KR900702421A - 주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막 - Google Patents

주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막

Info

Publication number
KR900702421A
KR900702421A KR1019900701386A KR900701386A KR900702421A KR 900702421 A KR900702421 A KR 900702421A KR 1019900701386 A KR1019900701386 A KR 1019900701386A KR 900701386 A KR900701386 A KR 900701386A KR 900702421 A KR900702421 A KR 900702421A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ethyl
weight
photosensitive composition
ethyl lactate
photoactive
Prior art date
Application number
KR1019900701386A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940007802B1 (ko
Inventor
이. 살라미 토마스
Original Assignee
폴 웨인스테인
올린 헌트 스페셜티 프로덕츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23027627&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR900702421(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 폴 웨인스테인, 올린 헌트 스페셜티 프로덕츠 인코포레이티드 filed Critical 폴 웨인스테인
Publication of KR900702421A publication Critical patent/KR900702421A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940007802B1 publication Critical patent/KR940007802B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents

Abstract

내용 없음

Description

주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸3-에록시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. (a)적어도 1종의 알칼리 가용성 결합제 수지, 바림직하게는 페놀성 노볼락 수지; (b)적어도 1종의 광활성 화합물, 바람직하게는 광활성 o-퀴논디아지드 화합물; 및(c)(a)와 (b)를 용해시키기에 충분한 양의, 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트를 포함하는 용매 혼합물의 혼합물로서 전체 고체 함량[즉 용매 혼합물(C)를 내외한다]을 기준으로 하여 결합제 수지의 양이 약 60중량% 내지 95중량%이고 광활성 화합물의 양이 약5중량% 내지 약 40중량%이고 에틸3-에톡시 프로피오내이트에 대한 에틸 락테이트의 중량 비율이 약30:70 내지 80:20임을 특징오로 하는, 포지티브 작용성 감광성 내식막으로서 유용한 감광성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 결합제 수지가 페놀성 노볼락 수지임을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 광활성 화합물이 o-퀴논디아지드 화합물임을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 감광성 조성물중의 전체 고체 함량을 기준으로 하여 o-퀴논디아지드 화합물(들)이 약 10중량% 내지 약25중량%의 양으로 존재하고 금속이 2중량% 내지 약 5중량%의 약으로 존재하는 감광성 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 용매, 화학선 및 가시선 콘트라스트 염료, 줄무늬 방지제 및 증속제로부터 선택된 적어도 하나의 물질에 의해 추가로 특징지워지는 감광성 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 에틸 3-에록시프로피오네이트에 대한 에틸 락테이트의 중량비율이 약 40:60 내지 약75:25임을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 에틸 3-에톡시프로피오네이트에 대한 에틸 락테이트의 중량비율이 약 50:50 내지 약 70:30임을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  8. (1)(a)적어도 1종의 알칼리 가용성 결합제 수지, 바람직하게는 페놀성 노볼락 수지: (b)적어도 1종의 광활성 화합물, 바람직하게는 광활성 o-퀴논디아지드 화합물: 및 (c) (a)와 (b)를 용해시키기에 충분한 양의 에틸 락테이트와 에틸 3-에록시 프로피오네이트를 포함하는 용매 혼합물의 혼합물로서 전체 고체 함량(즉, 용매 혼합물(c)를 제외한다)을 기준으로 하여 결합제 수지의 양이 약 60중량%내지 95중량%이고 광활성 화합물의 양이 약 5중량%내지 약 40중량%이고 에틸3-에록시 프로피오네이트에 대한 에틸락테이트의 중량 비율이 약30:70 내지 80:20임을 특징으로 하는, 포지티브 작용성 감광성 내식막으로서 유용한 감광성 조성물을 기판에 피복시키고; (2)기판 상의 피복물질을 조사선 에너지에 영상 노출시키고; (3)영상 노출된 피복된 기판을 용액 현상하여 피복물질에 영상 패턴을 생성시킴을 특징으로 하여 영상 노출된 포지티브 작용성 감광성 내식막 피복된 기관을 현상하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 기판이 직경이 적어도 약 6inch인 실리콘 웨이퍼임을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900701386A 1988-11-10 1989-11-08 주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막 KR940007802B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US269521 1981-06-01
US269.521 1988-11-10
US07/269,521 US4965167A (en) 1988-11-10 1988-11-10 Positive-working photoresist employing a selected mixture of ethyl lactate and ethyl 3-ethoxy propionate as casting solvent
PCT/US1989/005035 WO1990005325A1 (en) 1988-11-10 1989-11-08 Positive-working photoresists employing a selected mixture of ethyl lactate and ethyl 3-ethoxy propionate as casting solvent

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900702421A true KR900702421A (ko) 1990-12-07
KR940007802B1 KR940007802B1 (ko) 1994-08-25

Family

ID=23027627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900701386A KR940007802B1 (ko) 1988-11-10 1989-11-08 주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4965167A (ko)
EP (1) EP0442952B1 (ko)
JP (1) JP2589880B2 (ko)
KR (1) KR940007802B1 (ko)
AU (1) AU4638289A (ko)
WO (1) WO1990005325A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3900735A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-26 Hoechst Ag Neue mehrfunktionelle (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung
JP2645587B2 (ja) * 1989-03-29 1997-08-25 富士写真フイルム株式会社 微細パターン形成材料及び微細パターン形成方法
DE69032744T2 (de) * 1989-09-08 1999-06-02 Olin Microelectronic Chem Inc Vollständig substituierte novalak-polymere enthaltende strahlungsempfindliche zusammensetzungen
US5324620A (en) * 1989-09-08 1994-06-28 Ocg Microeletronic Materials, Inc. Radiation-sensitive compositions containing novolak polymers made from four phenolic derivatives and an aldehyde
US5426017A (en) * 1990-05-31 1995-06-20 Hoechst Celanese Corporation Composition and method for removing photoresist composition from substrates surfaces
US5108870A (en) * 1990-08-02 1992-04-28 Morton International, Inc. Positive-working photoresist composition containing purified broadband dye and process of using
US5446125A (en) * 1991-04-01 1995-08-29 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Method for removing metal impurities from resist components
US5446126A (en) * 1991-04-01 1995-08-29 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Method for removing metal impurities from resist components
US5378802A (en) * 1991-09-03 1995-01-03 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Method for removing impurities from resist components and novolak resins
US5346799A (en) * 1991-12-23 1994-09-13 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde
WO1993018438A1 (en) * 1992-03-06 1993-09-16 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist composition
US5221592A (en) * 1992-03-06 1993-06-22 Hoechst Celanese Corporation Diazo ester of a benzolactone ring compound and positive photoresist composition and element utilizing the diazo ester
US5234789A (en) * 1992-03-19 1993-08-10 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Polylactide compounds as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures containing o-quinonediazide photoactive compounds
US5300628A (en) * 1992-06-29 1994-04-05 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected chelate resins and their use to remove multivalent metal impurities from resist components
US5294263A (en) * 1992-08-21 1994-03-15 Rossi Technology Corporation Non-hazardous blends of propionates
KR100234532B1 (ko) * 1996-09-21 1999-12-15 윤종용 반도체 제조공정의 포토레지스트 세정용 시너 조성물 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법
KR100571721B1 (ko) * 2004-02-10 2006-04-17 삼성전자주식회사 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 제거 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5128001A (en) * 1974-08-29 1976-03-09 Polychrome Corp Kizaijono kankohifuku oyobi sonoseizoho
JPS6024545A (ja) * 1983-07-21 1985-02-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
US4550069A (en) * 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
JPS62123444A (ja) * 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
US4692398A (en) * 1985-10-28 1987-09-08 American Hoechst Corporation Process of using photoresist treating composition containing a mixture of a hexa-alkyl disilazane, propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate
US4845008A (en) * 1986-02-20 1989-07-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive positive working, o-guinone diazide presensitized plate with mixed solvent
EP0273026B2 (en) * 1986-12-23 2003-08-20 Shipley Company Inc. Solvents for Photoresist compositions
JPS63305348A (ja) * 1987-06-05 1988-12-13 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0814696B2 (ja) 1987-09-17 1996-02-14 富士写真フイルム株式会社 感光性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03504422A (ja) 1991-09-26
JP2589880B2 (ja) 1997-03-12
AU4638289A (en) 1990-05-28
EP0442952A1 (en) 1991-08-28
KR940007802B1 (ko) 1994-08-25
US4965167A (en) 1990-10-23
EP0442952B1 (en) 1993-02-10
WO1990005325A1 (en) 1990-05-17
EP0442952A4 (en) 1991-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900702421A (ko) 주형 용매로서 에틸 락테이트와 에틸 3-에톡시 프로피오네이트의 선택된 혼합물을 사용하는 포지티브 작용성 감광성 내식막
JPS5560944A (en) Image forming method
KR870009617A (ko) 접착촉진을 위한 광감성내식막 형성 방법
KR960032092A (ko) 증가된 감도를 갖는 포토레지스트 및 그의 용도
JPH0147774B2 (ko)
KR860008476A (ko) 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법
JPH0342461B2 (ko)
KR940005992A (ko) 기판 상에 패턴화된 폴리이미드 피막을 형성하는 방법
EP0076565A1 (en) Single exposure positive-working photopolymer element
JPS56162744A (en) Formation of fine pattern
KR960700306A (ko) 포토레지스트용 노볼락 수지 혼합물(novolak resin blends for photoresist applications)
KR890013459A (ko) 폴리설폰 차단층을 포함하는 감조사성 기록재료
KR890008606A (ko) 포지티브-워킹 포토레지스트 조성물
KR870004334A (ko) 방사선감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물
KR960008993A (ko) 반사방지막 형성재료, 레지스트패턴 형성방법 및 반도체장치의 제조방법
KR940000916A (ko) 염색된 i-선 양성 작용성 방사선 민감성 혼합물
US5171656A (en) Photosensitive composition
JPS6193445A (ja) 新規なフオトレジスト組成物
KR930020218A (ko) 방사선 감수성 조성물
KR890007120A (ko) 염료를 함유하는 양성-작용성 감광성 조성물 및 이러한 조성물로부터 제조된 양성-작용성 감광성 기록물질
US6284430B1 (en) Positive-working chemical-amplification photoresist composition and method for forming a resist pattern using the same
JPS616648A (ja) ポジ作用を有する放射線感受性塗布溶液
KR910012819A (ko) 감광성 수지 조성물 및 그의 사용방법
KR900003686A (ko) 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액
KR870004332A (ko) 감광성 내식막 처리용 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
O035 Opposition [patent]: request for opposition
E601 Decision to refuse application
O063 Decision on refusal after opposition [patent]: decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

Free format text: TRIAL NUMBER: 1996201000033; APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

E701 Decision to grant or registration of patent right
O073 Decision to grant registration after opposition [patent]: decision to grant registration
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee