본 발명의 조성물에서, 에스테르화된 디-, 트리- 및 테트라하이드록시벤조페논은 5-설포닐 에스테르 또는 혼합된 4- 및 5-설포닐 에스테르 이외에 4-설포닐 에스테르, 5-설포닐 에스테르로서 존재할 수 있다.
이러한 에스테르는 공지된 방법에 따라, 일반적으로 다관능성 하이드록시벤조페논을 설포닐 클로라이드와 같은 (나프토퀴논-디아지드)설폰산의 반응성 유도체와 반응시킴으로서 제조된다. 이러한 반응은 바람직하게는 케톤 또는 염소화된 탄화수소와 같은 불활성 용매중에서 탄산나트륨, 또는 3급 아민(예: 트리에틸 아민)과 같은 무기 염기 또는 유기 염기의 존재하에서 수행한다. 그러나, 상 전이 촉매의 조건하에서, 예를 들면, 테트라부틸암모늄 브로마이드와 같은 적합한 촉매를 사용하는 메틸렌 클로라이드/탄산나트륨 용액 또는 테트라알킬암모늄 하이드록사이드용액 시스템에서 (나프토퀴논 디아지드) 설폰산 에스테르를 제조하는 것도 가능하다.
본 발명의 방사선 민감성 조성물중의 (나프토퀴논 디아지드)-설폰산 에스테르 혼합물의 농도는 비교적 넓은 범위내에서 변화될 수 있다. 일반적으로, 혼합물은 조성물중의 고체 함량의 중량을 기준으로 하여 5 내지 40중량%, 바람직하게는 10 내지 35중량%, 특히 바람직하게는 15 내지 30중량% 범위의 양으로 존재한다.
방사선 민감성 조성물은 추가로 물에 불용성이지만, 알칼리성 수용액중에서는 가용성이거나 적어도 팽윤가능한 중합체성 결합체를 함유한다.
나프토퀴논 디아지드를 기본으로 하는 많은 포지티브 작용성 기록 재료에서 유리하게 사용되는 노볼락 축합 수지는 또한 본 발명의 조성물에서 특히 유용하고 유리한 것으로 입증되었다. 노볼락은 페놀, 크레졸, 크실레놀 및/또는 트리메틸페놀을 사용하여 제조할 수 있다. 이를 페놀성 성분의 축합 파트너(partner)는 알데히드 및 케톤을 포함한다. 사용된 노볼락 수지의 유형과 양은 특별한 적용에 따라 변화될 수 있다. 일반적으로, 노볼락 성분은 조성물중의 고체 함량의 중량을 기준으로 하여, 60 내지 95중량%, 바람직하게는 65 내지 90중량%, 특히 바람직하게는 70 내지 85중량%의 양으로 존재한다.
또한, 적합한 결합제는 페놀성 하이드록실 그룹을 포함하는 중합체성 화합물, 예를 들면, 비닐 페놀 및 아크릴산의 에스테르 또는 아미드를 갖는 중합체, 및 하이드로퀴논, 프로카테콜, 레소르시놀, 피로갈롤 또는 하이드록시아닐린과 같은 디하이드록시, 폴리하이드록시 및 아미노하이드록시 방향족 화합물의 (메트)아크릴 레이트 또는 (메트)아크릴아미드를 갖는 중합체를 포함한다. 단독 중합체 이외에, 위에서 언급한 단량체 끼리의 공중합체 또는 스티렌, (메트)아크릴산 및 비스페놀 (메트) 아크릴레이트의 메틸 에스테르와 같은 기타 중합가능한 단량체와의 공중하체가 본 발명의 조성물에서 결합제로서 사용될 수 있다. 이러한 중합체와 노볼락과의 혼합물이 또한 사용될 수 있다. 이들 결합제의 유형과 양은 각각의 적용에 따라 변화되지만, 사용되는 양은 실질적으로 노볼락을 위해 지시된 범위내에 있다.
구체적인 특성, 예를 들면, 점착성, 표면의 평활성 및 흡수성을 생성시키기 위해, 방사선 민감성 조성물은 습윤제, 접착 촉진제, 염료 등으로서 소량의 기타물질을 함유할 수 있다.
본 발명의 기록 물질을 제조하는 경우, 조성물은 일반적으로 유기 용매에 용해된 다음 적합한 지지체에 적용시킨다. 용매는 목적하는 피복 방법, 층 두께 및 건조 조건에 따라 선택되어야 한다. 본 발명의 조성물을 위해 사용될 수 있는 용매는 특히 케톤(예: 부타논 및 N-메틸피롤리돈), 알칸디올 모노알킬 에테르(예: 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 모노에틸 에테르), 알칸디올 에테르 아세테이트(예: 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트) 또는 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트 및 에스테르(예: 부틸 아세테이트)를 포함한다. 또한, 여러가지 중에서도 크실렌을 함유할 수 있는 용매 혼합물을 사용할 수 있다. 원칙적으로, 층 성분과 비가역적으로 반응하지 않는 모든 용매가 사용될 수 있다.
본 발명에 따르는 방사선 민감성 조성물은 특히 마이크로 엘렉트로닉스 산업용 감광성 내식막에 사용될 수 있다. 이러한 목적을 위해 바람직한 층 지지체는 또한 산화된 표면을 가질 수 있는 규소 디스크(disc)를 포함한다. 통상적인 마이크로엘렉트로닉 제조 방법에서 직면하는 층, 예를 들면, 질화규소, 폴리실리콘, 산화규소, 폴리아미드 또는 금속(예: 알루미늄) 및 또한 도핑된 규소의 층이 본 발명에 따르는 조성물을 위한 층 지지체로서 또한 사용될 수 있다. 또한, Ga/As 합금 디스크가 적합한 층 지지체이다. 추가로, 본 발명의 조성물은 상기 적용에서 통상적으로 사용되는 층 지지체를 사용하여 인쇄 회로판을 제조하는 데 사용할 수 있다.
또한, 인쇄판(printing plate)은 본 발명에 따른 조성물을 사용하여 제조할 수 있다. 상기 목적을 위해 사용되는 지지체는 우선 예비처리된 알루미늄 시이트이다.
마이크로엘렉트로닉스 산업에서 통상적으로 사용되는 층 지지체는 대개 스핀 피복된다. 또한 이러한 층 및 기타 층 지지체용으로 사용될 수 있는 피복 기술은 분무 피복, 롤러 피복, 침지, 슬롯 다이(slot die)를 사용한 피복, 닥터 나이프 피복(doctor knife coating) 또는 캐스트 피복(cast coating)을 포함한다.
현상을 위해 사용되는 알칼리성 수용액은 빛에 의해 영향을 받은 방사선 민감성 층의 영역을 제거함으로써 마스터(master)의 포지티브 영상(image)을 생성한다. 적합한 현상액은 금속 이온이 없는 알칼리성 수용액을 포함하지만, 나트륨 및/또는 칼륨 이온과 같은 금속 이온을 함유할 수도 있다.
현상액은, 예를 들면, 실리케이트, 보레이트 또는 포스페이트 용액 또는 염용액들의 혼합물로 완충될 수 있으며, 또한 소량의 계면활성제를 함유할 수 있다.
본 발명에 따르는 방사선 민감성 조성물은 직접 회로 또는 이산 소자(discrete component)의 제조를 위한 석판 인쇄 방법에서 바람직하게 적용된다. 이러한 적용에서, 조성물은 각종 공정 단계, 예를 들면, 층 지지체의 에칭(etching), 층 지지체에 주입하거나 층 지지체 위해 재료를 부착시키기 위한 차폐 물질로서 작용한다.
석판인쇄술적 평가의 중요한 기준은 여러가지 중에서도 내식막의 분해력(즉, 내식막으로부터 여전히 생성될 수 이는 최소의 패턴), 가공 범위(즉, 노출 에너지를 변화시킴에 따른 패턴 크기의 변화) 및 방사선 민감성(즉, 내식막에서 노출 차폐 패턴의 크기적으로 진정한 재생을 석판인쇄법으로 수득되도록 하는데 필요한 노출 에너지)이다. 내식막의 재생가능한 가공의 관점에서, 한편으로는 석판인쇄술적 특징이 내식막의 저장 동안 변하지 않고, 다른 한편으로는 입자(결정 또는 겔 입자)는 저장 동안 내식막으로부터 침전되지 않는다는 것은 내식막 층의 균일성을 손상시키지 않으므로 또한 중요하다. 저장 동안 내식막으로부터 침전되는 종류의 입자는 내식막 층에 결함을 생성시켜, 이 결과로서 석판인쇄법에서 수득되는 수율이 감소된다. 또한, 이러한 입자는 내식막을 피복기(coating machine)로 운반하는 펌프 필터의 차단을 빈번히 야기시키는데, 이것은 필터가 더 자주 교환되어야만 함을 의미한다.
본 발명의 디아조 혼합물은 적어도, 단지 하이드록실 성분으로서 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논을 함유하는 (나프토퀴논 디아지드)-설폰산의 에스테르에 의해 부여되는 정도로 양호한 감광성 내식막 석판인쇄 특성을 수득하게 하며, 이러한 점 외에도, 방사선 민감성 및 특히, 감광성 내식막의 저장 안정성을 명백히 향상시킨다.
하기에, 본 발명에 따른 방사선 민감성 조성물의 실시예가 기술되어 있으며, 이들로써 본 발명의 영역과 정신을 제한하고자 하는 것은 아니다. 실시예에서, 중량부는 pbw로서 기술되어 있다.
[실시예 1]
방사선 민감성 조성물의 용액은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 73.0pbw, 노볼락 20.8pbw, 테트라에스테르 88중량%를 포함하는 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 및 (1,2-니트로퀴논 2-디아지드)-5-설폰산의 에스테르화 생성물 3.2pbw, 및 2,3,4-트리하이드록시벤조페논[여기서, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 하이드록실 그룹은 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산으로 완전히 에스테르화 되어있다] 3.2pbw로부터 제조된다.
이 용액을 스핀 피복으로 규소 디스크로 적용시키고 가열 판 위에서 90℃에서 건조시킨 후, 두께가 1.2㎛인 층을 수득한다. 이어서, 실시에서 통상적으로 사용하는 노출 장치[노출 파장이 436nm이고 구멍 수가 0.35개인 소위 "스텝퍼(stepper)"]를 사용하여 마스크(mask)를 통해 노출시킨다. 가열 판 위에서 추가의 열처리를 수행한 후, 피복된 실리콘 디스크를 30초 동안 현상액에 침지시키고, 광에 의해 영향을 받는 내식막 영역을 상기 공정 동안 제거한다. 이러한 방법을 사용하여, 치수가 0,70㎛ 미만인 (비교적 큰 패턴 조차도 치수적으로 진정한 재생성을 갖는)패턴이 본 발명의 방사선 민감성 조성물로부터 생성될 수 있으며, 이 공정에서 요구되는 노출 에너지는 단지 240mJ/cm2이다.
본 발명의 방사선 민감성 조성물은 내식막 용액으로부터 입자의 침전이 일어나지 않고, 50℃에서 10일 이상의 기간 동안 안정하다.
[실시예 2]
실시예 1에서 명시된 에스테를 테트라에스테르 85중량%를 포함하는 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 및 (1,2-나프토퀴논 2-디아지도)-5-설폰산의 에스테르화 생성물 3.2pbw, 및 트리에스테르 85중량%를 포함하는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논 및 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산의 에스테르화 생성물 3.2pbw로 대체시키는 것을 제외하고는, 실시예 1의 과정을 반복한다.
또한, 실시예 1의 방법에 따라 수행한다. 치수가 0.70㎛ 미만인(비교적 큰 패턴 조차도 치수적으로 진정한 재생성을 갖는)패턴이 생성될 수 있으며, 이때 필요한 노출 에너지는 250mJ/cm2이다.
0.80㎛ 라인의 너비를 일반적으로 허용되는 측정값의 10% 이상으로 변화시키지 않고, 노출 에너지의 변화율은 25%일 수 있다.
본 발명의 내식막 용액은, 이 용액으로부터 입자의 침전이 일어나지 않고, 50℃에서 6일 이상의 기간 동안 안정하다.
[실시예 3]
실시예 1에서 명시된 에스테르를 테트라에스테르 85중량%를 포함하는 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 및 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산의 에스테르화 생성물 3.2pbw, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논[여기서, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논의 하이드록실 그룹은 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산으로 완전히 에스테르화 되어있다] 1.92pbw, 미 트리에스테르 40중량%를 포함하는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논 및 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산의 에스테르화 생성물 1.28pbw로 대체시키는 것을 제외하고는, 실시예 1의 방법을 반복한다.
또한, 실시예 1의 방법에 따라 수행한다. 치수가 0.70㎛ 미만인 (비교적 큰 패턴 조차도 치수적으로 진정한 재생성을 갖는) 패턴이 생성될 수 있으며, 이때 필요한 노출 에너지는 220mJ/cm2이다.
0.80㎛ 라인의 너비를 일반적으로 허용되는 측정값의 10% 이상으로 변화시키지 않고, 노출 에너지의 변화율은 22%일 수 있다.
본 발명의 내식막 용액은, 이 용액으로부터 입자의 침전이 일어나지 않고, 50℃에서 6일 이상의 기간 동안 안정하다.
[비교 실시예]
실시예 1에서 명시된 에스테르를 테트라에스테르 85중량%를 포함하는 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 및 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산의 에스테르화 생성물 6.4pbw로 대체시키는 것을 제외하고는, 실시예 1의 방법을 반복한다.
또한, 실시예 1의 방법에 따라 수행한다. 치수가 0.70㎛ 미만인 (비교적 큰 패턴 조차도 치수적으로 진정한 재생성을 갖는) 패턴이 생성될 수 있으며, 이때 필요한 노출 에너지는 300mJ/cm2이다. 0.80㎛ 라인의 너비를 일반적으로 허용되는 측정값의 10% 이상으로 변화시키지 않고, 노출 에너지의 변화율은 28%일 수 있다.
내식막 용액은, 이 용액으로부터 입자의 침전이 일어나지 않고, 50℃에서 단지 2일의 기간 동안 안정하다.

Claims (4)

  1. 물에는 불용성이지만 알칼리성 수용액중에서 가용성이거나 적어도 팽윤가능한 중합체성 결합제와 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산, (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산, 또는 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산과, (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산으로 부분적으로 에스테르화된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논을 포함하는 방사선 민감성 조성물로서, (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산, (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산 또는 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산과 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산으로 완전히 에스테르화된 디하이드록시벤조페논 또는 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산, (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산, 또는 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산과 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-5-설폰산으로 부분적으로 또는 완전히 에스테르화된 트리하이드록시벤조페논을 추가로 함유하며, 에스테르화된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 대 에스테르화된 디하이드록시벤조페논 또는 트리하이드록시벤조페논의 중량비가 4.5:5.5 내지 7:3으로 변화하고, 조성물에 함유된 고체의 총 중량을 기준으로 하여, 전체의 에스테르화된 하이드록시벤조페논이 5 내지 40중량%의 비로 존재함을 특징으로 하는 방사선 민감성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 에스테르화 생성물이 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논의 테트라에스테르 70 내지 95중량%와 트리하이드록시벤조페논의 트리에스테르 70 내지 100중량%를 포함하는 방사선 민감성 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 에스테르화된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 대 에스테르화된 디하이드록시벤조페논 또는 트리하이드록시벤조페논의 중량비가 4.5:5.5 내지 5.5:4.5로 변화하는 방사선 민감성 조성물.
  4. 지지체와 이 지지체에 적용되는 방사선 민감성 층을 포함하는 방사선 민감성 기록물질로서, 방사선 민감성 층이 제1항에 따르는 방사선 민감성 조성물을 함유하는 방사선 민감성 기록물질.
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