JPS6197647A - ネガ型レリーフコピーの製造法 - Google Patents
ネガ型レリーフコピーの製造法Info
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- JPS6197647A JPS6197647A JP60227970A JP22797085A JPS6197647A JP S6197647 A JPS6197647 A JP S6197647A JP 60227970 A JP60227970 A JP 60227970A JP 22797085 A JP22797085 A JP 22797085A JP S6197647 A JPS6197647 A JP S6197647A
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- original
- photosensitive layer
- exposed
- compound
- quinonediazide
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
- Manufacturing Of Micro-Capsules (AREA)
- Paper (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ネガ型コピーを１，２−キノンジアジドを基
礎とする普通のポジ型感光性材料により製造するための
りバーサル法に関する。
礎とする普通のポジ型感光性材料により製造するための
りバーサル法に関する。
従来技術
１．２−ナフトキノンジアジドを基礎とするポジ型複写
材料を特殊な連続的処理工程によってネガティブ処理す
ることができることは、公知である。米国特許第３２６
４１０４号明細書には、この種のりバーサル法が記載さ
れており、この場合には、有利に熱可塑性重合体を含有
する感光層を画像に応じて露光し、アルカリ溶液又は水
で、必要に応じて高められた温度で、処理中に露光した
領域を洗浄除去することなしに処理し、オリジナルなし
に再び露光し、次に常法で現像し、したがってオリジナ
ルにより画像に応じて露光した領域を支持体上に留め、
かつ他の領域を洗浄除去する。
材料を特殊な連続的処理工程によってネガティブ処理す
ることができることは、公知である。米国特許第３２６
４１０４号明細書には、この種のりバーサル法が記載さ
れており、この場合には、有利に熱可塑性重合体を含有
する感光層を画像に応じて露光し、アルカリ溶液又は水
で、必要に応じて高められた温度で、処理中に露光した
領域を洗浄除去することなしに処理し、オリジナルなし
に再び露光し、次に常法で現像し、したがってオリジナ
ルにより画像に応じて露光した領域を支持体上に留め、
かつ他の領域を洗浄除去する。
この方法は、比゛較的多数の処理工程を必要と
゛し、アルカリ水溶液中で可溶性の露光した層をできる
だけ殆んど分離することがないようにするためにアルカ
リを用いる第１の処理を特に注意深く一走不変に実施し
なければならず、かつアルカリ中で僅かに可溶性であり
かつ材料の適応性で他の使用に制限する重合体を添加す
る必要があるという欠点を有する。
゛し、アルカリ水溶液中で可溶性の露光した層をできる
だけ殆んど分離することがないようにするためにアルカ
リを用いる第１の処理を特に注意深く一走不変に実施し
なければならず、かつアルカリ中で僅かに可溶性であり
かつ材料の適応性で他の使用に制限する重合体を添加す
る必要があるという欠点を有する。
欧州特許出願箱００２４９１６号には、レジスト層を製
造するための同様のりバーサル法が開示されており、こ
の場合には、１，２−キノンジアジドを基礎とする材料
を画像に応じての露光後に加熱し、次にオリジナルなし
に再び露光し、かつアルカリ水溶液で現像してネガン形
成させる。この材料の感光層は、材料の加熱下にキノン
ジアジドの光反応生成物と反応しかつ層の硬化にもたら
すと言われている特殊なホトクロミック化合物を含有す
る。この材料中には、ホトクロミック物質が存在しなけ
ればならず、その光反応により幾つかの適用に不利な変
色が生じる。
造するための同様のりバーサル法が開示されており、こ
の場合には、１，２−キノンジアジドを基礎とする材料
を画像に応じての露光後に加熱し、次にオリジナルなし
に再び露光し、かつアルカリ水溶液で現像してネガン形
成させる。この材料の感光層は、材料の加熱下にキノン
ジアジドの光反応生成物と反応しかつ層の硬化にもたら
すと言われている特殊なホトクロミック化合物を含有す
る。この材料中には、ホトクロミック物質が存在しなけ
ればならず、その光反応により幾つかの適用に不利な変
色が生じる。
英国特許出願第２０８２３３９号には、ポジティブ処理
にもネガティブ処理にも適当なリングラフイック印刷板
の製造に使用するために０−キノンジアジド及び少なく
とも１つのレゾールからなる感光性組成物が記載されて
いる。このリバーサル法は、前記方法と同じ連続的工程
を包含する。その作用は、０−キノンジアジドの光分解
生成物が熱の作用下でレゾールとの不溶性反応生成＊Ｗ
影形成るという事実に基づく。
にもネガティブ処理にも適当なリングラフイック印刷板
の製造に使用するために０−キノンジアジド及び少なく
とも１つのレゾールからなる感光性組成物が記載されて
いる。このリバーサル法は、前記方法と同じ連続的工程
を包含する。その作用は、０−キノンジアジドの光分解
生成物が熱の作用下でレゾールとの不溶性反応生成＊Ｗ
影形成るという事実に基づく。
こうして得られた印刷板は、レゾールの自己硬化性のた
めに保存寿命が比較的僅かであるという欠点を有する。
めに保存寿命が比較的僅かであるという欠点を有する。
西ドイツ国特許公開公報第２８５５７２３号及び同第２
５２９０５４号（米国特許第４１０４０７０号明細書に
相当）には、リバーサル法に使用されかつＮ−アシル−
Ｎ′−メチロール−エチレンジアミン又はヒドロキシエ
チルイミダゾールの添加量を含有して層の熱硬化をもた
らす、１，２−キノンジアジドを基礎とするレジスト層
が記載されている。２級又は６級アミンからなる同様の
材料は、米国特許第４１９６００３号明細書に記載され
ている。
５２９０５４号（米国特許第４１０４０７０号明細書に
相当）には、リバーサル法に使用されかつＮ−アシル−
Ｎ′−メチロール−エチレンジアミン又はヒドロキシエ
チルイミダゾールの添加量を含有して層の熱硬化をもた
らす、１，２−キノンジアジドを基礎とするレジスト層
が記載されている。２級又は６級アミンからなる同様の
材料は、米国特許第４１９６００３号明細書に記載され
ている。
西ドイツ国籍許公開公＠第３３２５０２２号には、感光
性材料が層の熱硬化のためにヘキサメチロールメラミン
のエーテルのＶＡ 加ｔ ｋ含有するよっな１，２−キ
ノンジアシドに基づくりバーサル法が提案された。
性材料が層の熱硬化のためにヘキサメチロールメラミン
のエーテルのＶＡ 加ｔ ｋ含有するよっな１，２−キ
ノンジアシドに基づくりバーサル法が提案された。
塩基性基ｔ：＊するこの型の混合物は、一般に、轡に色
一度の減少又は変化が酸及び／又はフリーラジカルに対
して敏感な染料と組合されて露光下で形成された一定の
酸生成物及び／又はフリーラジカルによって惹起される
ような場合に、露光に応じて画像コン°トラストをネガ
ティブ調節する。
一度の減少又は変化が酸及び／又はフリーラジカルに対
して敏感な染料と組合されて露光下で形成された一定の
酸生成物及び／又はフリーラジカルによって惹起される
ような場合に、露光に応じて画像コン°トラストをネガ
ティブ調節する。
しかし、この種の添加剤は、一般に複写層の保存寿命な
らびに例えば感光性及び露光後の画像コントラストのよ
うな複写技術に関連する特殊な性質に不利な影２１１Ｉ
Ｐ′ｆｒ及ぼす。しかも多数の通用に対して、画像リバ
ーサルを得るのに必要とされる温度は、高すぎるか又は
低い温度での加熱時間は、長ずざる。
らびに例えば感光性及び露光後の画像コントラストのよ
うな複写技術に関連する特殊な性質に不利な影２１１Ｉ
Ｐ′ｆｒ及ぼす。しかも多数の通用に対して、画像リバ
ーサルを得るのに必要とされる温度は、高すぎるか又は
低い温度での加熱時間は、長ずざる。
発明を達成するための手段
従って、本発明の目的は、露光後の複写層の保存寿命及
び画像コントラストヲ損なう添加剤を複写層中に配合す
る必要がなくかつ露光した層唄域の熱硬化を可能にする
ために比較的低い温度への短い加熱時間を必要とするに
すぎなペネガ型コピーを１，２−キノンジアジドを基礎
とする普通のポジ型感光性材料により製造するためのり
バーサル法を提案することであった。
び画像コントラストヲ損なう添加剤を複写層中に配合す
る必要がなくかつ露光した層唄域の熱硬化を可能にする
ために比較的低い温度への短い加熱時間を必要とするに
すぎなペネガ型コピーを１，２−キノンジアジドを基礎
とする普通のポジ型感光性材料により製造するためのり
バーサル法を提案することであった。
本発明によれば、支持体と、重置的成分として熱硬化を
促進する化合物及び１，２−キノンジアジドを含有する
感光層とからなる感光性材料を画像に応じて露光し、そ
の後に加熱し、冷却後にオリジナルなしに完全に再び露
光し、かつ次いで水性アルカリ現像液により現像するよ
うなネガ型レリーフコピーの製造法が得られる。
促進する化合物及び１，２−キノンジアジドを含有する
感光層とからなる感光性材料を画像に応じて露光し、そ
の後に加熱し、冷却後にオリジナルなしに完全に再び露
光し、かつ次いで水性アルカリ現像液により現像するよ
うなネガ型レリーフコピーの製造法が得られる。
この本発明方法は、感光層が熱硬化を促進する化合物と
して一般式二 （（Ｒ） ３−Ｐ−Ｒ’ ）Ｈａｌ 〔式中、Ｒ及びＲ′は同一か又は異なり、アルキル基又
はアリール基を表わし、ＨａｌはＩ・ロダン原子を表わ
す〕で示される少なくとも１つの４級ホスホニウム化合
物を含有することを特徴とする。好ましくは、Ｒ及びＲ
′は、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基もしくは
アルケニル基又は場合によっては置換されたフェニル基
を表わし、かつＨａｌは、塩素原子又は臭素原子を表わ
す。特に好ましいのは、例えばテトラメチルホスホニウ
ムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド又はテ
トラフェニルホスホニウムゾロミドのような化合物が記
載される。
して一般式二 （（Ｒ） ３−Ｐ−Ｒ’ ）Ｈａｌ 〔式中、Ｒ及びＲ′は同一か又は異なり、アルキル基又
はアリール基を表わし、ＨａｌはＩ・ロダン原子を表わ
す〕で示される少なくとも１つの４級ホスホニウム化合
物を含有することを特徴とする。好ましくは、Ｒ及びＲ
′は、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基もしくは
アルケニル基又は場合によっては置換されたフェニル基
を表わし、かつＨａｌは、塩素原子又は臭素原子を表わ
す。特に好ましいのは、例えばテトラメチルホスホニウ
ムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド又はテ
トラフェニルホスホニウムゾロミドのような化合物が記
載される。
ホスホニウム化合物は、３級ホスフィンをアルキル化す
るか又はアリール化することによって得られる。この化
合物の種々の製造法は、“メトーデン・デア・オルガニ
ツシエン・ヒエミー（Ｍｅｔｈｕｄｅｎｄｅｒ Ｏｒｇ
ａｎｉｓｃｈｓｎ Ｃｈｅｍｉｅ ）’（フーペンーワ
イ／ｌ／ （Ｈｏｕｂｓｎ−Ｗｅｙｌ ））、第ＸＩ／
１巻（１９６３年）、第７９頁〜第１０４頁、に記載さ
れている。
るか又はアリール化することによって得られる。この化
合物の種々の製造法は、“メトーデン・デア・オルガニ
ツシエン・ヒエミー（Ｍｅｔｈｕｄｅｎｄｅｒ Ｏｒｇ
ａｎｉｓｃｈｓｎ Ｃｈｅｍｉｅ ）’（フーペンーワ
イ／ｌ／ （Ｈｏｕｂｓｎ−Ｗｅｙｌ ））、第ＸＩ／
１巻（１９６３年）、第７９頁〜第１０４頁、に記載さ
れている。
本発明によれば、使用するのに適当な増感剤は、任意の
１，２−キノンジアジド−スルホン酸エステル、１，２
−キノンジアシド−スルホン酸アミド、１，２−キノン
ジアジド−カルボン酸エステル及び１，２−キノンジア
ジド−カルボン酸アミドからなり、これらは、化学線で
の照射後に水性アルカリ浴液中で可溶性にされる。１．
２−ベンゾキノンジアジドの４−もしくは５−スルホン
酸又は１，２−ナフトキノンジアジドもしくはその酸塩
化物と、フェノール−アルデヒド／アセトン縮合生成物
又はｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−アミノスチレンの重
合体もしくはこれら２つの化合物の共重合体との反応生
成物が包含される。
１，２−キノンジアジド−スルホン酸エステル、１，２
−キノンジアシド−スルホン酸アミド、１，２−キノン
ジアジド−カルボン酸エステル及び１，２−キノンジア
ジド−カルボン酸アミドからなり、これらは、化学線で
の照射後に水性アルカリ浴液中で可溶性にされる。１．
２−ベンゾキノンジアジドの４−もしくは５−スルホン
酸又は１，２−ナフトキノンジアジドもしくはその酸塩
化物と、フェノール−アルデヒド／アセトン縮合生成物
又はｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−アミノスチレンの重
合体もしくはこれら２つの化合物の共重合体との反応生
成物が包含される。
４−スルホン酸のアミド及びエステルならびに１，２−
キノンジアジドの４−カルボン酸は、本発明による処理
において、それらが４級ホスホニウム化合物の添加がな
くともりバーサル効果を生じるので、特に有利に使用さ
れる。従つ【、これらの化合物を使用する場合には、４
級ホスホニウム化合物の量を低くすることができるか又
は加熱時間もしくは加熱温度を減少させることかできる
。
キノンジアジドの４−カルボン酸は、本発明による処理
において、それらが４級ホスホニウム化合物の添加がな
くともりバーサル効果を生じるので、特に有利に使用さ
れる。従つ【、これらの化合物を使用する場合には、４
級ホスホニウム化合物の量を低くすることができるか又
は加熱時間もしくは加熱温度を減少させることかできる
。
使用することができる１、２−キノンジアジド訪導体の
エステルは、酸又はそのハロゲン化物と、フェノール、
殊に多価フェノール、例えば２，３．４１リヒドロキシ
ーベンゾフエノン、２．４−ジヒドロキシ−ベンゾフェ
ノン、４−デカノイルーレソルシノール、４−（２−フ
ェニル−プロｆ−２−イル）−フェノール、没食子酸オ
クチルエステル又は４，４−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−吉草酸ブチルエステルとの公知の反応生成物
を包含する。アミドは、長鎖脂肪族アミン又は好ましく
は芳香族アミンから公知方法で誘導させることができる
。
エステルは、酸又はそのハロゲン化物と、フェノール、
殊に多価フェノール、例えば２，３．４１リヒドロキシ
ーベンゾフエノン、２．４−ジヒドロキシ−ベンゾフェ
ノン、４−デカノイルーレソルシノール、４−（２−フ
ェニル−プロｆ−２−イル）−フェノール、没食子酸オ
クチルエステル又は４，４−ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）−吉草酸ブチルエステルとの公知の反応生成物
を包含する。アミドは、長鎖脂肪族アミン又は好ましく
は芳香族アミンから公知方法で誘導させることができる
。
０−キノンジアジド化合物の量は、一般に感光層の非簿
発性成分の重量に対して３〜５０重量％、好ましく７〜
６５重量−の範囲内にある。
発性成分の重量に対して３〜５０重量％、好ましく７〜
６５重量−の範囲内にある。
感光性組成物中での４級ホスホニウム化合物の一度は、
比較的広範な範囲内で変動することができる。。一般に
、この化合物は、感光層の非津発性成分の重量に対して
１〜５０重量係１．好ましく３〜６０重量％の童で存在
する。
比較的広範な範囲内で変動することができる。。一般に
、この化合物は、感光層の非津発性成分の重量に対して
１〜５０重量係１．好ましく３〜６０重量％の童で存在
する。
史に、好ましくは、感光層は、本発明による組成物に使
用される浴剤中で可溶性でありかつアルカリ水溶液中で
も可溶性であるか又は少なくとも膨潤性である商分子童
の水不溶性樹脂結合剤そ含有する。
用される浴剤中で可溶性でありかつアルカリ水溶液中で
も可溶性であるか又は少なくとも膨潤性である商分子童
の水不溶性樹脂結合剤そ含有する。
また、ナフトキノンジアジドを基礎とする多数のポジ型
複写材料において十分に定着さｎるノボラック縮合樹脂
は、本発明による方法で結合剤として使用するのに有利
であることが証明された。このノボラックは、公知方法
で、そのヒドロキシ基の部分を、例えばクロル酢酸、イ
ンシアネート、エポキシド又はカルボン酸無水物と反応
させることによって変性させることもできる。アルカリ
中で可溶性又はｊ膨潤性である他の好ましい結合剤は、
フェノール全アルデヒドもしくはケトン、スチレン及び
無水マレイン 酸の共重合体、ポリビニルフェノー
ル、又はアクリル酸もしくはメタクリル酸の共重合体、
殊にアクリル酸エステルもしくはメタクリル酸エステル
と縮合させることによって得られるポリヒドロキシフェ
ニル樹脂を包含する。アルカリ可溶性樹脂の型及び童は
、意図する使用に応じて変動することができ；好ましく
は、全固体中でのアルカリ可溶性樹脂の割合は、９０〜
６０重量−の間にあり、特に好ましくは、８５〜５５重
１％の間にある。
複写材料において十分に定着さｎるノボラック縮合樹脂
は、本発明による方法で結合剤として使用するのに有利
であることが証明された。このノボラックは、公知方法
で、そのヒドロキシ基の部分を、例えばクロル酢酸、イ
ンシアネート、エポキシド又はカルボン酸無水物と反応
させることによって変性させることもできる。アルカリ
中で可溶性又はｊ膨潤性である他の好ましい結合剤は、
フェノール全アルデヒドもしくはケトン、スチレン及び
無水マレイン 酸の共重合体、ポリビニルフェノー
ル、又はアクリル酸もしくはメタクリル酸の共重合体、
殊にアクリル酸エステルもしくはメタクリル酸エステル
と縮合させることによって得られるポリヒドロキシフェ
ニル樹脂を包含する。アルカリ可溶性樹脂の型及び童は
、意図する使用に応じて変動することができ；好ましく
は、全固体中でのアルカリ可溶性樹脂の割合は、９０〜
６０重量−の間にあり、特に好ましくは、８５〜５５重
１％の間にある。
史に、多数の他の樹脂も付加的に使用することができ；
好ましくはこれは、エポキシ樹脂及びビニル富合体、例
えばポリビニルアセテート、ポリアクリレート、ポリビ
ニルアセタール、ポリビニルエーテル、ポリビニルピロ
リドン及びこれらを基健とする単量体の共重合体、なら
びに水素添加されたか又は部分的に水素添加されたコロ
ホニー誘導体を包含する。前記樹脂の最も有利な割合は
、工業的要件及び現像条件に対する影響に依存し、一般
には、アルカリ可溶性樹脂５０重重チよりも多くなく、
好ましくは約２〜６５重量％である。特殊な要件、例え
ば可撓性、付着力、光沢及び清白性に適合させるために
、感光層は、付加的に例えばポリグリコール、セルロー
ス誘導体、例えばエチルセルロース、界面活性剤、染料
、付層促進剤及び淑粒状顔料のような物質、ならびに必
要に応じて紫外巌吸収剤を含有することができる。
好ましくはこれは、エポキシ樹脂及びビニル富合体、例
えばポリビニルアセテート、ポリアクリレート、ポリビ
ニルアセタール、ポリビニルエーテル、ポリビニルピロ
リドン及びこれらを基健とする単量体の共重合体、なら
びに水素添加されたか又は部分的に水素添加されたコロ
ホニー誘導体を包含する。前記樹脂の最も有利な割合は
、工業的要件及び現像条件に対する影響に依存し、一般
には、アルカリ可溶性樹脂５０重重チよりも多くなく、
好ましくは約２〜６５重量％である。特殊な要件、例え
ば可撓性、付着力、光沢及び清白性に適合させるために
、感光層は、付加的に例えばポリグリコール、セルロー
ス誘導体、例えばエチルセルロース、界面活性剤、染料
、付層促進剤及び淑粒状顔料のような物質、ならびに必
要に応じて紫外巌吸収剤を含有することができる。
露光後の色瑛えのためには、感光性組成物を、有利に露
光下で強酸を形成するか又は分解しかつその後の適当な
染料との反応で色換えを生じる感光性成分の少量と混合
することもできる。
光下で強酸を形成するか又は分解しかつその後の適当な
染料との反応で色換えを生じる感光性成分の少量と混合
することもできる。
この棟の感光性成分は、例えば１，２−ナフトキノン−
ジアジド−４−スルホン酸クロリド、ハロゲン化メチル
−５−）リアジンであり、この場合この化合物は、錯体
酸、例えばヒドロフルオル硼酸又はヘキサフルオル燐酸
との塩の形の発色置換分又はシアゾニウム化合物を有す
る。
ジアジド−４−スルホン酸クロリド、ハロゲン化メチル
−５−）リアジンであり、この場合この化合物は、錯体
酸、例えばヒドロフルオル硼酸又はヘキサフルオル燐酸
との塩の形の発色置換分又はシアゾニウム化合物を有す
る。
適当な支持体を被覆するためには、成分は、一般に溶剤
に溶解される。溶剤の選択は、予想される被覆過程、層
厚及び乾燥条件に適合させなければならない。本発明に
よれば、組成物に適当な浴剤は、ケトン、例えばメチル
エチルケトン、塩素化炭化水素、例えばトリクロルエチ
レン及び１，１，１−トリクロルエタン、アルコール、
？’Ｊ 、ｔ ハｎ−プロパツール、エーテル、９’ｌ
Ｊ 、ｔ ハｆトラヒドロフラン、アルコール−ニー７
” 、例；ｔ ハエチレンクリコールモノエチルエー
テル、ならびにエステル、例えばブチルアセテートであ
る。また、特殊な目的のために、付加的に浴剤、例えば
アセトニトリル、ジオキサン又はジメチルホルムアミド
を含有することができる混合物を使用することも可能で
ある。原理的には、層成分と不可逆的に反応しないよう
な全ての浴剤を使用することができる。特に好ましい溶
剤は、グリコールの部分エーテル、殊にプロピレングリ
コールモノメチルエーテルからなる。
に溶解される。溶剤の選択は、予想される被覆過程、層
厚及び乾燥条件に適合させなければならない。本発明に
よれば、組成物に適当な浴剤は、ケトン、例えばメチル
エチルケトン、塩素化炭化水素、例えばトリクロルエチ
レン及び１，１，１−トリクロルエタン、アルコール、
？’Ｊ 、ｔ ハｎ−プロパツール、エーテル、９’ｌ
Ｊ 、ｔ ハｆトラヒドロフラン、アルコール−ニー７
” 、例；ｔ ハエチレンクリコールモノエチルエー
テル、ならびにエステル、例えばブチルアセテートであ
る。また、特殊な目的のために、付加的に浴剤、例えば
アセトニトリル、ジオキサン又はジメチルホルムアミド
を含有することができる混合物を使用することも可能で
ある。原理的には、層成分と不可逆的に反応しないよう
な全ての浴剤を使用することができる。特に好ましい溶
剤は、グリコールの部分エーテル、殊にプロピレングリ
コールモノメチルエーテルからなる。
約１０μ未満の層厚に使用される支持体は、最も多くの
場合に金属である。次のものをオフセット印刷板に使用
することができる：必要に応じて陽極酸化しかつ付加的
に例えばポリビニルホスホン酸、シリケート、ホスフェ
ート、ヘキサフルオルジルコネート又は加水分解テトラ
エチルオルトシリケートで化学的に前処理されていても
よい圧延完成した、機械的又は電気化学的に粗面化され
たアルミニウム。
場合に金属である。次のものをオフセット印刷板に使用
することができる：必要に応じて陽極酸化しかつ付加的
に例えばポリビニルホスホン酸、シリケート、ホスフェ
ート、ヘキサフルオルジルコネート又は加水分解テトラ
エチルオルトシリケートで化学的に前処理されていても
よい圧延完成した、機械的又は電気化学的に粗面化され
たアルミニウム。
支持材料の被覆は、公知方法で、回転塗布、噴霧、浸漬
、ローラー塗布によって、スロットダイ、ナイフ塗布又
は塗布機の適用により実施される。工業界で常用の光源
が露光に使用される。電子又はレーデ−を用いての照射
は、画像を得るための別の方法である。
、ローラー塗布によって、スロットダイ、ナイフ塗布又
は塗布機の適用により実施される。工業界で常用の光源
が露光に使用される。電子又はレーデ−を用いての照射
は、画像を得るための別の方法である。
現像に使用されるアルカリ水浴液は、等吸付けされたア
ルカリ性度を有し、すなわちそれは、有利に１０〜１４
の範囲内にあるーを有し力ごっ有機溶剤又は界面活性剤
の少量を含有することもできる。
ルカリ性度を有し、すなわちそれは、有利に１０〜１４
の範囲内にあるーを有し力ごっ有機溶剤又は界面活性剤
の少量を含有することもできる。
材料は、それぞれ画像に応じての照射又は露光後に他の
何れの中間処理もなしに加熱さｎる。
何れの中間処理もなしに加熱さｎる。
加熱は照射、対流、加熱面、例えばローラーとの接触に
よって行なうことができるか又は不法性７夜体、例えば
水からなる加熱した浴中への浸漬によって行なうことが
できる。温度は、７０〜１５０℃の範囲内、好ましく９
０〜１３０°Ｃの範囲内にあることができる。この温度
は、未蕗光狽域の性負にぢいて少しも著しい変化なしに
組成物によって許容される。加熱時間は、加熱の通用に
対して選択される方法に応じて広範に変動することがで
きる。熱伝達媒体を使用する場合には、加熱時間は一般
に１０秒間〜１０分間の範囲内、有利に３０秒間〜４分
間の範囲内にある。
よって行なうことができるか又は不法性７夜体、例えば
水からなる加熱した浴中への浸漬によって行なうことが
できる。温度は、７０〜１５０℃の範囲内、好ましく９
０〜１３０°Ｃの範囲内にあることができる。この温度
は、未蕗光狽域の性負にぢいて少しも著しい変化なしに
組成物によって許容される。加熱時間は、加熱の通用に
対して選択される方法に応じて広範に変動することがで
きる。熱伝達媒体を使用する場合には、加熱時間は一般
に１０秒間〜１０分間の範囲内、有利に３０秒間〜４分
間の範囲内にある。
加熱及び冷却に続いて、感光層は、オリジナルなしに全
面露光に施こされ、それによって光になお敏感な層領域
は、その光分解生成物に完全に変換される。第２の露光
のためには、画像に応じての露光に使用される光源は、
再び有利に使用される。
面露光に施こされ、それによって光になお敏感な層領域
は、その光分解生成物に完全に変換される。第２の露光
のためには、画像に応じての露光に使用される光源は、
再び有利に使用される。
第２の露光は、常用の現像剤を用いる現１永によって行
なわれ、この場合オリジナルにより画像に応じての露光
で光が衝突しなかった層領域は、洗浄除去される。適当
な現像液は、アルカリ性物質、例えばアルカリ金属燐酸
垣、アルカリ雀属珪改頃、アルカリ戴属炭酸堪又はアル
カリ金属水酸化物の水浴液からなり、それは、付加的に
界面活性剤又は比較的少電の有機浴剤を含有することが
できる。また、特殊な場合には適当な現像剤は、有機浴
剤又は有機溶剤と水との混合物からなる。材料は、硬化
した層領域中で起こる如何なる攻撃もなしに加熱及び信
却の直後に現像することができるか又は例えば数時間の
時間間隔後に現像することができる。これは、露光した
層領域が熱によって不可逆的に硬化されることを示す。
なわれ、この場合オリジナルにより画像に応じての露光
で光が衝突しなかった層領域は、洗浄除去される。適当
な現像液は、アルカリ性物質、例えばアルカリ金属燐酸
垣、アルカリ雀属珪改頃、アルカリ戴属炭酸堪又はアル
カリ金属水酸化物の水浴液からなり、それは、付加的に
界面活性剤又は比較的少電の有機浴剤を含有することが
できる。また、特殊な場合には適当な現像剤は、有機浴
剤又は有機溶剤と水との混合物からなる。材料は、硬化
した層領域中で起こる如何なる攻撃もなしに加熱及び信
却の直後に現像することができるか又は例えば数時間の
時間間隔後に現像することができる。これは、露光した
層領域が熱によって不可逆的に硬化されることを示す。
本発明方法は、常用のりバーサル法と比較して、複写層
の良好な保存寿命にも拘らず、關められた温度で画Ｈに
応じて露光した層領域の硬化が比較的迅速に起こり、リ
バーサル工程に必要とされる焼付は温度が比較的低く、
かつ高められた温度でのｔＭ ４時間が比較的短いとい
う利点金石する。
の良好な保存寿命にも拘らず、關められた温度で画Ｈに
応じて露光した層領域の硬化が比較的迅速に起こり、リ
バーサル工程に必要とされる焼付は温度が比較的低く、
かつ高められた温度でのｔＭ ４時間が比較的短いとい
う利点金石する。
不発明方法によって提供され、６他の利点は、露光後の
画像コントラストが４級ホスホニウム化合物の添加によ
って不利な影響を及ぼされないという事実にある。
画像コントラストが４級ホスホニウム化合物の添加によ
って不利な影響を及ぼされないという事実にある。
本発明方法は、例えば凸版印刷、グラビア印刷及び平版
印刷のための印刷版の製造、プリント回路板のサブトラ
クティブ及びアディティブ−適用のホトレゾストステン
シルの製造、電気めっき法によって得られるニッケルス
クリーン印刷シリンダーの製造又はリフトオフ技術によ
るミクロ電子工学でのマスクの製造に適用することがで
きる。
印刷のための印刷版の製造、プリント回路板のサブトラ
クティブ及びアディティブ−適用のホトレゾストステン
シルの製造、電気めっき法によって得られるニッケルス
クリーン印刷シリンダーの製造又はリフトオフ技術によ
るミクロ電子工学でのマスクの製造に適用することがで
きる。
実施例：
次に、実施例中で本発明方法の好ましい実施態様を記載
する。百分率及び量の割合は、別記しない限り重量単位
と認めることができる。
する。百分率及び量の割合は、別記しない限り重量単位
と認めることができる。
例 １
電解的に粗面化しかつ陽極酸化したアルミニウムシート
を、 ２．３．４−）リヒドロキシベンゾフェノン１モル及び
ナフトキノン−１，２−ジアジド −（２）−！：ｉ
−スルホン酸塩化物６モルのエステル化生成物
２・ＱＱ ｐ、ｂ、ｗ・（重量部）、 毛管法ＤＩＮ ５３１８１により測定されたように１０
５〜１２０℃の軟化範囲勿有するクレゾール−ホルムア
ルデヒドノボラック ７．００ ｐ、ｂ、ｗ。
を、 ２．３．４−）リヒドロキシベンゾフェノン１モル及び
ナフトキノン−１，２−ジアジド −（２）−！：ｉ
−スルホン酸塩化物６モルのエステル化生成物
２・ＱＱ ｐ、ｂ、ｗ・（重量部）、 毛管法ＤＩＮ ５３１８１により測定されたように１０
５〜１２０℃の軟化範囲勿有するクレゾール−ホルムア
ルデヒドノボラック ７．００ ｐ、ｂ、ｗ。
２−（４−エトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビ
ス−トリクロルメチル−Ｓ−トリアジン
０．１５ ｐ、ｂ、ｗ。
ス−トリクロルメチル−Ｓ−トリアジン
０．１５ ｐ、ｂ、ｗ。
テトラブチルホスホニウムデロミ）’ １−ＤＯｐ、ｂ
、ｗ。
、ｗ。
ならびに
エチレングリコールモノメチルエーテル６０．００ ｐ
、ｂ、ｗ、及び テトラヒドロフラン ６０．００ ｐ、ｂ
ｏｗ、中のりＩＪスタルバイオレット ０．０
６ ｐ、ｂ、ｗ。
、ｂ、ｗ、及び テトラヒドロフラン ６０．００ ｐ、ｂ
ｏｗ、中のりＩＪスタルバイオレット ０．０
６ ｐ、ｂ、ｗ。
からなる弓液で被覆した。
陽極酸化したアルミニウム支持体は、感光性複写層を塗
布する前に、西ドイツ国特許第１６２１４７８号明細書
の記載と同様にポリビニルホスホン酸０．１％を含有す
る水？４！散で処理された。
布する前に、西ドイツ国特許第１６２１４７８号明細書
の記載と同様にポリビニルホスホン酸０．１％を含有す
る水？４！散で処理された。
感光層が２．３ ｇ／ ｆｉ”のＪ［ｌｔ′ｆｔ有する
ように前記方法で得られたゾレセンシタイズした材料を
、透明なポジ型オリジナルを介し５ ｋＷの金属・・ロ
デン化物灯金使用して１１０ｃｌｒＬの距離をもって画
像に応じて６５秒間露光し、次にメタ珪ばナトリウムの
１Ｄ％強の水溶液で現像した。
ように前記方法で得られたゾレセンシタイズした材料を
、透明なポジ型オリジナルを介し５ ｋＷの金属・・ロ
デン化物灯金使用して１１０ｃｌｒＬの距離をもって画
像に応じて６５秒間露光し、次にメタ珪ばナトリウムの
１Ｄ％強の水溶液で現像した。
現像法で元が衝芙した複写層の部分全除去し、未蕗光の
画像領域を支持体上に留め、したがってオリジナルに相
当する印刷ステンシルを得た。
画像領域を支持体上に留め、したがってオリジナルに相
当する印刷ステンシルを得た。
油性印刷インキで着肉することにより、印刷に直）に便
用できるポジ型印刷版を生じた。
用できるポジ型印刷版を生じた。
同じプレセンシタイズした材料の他の試料を処理し、ネ
ガ型印刷板を生じた。このために、この試料をネガ型オ
リジナルの下で９０秒間露光し、その後に２分間１３０
℃に加熱し、次に画像に応じてのポジ型露光の場合に使
用したのと同じ時間の間オリジナルなしに再び露光した
。
ガ型印刷板を生じた。このために、この試料をネガ型オ
リジナルの下で９０秒間露光し、その後に２分間１３０
℃に加熱し、次に画像に応じてのポジ型露光の場合に使
用したのと同じ時間の間オリジナルなしに再び露光した
。
同じ現１遼液中で現誠すると、オリジナルと逆の画像が
得られた。
得られた。
ポジ型印刷版とネガ型印刷版の双方は、１８０℃よつも
高い温度で焼付げることかでき、その結果として得られ
た印刷したコピーの数は、幾度にもわたって瑠犬させる
ことができる。
高い温度で焼付げることかでき、その結果として得られ
た印刷したコピーの数は、幾度にもわたって瑠犬させる
ことができる。
印刷板を本例により、但しテトラブチルホスホニウムブ
ロミド混合物なしにではめるが製造した場合には、使用
したオリジナルに相当する印刷は、画像に応じての露光
及び現像の仮に得られた。しかし、テトラブチルホスホ
ニウムブロミドの添加なしの場合には、前記したように
本発明方法により使用可能なネガ型ニア ｔ −２プレ
センシタイズしたポジ型材料から得ることほできない。
ロミド混合物なしにではめるが製造した場合には、使用
したオリジナルに相当する印刷は、画像に応じての露光
及び現像の仮に得られた。しかし、テトラブチルホスホ
ニウムブロミドの添加なしの場合には、前記したように
本発明方法により使用可能なネガ型ニア ｔ −２プレ
センシタイズしたポジ型材料から得ることほできない。
例 ２
ポリビニルホスホン酸０．１重量％に含有する水浴液で
処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化したア
ルミニウム板を、 ４− （２−フェニル−プロｆ−２−イル）−フェノー
ル１モル及びナフトキノン−（１，２）−シアシト−（
２）−４−スルホン酸クロリド１モルから得られたエス
テル化生成物 ２−００ ｐ、ｂ、ｗ、、
例１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック６−０
０ ｐ、ｂ、ｗ、 。
処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化したア
ルミニウム板を、 ４− （２−フェニル−プロｆ−２−イル）−フェノー
ル１モル及びナフトキノン−（１，２）−シアシト−（
２）−４−スルホン酸クロリド１モルから得られたエス
テル化生成物 ２−００ ｐ、ｂ、ｗ、、
例１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック６−０
０ ｐ、ｂ、ｗ、 。
ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−４−ス
ルホン酸クロリド ０．２０ ｐ、ｂ、ｗ、
、ならびに テトラヒドロフラン ６０．００ ｐ、ｂ
ｌｗ、中のりＩＪスタルバイオレット ０−０
６ ｐ、ｂ、ｗ。
ルホン酸クロリド ０．２０ ｐ、ｂ、ｗ、
、ならびに テトラヒドロフラン ６０．００ ｐ、ｂ
ｌｗ、中のりＩＪスタルバイオレット ０−０
６ ｐ、ｂ、ｗ。
からなる溶液で被覆した。
例１の記載と同様に、２．４ｇ／ｍ”の層重量を有する
ように前記方法で得られたゾレセンシタイズした材料を
、透明なポジ型オリジナルの下で５０秒間画像に応じて
露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの１０％強の溶液で現
像し、したがってオリジナルに相当するポジ型印刷ステ
ンシルを得た。
ように前記方法で得られたゾレセンシタイズした材料を
、透明なポジ型オリジナルの下で５０秒間画像に応じて
露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの１０％強の溶液で現
像し、したがってオリジナルに相当するポジ型印刷ステ
ンシルを得た。
同じ材料の他の試料を処理し、ネガ型印刷板を生じた。
このために、この試料をネガ型オリジナルの下で５０秒
間露光し、その佐に２分間１２０’Ｃに加熱し、かつ１
１！１１１＃！に応じての露光の場合に使用したのと同
じ時間の間オリジナルなしに再び露光した。前記で使用
したのと同じ現像液中で現渾すると、オリジナルと逆の
画像が得られた。
間露光し、その佐に２分間１２０’Ｃに加熱し、かつ１
１！１１１＃！に応じての露光の場合に使用したのと同
じ時間の間オリジナルなしに再び露光した。前記で使用
したのと同じ現像液中で現渾すると、オリジナルと逆の
画像が得られた。
例 ６
電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化したアルミニウム板
を、 ４．４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｎ−吉草
酸のエトキシ−エチルエステル１モル及びナフトキノン
−（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロ
リド２モルから得られたエステル化生成物２．００ ｐ
、ｂ、ｗ、、 例１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック７、Ｑ
Ｏｐ、ｂ、ｗ。
を、 ４．４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−ｎ−吉草
酸のエトキシ−エチルエステル１モル及びナフトキノン
−（１，２）−ジアジド−（２）−５−スルホン酸クロ
リド２モルから得られたエステル化生成物２．００ ｐ
、ｂ、ｗ、、 例１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック７、Ｑ
Ｏｐ、ｂ、ｗ。
２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−スチリル−
５−）リアジン ０．１５ ｐ、ｂ、ｗ
、、ならびに エチレングリコールモノメチルエーテル５０−００ ｐ
、ｂ、ｗ、及び テトラヒドロフラン ６０．００ ｐ、’
ｏ０ｗ、中のクリスタルバイオレット ０−０７
ｐ、ｂ、ｗ。
５−）リアジン ０．１５ ｐ、ｂ、ｗ
、、ならびに エチレングリコールモノメチルエーテル５０−００ ｐ
、ｂ、ｗ、及び テトラヒドロフラン ６０．００ ｐ、’
ｏ０ｗ、中のクリスタルバイオレット ０−０７
ｐ、ｂ、ｗ。
の溶液で被覆した。
感光層が２．５０１７ｍ”のノー電ｌｌｔｈｗするよう
に前記方法で得られたプレセンシタイズした材料７１例
１の記載と同様に透明なポジ型オリジナルの下で画像に
応じて露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの１０％強の溶
液で現像し、したがってオリジナルに相当するポジ型印
刷ステンシルを得た。
に前記方法で得られたプレセンシタイズした材料７１例
１の記載と同様に透明なポジ型オリジナルの下で画像に
応じて露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの１０％強の溶
液で現像し、したがってオリジナルに相当するポジ型印
刷ステンシルを得た。
同じ材料の他の試料を処理し、ネガ型印刷板を生じた。
このために、この試料をネガ型オリジナルの下で１００
秒間露光し、その後に２分間１６０°Ｃに加熱し、かつ
次に画像に応じてのポジ型露光の場合に使用したのと同
じ時間の間オリジナルなしに再び露光した。同じ現像液
中で現像すると、オリジナルと逆の画像が得られた。
秒間露光し、その後に２分間１６０°Ｃに加熱し、かつ
次に画像に応じてのポジ型露光の場合に使用したのと同
じ時間の間オリジナルなしに再び露光した。同じ現像液
中で現像すると、オリジナルと逆の画像が得られた。
例 ４
ポリビニルホスホンｖＯ０１重ｔ９ｂを含有する水浴液
で処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化した
アルミニウム板を、 ４−（２−フェニル−プロプ−２−イル）−フェノール
１モル及びナフトキノン−（１，２）−シアシト−（２
）−４−スルホン酸クロリド１モルから得られたエステ
ル化生成物 １−５０ ｐ、ｂ、ｗ、、例
１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック８・６０
ｐ、ｂ、ｗ・１ ２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−ｐ−メトキ
シスチリル−５−）リアジン０．１４ ｐ、ｂ、ｗ、、
テトラブチルホスホニウムブロミド０．１５ ｐ、ｂ、
ｗ。
で処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化した
アルミニウム板を、 ４−（２−フェニル−プロプ−２−イル）−フェノール
１モル及びナフトキノン−（１，２）−シアシト−（２
）−４−スルホン酸クロリド１モルから得られたエステ
ル化生成物 １−５０ ｐ、ｂ、ｗ、、例
１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック８・６０
ｐ、ｂ、ｗ・１ ２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−ｐ−メトキ
シスチリル−５−）リアジン０．１４ ｐ、ｂ、ｗ、、
テトラブチルホスホニウムブロミド０．１５ ｐ、ｂ、
ｗ。
ならびに
エチレングリコールモノメチルエーテル５０．００ ｐ
、ｂ、ｗ、及び テトラヒドロフラン ６０−００ ｐ、ｂ
、ｗ、甲のクリスタルバイオレット ０−０７
ｐ、ｂ、ｗ。
、ｂ、ｗ、及び テトラヒドロフラン ６０−００ ｐ、ｂ
、ｗ、甲のクリスタルバイオレット ０−０７
ｐ、ｂ、ｗ。
の浴液で被覆した。
２．７１７ｍにの層ａｍを有するように前記方法で得ら
れたプレセンシタイズした材料７１例１の記載と同様に
透明のポジ型オリジナルの下で画像に応じて露光し、次
にメタ珪酸ナトリウムの１０−強の浴液で現像し、した
がってオリジナルに相当するポジ型印刷ステンシルを得
た。
れたプレセンシタイズした材料７１例１の記載と同様に
透明のポジ型オリジナルの下で画像に応じて露光し、次
にメタ珪酸ナトリウムの１０−強の浴液で現像し、した
がってオリジナルに相当するポジ型印刷ステンシルを得
た。
同じ材料の他の試料を処理し、ネガ型印刷板を生じた。
このために、この試料ｔネガ型オリジナルの下で８０秒
間露光し、その後に１３０°Ｃで２分間加熱し、かつ次
にさらに４０秒間才リゾナルなしに再び露光した。現像
すると、オリジナルと逆の画像が得られた。
間露光し、その後に１３０°Ｃで２分間加熱し、かつ次
にさらに４０秒間才リゾナルなしに再び露光した。現像
すると、オリジナルと逆の画像が得られた。
例 ５
ポリビニルホスホン酸０．１重量％を含有する水溶液で
処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化したア
ルミニウム板を、 ２．３．４−）リヒドロキシーベンゾフエノン１モル及
びナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５−
スルホン酸クロリド３モルから得られたエステル化生成
物 ２．００ ｐ、ｂ、ｗｌ、８
３〜８８℃の溶融範囲を有するフェノールーホルルアル
デヒドノボラック樹脂 ６−００ ｐ、ｂ、ｗ、、
２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−スチリル−
５−）リアジン ０．１５ ｐ、ｂ、ｗ、
、テトラフェニルホスホニウムブロミド ２、Ｄｏ ｐ、ｂ、ｗ、、 ならびに エチレングリコールモノメチルエーテル６０．００ ｐ
、ｂ−ｗ、及び テトラヒドロフラン ７０−００ ｐ、ｂ
、ｗ、中のりＩＪスタルバイオレット ０．０６
ｐ、ｂ、ｗ。
処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化したア
ルミニウム板を、 ２．３．４−）リヒドロキシーベンゾフエノン１モル及
びナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５−
スルホン酸クロリド３モルから得られたエステル化生成
物 ２．００ ｐ、ｂ、ｗｌ、８
３〜８８℃の溶融範囲を有するフェノールーホルルアル
デヒドノボラック樹脂 ６−００ ｐ、ｂ、ｗ、、
２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−スチリル−
５−）リアジン ０．１５ ｐ、ｂ、ｗ、
、テトラフェニルホスホニウムブロミド ２、Ｄｏ ｐ、ｂ、ｗ、、 ならびに エチレングリコールモノメチルエーテル６０．００ ｐ
、ｂ−ｗ、及び テトラヒドロフラン ７０−００ ｐ、ｂ
、ｗ、中のりＩＪスタルバイオレット ０．０６
ｐ、ｂ、ｗ。
の溶液で被覆した。
２．３０ ｇｌＷＬ’の層Ｘｉ／ｋを有した、前記方法
で４られたプレセンシタイズした材料を、例１の記載と
同様に透明のポジ型オリジナルの下で４５秒間画像に応
じて露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの６％強の溶液で
現像した。オリジナルに相当する印刷ステンシルが得ら
れた。
で４られたプレセンシタイズした材料を、例１の記載と
同様に透明のポジ型オリジナルの下で４５秒間画像に応
じて露光し、次にメタ珪酸ナトリウムの６％強の溶液で
現像した。オリジナルに相当する印刷ステンシルが得ら
れた。
ネガ型印刷板を得るために、材付の他の試料？ネガ型オ
リジナルの下で９０秒間露光し、その後に１３０”Ｃで
２分間加熱し、かつ次に４５秒間才リゾナルなしに再び
露光した。同じ現像液中で現像すると、オリジナルと逆
の画像が得られた。
リジナルの下で９０秒間露光し、その後に１３０”Ｃで
２分間加熱し、かつ次に４５秒間才リゾナルなしに再び
露光した。同じ現像液中で現像すると、オリジナルと逆
の画像が得られた。
例 ６
ポリビニルホスホン酸０．１重量％を含有する水溶液で
処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極ば化したア
ルミニウム板を、 ２．３．４−１１ヒドロキシ−ベンゾフェノン１モル及
びナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５−
スルホン酸クロリド６モルから得られたエステル化生成
物 ２・［１（） ｐ、ｂ、ｗ・
）例１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック８．
００ ｐ、ｂ、ｗ、、 ２−（４−エトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビ
ス−トリクロルメチル−Ｓ−）リアジン０．１５ ｐ、
ｂ、ｗ、 。
処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極ば化したア
ルミニウム板を、 ２．３．４−１１ヒドロキシ−ベンゾフェノン１モル及
びナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２）−５−
スルホン酸クロリド６モルから得られたエステル化生成
物 ２・［１（） ｐ、ｂ、ｗ・
）例１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラック８．
００ ｐ、ｂ、ｗ、、 ２−（４−エトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビ
ス−トリクロルメチル−Ｓ−）リアジン０．１５ ｐ、
ｂ、ｗ、 。
テトラブチルホスホニウムブロミド １．５０ ｐ
、ｂ、ｗ。
、ｂ、ｗ。
ならびに
エチレングリコールモノメチルエーテル６０・ＱＱ ｐ
、ｂ、ｗ・及び テトラヒドロフラン ７０．００ ｐ、ｂ、
ｗ、中のクリスタルバイオレット ０．０６
ｐ、ｂ、ｗ。
、ｂ、ｗ・及び テトラヒドロフラン ７０．００ ｐ、ｂ、
ｗ、中のクリスタルバイオレット ０．０６
ｐ、ｂ、ｗ。
の浴液で被覆した。
２．４ｇ／ｍ” のｊ−重量を有した、前記方法で得
られたゾレセンシタイズしｆｃ有材料、例１の記載と同
様に透明のポジ型オリジナルの下で６５秒間露光し、か
つ次にメタ珪酸ナトリウムの１０％強の浴液で現像した
。オリジナルに相当する印刷ステンシルが得られた。
られたゾレセンシタイズしｆｃ有材料、例１の記載と同
様に透明のポジ型オリジナルの下で６５秒間露光し、か
つ次にメタ珪酸ナトリウムの１０％強の浴液で現像した
。オリジナルに相当する印刷ステンシルが得られた。
同じプレセンシタイズした材料の他の試料を処理し、ネ
ガ型印刷板を生じた。このために、この試料勿ネガ型オ
リジナルの下で６５秒間露光し、その後に１３０℃で２
分間加熱し、かつ次にオリジナルなしに６５秒間再び露
光した。
ガ型印刷板を生じた。このために、この試料勿ネガ型オ
リジナルの下で６５秒間露光し、その後に１３０℃で２
分間加熱し、かつ次にオリジナルなしに６５秒間再び露
光した。
同じ現像液中でＪｊｔ像すると、オリジナルと逆の画像
が得られた。
が得られた。
例 ７
ポリビニルホスホン酸０．１重重％に含ｉする水浴液で
処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化したア
ルミニウム板を、 ４−（２−フェニル−プロプ−２−イル゛）−フェノー
ル１モル及びナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（
２）−４−スルホン酸クロリド１モルから得られたエス
テル化生成物 ２．００ ｐ、ｂ、ｗ、、
例５のフェノール−ホルムアルデヒドノボラック５・０
０ ｐ、ｂ、ｗ・） ２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−スチリル−
ｓ−トリアジ：ｙ Ｏ−１５ｐ−”ｗ
・Ｎテトラフェニルホスホニウムブロミド １．００
ｐ、ｂ、ｗ。
処理された、電気化学的に粗面化しかつ陽極酸化したア
ルミニウム板を、 ４−（２−フェニル−プロプ−２−イル゛）−フェノー
ル１モル及びナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（
２）−４−スルホン酸クロリド１モルから得られたエス
テル化生成物 ２．００ ｐ、ｂ、ｗ、、
例５のフェノール−ホルムアルデヒドノボラック５・０
０ ｐ、ｂ、ｗ・） ２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−スチリル−
ｓ−トリアジ：ｙ Ｏ−１５ｐ−”ｗ
・Ｎテトラフェニルホスホニウムブロミド １．００
ｐ、ｂ、ｗ。
ならびに
クリスタルバイオレット ０．０６ ｐ、ｂ、Ｗ
。
。
の溶液で被覆した。
２．３０ ｇ７ｍ”の層重量を有した、前記方法で得ら
れたプレセンシタイズした材料を、例１の記載と同様に
透明のポジ型オリジナルの下で４５秒間露光し、かつ次
にメタ珪酸ナトリウムの２％強の溶液で現像した。オリ
ジナルに相当する印刷ステンシルが得られた。
れたプレセンシタイズした材料を、例１の記載と同様に
透明のポジ型オリジナルの下で４５秒間露光し、かつ次
にメタ珪酸ナトリウムの２％強の溶液で現像した。オリ
ジナルに相当する印刷ステンシルが得られた。
同じ材料の他の試料音処理し、ネガ型印刷板會生じた。
このために、この試料をネガ型オリジナルの下で９０秒
間露光し、その後に１６０°Ｃで２分間加熱し、かつ次
にオリジナルなしに４５秒間再び露光した。同じ現像液
で現塚すると、オリジナルと逆の画像が得られた。
間露光し、その後に１６０°Ｃで２分間加熱し、かつ次
にオリジナルなしに４５秒間再び露光した。同じ現像液
で現塚すると、オリジナルと逆の画像が得られた。
例 ８ 〜
゛眠気化学的に粗面化しか・つ陽憔酸化したアルミニウ
ム板ｔ１ ２ 、３ 、４− ） ＋７ヒドロキシベンゾフ工ノン
１モル及びナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２
）−５−スルホン酸クロリド６モルから得られたエステ
ル化生成物 ２．００ ｐ、ｂ
、ｗ、、例１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラッ
ク７．００ ｐ、ｂ−Ｗｏ、 ２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−スチリ／ｌ
／ −５−）リアジン ０．１５ ｐ、
ｂ、ｗ、、テトラメチルホスホニウムクロリド１−ＤＯ
ｐ、ｂ、ｗ、、ならびに エチｖ７グリ°−に％／’メチ″１−テ″６０・ｏｏ
ｐ、ｂ・）びテトラヒドロフラン ６０．
００１）、ｂ−Ｗ−中のクリスタルバイオレット
０．０，６ ｐ−ｂ、ｖｒ−の温液で仮復した。
ム板ｔ１ ２ 、３ 、４− ） ＋７ヒドロキシベンゾフ工ノン
１モル及びナフトキノン−（１，２）−ジアジド−（２
）−５−スルホン酸クロリド６モルから得られたエステ
ル化生成物 ２．００ ｐ、ｂ
、ｗ、、例１のクレゾール−ホルムアルデヒドノボラッ
ク７．００ ｐ、ｂ−Ｗｏ、 ２．４−ビス−（トリクロルメチル）−６−スチリ／ｌ
／ −５−）リアジン ０．１５ ｐ、
ｂ、ｗ、、テトラメチルホスホニウムクロリド１−ＤＯ
ｐ、ｂ、ｗ、、ならびに エチｖ７グリ°−に％／’メチ″１−テ″６０・ｏｏ
ｐ、ｂ・）びテトラヒドロフラン ６０．
００１）、ｂ−Ｗ−中のクリスタルバイオレット
０．０，６ ｐ−ｂ、ｖｒ−の温液で仮復した。
２．３ｇ／７ｒＬ″のｊ−皿型を有した、前記方法で得
られたプレセンシタイズした材料を１ポジ型の透明オリ
ジナルを介し５ ｋＷの金属ノ・ロデン化物灯を使用し
て１１０ｃｒＩＬの距離をもって６５秒間露光し、かつ
次にメタ珪酸ナトリウムの９％強の水ｄ液で現像した。
られたプレセンシタイズした材料を１ポジ型の透明オリ
ジナルを介し５ ｋＷの金属ノ・ロデン化物灯を使用し
て１１０ｃｒＩＬの距離をもって６５秒間露光し、かつ
次にメタ珪酸ナトリウムの９％強の水ｄ液で現像した。
現像法で光が衝突した複写層の部分を除去し、未露光の
画像領域を支持体上に留め、したがってオリジナルに相
当する印刷ステンシルを得た。油性印刷インキを着肉す
ることにより、印刷に直ちに使用することができるポジ
型印刷版を生じた。
画像領域を支持体上に留め、したがってオリジナルに相
当する印刷ステンシルを得た。油性印刷インキを着肉す
ることにより、印刷に直ちに使用することができるポジ
型印刷版を生じた。
同じプレセンシタイズした材料の他の試料を処理し、ネ
ガ型印刷板を生じた。このために、この試料をネガ型オ
リジナルの下で９０秒間露光し、その恢に２分間１６０
℃に加熱し、かつ次に画像に応じてのポジ型露光の場合
に使用したのと同じ＃ｑ間の間オリジナルなしに再び露
光した。同じ現像液中で現像すると、オリジナルと逆の
１ＩＩＩ像が得られた。
ガ型印刷板を生じた。このために、この試料をネガ型オ
リジナルの下で９０秒間露光し、その恢に２分間１６０
℃に加熱し、かつ次に画像に応じてのポジ型露光の場合
に使用したのと同じ＃ｑ間の間オリジナルなしに再び露
光した。同じ現像液中で現像すると、オリジナルと逆の
１ＩＩＩ像が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ネガ型レリーフコピーを、支持体と、本質的成分と
して熱硬化を促進する化合物及び１，２−キノンジアジ
ドを含有する感光層とからなる感光性材料を画像に応じ
て露光し、その後にこの材料を加熱し、冷却後にこの材
料を再び全面露光に施こし、かつ次いでこの材料を水性
アルカリ現像液により現像することによって製造する方
法において、感光層が熱硬化を促進する化合物として一
般式： 〔（Ｒ）＿３−Ｐ＾＋−Ｒ′〕Ｈａｌ＾− 〔式中、Ｒ及びＲ′は同一か又は異なり、アルキル基、
アルケニル基又はアリール基を表わし、Ｈａｌはハロゲ
ン原子を表わす〕で示される少なくとも１つの４級ホス
ホニウム化合物を含有することを特徴とする、ネガ型レ
リーフコピーの製造法。 ２、Ｒ及びＲ′がそれぞれ１〜４個の炭素原子を有する
アルキル基又はアルケニル基を表わすか又は場合によっ
ては置換されたフェニル基を表わし、かつＨａｌが塩素
原子又は臭素原子を表わす、特許請求の範囲第１項記載
の方法。 ３、ホスホニウム化合物がテトラメチルホスホニウムク
ロリド又はテトラブチルホスホニウムブロミドである、
特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の方法。 ４、ホスホニウム化合物がテトラフェニルホスホニウム
ブロミドである、特許請求の範囲第１項又は第２項に記
載の方法。 ５、感光層が非揮発性層成分に対して４級ホスホニウム
化合物１〜５０重量％を含有する、特許請求の範囲第１
項から第４項までのいずれか１項に記載の方法。 ６、画像に応じて露光した材料を７０〜１５０℃の範囲
内の温度に加熱する、特許請求の範囲第１項記載の方法
。 ７、材料を１０秒間〜１０分間の時間にわたって加熱す
る、特許請求の範囲第１項又は第６項に記載の方法。 ８、材料が水中で不溶性でありかつアルカリ水溶液中で
可溶性である結合剤を含有する、特許請求の範囲第１項
記載の方法。 ９、使用した結合剤がノボラックからなる、特許請求の
範囲第１項又は第８項に記載の方法。 １０、感光層が１，２−キノンジアジドとして１，２−
キノン−ジアジド−４−スルホン酸又は１、２−キノン
−ジアジド−４−カルボン酸のエステル又はアミドから
なる、特許請求の範囲第１項記載の方法。 １１、感光層が非揮発性成分に対して１，２−キノンジ
アジド化合物３〜５０重量％を含有する、特許請求の範
囲第１項又は第１０項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3437687A DE3437687A1 (de) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | Verfahren zum herstellen negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden |
| DE3437687.9 | 1984-10-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197647A true JPS6197647A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=6247891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227970A Pending JPS6197647A (ja) | 1984-10-15 | 1985-10-15 | ネガ型レリーフコピーの製造法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0178594B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6197647A (ja) |
| AT (1) | ATE64662T1 (ja) |
| BR (1) | BR8505087A (ja) |
| CA (1) | CA1298510C (ja) |
| DE (2) | DE3437687A1 (ja) |
| ZA (1) | ZA857887B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61241745A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 |
| JPS6238448A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-19 | ヘキスト・セラニ−ズ・コ−ポレイシヨン | ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法 |
| JPH03142918A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE47631T1 (de) * | 1985-03-11 | 1989-11-15 | Hoechst Celanese Corp | Verfahren zum herstellen von photoresiststrukturen. |
| EP0226741B1 (de) * | 1985-10-25 | 1989-08-02 | Hoechst Celanese Corporation | Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists |
| DE3674141D1 (de) * | 1985-10-28 | 1990-10-18 | Hoechst Celanese Corp | Strahlungsempfindliches, positiv-arbeitendes gemisch und hieraus hergestelltes photoresistmaterial. |
| NL8601096A (nl) * | 1986-04-29 | 1987-11-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij op een halfgeleidersubstraat een negatief beeld wordt gevormd in een positieve fotolak. |
| US4873176A (en) * | 1987-08-28 | 1989-10-10 | Shipley Company Inc. | Reticulation resistant photoresist coating |
| DE3940911A1 (de) * | 1989-12-12 | 1991-06-13 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung negativer kopien |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1169682B (it) * | 1983-11-08 | 1987-06-03 | I M G Ind Materiali Grafici Sp | Composizione per fotoriproduzioni |
-
1984
- 1984-10-15 DE DE3437687A patent/DE3437687A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-10-11 DE DE8585112875T patent/DE3583277D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-10-11 EP EP85112875A patent/EP0178594B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-11 AT AT85112875T patent/ATE64662T1/de not_active IP Right Cessation
- 1985-10-11 CA CA000492839A patent/CA1298510C/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-10-14 BR BR8505087A patent/BR8505087A/pt not_active IP Right Cessation
- 1985-10-15 JP JP60227970A patent/JPS6197647A/ja active Pending
- 1985-10-15 ZA ZA857887A patent/ZA857887B/xx unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61241745A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 |
| JPS6238448A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-19 | ヘキスト・セラニ−ズ・コ−ポレイシヨン | ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法 |
| JPH03142918A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0178594A2 (de) | 1986-04-23 |
| EP0178594A3 (en) | 1988-03-23 |
| ATE64662T1 (de) | 1991-07-15 |
| ZA857887B (en) | 1986-05-28 |
| CA1298510C (en) | 1992-04-07 |
| DE3437687A1 (de) | 1986-04-17 |
| DE3583277D1 (de) | 1991-07-25 |
| BR8505087A (pt) | 1986-07-29 |
| EP0178594B1 (de) | 1991-06-19 |
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