KR910016902A - 습식-에칭 방법 및 조성물 - Google Patents

습식-에칭 방법 및 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR910016902A
KR910016902A KR1019910003727A KR910003727A KR910016902A KR 910016902 A KR910016902 A KR 910016902A KR 1019910003727 A KR1019910003727 A KR 1019910003727A KR 910003727 A KR910003727 A KR 910003727A KR 910016902 A KR910016902 A KR 910016902A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polyamic acid
etching
layer
base
aqueous solution
Prior art date
Application number
KR1019910003727A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100201194B1 (ko
Inventor
에릭 피야트 더글라스
진 베흘러 앨리슨
앤 나바 신씨아
Original Assignee
랄프 챨스 메드허스트
아모코 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 랄프 챨스 메드허스트, 아모코 코포레이션 filed Critical 랄프 챨스 메드허스트
Publication of KR910016902A publication Critical patent/KR910016902A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100201194B1 publication Critical patent/KR100201194B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

습식-에칭 방법 및 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (17)

  1. 치환된 탄화수소 용매와 비이온성 염기를 0.1 내지 49 : 49 내지 0.1의 중량비로 함유하고, 이온성 염기는 1.,0% 미만으로 함유하며 물이 대부분을 구성하는 수용액을 포함하는, 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산을 에칭시키기 위한 습식-에칭 조성물.
  2. 알콜과 비이온성 염기를 0.1 내지 49 : 49 내지 0.1의 중량비로 함유하고, 이온성 염기는 1.0% 미만으로 함유하며 물이 대부분을 구성하는 수용액을 포함하는, 폴리암산 또는 부분적으로 구성하는 수용액을 포함하는, 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산을 에칭시키기 위한 습식-에칭 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 알콜이 1내지 12개의 탄소 원자 및 1개 이상의 하이드록시 그룹을 포함하는 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 알콜이 메탄올, 에탄올 및 부탄올로 이루어진 그룹중에서 선택되는 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 알콜이 에탄올과 부탄올의 공용매인 조성물.
  6. 제2항에 있어서, 비이온성 염기가 1내지 12개의 탄소 원자 및 1개 이상의 질소 원자를 갖는 알킬아민인 조성물.
  7. 알콜과 알킬아민을 0.1내지 49 : 49 내지 0.1의 중량비로 함유하고, 이온성 염기는 1.0% 미만으로 함유하며 물이 대부분을 구성하는 수용액을 포함하는, 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산을 에칭시키기 위한 습식-에칭 조성물.
  8. 치환된 탄화수소 용매와 비이온성 염기를 0.1 내지 49 : 49 내지 0.1의 중량비로 함유하고, 이온성 염기는 1.0% 미만으로 함유하며 물이 대부분을 구성하는 수용액을 포함하는 습식-에칭 조성물을 폴리암산 층과 접촉시킴을 포함하여 폴리암산 층을 에칭시키는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산이 2,2-비스(3,4-디카복시페닐)-헥사플루오로프로판 이무수물 및 하나 이상의 디아민으로부터 유도되는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 치환된 탄화수소 용매가 알콜인 방법.
  11. 제10항에 있어서, 알콜이 메탄올, 에탄올 및 부탄올로 이루어진 그룹중에서 선택되는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 비이온성 염기가 1내지 12개의 탄소 원자 및 1개 이상의 질소 원자를 갖는 알킬아민인 방법.
  13. 제12항에 있어서, 알킬아민이 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 트리(하이드록시메틸)아미노메탄, 트리메틸아민, N,N-디메틸에탄올아민 및 N,N-디메틸에탄올아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 방법.
  14. a) 기재상에 폴리암산 층을 도포하고, b) 폴리암산층상에 포지티브 감광성내식막 물질 층을 도포하고, c) 감광성내식막 물질 층을 감광성내식막 물질이 제거될 장소에 위치하는 개방부 패턴을 갖는 마스크로 은폐시키고, d) 감광성내식막 물질을 마스크중의 개방부 패턴을 통해 화학선에 노출시켜 감광성내식막 물질의 노출 및 비노출 영역을 생성시키고, e) 마스크를 제거하고, f) 노출된 감광성내식막 물질을 현상 및 제거하여 폴리암산 부분을 노출시키고 g) 노출된 폴리암산을, 치환된 탄화수소 용액와 비이온성 염기를 0.1 내지 49 : 49내지 0.1의 중량비로 함유하고, 이온성 염기는 1.0%미만으로 함유하며 이 대부분을 구성하는 수용액을 포함하는 습식-에칭 조성물로 에칭시키고, h) 잔류하는 감광성내식막 물질을 현상 및 제거하고, i) 폴리암산을 폴리이미드로 이미드화함을 포함하여, 폴리 암산 층 또는 부분적으로 경화된 폴리암산층을 에칭시키는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 단계 f) 및 g)가 1단계로 수행되는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 약 0.25중량% 내지 1.0중량% 미만의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 함유하는 방법.
  17. 알콜과 비이온성 염기를 0.1 내지 49 : 49 내지 0.1의 중량비로 함유하고, 이온성 염기는 1.0% 미만으로 함유하며 물이 대부분을 구성하는 수용액을 포함하는 습식-에칭 조성물을 폴리암산 층과 접촉시킴을 포함하여 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산층을 에칭시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910003727A 1990-03-09 1991-03-08 습식 에칭 방법 및 조성물 KR100201194B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US49143890A 1990-03-09 1990-03-09
US07/491,438 1990-03-09
US7/491,438 1990-03-09
US605,555 1990-10-30
US07/605,555 US5183534A (en) 1990-03-09 1990-10-30 Wet-etch process and composition
US07/605555 1990-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910016902A true KR910016902A (ko) 1991-11-05
KR100201194B1 KR100201194B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=27050443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910003727A KR100201194B1 (ko) 1990-03-09 1991-03-08 습식 에칭 방법 및 조성물

Country Status (8)

Country Link
US (2) US5183534A (ko)
EP (1) EP0446032B1 (ko)
JP (1) JP3173730B2 (ko)
KR (1) KR100201194B1 (ko)
CA (1) CA2037490C (ko)
DE (1) DE69109898T2 (ko)
MX (1) MX172813B (ko)
MY (1) MY105324A (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5350489A (en) * 1990-10-19 1994-09-27 Purex Co., Ltd. Treatment method of cleaning surface of plastic molded item
US5397506A (en) * 1993-08-20 1995-03-14 Ecolab Inc. Solid cleaner
US5443688A (en) * 1993-12-02 1995-08-22 Raytheon Company Method of manufacturing a ferroelectric device using a plasma etching process
US5714196A (en) * 1994-07-20 1998-02-03 Galileo Corporation Method of forming a strippable polyimide coating for an optical fiber
US5649045A (en) * 1995-12-13 1997-07-15 Amoco Corporation Polymide optical waveguide structures
US5914052A (en) 1997-08-21 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Wet etch method and apparatus
US6159666A (en) * 1998-01-14 2000-12-12 Fijitsu Limited Environmentally friendly removal of photoresists used in wet etchable polyimide processes
US6221567B1 (en) 1998-01-14 2001-04-24 Fujitsu Limited Method of patterning polyamic acid layers
WO1999053381A1 (en) * 1998-04-15 1999-10-21 Etec Systems, Inc. Photoresist developer and method of development
AU7626500A (en) 1999-07-27 2001-02-13 North Carolina State University Patterned release film between two laminated surfaces
KR100356987B1 (ko) * 2000-01-22 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 열경화성 수지 제거용 조성물
US7041232B2 (en) * 2001-03-26 2006-05-09 International Business Machines Corporation Selective etching of substrates with control of the etch profile
US7261997B2 (en) * 2002-01-17 2007-08-28 Brewer Science Inc. Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings
US7325309B2 (en) * 2004-06-08 2008-02-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of manufacturing a fluid ejection device with a dry-film photo-resist layer
US7323699B2 (en) * 2005-02-02 2008-01-29 Rave, Llc Apparatus and method for modifying an object
US20070290379A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Dueber Thomas E Hydrophobic compositions for electronic applications
JP5063138B2 (ja) * 2007-02-23 2012-10-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板現像方法および現像装置
US20080206997A1 (en) * 2007-02-26 2008-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for Manufacturing Insulating Film and Method for Manufacturing Semiconductor Device
US9085751B2 (en) * 2010-07-09 2015-07-21 Kaken Tech Co., Ltd. Liquid concentrate for cleaning composition, cleaning composition and cleaning method
WO2013066058A2 (ko) * 2011-11-04 2013-05-10 동우 화인켐 주식회사 자성체막 및 자성체막 잔류물 제거용 조성물
KR102468776B1 (ko) 2015-09-21 2022-11-22 삼성전자주식회사 폴리실리콘 습식 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP2019162565A (ja) * 2016-07-25 2019-09-26 富士フイルム株式会社 ガス分離膜、ガス分離膜モジュールおよびガス分離装置
TWI678596B (zh) * 2018-09-13 2019-12-01 新應材股份有限公司 正型光阻組成物及圖案化聚醯亞胺層之形成方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3361589A (en) * 1964-10-05 1968-01-02 Du Pont Process for treating polyimide surface with basic compounds, and polyimide surface having thin layer of polyamide acid
US3791848A (en) * 1972-05-19 1974-02-12 Western Electric Co A method of improving the adherence of a metal deposit to a polyimide surface
US4276186A (en) * 1979-06-26 1981-06-30 International Business Machines Corporation Cleaning composition and use thereof
US4369090A (en) * 1980-11-06 1983-01-18 Texas Instruments Incorporated Process for etching sloped vias in polyimide insulators
JPS58108229A (ja) * 1981-12-21 1983-06-28 Hitachi Ltd ポリイミド系樹脂膜の選択エツチング方法
US4411735A (en) * 1982-05-06 1983-10-25 National Semiconductor Corporation Polymeric insulation layer etching process and composition
US4592787A (en) * 1984-11-05 1986-06-03 The Dow Chemical Company Composition useful for stripping photoresist polymers and method
DE3602800A1 (de) * 1985-06-07 1986-12-11 agru Alois Gruber + Sohn oHG, Bad Hall Verfahren zur oberflaechenmodifizierung von formkoerpern aus polyvinylidenfluorid
US4873136A (en) * 1988-06-16 1989-10-10 General Electric Company Method for preparing polymer surfaces for subsequent plating thereon, and improved metal-plated plastic articles made therefrom
US4857143A (en) * 1988-12-16 1989-08-15 International Business Machines Corp. Wet etching of cured polyimide

Also Published As

Publication number Publication date
CA2037490C (en) 2002-05-21
US5183534A (en) 1993-02-02
EP0446032A2 (en) 1991-09-11
EP0446032A3 (en) 1992-04-15
MY105324A (en) 1994-09-30
US5292445A (en) 1994-03-08
CA2037490A1 (en) 1992-05-01
JP3173730B2 (ja) 2001-06-04
EP0446032B1 (en) 1995-05-24
DE69109898T2 (de) 1995-10-19
KR100201194B1 (ko) 1999-06-15
JPH04219933A (ja) 1992-08-11
MX172813B (es) 1994-01-13
DE69109898D1 (de) 1995-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910016902A (ko) 습식-에칭 방법 및 조성물
US5665527A (en) Process for generating negative tone resist images utilizing carbon dioxide critical fluid
DE4214363C2 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch zur Ausbildung von Mustern
EP0292821A2 (de) Verfahren zur Bildumkehr von normalerweise positiv arbeitenden Photoresistmaterialien
DE2728886A1 (de) Aetzzusammensetzungen und verfahren zu deren verwendung
KR870007454A (ko) 포토레지스트 현상방법
DE69612656T2 (de) Verfahren zur entwicklung eines positiv arbeitenden fotoresists und entwicklungszusammensetzungen dafür
KR900702421A (ko) 주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막
KR940005992A (ko) 기판 상에 패턴화된 폴리이미드 피막을 형성하는 방법
KR910001455A (ko) 근자외선 방사(near ultraviolet radiation)에 의해 고해상도(高解象度)를 나타내는 산 경화 광저항물(Acid hardening photoresists)에 있어서 선택된 광활성 조성물의 사용법
DE3008265A1 (de) Verfahren zum sichtbarmachen von stationaeren waermeuebergangskoeffizientenfeldern auf photochemischem wege
EP0453610B1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer Resiststruktur
KR910009126A (ko) 금속 패턴(pattern)의 제조방법
JP3224602B2 (ja) 感光性基材及びそれを用いたレジストパターン形成方法
DE69520655T2 (de) Durch Belichtung einer Säure erzeugende Zusammensetzung für strahlungsempfindliche Zusammensetzungen
EP0410256A1 (de) Lichtempfindliches Gemisch
KR970705779A (ko) 구조물을 형성하기 위한 사진 인쇄 방법(photolithographic method of producing structural features)
JPH095999A (ja) 感光性組成物、それを用いたレジストパターンの形成方法およびその剥離方法
SU595694A1 (ru) Негативный фоторезист
US20020090567A1 (en) Positive-working chemical-amplification photoresist composition and method for forming a resist pattern using the same
CA2065477A1 (en) Radiation-sensitive composition containing esters of (1,2-naphthoquinone 2-diazide)-sulfonic acid and a radiation-sensitive recording material prepared therewith
KR880013043A (ko) 알칸올 아민을 함유한 고콘트라스트 양화 감광성 내식막 현상액
KR100367502B1 (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
DE10054121A1 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
JPS55156941A (en) Micropattern forming method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020306

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee