JPS6314342B2 - - Google Patents
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- JPS6314342B2 JPS6314342B2 JP54078496A JP7849679A JPS6314342B2 JP S6314342 B2 JPS6314342 B2 JP S6314342B2 JP 54078496 A JP54078496 A JP 54078496A JP 7849679 A JP7849679 A JP 7849679A JP S6314342 B2 JPS6314342 B2 JP S6314342B2
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子線等の放射線照射によつてレジ
ストパターンを形成する方法、更に詳しくは、所
定量以下の照射量では分子鎖の切断が生じて溶剤
に対する溶解性を増すが、一定量を越えた照射量
を与えると架橋反応が生じて溶剤不溶化するレジ
ストを用いてパターンを作るレジスト像の製造方
法に関する。
ストパターンを形成する方法、更に詳しくは、所
定量以下の照射量では分子鎖の切断が生じて溶剤
に対する溶解性を増すが、一定量を越えた照射量
を与えると架橋反応が生じて溶剤不溶化するレジ
ストを用いてパターンを作るレジスト像の製造方
法に関する。
従来、集積回路、バブルメモリ素子等の微細な
加工を必要とする素子の製造には光を照射してレ
ジストパターンを形成するフオトリソグラフイの
技術が用いられているが、加工精度に光の波長オ
ーダーの限界があるため、深紫外線、Ｘ線、電子
ビーム等の照射により更に微細なパターン形成を
行う技術が開発され、すでに実用化されつつあ
る。なかでも電子線照射によるパターン形成は、
電子線が容易に偏向できるので、所望の図形を描
画することができ、超微細加工技術の中でも中心
的な技術であるといえる。電子線を照射してパタ
ーン形成を行う際に用いられるレジストは研究の
初期の段階ではフオトレジストが流用されたこと
もあつたが、近年は電子線、Ｘ線または深紫外線
の照射に適した材料の研究開発が内外で行われて
おりすでに多くの文献がある。
加工を必要とする素子の製造には光を照射してレ
ジストパターンを形成するフオトリソグラフイの
技術が用いられているが、加工精度に光の波長オ
ーダーの限界があるため、深紫外線、Ｘ線、電子
ビーム等の照射により更に微細なパターン形成を
行う技術が開発され、すでに実用化されつつあ
る。なかでも電子線照射によるパターン形成は、
電子線が容易に偏向できるので、所望の図形を描
画することができ、超微細加工技術の中でも中心
的な技術であるといえる。電子線を照射してパタ
ーン形成を行う際に用いられるレジストは研究の
初期の段階ではフオトレジストが流用されたこと
もあつたが、近年は電子線、Ｘ線または深紫外線
の照射に適した材料の研究開発が内外で行われて
おりすでに多くの文献がある。
よく知られているように、レジストにはポジ型
とネガ型とがあり、ポジ型は照射により溶剤に対
し易溶となり、現像処理によつて溶解除去され、
未照射部が残存するパターンが得られるものであ
る。ネガ型は被照射部のレジストが難溶しない不
溶となり、現像処理によつて被照射部が残存した
パターンが得られる。すなわち、同一の図形を照
射した場合、レジストがネガ型かポジ型かによつ
て、照射パターンの像が、それの反転像が得られ
るわけで、目的によつて両型のレジスト像を使い
分けることが有利である。
とネガ型とがあり、ポジ型は照射により溶剤に対
し易溶となり、現像処理によつて溶解除去され、
未照射部が残存するパターンが得られるものであ
る。ネガ型は被照射部のレジストが難溶しない不
溶となり、現像処理によつて被照射部が残存した
パターンが得られる。すなわち、同一の図形を照
射した場合、レジストがネガ型かポジ型かによつ
て、照射パターンの像が、それの反転像が得られ
るわけで、目的によつて両型のレジスト像を使い
分けることが有利である。
電子線レジストのポジ型のものとしてはポリメ
チルメタクリレート、ポリブテン−１−スルフオ
ン、ポリメチルイソプロペニルケトンなどをはじ
めとして、数多くの材料が提案されており、ネガ
型のものとしては、ポリグリジジルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレートを含む共重合物、
エポキシ化ポリブタジエン、ポリジアリルフタレ
ートなどをはじめとし、これも数多くの材料が提
案されている。これらの材料のうち、いくつかの
ものは、実用されつつあるが、なお改良や新材料
の開発が行われている。一般に、ポジ型のレジス
トは、解像性はすぐれているが感度の高いものが
得難く、ネガ型のレジストは逆に感度の高いもの
は得易いが、解像性に難があるとされている。
チルメタクリレート、ポリブテン−１−スルフオ
ン、ポリメチルイソプロペニルケトンなどをはじ
めとして、数多くの材料が提案されており、ネガ
型のものとしては、ポリグリジジルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレートを含む共重合物、
エポキシ化ポリブタジエン、ポリジアリルフタレ
ートなどをはじめとし、これも数多くの材料が提
案されている。これらの材料のうち、いくつかの
ものは、実用されつつあるが、なお改良や新材料
の開発が行われている。一般に、ポジ型のレジス
トは、解像性はすぐれているが感度の高いものが
得難く、ネガ型のレジストは逆に感度の高いもの
は得易いが、解像性に難があるとされている。
本発明者らは、電子線ポジ型レジストのうち、
多くのものは、一定量以上の照射量を与えると架
橋して溶剤不溶化するいわゆるポジ型−ネガ型反
転を生じる現象につき詳しく追求したところ、こ
れらのポジ型−ネガ型反転レジストにおいては、
ネガ型レジストとして感度曲線を測定すると解像
性の指標であるγ値が高い値を示し、高い解像性
が期待できることを見出し、これを実験的に確め
て本発明に到達した。
多くのものは、一定量以上の照射量を与えると架
橋して溶剤不溶化するいわゆるポジ型−ネガ型反
転を生じる現象につき詳しく追求したところ、こ
れらのポジ型−ネガ型反転レジストにおいては、
ネガ型レジストとして感度曲線を測定すると解像
性の指標であるγ値が高い値を示し、高い解像性
が期待できることを見出し、これを実験的に確め
て本発明に到達した。
すなわち、本発明は、電子線等の放射線照射に
より分子鎖の切断が生じて分子量の低下が生ずる
レジスト、いわゆるポジ型レジストのうち、一定
量以上の照射量を与えると架橋反応が生じて溶剤
不溶化する高分子物をレジストとして用い、不溶
化せしめる最低露光量以上の照射を行い、しかる
後、未露光部分を溶解除去せしめる強い溶剤を用
いて現像処理を行うことを特徴とするレジスト像
の製造方法を提供するものである。
より分子鎖の切断が生じて分子量の低下が生ずる
レジスト、いわゆるポジ型レジストのうち、一定
量以上の照射量を与えると架橋反応が生じて溶剤
不溶化する高分子物をレジストとして用い、不溶
化せしめる最低露光量以上の照射を行い、しかる
後、未露光部分を溶解除去せしめる強い溶剤を用
いて現像処理を行うことを特徴とするレジスト像
の製造方法を提供するものである。
本発明によれば、高解像度のネガ型レジストパ
ターンが形成できる。
ターンが形成できる。
以下、例を用いて本発明を詳細に説明する。
参考例
ポリメチルメタクリレートをレジストとして用
い、実測した感度曲線を第１図に示す。実線は平
均分子量約30万の高分子物、点線は平均分子量約
300万の高分子物である。ポリメチルメタクリレ
ートの使用条件はすでに周知のことであるがここ
では平均分子量約30万の材料はメチルセロリルブ
アセテートに、平均分子量約300万の材料はキシ
レンにそれぞれ溶解し、スピナーを用いて基板上
に塗布し、170℃15分のやきしめを行つて、試料
とした。レジスト膜厚は、平均分子量約30万のも
のは0.42ミクロン、平均分子量約300万のものは
0.32ミクロンであつた。感度曲線はこれらの値を
それぞれ初期値を１として規格化し露光、現像後
の膜厚を、初期値との比で示してある。現像液
は、平均分子量約30万のものに対してはメチルイ
ソブチルケトン１容：イソプロパノール３容の混
合液を、平均分子量約300万のものに対してはメ
チルイソブチルケトンを用いた。いずれも、照射
を受けなかつた部分は溶解されないように溶剤を
えらんでいる。感度曲線から、平均分子量30万の
ものは1.5×10-4クーロン／cm2以上、3.5×10-3ク
ーロン／cm2以下、平均分子量約300万のものは５
×10-5クーロン／cm2以上3.5×10-3クーロン／cm2
以下の照射量を与えたのち上記の溶剤で現像すれ
ば、ポジ型のレジストとなることが分る。3.5×
10-3クーロン／cm2以上の照射量を与えると、架橋
反応により溶剤不溶化する。注目すべきことは、
この溶剤不溶化せしめるための必要照射量は、初
期の平均分子量の大巾に異る材料でも殆ど変らな
いこと、および不溶化する部分の感度曲線をネガ
型レジストとみなして評価すると、γ値がネガ型
レジストとしては異常に高く、ポリメチルメタク
レートの場合約４であることである。
い、実測した感度曲線を第１図に示す。実線は平
均分子量約30万の高分子物、点線は平均分子量約
300万の高分子物である。ポリメチルメタクリレ
ートの使用条件はすでに周知のことであるがここ
では平均分子量約30万の材料はメチルセロリルブ
アセテートに、平均分子量約300万の材料はキシ
レンにそれぞれ溶解し、スピナーを用いて基板上
に塗布し、170℃15分のやきしめを行つて、試料
とした。レジスト膜厚は、平均分子量約30万のも
のは0.42ミクロン、平均分子量約300万のものは
0.32ミクロンであつた。感度曲線はこれらの値を
それぞれ初期値を１として規格化し露光、現像後
の膜厚を、初期値との比で示してある。現像液
は、平均分子量約30万のものに対してはメチルイ
ソブチルケトン１容：イソプロパノール３容の混
合液を、平均分子量約300万のものに対してはメ
チルイソブチルケトンを用いた。いずれも、照射
を受けなかつた部分は溶解されないように溶剤を
えらんでいる。感度曲線から、平均分子量30万の
ものは1.5×10-4クーロン／cm2以上、3.5×10-3ク
ーロン／cm2以下、平均分子量約300万のものは５
×10-5クーロン／cm2以上3.5×10-3クーロン／cm2
以下の照射量を与えたのち上記の溶剤で現像すれ
ば、ポジ型のレジストとなることが分る。3.5×
10-3クーロン／cm2以上の照射量を与えると、架橋
反応により溶剤不溶化する。注目すべきことは、
この溶剤不溶化せしめるための必要照射量は、初
期の平均分子量の大巾に異る材料でも殆ど変らな
いこと、および不溶化する部分の感度曲線をネガ
型レジストとみなして評価すると、γ値がネガ型
レジストとしては異常に高く、ポリメチルメタク
レートの場合約４であることである。
通常の使用条件でポジ型であるレジストが、過
剰の照射によりネガ型に反転する例は、他にも
AZ−1350（商標：米国シツプレー社）などのキノ
ンジアジド型のフオトレジスト、ポリイソプロピ
ルメタクリレート、ポリノルマルブチルメタクリ
レートなどのポリアルキルメタクリレート類に一
般に認められた。しかし一部のポジ型レジスト、
例えばポリブテン−１−スルフオンなどは、過剰
の照射を行つても、ネガ型への反転は起らなかつ
た。
剰の照射によりネガ型に反転する例は、他にも
AZ−1350（商標：米国シツプレー社）などのキノ
ンジアジド型のフオトレジスト、ポリイソプロピ
ルメタクリレート、ポリノルマルブチルメタクリ
レートなどのポリアルキルメタクリレート類に一
般に認められた。しかし一部のポジ型レジスト、
例えばポリブテン−１−スルフオンなどは、過剰
の照射を行つても、ネガ型への反転は起らなかつ
た。
実施例 １
ポリメチルメタクリレート（平均分子量約30
万）をメチルセロソルブアセテートに５重量％溶
解し、スピナーを用い、1000回転で基板に塗布し
たのち、170℃15分間のやきしめを行つて膜厚
0.55ミクロンの均一なレジスト層をえた。これを
計算機制御された電子線露光機により、加速電圧
20KVで5.5×10-3クーロン／cm2の照射量で種々の
パタンを描画した。しかるのち露光機からとりだ
し、メチルセロリルブアセテートに90秒間浸漬し
て、未露光部を除去し、露光部の残存するレジス
トパタンをえた。パタンは、0.5ミクロン以下の
微細な部分も十分解像していた。
万）をメチルセロソルブアセテートに５重量％溶
解し、スピナーを用い、1000回転で基板に塗布し
たのち、170℃15分間のやきしめを行つて膜厚
0.55ミクロンの均一なレジスト層をえた。これを
計算機制御された電子線露光機により、加速電圧
20KVで5.5×10-3クーロン／cm2の照射量で種々の
パタンを描画した。しかるのち露光機からとりだ
し、メチルセロリルブアセテートに90秒間浸漬し
て、未露光部を除去し、露光部の残存するレジス
トパタンをえた。パタンは、0.5ミクロン以下の
微細な部分も十分解像していた。
実施例 ２
ポリトリクロロエチルメタクリレート（平均分
子量約60万）をメチルセロリルブアセテートに７
重量％溶解し、スピナーを用い、1500回転で基板
に塗布したのち、145℃30分間のやきしめを行つ
て、膜厚0.45ミクロンの均一なレジスト層をえ
た。感度曲線を測定し、加速電圧20KVで1.5×
10-6クーロン／cm2以上、2.5×10-5クーロン／cm2
以下の露光量を与えたのち、例えばメチルセロソ
ルブ１容：エチルセロソルブ１容の、未照射部を
溶解しない溶剤で現像するとポジ型レジストであ
り、2.5×10-5クーロン／cm2以上の露光量を与え
ると溶剤不溶化することが分つた。そこで前記の
条件で調整したレジスト層に3.5×10-5クロー
ン／cm2の露光量で描画を行つた。現像は、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブアセ
テート等未露光部を溶解除去する溶剤はいずれも
可であつたが、メチルエチルケトン５容：エタノ
ール２容の混合溶剤は、レジストパタンに膨潤を
起させることもなく、好適であつた。この溶剤で
現像したパタンを観察すると、0.5ミクロン以下
の微細な部分も解像されたレジストパタンが形成
されていた。
子量約60万）をメチルセロリルブアセテートに７
重量％溶解し、スピナーを用い、1500回転で基板
に塗布したのち、145℃30分間のやきしめを行つ
て、膜厚0.45ミクロンの均一なレジスト層をえ
た。感度曲線を測定し、加速電圧20KVで1.5×
10-6クーロン／cm2以上、2.5×10-5クーロン／cm2
以下の露光量を与えたのち、例えばメチルセロソ
ルブ１容：エチルセロソルブ１容の、未照射部を
溶解しない溶剤で現像するとポジ型レジストであ
り、2.5×10-5クーロン／cm2以上の露光量を与え
ると溶剤不溶化することが分つた。そこで前記の
条件で調整したレジスト層に3.5×10-5クロー
ン／cm2の露光量で描画を行つた。現像は、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブアセ
テート等未露光部を溶解除去する溶剤はいずれも
可であつたが、メチルエチルケトン５容：エタノ
ール２容の混合溶剤は、レジストパタンに膨潤を
起させることもなく、好適であつた。この溶剤で
現像したパタンを観察すると、0.5ミクロン以下
の微細な部分も解像されたレジストパタンが形成
されていた。
以上、ポジ型−ネガ型反転レジストをネガ型と
して用いるときわめて高解像度のパタンがえられ
ることを例によつて示したが、その理由は次のよ
うに考えられる。ネガ型レジストの解像性の向上
またスカムと称するパタンの横に生ずるひげ状の
突起や、パタンがつながつてしまうブリツジをな
くすために、分子量分布を狭めることはきわめて
有効であることはよく知られている。ネガ型レジ
ストの感度と分子量は比例するから、分子量分布
を有する材料は、異る感度を有する材料の混合物
といつてよい。このため分子量分布の狭くなるよ
うな合成、また合成後の分別などが行われてい
る。今日、市販品として入手できる、最も分子量
分布の狭い高分子材料は、分子量測定の基準とも
なつている単分散に近いポリスチレンであろう
が、この単分散に近いポリスチレンをレジストと
して用いると、ネガ型レジストとしてすぐれた解
像度を示すことが知られている（J.Electrochem.
Soc.、126(4)、696（1979）、第16回半導体集積回路
シンポジウム予稿集、72（１の79参照）。
して用いるときわめて高解像度のパタンがえられ
ることを例によつて示したが、その理由は次のよ
うに考えられる。ネガ型レジストの解像性の向上
またスカムと称するパタンの横に生ずるひげ状の
突起や、パタンがつながつてしまうブリツジをな
くすために、分子量分布を狭めることはきわめて
有効であることはよく知られている。ネガ型レジ
ストの感度と分子量は比例するから、分子量分布
を有する材料は、異る感度を有する材料の混合物
といつてよい。このため分子量分布の狭くなるよ
うな合成、また合成後の分別などが行われてい
る。今日、市販品として入手できる、最も分子量
分布の狭い高分子材料は、分子量測定の基準とも
なつている単分散に近いポリスチレンであろう
が、この単分散に近いポリスチレンをレジストと
して用いると、ネガ型レジストとしてすぐれた解
像度を示すことが知られている（J.Electrochem.
Soc.、126(4)、696（1979）、第16回半導体集積回路
シンポジウム予稿集、72（１の79参照）。
ところで、ポジ型−ネガ型反転レジストに、照
射を与えた場合を考察する。すでにくり返しのべ
て来たように、この型の材料は一定量以下の照射
量では、分解型の高分子である。ランダム切断を
仮定すると、 Mn*＝Mn／１＋GEMn／ρA0 但しMnは初期の数平均分子量、Mn*分解後の
数平均分子量、Ｅは照射エネルギ、ρは高分子の
密度、A0はアボガドロ数、Ｇは量子効率であつ
て100eVごとに何個の切断が生じたかを示す。Ｇ
値は通常１に近い。
射を与えた場合を考察する。すでにくり返しのべ
て来たように、この型の材料は一定量以下の照射
量では、分解型の高分子である。ランダム切断を
仮定すると、 Mn*＝Mn／１＋GEMn／ρA0 但しMnは初期の数平均分子量、Mn*分解後の
数平均分子量、Ｅは照射エネルギ、ρは高分子の
密度、A0はアボガドロ数、Ｇは量子効率であつ
て100eVごとに何個の切断が生じたかを示す。Ｇ
値は通常１に近い。
上式から容易に計算できるように、Mn*／Mn
が1/10以下になる迄照射を行つて分解せしめる
と、初期分子量のいかんにかかわらず、同一照射
量では近似的に同一分子量に低下することが分
る。すなわち、ポジ型−ネガ型反転レジストをネ
ガ型として用いる場合、不溶化に必要な最少照射
量に到る迄の照射は、すべて原材料を単分散に近
づけることに費されている。従つて、これでネガ
型パタンを形成することは、実効的に単分散に近
い材料を用いることに等しい。
が1/10以下になる迄照射を行つて分解せしめる
と、初期分子量のいかんにかかわらず、同一照射
量では近似的に同一分子量に低下することが分
る。すなわち、ポジ型−ネガ型反転レジストをネ
ガ型として用いる場合、不溶化に必要な最少照射
量に到る迄の照射は、すべて原材料を単分散に近
づけることに費されている。従つて、これでネガ
型パタンを形成することは、実効的に単分散に近
い材料を用いることに等しい。
このことがきわめてすぐれた解像性を示す理由
であり、ポリスチレン以外に単分散材料を作るこ
とが技術的に困難であり、また莫大な費用を要す
ることを考えると、照射過程において材料を単分
散化に近づける意義は大きい。また、参考例での
べた、初期分子量が10倍異るポリメチルメタクリ
レートが架橋する照射量がほとんど同じであるこ
とは、今ここでのべた理論の正しさを裏書きして
いる。なんとなれば、架橋不溶化の反応は、分子
量に比例して感度が上昇することが知られてあ
り、従つて素材としての分子量の異るポリメチル
メタクリレートであつても、不溶化に必要な最小
露光量の直前において、同一分子量化していると
考えられるからである。
であり、ポリスチレン以外に単分散材料を作るこ
とが技術的に困難であり、また莫大な費用を要す
ることを考えると、照射過程において材料を単分
散化に近づける意義は大きい。また、参考例での
べた、初期分子量が10倍異るポリメチルメタクリ
レートが架橋する照射量がほとんど同じであるこ
とは、今ここでのべた理論の正しさを裏書きして
いる。なんとなれば、架橋不溶化の反応は、分子
量に比例して感度が上昇することが知られてあ
り、従つて素材としての分子量の異るポリメチル
メタクリレートであつても、不溶化に必要な最小
露光量の直前において、同一分子量化していると
考えられるからである。
以上詳しく述べた原理による本発明は、ポジ型
−ネガ型反転レジストを、ネガ型レジストとして
用いるすべての場合に及ぶものであつて、実施例
はその具体例を例示したものにすぎない。
−ネガ型反転レジストを、ネガ型レジストとして
用いるすべての場合に及ぶものであつて、実施例
はその具体例を例示したものにすぎない。
第１図は、分子量約30万（実線）と約300万
（点線）のポリメチルメタクリレートの、照射量
と現像後膜厚の関係を示す感度曲線である。
（点線）のポリメチルメタクリレートの、照射量
と現像後膜厚の関係を示す感度曲線である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定量以下の電子線等の放射線照射により分
子鎖の切断が生じて分子量の低下が生じ、一定量
以上の照射量を与えると架橋反応が生じて溶剤不
溶化する高分子物をレジストとして用い、前記不
溶化せしめる最低露光量以上の露光量で照射し、
未露光部分を溶解除去せしめる強い溶解度を有す
る溶剤をもつて現像処理を行うことを特徴とする
レジスト像の製造方法。 ２ レジストは （R1はＨまたはアルキル基、R2はアルキル基ま
たはハロゲン化アルキル基）で示される単位成分
を含む高分子物である特許請求の範囲第１項に記
載のレジスト像の製造方法。 ３ レジストはポリメチルメタクリレートである
特許請求の範囲第２項に記載のレジスト像の製造
方法。 ４ レジストはポリトリクロロエチルメタクリレ
ートである特許請求の範囲第２項に記載のレジス
ト像の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7849679A JPS561934A (en) | 1979-06-21 | 1979-06-21 | Manufacture of resist image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7849679A JPS561934A (en) | 1979-06-21 | 1979-06-21 | Manufacture of resist image |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS561934A JPS561934A (en) | 1981-01-10 |
| JPS6314342B2 true JPS6314342B2 (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=13663571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7849679A Granted JPS561934A (en) | 1979-06-21 | 1979-06-21 | Manufacture of resist image |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS561934A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127055U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 | ||
| US10925075B2 (en) | 2014-10-06 | 2021-02-16 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for transmitting data on resource unit including pilot tone in WLAN |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165844A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Terumo Corp | レジスト材料 |
| JPH08262738A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 微細パターン形成方法 |
| JPH09236932A (ja) * | 1997-03-10 | 1997-09-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 微細パターン形成方法 |
| JP6244134B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2017-12-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
-
1979
- 1979-06-21 JP JP7849679A patent/JPS561934A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127055U (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 | ||
| US10925075B2 (en) | 2014-10-06 | 2021-02-16 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for transmitting data on resource unit including pilot tone in WLAN |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS561934A (en) | 1981-01-10 |
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