KR870004334A - 방사선감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 - Google Patents

방사선감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR870004334A
KR870004334A KR1019860008978A KR860008978A KR870004334A KR 870004334 A KR870004334 A KR 870004334A KR 1019860008978 A KR1019860008978 A KR 1019860008978A KR 860008978 A KR860008978 A KR 860008978A KR 870004334 A KR870004334 A KR 870004334A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
weight
acetate
propylene glycol
ether
Prior art date
Application number
KR1019860008978A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950001004B1 (ko
Inventor
두람 다나
Original Assignee
마이클티. 크리민스
아메리칸 훽스트 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이클티. 크리민스, 아메리칸 훽스트 코포레이션 filed Critical 마이클티. 크리민스
Publication of KR870004334A publication Critical patent/KR870004334A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950001004B1 publication Critical patent/KR950001004B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

방사선감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (28)

  1. 노볼락 및 폴리비닐페놀로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 수직, 적어도 하나의 으-퀴논디아지드 광증감제 및 프로필렌글리콜 알킬에테르와 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트를 함유하여 균일한 용액을 형성하는 충분한 양의 용매조성물을 함유하는 방사선 감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 아세테이트 성분이 프로필렌 글리콜메틸에테르 아세테이트인 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 착색제, 찰흔방지제, 가소제, 접착촉진제, 속도증진제, 용매 및 계면활성제로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 함유하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 아세테이트/에테르 혼합물이 조성물의 용매부분의 중량을 기준으로 약 5내지 약 100중량%의 양으로 존재하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 수지가 조성물의 중량을 기준으로 약 5 내지 약40중량%의 양으로 존재하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 디아지드가 조성물 고체부분의 중량을 기준으로 약 5내지 약 35중량%의 양으로 존재하는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 디아지드성분이 하이드록시 또는 폴리하이드록시 아릴화합물, 아릴아민 또는 폴리아민과의 디아조설포닐-클로라이드 반응생성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 화합물을 하나 이상 함유하는 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 광증감제가 나프토퀴논-(1,2)-디아지드-(2)5-설포닐 클로라이드와 트리하이드록시벤조페논과의 축합생성물인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 아세테이트/에테르 혼합물이 조성물의 용매부분의 중량을 기준으로 약 100중량%의 양으로 존재하는 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 수지가 노볼락인 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 수지가 크레졸-포름알데히드 노볼락인 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 에테르가 프로필렌글리콜메틸에테르인 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 에테르 및 아세테이트가 약 1:10내지 약 10:1의 비율로 존재하는 조성물.
  14. 기관 및 기관상에 침착된 제1항의 조성물로 이루어진 감광성요소
  15. 제14항에 있어서, 기판이 실리콘, 알루미늄, 중합체 수지, 이산화실리콘, 도핑된 이산화실리콘, 질화실리콘, 구리, 탄탈륨, 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 성분으로 이루어진 요소.
  16. 노볼락 및 폴리비닐페놀로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 수지, 적어도 하나의 으-퀴논 디아지드감광제 및 프로필렌글리콜 알킬 에테르 및 프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트의 혼합물로 이루어진 용매 조성물을 함유하는 조성물을 형성하고, 기판상에 피복한 다음 실제로 접착성은 없지만 건조된 피복물중량을 기준으로 약 1내지 약 30중량%의 잔유용매를 함유하도록 조성물을 건조시키고, 영상 에너지에 조성물을 영상노출시킨 다음, 수성 알칼리 현상액으로 노출된 부위를 제거함을 특징으로 하여 감광성 내식막을 제조하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 아세테이트 성분이 프로필렌글리콜 메틸 에테르 아세테이트인 방법.
  18. 제16항에 있어서, 에테르 성분이 프로필렌글리콜 메틸 에테르인 방법.
  19. 제16항에 있어서, 조성물이 착색제, 찰흔방지제, 가소제, 접착촉진제, 속도증진제, 용매 및 계면활성제로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 함유하는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 아세테이트/에테르혼합물이 조성물의 용매부분의 중량을 기준으로 약 5내지 약100중량%의 양으로 존재하는 방법.
  21. 제16항에 있어서, 수지가 조성물의 중량을 기준으로 약 5내지 약 40중량 %의 양으로 존재하는 방법.
  22. 제16항에 있어서, 디아지드가 조성물의 고체부분의 중량을 기준으로 약 5내지 약 35중량%의 양으로 존재하는 방법.
  23. 제16항에 있어서, 아지드 성분이 하이드록시 또는 폴리하이드록시 아릴화합물, 아릴아민 또는 폴리아민과의 디아조설포닐-클로라이드반응 생성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 화합물을 하나 이상 함유하는 방법.
  24. 제16항에 있어서, 수지가 노볼락수지인 방법.
  25. 제16항에 있어서, 기관이 실리콘, 알루미늄, 중합체수지, 이산화실리콘, 도핑된 이산화실리콘, 질화실리콘, 탄탈륨, 구리, 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 성분으로 이루어진 방법.
  26. 제16항에 있어서, 광증감제가 나프토퀴논-(1,2)-디아지드-(2)5-설포닐 클로라이드와 트리하이드록시 벤조페논과의 축합생성물인 방법.
  27. 제16항에 있어서 아세테이트/에테르혼합물이 조성물의 용매부분의 중량을 기준으로 적어도 50중량%의 양으로 용매조성물에 존재하는 방법.
  28. 제16항에 있어서, 에테르 및 아세테이트가 약 1:10 내지 약 10:1의 비율로 용매조성물에 존재하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860008978A 1985-10-28 1986-10-27 방사선 감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 및 감광성 내식막을 제조하는 방법 KR950001004B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US79188085A 1985-10-28 1985-10-28
US791,880 1985-10-28
US791.880 1985-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870004334A true KR870004334A (ko) 1987-05-08
KR950001004B1 KR950001004B1 (ko) 1995-02-06

Family

ID=25155071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860008978A KR950001004B1 (ko) 1985-10-28 1986-10-27 방사선 감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 및 감광성 내식막을 제조하는 방법

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0220645B1 (ko)
JP (1) JPS62105137A (ko)
KR (1) KR950001004B1 (ko)
AT (1) ATE56545T1 (ko)
DE (1) DE3674141D1 (ko)
HK (1) HK80091A (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63303343A (ja) * 1987-06-03 1988-12-09 Konica Corp 感光性組成物及び感光性平版印刷版
JP2719912B2 (ja) * 1987-05-07 1998-02-25 コニカ株式会社 感光性平版印刷版
JPS63276047A (ja) * 1987-05-07 1988-11-14 Konica Corp 感光性組成物及び感光性平版印刷版
JPS6477051A (en) * 1987-06-03 1989-03-23 Konishiroku Photo Ind Photosensitive composition and photosensitive planographic printing plate
JP2806474B2 (ja) * 1987-07-28 1998-09-30 三菱化学株式会社 感光性組成物
JPH01116537A (ja) * 1987-10-29 1989-05-09 Konica Corp 感光性組成物
JPH01250945A (ja) * 1988-03-30 1989-10-05 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JPH0229750A (ja) * 1988-07-20 1990-01-31 Mitsubishi Kasei Corp 感光性組成物および感光性平版印刷版
JP2947519B2 (ja) * 1988-10-03 1999-09-13 コニカ株式会社 感光性平版印刷版
JP2584311B2 (ja) * 1989-03-20 1997-02-26 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
US5558227A (en) * 1991-07-18 1996-09-24 Hakamada; Ikuhiro Sealed container having a calendar function
JP4209297B2 (ja) * 2003-10-06 2009-01-14 東京応化工業株式会社 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JP5329999B2 (ja) * 2009-01-29 2013-10-30 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 パターン形成方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3040156A1 (de) * 1980-10-24 1982-06-03 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und damit hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DK241885A (da) * 1984-06-01 1985-12-02 Rohm & Haas Fotosensible belaegningssammensaetninger, termisk stabile belaegninger fremstillet deraf og anvendelse af saadanne belaegninger til dannelse af termisk stabile polymerbilleder
DE3582697D1 (de) * 1984-06-07 1991-06-06 Hoechst Ag Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung.
DE3421160A1 (de) * 1984-06-07 1985-12-12 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung
US4550069A (en) * 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
DE3437687A1 (de) * 1984-10-15 1986-04-17 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zum herstellen negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
ATE47631T1 (de) * 1985-03-11 1989-11-15 Hoechst Celanese Corp Verfahren zum herstellen von photoresiststrukturen.

Also Published As

Publication number Publication date
ATE56545T1 (de) 1990-09-15
HK80091A (en) 1991-10-18
DE3674141D1 (de) 1990-10-18
KR950001004B1 (ko) 1995-02-06
JPS62105137A (ja) 1987-05-15
EP0220645A3 (en) 1987-08-26
JPH0459630B2 (ko) 1992-09-22
EP0220645A2 (de) 1987-05-06
EP0220645B1 (de) 1990-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870004334A (ko) 방사선감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물
JP2623309B2 (ja) レジストパターンを得る方法
KR870011504A (ko) 신규의 혼합 에스테르-함유 감광제 조성물
KR950704382A (ko) 원료 물질내의 금속 이온을 감소시키는 방법(Metal lon reduction in the raw materials)
KR880005074A (ko) 양성다층 감광성 내식막
KR870011503A (ko) 혼합 에스테르 o-퀴논 감광제
KR870002479A (ko) 영상 반전 음화 작업용 감광성 내식막
US5314782A (en) Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative
KR970028826A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
US4692398A (en) Process of using photoresist treating composition containing a mixture of a hexa-alkyl disilazane, propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate
KR960700306A (ko) 포토레지스트용 노볼락 수지 혼합물(novolak resin blends for photoresist applications)
KR930021602A (ko) 시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물
US4992596A (en) Selected trinuclear novolak oligomers and their use in photoactive compounds and radiation sensitive mixtures
KR870004331A (ko) 포지티브 감광성 내식막의 제조방법
JPH02103543A (ja) ポジ型レジスト用組成物
KR910020501A (ko) 음화 작용 사진 요소 및 이의 제조방법
KR870011502A (ko) 감광제 조성물
JP2569669B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
KR950704383A (ko) 노볼락 수지의 분자량을 조절하기 위하여 루이스 염기를 사용하는 방법(using alewis base to control molecular weight of nivolak resins)
KR890002712A (ko) 쿠르쿠민을 함유하는 영상반전 네가티브 작용성 포토레지스트
US4992356A (en) Process of developing a radiation imaged product with trinuclear novolak oligomer having o-naphthoquinone diazide sulfonyl group
KR860007562A (ko) 사진용 소재의 제조방법
US4806458A (en) Composition containing a mixture of hexa-alkyl disilazane and propylene glycol alkyl ether and/or propylene glycol alkyl ether acetate
US4105450A (en) Spectrally sensitized positive light-sensitive o-quinone diazide containing composition
EP0633499A1 (en) Radiation sensitive resist composition

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060106

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term