KR960700306A - 포토레지스트용 노볼락 수지 혼합물(novolak resin blends for photoresist applications) - Google Patents

포토레지스트용 노볼락 수지 혼합물(novolak resin blends for photoresist applications)

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KR960700306A
KR960700306A KR1019950702690A KR19950702690A KR960700306A KR 960700306 A KR960700306 A KR 960700306A KR 1019950702690 A KR1019950702690 A KR 1019950702690A KR 19950702690 A KR19950702690 A KR 19950702690A KR 960700306 A KR960700306 A KR 960700306A
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KR
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novolak resins
less
photoresist composition
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positive photoresist
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KR1019950702690A
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토마스 제이. 린치
체스터 제이. 소보다차
대너 엘. 더럼
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버논 쥐. 베이커 2세
훽스트 셀라니즈 코오포레이숀
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Abstract

본 발명은 상대적 분자량이 상이하며, 용해 속도가 비슷한 2개의 노볼락을 포함하는, 수－불용성이고, 수성 알칼리 가용성인 노볼락 수지 혼합물, 상기 수지 혼합물 및 상기 수지 혼합물을 함유하는 포토레지스트를 제조하는 방법, 및 상기 포토레지스터를 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.

Description

포토레지스트용 노볼락 수지 혼합물(NOVOLAK RESIN BLENDS FOR PHOTORESIST APPLICATIONS)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 3개의 축이 각각 Lo－Cre/Xy1의 RMW, Hi－Cre/Xy1의 RMW, 및 Lo－Cre/Xy1 대 Hi－Cre/Xy1의 혼합율(%)인 정 6면체의 모서리, 면 및 중심을 도시한 것이다.
제2a도, 제2b도, 및 제2c도는 측정한 실시예 7 내지 26의 노볼락 수지 혼합물들의 용해 속도를 이용한 응답 표면을 도시한 것이다.
제3a도, 제3b도 및 제3c도는 혼합된 노볼락으로부터의 실시예 29 내지 48의 포토레지스트 샘플에 대한 보유된 포토레지스트의 웨이퍼상의 면적을 이용한 응답 표면을 도시한 것이다.
제4도는 (MWA－MWB)÷(DRA－DRB)의 이론적 응답 표면을 도시한 것이다.

Claims (40)

  1. 화학적 조성이 동일 또는 상이하고, 상대적 분자량 차이가 약 5%이상이며, 용해 속도차가 2.0 이하인 2개의 노볼락 수지의 혼합물을 형성시키는 단계를 포함하는, 수－불용성이고, 수성 알칼리 가용성인 노블록 수지 혼합물의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 석판 인쇄 성능(L)이 RMWa－RMWb/DRaDRb로서, 상기 값은 2.0이하인 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 10% 이상인 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 10 내지 60%인 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 25 내지 약 50%인 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 1.5이하인 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 1.0이하인 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 0.5이하인 제조 방법.
  9. 제2항에 있어서, L이 4.0이상인 제조 방법.
  10. 제2항에 있어서, L이 6.0이상인 제조 방법.
  11. 제2항에 있어서, L이 8.0이상인 제조 방법.
  12. a)포토레지스트 조성물을 균일하게 감광화시키기에 충분한 양의 감광화제 성분; b)화학적 조성이 동일 또는 상이하며, 상대적 분자량 차이가 5%이상이고, 용융 속도차가 2.0이하인 2개의 노볼락 수지들의 혼합물을 포함하는, 수－불용성이고, 수성 알칼리 가용성인 노볼락 수지; 및 c)적합한 용매의 혼합물의 포함하는 양성포토레지스트 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 석판 인쇄 성능(L)이 RMWa－RMWb/DRaDRb로서, 상기 값은 2.0이하인 양성 포토레지스트 조성물.
  14. 제12항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 10%이상인 양성포토레지스트 조성물.
  15. 제12항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 10 내지 약 60%인 양성 포토레지스트 조성물.
  16. 제12항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 25 내지 약 50%인 양성 포토레지스트 조성물.
  17. 제12항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 1.5이하인 양성 포토레지스트 조성물.
  18. 제12항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 1.0이하인 양성 포토레지스트 조성물.
  19. 제12항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 0.5이하인 양성 포토레지스트 조성물.
  20. 제13항에 있어서, L이 4.0 이상인 양성 포토레지스트 조성물.
  21. 제13항에 있어서, L이 6.0 이상인 양성 포토레지스트 조성물.
  22. 제13항에 있어서, L이 8.0 이상인 양성 포토레지스트 조성물.
  23. 제12항에 있어서, 상기 감광화제 성분이 알코올 또는 페놀 잔류물의 에스테르 및 설폰산 또는 설폰산 유도체인 양성 포토레지스트 조성물.
  24. 제12항에 있어서, 상기 용매가 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 부틸 아세테이트, 크실렌, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트, 에틸－3－에폭시 프로피오네이트, 및 에틸락게이트와 에틸－3－에톡시프로피오네이트의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 양성 포토레지스트 조성물.
  25. 제12항에 있어서, 상기 용매가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트인 양성 포토레지스트 조성물.
  26. a)포토레지스트 조성물을 감광화시키기에 충분한 양의 감광화제 성분; b)화학적 조성이 동일 또는 상이하며, 상대적 분자량 차이가 5%이상이고, 용융 속도차가 2.0 이하인 2개의 노블락 수지들의 혼합물을 포함하는, 수－불용성이고, 수성 알칼리 가용성인 노볼락 수지; 및 c)적합한 용매의 혼합물을 포함하는 양성－작용포토레지스트 조성물을 적합한 기재상에 코팅함으로써, 상기 기재상에 포토레지스트 영상을 형성시킨 후, 거의 모든 용매가 제거될 때까지 상기 코팅된 기재를 가열처리하고; 상기 감광화제 조성물을 영상화 방식으로 노출시키며; 상기 조성물중 영성화 방식으로 노출된 부위를 수정 알칼리 현상제로 제거함으로써 반도체 장치를 제조하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 석판 인쇄 성능(L)이 RMWa－RMWb/DRaDRb로서, 상기 값은 2.0이하인 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 10%이상인 제조 방법.
  29. 제26항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 10 내지 약 60%인 제조 방법.
  30. 제26항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 상대적 분자량 차이가 약 25 내지 약 50%인 제조 방법.
  31. 제26항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 1.5이하인 제조 방법.
  32. 제26항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 1.0이하인 제조 방법.
  33. 제26항에 있어서, 상기 2개의 노볼락 수지의 용해 속도차가 약 0.5이하인 제조 방법.
  34. 제27항에 있어서, L이 4.0이상인 제조 방법.
  35. 제27항에 있어서, L이 6.0이상인 제조 방법.
  36. 제27항에 있어서, L이 8.0이상인 제조 방법.
  37. 제26항에 있어서, 상기 감광화제 성분이 알코올 또는 페놀 잔류물의 에스테르 및 설폰산 또는 설폰산 유도체인 제조 방법.
  38. 제26항에 있어서, 상기 감광화제 성분이 알코올 또는 페놀 잔류물의 에스테르 및 설폰산 또는 설폰산 유도체인 제조 방법.
  39. 제26항에 있어서, 상기 용매가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트인 제조 방법.
  40. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950702690A 1992-12-29 1993-12-20 포토레지스트용 노볼락 수지 혼합물(novolak resin blends for photoresist applications) KR960700306A (ko)

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