JPS6039641A - ネガチブレリーフコピーの製造方法 - Google Patents

ネガチブレリーフコピーの製造方法

Info

Publication number
JPS6039641A
JPS6039641A JP59142510A JP14251084A JPS6039641A JP S6039641 A JPS6039641 A JP S6039641A JP 59142510 A JP59142510 A JP 59142510A JP 14251084 A JP14251084 A JP 14251084A JP S6039641 A JPS6039641 A JP S6039641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diazide
sulfonic acid
exposed
naphthoquinone
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59142510A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0455501B2 (ja
Inventor
パウル・シユタールホーフエン
ゲルハルト・マツク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst AG filed Critical Hoechst AG
Publication of JPS6039641A publication Critical patent/JPS6039641A/ja
Publication of JPH0455501B2 publication Critical patent/JPH0455501B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Fats And Perfumes (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 衆業上の利用分野 本発Bll]ハ、1 、2−キノンジアジドを基剤とす
る通常ボジチブ作用をする感光材料によってネガテブコ
ビーを製造するための反転方法に関する0 従来の技術 1.2−ナフトキノンジアジドを基剤とするボジチゾ作
用を有する複写材料が、特定の順序の処理段階によって
ネガチグ加工され5ることは公知である。米国特許第3
,264,104号にはこの種の反転方法が記載されて
いるが、この方法の場合には、好ましくは熱可塑性ポリ
マーを含有する感光層を原図下に露光し、適当な場合に
は高められた温度でプロセスでは露光部分を洗出すこと
ン<アルカリ性溶液又は水で処理し、原図なしに再び露
光し、次に常法で現像すると、支持体上に原図下に画像
露光された部分が残りかつ他の部分が洗出される。
この方法は、比較的多数の処理段階が要求されており、
水性アルカリ中に可溶の露光層から可及的に僅かしか分
離されないように特に注意深(常に実施されなげればな
らずかつアルカリに微溶であって、該材料の他の用途に
対する適用性を限定するポリマーを加えることが必要で
あるという欠点を有する。
ヨーロッパ特許出願公開第I024,916号は、レジ
スト層の同様な反転製造方法を開示しているが、同方法
の場合には1,2−キノンジアジドを基剤とする材料を
、画像露光後に加熱し、次いで原図なしに再び露光し、
アルカリ性水溶液を用いて現像してネガチプを形成する
該材料の感光層は、同材料を加熱するとキノンジアジド
の光反応生成物と反応しかつ感光層の硬化を生じさせる
特定のホトクロミック(photochromic )
化合物を含有子る。該材料にはホトクロミック物質の存
在することが不可欠であるが、同物質の光反応は若干の
用途においては不都合な変色を惹起する。
英国特許第2,082,339号には、0−キノンジア
ジド及び少なくとも1種のレゾールから成り、ボジチゾ
及びネガテブ加工の両方に通した平版印刷板の製造で使
用される感光層組成物が記載されている。この場合の反
転方法は前記方法と同じ順序の段階を含む。その作用は
、0−キノンジアシドの光分解生成物が熱作用下にレゾ
ールと共に不溶の反応生成物を形成するという事実に基
い℃いる。この種の反応はノボラックを使用する場合に
は起らない。このようにして製造された印刷版は、レゾ
ールの自己硬化性により保存寿命が比較的不十分である
という欠点を有する。
西独国特許出願公開第2,855,723号及び同第2
,529,054号には、反転方法のために使用される
1、2−キノンジアジドを含むレゾスト層が記載きれて
いる。該レジスト層は同層を熱硬化させるN−アシル−
N′−メチロール−エチレンジアミン又はヒドロキシエ
チルイミダゾールの添加を包含する。米国特許第4,1
96゜003号にも第二又は第三アミンを含む同様な材
料が記載されている。
しかしこの種の添加物は一般に、複写層の保存寿命及び
複写法に関する特定の性質、例えば光感度及び露光後の
画像コントラストに対して不利な影響を及ぼす。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、1,2−キノンジアジドを基剤とし、
前記欠点がな(かつ露光された層部分の可能な熱硬化を
行5ために複写層に添加物を使用する必要のない、通常
ボジチプ作用を有する感光材料によってネガチグコビー
を製造するための反転方法を提案することである。
本発明は、水に不溶のかつアルカリ性水溶液に可溶のバ
インダー及び感光性化合物としての1.2−キノンシア
シトを含有する感光材料を画像により露光し、次に加熱
し、冷却後に原図なしに再び露光し、次にアルカリ性水
性現像7反によって現像することから成るネガチグレリ
ーフコピーの製造方法を提供する。
問題点を解決するための手段 本発明の前記目的は、該感光材料が感光性化合物として
1,2−ベンゾキノン−2−シアシト−4−スルホン酸
、1,2−ペンダキノン−2−ジアジド−4−カルボン
酸、1,2−ナツトキノン−2−ジアジド−4−スルホ
ン酸又は1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−カ
ルボン酸のエステル又はアミドを含むことによって達成
される。
意外にも、ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2
)−4誘導体は、前記反転方法における感光剤として使
用する場合には、相応のナフトキノン−(1,2)−シ
アシト−(2)−5誘導体よりもはるかに適しているこ
とが判明した。
本発明により、複写層中の感光剤として、例えば0−キ
ルジアジド−5−スルホン酸エステルと反対にO−キノ
ンシアシト−4−スルホン酸を使用する場合には、添加
剤なしでもに元された層部分が高められた温度で硬化さ
れることが見出された。O−キノンジアジド−5−誘導
体の場合には、前記熱硬化は、複写層に照射された層部
分の凝固を起こす特殊の絡加物を添加する場合にのみ達
成されうる。
例えば、ナフトキノン−(1,2)−シアシト−(2)
−4−スルホン酸エステル及びバインダーとしてのクレ
ゾールーホルムアルデヒドノボラソクから成りかつ紫外
線による照射後に140℃に加熱された複写層はすでV
C1分後に硬化されて現像液中で不溶となったが、これ
に反し相応のナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(
2)−5−スルホン酸エステルカッの他は不変の実験条
件下で使用される照射複写層は、140°で硬化されず
、それにより現像液中で依然として可溶である。ただ照
射複写層を3分間加熱した後のみ、同層の僅かな硬化が
認められるけれども、これによってもなお現像液に対す
る抵抗性は得られない。140°Cでの加熱時間を、例
えば4分又は5分に延長する場合には、該複写層の未露
光成分がすでに分解を始めかつ現像液中で僅かに可溶に
なるが又は不溶になって、ボジチブコピーとネガチグコ
ビーとの差別を得ることは不可能になる。
複写層に特定の添加物、例えばレゾール、第二又は第三
アミン又は他の化合物を添加することによってのみ、ナ
フトキノン−(1,2)−ジアジド−(2)−5−スル
ホン酸エステルを用いても反転現像を行5ことができる
本発明による方法は、複写層中で感光剤として使用され
るO−キノンジアジド−4−スルホン酸誘導体又はO−
キノンジアジド−4−カルボン酸誘導体が前記種類の添
加物を要求せず、その結果これらの添加物によって惹起
される複写法に関係する特定の欠点は起りえないという
利点を有する。
本発明による使用にとって適当な感光剤は、1.2−キ
/”ンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−キ
ノンジアジド−4−スルホン酸アミド、1,2−キノン
ジアジド−4−カルボン酸エステル及び1,2−キノン
ジアシド−4−カルボ/酸アミドを包含し、これらは化
学光での照射後にアルカリ性水浴液中で可溶になる。1
,2−ベンゾキノン−ジアジド−4−スルホン酸又は1
,2−ペンゾキノンゾアゾドー4−スルホン酸クロリド
又は1,2−ナフトキノンジアシド−4−スルホン酸又
は1,2−ナノトキノンソアゾドー4−スルホン酸クロ
リドと、フェノールアルデヒド/アセト7m合生成物又
はp−ヒドロキシスチレン、p−アミノスチレンのポリ
マー又はこれら両化合物のコポリマーとの反応生成物も
混入される。
使用することのできるエステルには、その酸又はハロケ
9ン化物と、フェノール、特に多価フェノール例えば2
,3.4−)リヒドロキシベンゾフエノン、2.4−ゾ
ヒドロキシーペンゾフエノン、4−デカノイルーレソル
シノール、4−(2−フェニル−プロl?72iル)フ
ェノールとの公知反応生成物、没賞子献オクチルエステ
ル又は4,4−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−バ
レリデン酸フチルエステルカ包含される。アミドは芳香
族又は長鎖脂肪族アミンから公知法で誘導されうる。
0−キノンジアシド化合物の量は一般に、複写層の非揮
発性成分の重量に対して6〜50重量矛、好ましくは7
〜35重電簀の範囲であるまたこの全量は、前記の4−
置換0−キノンジアジドの他に、比較的少量の慣用の1
,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸誘導体、
好ましくは1,2−ナノトキノンゾアゾドー5−スルホ
ン酸エステルも包含することができる。一般に5−スル
ホン酸誘導体の量は4−置換キノンジアジドの量の50
%を越え又はならず、好ましくは約20%を越えてはな
らない。
さらに感光性組成物は、本発明による組成物のために使
用される溶剤に可溶であり、また水性アルカリ中°でも
可溶であるか又は少なくとも膨潤可能であり、水に水溶
の重合樹脂バインダーも含有する。
また、ナフトキノンジアジドを基剤とする数多のポジチ
プ複写材料に関して十分に確証されたノボラック縮合樹
脂も、本発明による方法でバインダーとして使用するの
に有利であることが判った。このようなノボラックはま
た、公知法でそのヒドロキシ基の部分を、例えばクロル
酢酸、インシアネート、エポキシド又は無水カルボン酸
と反応させることによって変性することもできる。アル
カリ中で可溶か又は膨潤可能な有利な他のバインダーに
は、フェノールとアルデヒド又はケトンとの縮合によっ
て製造されるポリヒドロキシフェニル樹脂、スチレ/及
び無水マレイン酸のコポリマー、ポリビニルフェノール
又はアクリル酸又はメタクリル酸と、特にアクリル酸又
はメタクリル酸エステルとのコポリマーが含まれる。
アルカリ可溶性樹脂の種類及び量は意図された目的に依
存して変化してもよい。好ましくは全固体中のアルカリ
可溶性樹脂の割合は90〜60重量係、特に好ましくは
85〜55重斌襲である。さらにまた、多数の他の樹脂
も付加的に使用することができる。好ましくはこのよう
な樹脂には、エポキシ樹脂及びビニルポリマ〜、すなわ
ちポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸エステル、ホリビニ
ルアセタール、ポリヒニルエーテル、ポリビニルピロリ
ドン及びそれらの基礎となっているモノマーのコポリマ
ーならびに水素化又は部分水素化ロゾン誘導体が含まれ
るこれらの樹脂の最も有利な割合は、技術的要求及び現
像条件に依存しかつ一般には、アルカリ可溶性樹脂の5
0重量係未満、好ましくは約2〜35重量襲である。特
殊な要求、例えば柔軟性、付着性、光沢及び着色を満足
させるためには、感光性組成物は付加的にポリグリコー
ル、エチルセルロースのヨ5 ナセルローx銹導体、界
面活性剤、染料、定着剤及び微細顔料、必要な場合には
゛また紫外線吸収剤を含有することができる。
また露光後の変色に関しては、感光性組成物に、露光時
に好ましくは強酸を形成するか又は分離し、その結果性
じる適当な染料との反応で変色を生じる放射線過敏性成
分の少量を添加することもできる。この種の放射線過敏
性成分は例えば、発色性置換基を有する1、2−ナフト
キノン−ジアジド−4−スルホン酸クロリド、ハロゲノ
メチル−a−トリアゾン又はテトラフルオロ棚酸又はへ
キサフルオロ燐酸のよ5な鉛酸との塩の形のジアゾニウ
ム化合物である。
該組成物は、適当な支持体に塗布するためには一般に溶
剤に溶かす。溶剤の選択は、その場の塗布法、層厚及び
乾燥条件に適合されなげればならない。本発明による組
成物に適当な溶剤は、メチルエチルケトンのよ5なケト
ン、トリクロロエチレン及びi、1.i−zクロロエタ
ンのような塩素化炭化水素、n−プロパツール(7) 
、j: 5なアルコール、テトラヒドロフランのヨウナ
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルのよ
うなアルコールエーテル及び酢酸ブチルのようなエステ
ルである。また、特殊な目的のためにはアセトニトリル
、ジオキサン又はジメチルホルムアミドのような溶剤も
含有することのできる混合物を使用してもよい。原理的
には、層成分と不可逆的に反応しないすべての溶剤を使
用することができる。特に好ましい溶剤はグリコールの
部分エーテル、特ニエチレングリコールモノメチルエー
テルカラ成ル。
約10μm未満の層厚の場合に使用される支持体は、大
抵の場合金属である。次のものはオフセット印刷版用に
使用することができる:所望の場合には陽極酸化されか
つ付加的にまた、例えばポリビニル燐酸、珪酸塩、燐酸
塩、ヘキサフルオロジルコネート、又は加水分解テトラ
エチルオルト珪酸塩を用いて化学的に前処理されていて
もよいフライス仕上げの、機械的又は電気化学的に粗面
化したアルミニウムである。
支持体材料の塗布は、公知法で回転塗布、吹付け、浸漬
、°ローラー塗によって、スロットダイを用いて、ナイ
フ塗布又はコーター塗布によって実施する。N元のため
には、工業で慣用の光源を使用する。画像形成の他の可
能な手段は、電子又はレーず−を用いる照射である。
現像のために使用されるアルカリ性水溶液は等級別アル
カリ度を有する、っまり該浴欣は好ましくは10〜14
の範囲の−を有しかつまた少量の有機溶剤又は界面活性
剤を含有していてもよい。
感光材料は、画像による照射又は露光後に他の中間的処
理なしに加熱される。加熱は、照射、勾流、加熱面例え
ばローラーとの接触又は不活性液体、例えば水を含む加
熱浴中への浸漬によって行なうことができる。温度は8
0〜16o0c、好ましくは110〜150℃の範囲に
あってよい。このような温度は未露光部分の性質の重大
な変化なしに組成物によって許容される。加熱時間は、
選択された加熱方法に依存して広範囲で変化してもよい
。伝熱媒体な使用する場合には、加熱時間は一般に1/
2〜60分、好ましくは1〜5分の範囲にある。
加熱及び冷却の次に、感光層の全露光を施こし、これに
よってまだ感光性を有する層部分が光分解生成物に完全
に転化される。第2露九の場合には、画像露光で使用し
た光源を再び有利に使用することができる。
第2露九の次に、慣用現像液で現像し、これによって画
像露光で元の照射されなかった層部分を洗出す。適当な
現像液は好ましくは、アルカリ性物質、例えばアルカリ
金属燐酸塩、珪酸塩、炭酸塩又は水酸化物の水浴液から
成り、同溶液は付加的に界面活性剤又は比較的少量の有
機溶剤も含有していてよい。また特別な場合には適当な
現像液は有機溶剤又は有機溶剤と水との混合物から成る
。該感光月科は加熱及び冷却直後K又は例えば数時間の
時間後に、硬化された層部分に何らの作用の起こること
なく現像されうる。これは、露光された層部分が加熱に
よって不可逆的に硬化されていることを示す。
本発明によ乞方法は、特殊な添加物を使用し、その存在
によって高められた温度の露光層部分の凝固を可能にす
る必要がな(かつ液体を使用する付加的処理段階も、感
光材料の特定な組成物も要求されないとい5利点を有す
る。唯一の付加的処理段階、すなわち加熱に関しては、
大抵の場合存在する乾燥装置を容易に使用することがで
きる。原図を用いない第2露光は、感光材料を画像によ
り露光するために使用した光源によって極めて単純に行
なわれ5る。
本発明方法によって、露光時間を変えることによって解
像を調節することができる。
本発明方法は、活版印刷、グラビア印刷及び平版印刷用
印刷版の製造、印刷回路板の減色法及び加色性作成のた
めのフォトレジストステンシルの製造、電気メツキ法に
よって製造されるスクリーン印刷用ニッケルシリンダー
の製造又はミクロ電子光学におけるリフトオフ(lif
t−off )法によるマスクの製造において適用する
ことができる。
次の実施例で本発明方法の有利な実施態様を記載する。
パーセンテージ及び量比は、他に指示がなげればM量単
位と解すべきである。
実施例 例 1 電解的に粗面化しかつ陽極酸化したアルミニウム薄板に
、 エチレングリコールモノメチルエーテル50.00重量
部及びテトラヒドロフラン50.00 重量部中の、 4−(2−フェニル−プロビー2−イル)フェノール1
m01及びナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2
)−4−スルホン酸クロリドi molかも得られたエ
ステル化生成物3.0ON量部、 ナフトキノン−(1,2)−シアシト−(2)−4−ス
ルホン酸クロリドo、i o重量部、105〜120℃
の軟化範囲(毛管法DIN 53゜181により測定)
を有するクレゾール−ボルムアルデヒドノボラック6.
00重量部及びクリスタルパ考オレットD、07Mk部
から成る溶液を塗布した。
陽極酸化アルミニウム支持体に感光性複写層を塗布する
前に、同支持体を、西独国特許第1゜621.478号
に記載されているようにポリビニルホスホン酸の水溶液
で処理した。
とのよ5にして製造された、重量部2.0j9/m2の
感光層を有するプレセンシタイズ材料ヲ、透明なボジチ
グ原図下に画像露光し、次にメタ珪1段ナトリウム・9
H20の2%水溶液で′fA像した。現像過程で複写層
のツ0の照射された部分が除去されかつ未露光の画像部
分が支持体上に残って、原図による印刷ステンシルが得
られた。
印刷ステンシルに脂肪性インキを着けると印刷準備ので
きたボジチプ印刷版が製造された。
同一プレセンシクイズ材料の他の試料を加工してネガチ
グ印刷版を得た。この目的のために同試料をネガチプ原
図下に露光し、140℃で1分間加熱し、画像露光で使
用した時間と同じ時間の間原図なしに再び露光した。画
像露光の場合と同一の現像液中で同一の時間の間現像す
ると、原図の反転画像が得られた。
例1で示した感光液を、ナフトキノン=(1゜2)−ジ
アジド−(2)−5−スルホン酸の相応のエステルと代
え、前記反転方法を同一試験条件下で繰返す場合には、
ボゾチプ作用を有する感光材料の反転現像は、ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸の存在では不可能である
ことが判る。露光層部分は、前記ナフトキノン−(1,
2)−ジアジド−(2)−4−スルホン酸エステルの存
在する場合には、140°Gでのすでに1分間の加熱後
には、現像液中で4亀になったが、ナフトキノン−(1
,2)−シアシト−(2)−5−スルホン酸エステルを
含ム露光層部分は140℃での6分間の加熱後にも現像
液中で依然とし℃可溶なので、ボジチゾコピーとネガテ
ブコピーとの間の差別が不可能である。加熱時間及び/
又は温度を増大させる場合には、未露光の層部分が分解
を始め、その結果この場合にも前記の差別は不可能であ
る。
例 2 電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化し、ポリビニルホス
ホン酸0.1重量部の水浴液を用いて処理したアルミニ
ウム薄板ニ、 エチレングリコール七ツメチルエーテル50.00重量
部及びテトラヒドロフラン50.00i量部中の、 例1で使用したす7トキノンシアシドスルホン酸エステ
ル4.00重量部、 平均分子i10,000を有するポリ−p−ビニルフェ
ノール5.00重量部、 ナフトキノン〜(1,2)−ジアジド〜(2)−4〜ス
ルホン酸クりリド肌10重量部、及びクリスタルバイオ
レット0.07重量部から成る溶液を塗布した。
このように製造したプレセン/クイズ材料を透明ボジチ
プ原図下に画像露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの0.
5%溶液を用いて現像すると原図に相応するボシチゾ印
刷ステ7シルが得られた。
同一材料の他の試料を加工してネガチゾ印刷版を得た。
この目的のために同試料をネガチプ原図下に露光し、次
に140℃で1分間加熱し、再び原図なしに画像露光の
場合と同じ時間の開路光した。画像露光の場合と同一の
現像液中で、同一の時間の間現像すると原図の反転画像
が得られた。
例 6 例1で記載したように処理したアルミニウム薄板に、 エチレングリコール七ツメチルエーテル50.00重量
部及びテトラヒドロフラン50.00重量部中の、 4−(2−エチルヘキサノイル)−レソルシノール1m
ol及びナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2)
−4−スルホン酸クロリド2m01から得られたエステ
ル化生成物2.00重量部、 例1で記載したクレゾール−ホルムアルデヒドノボラッ
ク5.00重量部、 2−(4−工゛トキンーナフチー1−イル)−4゜6−
ピスドリクロロメチルーS−)リアジン0.10重量部
、 及びクリスタルバイオレット0.07M量部から成る溶
液を塗布した。
このよ5にして製造したプレセンシタイズ材料を透明ボ
ジチゾ原図下に画像露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの
1%溶液を用いて現像して原図に相応するボジチゾ印刷
ステンシルが得られlこ。
同材料の他の試料を加工してネガチゾ印刷版を得た。こ
の目的のために前記試料をネガテブ原図下に露光し、次
に140℃で1分間加熱し、画像露光で用いた時間と同
じ時間の間原図なしに再び露光した。画像露光の場合と
同一の現像液中で、同一の時間の間現像すると、原図の
反転画像が得られた。
例 4 電気化学的に粗面化しかつ陽極数比したアルミニウム薄
板に、 エチレンクリコールモノメチルエーテル50.00重量
部及びテトラヒドロフラン50.00ft量部中の、 例1で使用したナフトキノンジアジド−スルホン酸エス
テル6.00重量部、 平均分子量2,0.00を有する2−メチルーレソルシ
ノール及びアセトンから、得られた縮合生成物6.00
重量部、 ナフトキノン−(1,2)−シアシト−(2〕−4−ス
ルホン酸クロリド0.20重量部、及びクリスタルバイ
オレツ) 0.08重量部から成る溶液を塗布した。
このよ5にして製造したプレセンンタイズ月利を透明ポ
ジチプ原図下に画像露光し、メタ珪酸ナトリウムの6%
溶液で現像すると原図に相応するボジチプ印刷ステンシ
ルが得られた。
同一材料の他の試料を加工してネガチゾ印刷版を得た。
この目的のために同試料をネガチプ原図下に露光し、次
に140°Gで6分間加熱し、画像露光の場合と同一の
時1間の間原図なしに再び露光した。゛画像露光の場合
と同一の現像液中で、同一の時間の間現像すると、原図
の反転画像が得られた。
例 5 例1で記載したように処理したアルミニウム薄板に、 エチレングリコールモノメチルエーテル50.00重量
部及びテトラヒドロフラン50.00重量部中の、 4−ヘキサデカノイルーレソルシノール1m01及びナ
ンドキノン−(1,2)−ジアジド−(2)−4−スル
ホン酸クロリド2m01カラ得られたエステル化生成物
1,00重量部、例1で記載したクレゾール−ホルムア
ルデヒドノボラック5゜00重量部、 2−(4−エトキシ−ナフチ−1−イル)−4゜6−ビ
ス−トリクロロメチル−日=トリアゾン0.10重量部
、 及びクリスタルバイオレット口、07重量部から成る溶
液を塗布した。
このように製造したプレセンンタイズ月利を透明なボゾ
チプ原図下に画像露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの6
%溶液を用いて現像して原図に相応するボジチブ印刷ス
テンンルを作製した。
同一材料の他の試料を加工してネガチグ印刷版を得た。
この目的のために、同試料を不ガチプ原図下に露光し、
次に1408Cで90秒間加熱し、画像露光の場合と同
一の時間の間原図なしに再び露光した。画像露光の場合
と同一の現像液中で、同一の時間の間現像すると、原図
の反転画像が得られた。
例 6 電気化学的に粗面化1−かつ陽極酸化したアルミニウム
薄板に、 エチレンクリコールモノメチルエーテル50.00重量
部及びテトシヒドロン5750.00 i置部中の、 2.3.4−11ヒドロキシベンゾフ工ノン1mol及
びナフトキノン−(1,2)−シアシト−(2)−4−
スルホン酸クロリド3 molかも得られたエステル化
生成物i、oo重蛍部ナフトキノン−(1,2)−ジア
ジドへ(2)−4−スルホン酸クロリドo、i o重量
部、例1で使用したノボラック6.0 [1重量部、及
びクリスタルバイオレット0.07 M置部から成る溶
液を塗布した。
陽極酸化アルミニウム支持体は、感光性複写層を適用す
る前に、西独国特許第L(S 2 L478号に記載さ
れているよ5に、ポリビ゛ニルホスホン酸の水溶液を用
いて処理した。
このようにして製造したプレセンンタイズ材料を、透明
なポジチプ原図下に画像露光し、欠如メタ珪酸ナトリウ
ムの2%浴液を用いて現像して原図に相応するポジチブ
印刷ステンンルを作製した。
同一材料の他の試料を加工してネガチプ印刷版を得た。
この目的のために、同試料をネガチグ原図下に露光し、
次に140℃で2分間加熱し、画像露光の場合と同一の
時間の間原図なしに再び露光した。画像露光の場合と同
一の現像液中で、同一の時間の間現像すると、原図の反
転画像が得られた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 水に4浴のかつアルカリ性水溶液に可溶のバイン
    ダー及び感光性化合物としての1,2−キノンジアジド
    から成る感光材料を画像に ′より露光し、次に該材料
    を加熱し、冷却後に該材料を原図なしに再び露光し、次
    にアルカ ′□り性水性現像液によって再び該材料を現
    像することによってネガチゾレリーフコピーを製造する
    に掘り、感光材料が感光性化合物として、1,2−ベン
    ゾキノン−2−ジアジド−64−スルホン1111,2
    −ベンゾキノン−22=ジアジド−4−カルボンff、
    1.2−ナフトキノン−2−シアシト−4−スルホン酸
    又は1,2−ナフトキノン−2−シアシト−4−カルボ
    ン酸のエステル又はアミドを含むことを特徴とするネガ
    チプレリーフコピーの製造方法。 ?、 画像により露光された感光材料を80〜160℃
    の範囲の温度に加熱する特許請求の範囲第1項記載の方
    法。 56 感光材料を6D秒〜60分の範囲の時間の間加熱
    する特許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 4、使用jるバインダーがノボラックを含む特許請求の
    範囲第1項記載の方法。 5、感光材料の感光層がその非揮発性成分に対して1,
    2−キノン−シアシト化合物6〜50重量矛を含む特許
    請求の範囲第1項記載の方法。
JP59142510A 1983-07-11 1984-07-11 ネガチブレリーフコピーの製造方法 Granted JPS6039641A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3325023.5 1983-07-11
DE19833325023 DE3325023A1 (de) 1983-07-11 1983-07-11 Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6039641A true JPS6039641A (ja) 1985-03-01
JPH0455501B2 JPH0455501B2 (ja) 1992-09-03

Family

ID=6203718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59142510A Granted JPS6039641A (ja) 1983-07-11 1984-07-11 ネガチブレリーフコピーの製造方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4576901A (ja)
EP (1) EP0131238B1 (ja)
JP (1) JPS6039641A (ja)
AT (1) ATE38568T1 (ja)
AU (1) AU567353B2 (ja)
BR (1) BR8403441A (ja)
CA (1) CA1242920A (ja)
DE (2) DE3325023A1 (ja)
ES (1) ES8600526A1 (ja)
ZA (1) ZA845111B (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IE57143B1 (en) * 1984-06-01 1992-05-06 Rohm & Haas Photosensitive coating compositions,thermally stable coating prepared from them,and the use of such coatings in forming thermally stable polymer images
US4596763A (en) * 1984-10-01 1986-06-24 American Hoechst Corporation Positive photoresist processing with mid U-V range exposure
US4885232A (en) * 1985-03-11 1989-12-05 Hoechst Celanese Corporation High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US4931381A (en) * 1985-08-12 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
US4942108A (en) * 1985-12-05 1990-07-17 International Business Machines Corporation Process of making diazoquinone sensitized polyamic acid based photoresist compositions having reduced dissolution rates in alkaline developers
ZA872295B (ja) * 1986-03-13 1987-09-22
US5035976A (en) * 1986-05-02 1991-07-30 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents
US4902785A (en) * 1986-05-02 1990-02-20 Hoechst Celanese Corporation Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US5162510A (en) * 1986-05-02 1992-11-10 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of photosensitive compositions containing a mixed ester o-quinone photosensitizer
US4863827A (en) * 1986-10-20 1989-09-05 American Hoechst Corporation Postive working multi-level photoresist
EP0288533A4 (en) * 1986-10-20 1989-02-06 Macdermid Inc IMAGE INVERSION METHOD AND SYSTEM.
DE3711263A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von druckformen
DE3711264A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
GB8708747D0 (en) * 1987-04-11 1987-05-20 Ciba Geigy Ag Formation of image
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
DE3822522A1 (de) * 1988-07-04 1990-03-22 Hoechst Ag 1,2-naphthochinon-2-diazid-sulfonsaeureamide und lichtempfindliche gemische, die diese enthalten
US5019488A (en) * 1988-09-29 1991-05-28 Hoechst Celanese Corporation Method of producing an image reversal negative photoresist having a photo-labile blocked imide
US5286609A (en) * 1988-11-01 1994-02-15 Yamatoya & Co., Ltd. Process for the formation of a negative resist pattern from a composition comprising a diazoquinone compound and an imidazole and having as a heat step the use of a hot water containing spray
GB2224362B (en) * 1988-11-01 1993-05-19 Yamatoya Shokai A process and apparatus for forming a negative resist pattern with a resist containing a diazoquinone sensitiser
DE3837500A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-23 Hoechst Ag Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
US5128232A (en) * 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
US5210000A (en) * 1989-05-22 1993-05-11 Shipley Company Inc. Photoresist and method for forming a relief image utilizing composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
EP0413087A1 (en) * 1989-07-20 1991-02-20 International Business Machines Corporation Photosensitive composition and use thereof
DE3926776A1 (de) * 1989-08-12 1991-02-14 Hoechst Ag Substituierte 1,2-naphthochinon-(2)-diazid-4-sulfonsaeuren, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE3926774A1 (de) * 1989-08-12 1991-02-14 Hoechst Ag 7-hydroxy-1,2-naphthochinon -(2)-diazid-4-sulfonsaeure oder ihre salze, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE3940911A1 (de) * 1989-12-12 1991-06-13 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung negativer kopien
DE4004719A1 (de) * 1990-02-15 1991-08-22 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
DE4013575C2 (de) * 1990-04-27 1994-08-11 Basf Ag Verfahren zur Herstellung negativer Reliefkopien
US5330875A (en) * 1993-05-05 1994-07-19 Sun Chemical Corporation Process for producing negative and positive original images on a bilevel printing plate utilizing non-silver halide layer and silver halide overlayer
RU2153986C2 (ru) 1996-04-23 2000-08-10 Хорселл Грэфик Индастриз Лимитед Термочувствительная композиция и способ ее применения для изготовления литографической печатной формы
US5705322A (en) * 1996-09-30 1998-01-06 Eastman Kodak Company Method of providing an image using a negative-working infrared photosensitive element
US5705308A (en) * 1996-09-30 1998-01-06 Eastman Kodak Company Infrared-sensitive, negative-working diazonaphthoquinone imaging composition and element
US6117610A (en) * 1997-08-08 2000-09-12 Kodak Polychrome Graphics Llc Infrared-sensitive diazonaphthoquinone imaging composition and element containing non-basic IR absorbing material and methods of use
US5858626A (en) 1996-09-30 1999-01-12 Kodak Polychrome Graphics Method of forming a positive image through infrared exposure utilizing diazonaphthoquinone imaging composition
US6063544A (en) * 1997-03-21 2000-05-16 Kodak Polychrome Graphics Llc Positive-working printing plate and method of providing a positive image therefrom using laser imaging
US6090532A (en) * 1997-03-21 2000-07-18 Kodak Polychrome Graphics Llc Positive-working infrared radiation sensitive composition and printing plate and imaging method
WO1999001796A2 (en) 1997-07-05 1999-01-14 Kodak Polychrome Graphics Llc Pattern-forming methods
US6060217A (en) * 1997-09-02 2000-05-09 Kodak Polychrome Graphics Llc Thermal lithographic printing plates
US6800426B2 (en) 2001-12-13 2004-10-05 Kodak Polychrome Graphics Llc Process for making a two layer thermal negative plate
JP2008311474A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
IT201900022233A1 (it) 2019-11-27 2021-05-27 Epta Inks S P A Inchiostro fotosensibile e embossabile

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49127615A (ja) * 1973-04-07 1974-12-06
JPS53116145A (en) * 1977-03-15 1978-10-11 Agfa Gevaert Nv Improvement of photoregist material
JPS569740A (en) * 1979-07-05 1981-01-31 Fuji Photo Film Co Ltd Image forming method

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL138044C (ja) * 1961-07-28
US4196003A (en) * 1974-02-01 1980-04-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive o-quinone diazide copying composition
GB1494640A (en) * 1974-12-24 1977-12-07 Fuji Photo Film Co Ltd Image-forming on light-sensitive element containing a quinone diazide
DE2529054C2 (de) * 1975-06-30 1982-04-29 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes
JPS5590943A (en) * 1978-12-28 1980-07-10 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and image forming method applicable thereto
JPS587054B2 (ja) * 1979-06-18 1983-02-08 富士通株式会社 レジスト・パタ−ン形成法
JPS566236A (en) * 1979-06-28 1981-01-22 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and pattern forming method using it
JPS5635130A (en) * 1979-08-31 1981-04-07 Fujitsu Ltd Resist material and method for forming resist pattern
GB2082339B (en) * 1980-08-05 1985-06-12 Horsell Graphic Ind Ltd Lithographic printing plates and method for processing
AU9012082A (en) * 1981-11-06 1983-05-12 Polychrome Corp. Light sensitive composition
US4439516A (en) * 1982-03-15 1984-03-27 Shipley Company Inc. High temperature positive diazo photoresist processing using polyvinyl phenol
DE3325022A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49127615A (ja) * 1973-04-07 1974-12-06
JPS53116145A (en) * 1977-03-15 1978-10-11 Agfa Gevaert Nv Improvement of photoregist material
JPS569740A (en) * 1979-07-05 1981-01-31 Fuji Photo Film Co Ltd Image forming method

Also Published As

Publication number Publication date
EP0131238B1 (de) 1988-11-09
ES534178A0 (es) 1985-09-16
US4576901A (en) 1986-03-18
EP0131238A1 (de) 1985-01-16
DE3325023A1 (de) 1985-01-24
DE3475117D1 (en) 1988-12-15
ES8600526A1 (es) 1985-09-16
JPH0455501B2 (ja) 1992-09-03
AU3050284A (en) 1985-01-17
BR8403441A (pt) 1985-06-25
AU567353B2 (en) 1987-11-19
CA1242920A (en) 1988-10-11
ATE38568T1 (de) 1988-11-15
ZA845111B (en) 1985-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6039641A (ja) ネガチブレリーフコピーの製造方法
US4581321A (en) Process for producing negative copies in a material based on 1,2-quinone diazides with thermal curing agent
US4889789A (en) Photosensitive composition and photosensitive copying material prepared therefrom wherein composition has a thermal crosslinking urethane formaldehyde condensate
US4859563A (en) Positive photoresist composition
KR950000236B1 (ko) 영상 반전 음화작업용 감광성 내식막
JPS6251459B2 (ja)
JPS59219743A (ja) ポジ型レジスト現像液
US4460674A (en) Posi-type quinone diazide photosensitive composition with sensitizer therefor
JPH0147774B2 (ja)
US4931381A (en) Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
JP2605106B2 (ja) 1,2‐ナフトキノン‐ジアジドを主成分とする感光性混合物、該混合物から製造された記録材料及び印刷版
DE4013575A1 (de) Verfahren zur herstellung negativer reliefkopien
DE3711263A1 (de) Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von druckformen
US3494767A (en) Copying material for use in the photochemical preparation of printing plates
JPS6197647A (ja) ネガ型レリーフコピーの製造法
JPH0145901B2 (ja)
KR100273621B1 (ko) (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-설폰산의 에스테르를 함유하는 감방사선성 조성물 및 이를 사용하여 제조된 감방사선성 기록물질
US4105450A (en) Spectrally sensitized positive light-sensitive o-quinone diazide containing composition
US5200293A (en) Photoresist composition containing specific amounts of a naphthoquinone diazide sulfonyl ester of tetrahydroxy diphenyl sulfide and a polyhydroxy compound
JPS62121754A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物の製造方法
JPH01280748A (ja) ポジ型感光性組成物
JPS6394237A (ja) 光レジスト組成物
JP3053957B2 (ja) ナフトキノンジアジドスルホン酸混合エステルを含む組成物およびそれを使用して製造した放射感応性記録材料
JPS59168462A (ja) 電子写真製版用印刷版
JPH02244052A (ja) レジストパターンの形成方法