JPS587054B2 - レジスト・パタ−ン形成法 - Google Patents

レジスト・パタ−ン形成法

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JPS587054B2
JPS587054B2 JP7656279A JP7656279A JPS587054B2 JP S587054 B2 JPS587054 B2 JP S587054B2 JP 7656279 A JP7656279 A JP 7656279A JP 7656279 A JP7656279 A JP 7656279A JP S587054 B2 JPS587054 B2 JP S587054B2
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JP
Japan
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resist
exposure
pattern
resist pattern
negative
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JP7656279A
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English (en)
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JPS561536A (en
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中川隆行
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to EP80301958A priority patent/EP0021719B1/en
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Expired legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子ビーム露光法によるポジティブ・レジスト
のネガティブ・レジスト化に関する。
周知の如く、高分子材料よりなるレジストにはネガ型と
ポジ型とがあり、ネガティブ・レジストは露光により分
子同志が架橋した部分が残るものであり、ポジティブ・
レジストは露光部分が分子崩壊により低分子化して溶剤
に可溶となるものである。
この様に性質が反対の材料であるから、露光後に現像し
てパターンを生成する形態も異なり、ネガティブ・レジ
ストは現像すると現像液がレジスト内に含まれて膨潤し
、そのためこれをリンス液に浸漬して収縮せしめて所望
のパターンに形成する。
この膨潤と収縮とのために、微細な間隔のパターンでは
橋渡しのヒゲが発生し易い不具合がある。
一方、ポジティブ・レジストは一般には露光部の分子量
が低下して可溶化するので、形成パターンにはネガティ
ブ・レジストの様な膨潤はおこらず、微細パターンの形
成には適している。
本発明はポジティブ・レジストのネガ化において、微細
パターンの形成を容易にすることを目的とするもので、
電子ビーム露光の電流密度を４０Ａ ／ｃｍ以下とし、
露光後の熱処理温度を１００℃以下とする露光処理工程
を含むことを特徴とするレジスト・パターン形成法を提
供するものである。
以下、本発明をレジスト材料としてＡＺ１３ ５０ Ｊ
を例にとり、詳細に説明する。
第１図にポジティブ・レジストをネガティブ・レジスト
化する処理工程順序図を示しており、これらの工程のう
ち、露光後熱処理４と紫外線照射５との二工程を省略す
れば、通常のポジティブレジスト・パターンが形成され
る。
レジスト塗布１後の予備熱処理２は８０〜９５℃の処理
温度で２０分程度が適切であり、１００℃以上の処理温
度では現像の際に電子ビームの未露光部分の溶解度が悪
くなる。
次に電子ビーム露光３は露光量が多いと、現像の際に溶
解速度が小さくなる利点があるが、露光量を多くするこ
とは露光時間が長くなり、又散乱電子によるかぶりも多
くなるので、現像後の残膜率が７０％程度になる様な露
光量が適当である。
第２図にＡＺ１３５０Ｊのレジスト材料を用いた場合の
残膜率と露光量の関係を示している。
尚、残膜率とは現像前と後との膜厚の比を％で表わした
値である。
又、ポジティブ・レジストは分子崩壊型高分子材料であ
り、過度に照射されるとレジスト膜に泡が生じる所謂パ
ブリングなる現象を起こす。
第３図にＡＺｌ３５０Ｊを用いた場合のバブリング現象
を生ずる領域Ａを電流密度（Ａ／ｃｍ２）と露光量（ク
ーロン／ｃｍ２）とを変数として示している。
次に露光後熱処理４は残膜率に影響を及ぼし、それもレ
ジスト材料によって異なるが、通常のレジストに於いて
は、熱処理の時間は普通２０分程度であり、又ＡＺ１３
５０Ｊでは１００℃以上の温度で、現像後の形成パター
ンにだれが生じる。
従ってレジスト材料により少し異なるが、１００℃以下
の熱処理温度が妥当である。
次に紫外線照躬５をレジスト塗布膜全面に行なうが、露
光量は１００〜４００ｍＷ．ｓｅｃ／ｃｍ２が適当であ
る。
次に現像６は現像液がアルカリ性で、希釈して使用する
と感度は良くなるが、未露光部分の残存が起こり、現像
時間も長くなる欠点があり、精々２倍に希釈する程度ま
でである。
以上、各工程について説明したが、この様な条件で処理
することにより、本発明はポジティブ・レジストの電子
ビーム露光部分をネガティブ・レジスト化して、微細パ
ターンの形成を容易にすることができ、集積回路などの
微細化・高集積化に大きく貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の製造工程順図、第２図は残膜率と露光
量の関係を示した図、第３図はパブリング領域を示した
図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 電子ビームにより通常はポジレジストであるジアゾ
    型フォトレジストを用いてネガパターンに形成せしめる
    に際し、レジスト上にパターンを書き込む電子ビーム露
    光の電流密度を４０Ａ／ｃｍ２以下とし、該露光後の熱
    処理温度を１００℃以下として露光後の熱処理を行うこ
    とにより該露光部分をネガティブレジスト化し、次いで
    全面に紫外線照射して、現像せしめる工程を含むことを
    特徴とするレジスト・パターン形成法。
JP7656279A 1979-06-18 1979-06-18 レジスト・パタ−ン形成法 Expired JPS587054B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7656279A JPS587054B2 (ja) 1979-06-18 1979-06-18 レジスト・パタ−ン形成法
EP80301958A EP0021719B1 (en) 1979-06-18 1980-06-11 Method for producing negative resist images, and resist images
DE8080301958T DE3067818D1 (en) 1979-06-18 1980-06-11 Method for producing negative resist images, and resist images

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7656279A JPS587054B2 (ja) 1979-06-18 1979-06-18 レジスト・パタ−ン形成法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS561536A JPS561536A (en) 1981-01-09
JPS587054B2 true JPS587054B2 (ja) 1983-02-08

Family

ID=13608676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7656279A Expired JPS587054B2 (ja) 1979-06-18 1979-06-18 レジスト・パタ−ン形成法

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EP (1) EP0021719B1 (ja)
JP (1) JPS587054B2 (ja)
DE (1) DE3067818D1 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
EP0021719B1 (en) 1984-05-16
JPS561536A (en) 1981-01-09
DE3067818D1 (en) 1984-06-20
EP0021719A3 (en) 1981-10-14
EP0021719A2 (en) 1981-01-07

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