KR930021602A - 시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents
시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930021602A KR930021602A KR1019930005314A KR930005314A KR930021602A KR 930021602 A KR930021602 A KR 930021602A KR 1019930005314 A KR1019930005314 A KR 1019930005314A KR 930005314 A KR930005314 A KR 930005314A KR 930021602 A KR930021602 A KR 930021602A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- general formula
- substituted
- compounds
- positive photoresist
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/96—Esters of carbonic or haloformic acids
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/11—Vinyl alcohol polymer or derivative
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/12—Nitrogen compound containing
- Y10S430/121—Nitrogen in heterocyclic ring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/122—Sulfur compound containing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 하기 시클릭 카보네이트 화합물, 알칼리 용해성 수지 및 광유도 산 전구체로 이루어진 포지티브 포토레지스트 조성물 뿐만아니라 화학적으로 증폭된 포지 티브 포토테지스트에 사용하기 위한 용해 억제제로서 유용한 하기 구조식 (5)로 표시되는 시클릭 카보네이트 화합물 등의 제조방법을 제공한다. 본 조성물은 해상력, 형상,감도등과 같은 성능면에서 우수한 포지티브 포토레지스트를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예1 화합물의 H1-NMR을 나타낸 도면이다.
제2도는 제1도의 7PPM 부근에 나타난 큰 피크를 나타낸 도면 이다.
Claims (8)
- 하기 일반식(1)로 표시되는 시클릭 카보네이트 화합물.[상기 식에서, Rl내지 R9는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 치환되거나 또는 치환되지 않은 직쇄 또는 측쇄인 알킬 또는 알케닐기, 3급-부톡시카르보닐옥시기, 또는 아세틸기를 나타내고, 단, R1내지 R4중의 적어도 하나는 3급-부톡시카르보닐옥시기이며, R5내지 R9중의 적어도 하나도 3급-부톡시카르보닐옥시기 임].
- 제1항의 일반식(1)로 표시되는 용해 억제제.
- 하기 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 화합물을 디-3급-부틸디카보네이트와 영기성 촉매 존재하에서 반응시키는것을 특징으로 하는 제1항 기재의 일반식 (1)로 표시되는 화합물의 제조방법.[상기 식에서, Z1내지, Z9는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 치환되거나 또는 치환되지 않는 직쇄 또는 측쇄인 알킬 또는 알케닐기, -OH기 토는 아세틸기를 나타내고, 단, Z1내지 Z4중의 적어도 하나는 ―OH기이고, Z5내지 R9중의 적어도 하나도 -OH기임).
- 제1항 기재의 시클릭 카보네이트 화합물, 알칼리 용해성 수지 및 광유도산 전구체로 이루어지는 포지티브포토레지스트 조성물.
- 제4항에 있어서. 상기 알칼리 용해성 수지는, 하기 일반식 (Ⅱ)으로 표시되는 화합물올 함유하는 페놀성분과알데히드 성분의 축합반응을 통해 얻어질 수 있는 노보락 수지 또는 폴리비닐 페놀인 것을 특징으로 하는 프지티브 포토레지스트 조성물.[상기 식에서, Y1내지 Y9는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 치환되거나 또는치환되지 않은 직쇄 또는 측쇄인 알킬 또는 아케닐기, -OH기 또는 아세틸기를 나타내고, 단, Y1내지 Y9증의 적어도 하나는 ―OH기이고, 적어도 두개의 수소원자가 상기 -OH기의 O- 또는 P-위치에 부착되어 있음.]
- 제5항에 있어서, 상기 광유도 산 겐구체는 하기 일반식 (IV)로 표시되는 N-히도록시이미드 화합물의 술폰산 에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스드 조성물.[상기 식에서, R10은 치환되거나또는 치환되지 않은 아릴렌, 알킬렌 또는 알케닐렌기를 나타내고, Rll은 치환되거나 또는 치환되지 않은 알킬 또는 아릴기를 나타냄].
- 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 광유도 산 전구체는 하기 일반식 (V)로 표시되는 에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.[상기 식에서, R12는 치환되거나 또는 치환되지 않은 알킬 또는 아릴기를 나타내고, n은 1 내지 3의 정수임].
- 제5항에 있어서, 상기 일반식(Ⅲ)의 화합물은, 식중의 적어도 하나의 Yl내지 Y4가 -OH기이고, 적어도 하나의 Y5내지 Z9도 -OH기인 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP92-090770 | 1992-04-10 | ||
JP9077092 | 1992-04-10 | ||
JP5005792A JPH0692909A (ja) | 1992-04-10 | 1993-01-18 | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 |
JP93-005792 | 1993-01-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930021602A true KR930021602A (ko) | 1993-11-22 |
Family
ID=26339792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930005314A KR930021602A (ko) | 1992-04-10 | 1993-03-31 | 시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5397679A (ko) |
EP (1) | EP0569707B1 (ko) |
JP (1) | JPH0692909A (ko) |
KR (1) | KR930021602A (ko) |
CA (1) | CA2092783A1 (ko) |
DE (1) | DE69303973T2 (ko) |
MX (1) | MX9302019A (ko) |
TW (1) | TW268107B (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0537524A1 (en) | 1991-10-17 | 1993-04-21 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions and methods |
KR100302651B1 (ko) * | 1992-10-21 | 2001-11-22 | 무네유키 가코우 | 양성감광성조성물 |
US5876895A (en) * | 1992-12-24 | 1999-03-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photosensitive resin composition for color filter |
JPH06214395A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
KR960015081A (ko) * | 1993-07-15 | 1996-05-22 | 마쯔모또 에이이찌 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
JP3393915B2 (ja) * | 1994-03-04 | 2003-04-07 | 住友化学工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
DE69525883T2 (de) * | 1994-07-04 | 2002-10-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positiv-photoresistzusammensetzung |
JPH0934112A (ja) * | 1995-05-12 | 1997-02-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP3382081B2 (ja) * | 1995-06-01 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | レジストおよびこれを用いたパターン形成方法 |
JPH0962005A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型感光性組成物 |
US6200725B1 (en) | 1995-06-28 | 2001-03-13 | Fujitsu Limited | Chemically amplified resist compositions and process for the formation of resist patterns |
JPH09166871A (ja) | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
US5821345A (en) * | 1996-03-12 | 1998-10-13 | Shipley Company, L.L.C. | Thermodynamically stable photoactive compound |
JP3376222B2 (ja) * | 1996-10-25 | 2003-02-10 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射線感応性組成物 |
JP3353292B2 (ja) * | 1999-03-29 | 2002-12-03 | 日本電気株式会社 | 化学増幅系レジスト |
US8158329B2 (en) * | 2008-12-11 | 2012-04-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Compound and chemically amplified resist composition containing the same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69027799T2 (de) * | 1989-03-14 | 1997-01-23 | Ibm | Chemisch amplifizierter Photolack |
JP2715327B2 (ja) * | 1990-01-19 | 1998-02-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JPH04230754A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-08-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト用組成物 |
DE69121790T2 (de) * | 1990-05-24 | 1997-04-10 | Sumitomo Chemical Co | Positivresistzusammensetzung |
JP2961947B2 (ja) * | 1990-06-05 | 1999-10-12 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JPH0534914A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JP2655384B2 (ja) * | 1991-11-08 | 1997-09-17 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US5242734A (en) * | 1991-11-19 | 1993-09-07 | Rubin Richard J | Information-conveying protective strip assembly |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP5005792A patent/JPH0692909A/ja active Pending
- 1993-03-26 CA CA002092783A patent/CA2092783A1/en not_active Abandoned
- 1993-03-31 KR KR1019930005314A patent/KR930021602A/ko active IP Right Grant
- 1993-04-07 MX MX9302019A patent/MX9302019A/es not_active IP Right Cessation
- 1993-04-08 DE DE69303973T patent/DE69303973T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-08 EP EP93105822A patent/EP0569707B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-08 TW TW082102615A patent/TW268107B/zh active
- 1993-04-09 US US08/044,482 patent/US5397679A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-05 US US08/223,115 patent/US5420331A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0569707B1 (en) | 1996-08-14 |
TW268107B (ko) | 1996-01-11 |
CA2092783A1 (en) | 1993-10-11 |
MX9302019A (es) | 1994-06-30 |
EP0569707A3 (ko) | 1994-01-05 |
DE69303973D1 (de) | 1996-09-19 |
JPH0692909A (ja) | 1994-04-05 |
US5420331A (en) | 1995-05-30 |
EP0569707A2 (en) | 1993-11-18 |
DE69303973T2 (de) | 1997-03-27 |
US5397679A (en) | 1995-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR930021602A (ko) | 시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
KR960008428A (ko) | 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물 | |
JPS561044A (en) | Photosensitive composition | |
KR970028825A (ko) | 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 | |
KR890004201A (ko) | 포지티브 방사선-감수성 혼합물 | |
KR100233368B1 (ko) | 화학증폭 포지형 레지스트 조성물 | |
KR840001145A (ko) | 피리다진의 아미노 화합물의 제조방법 | |
KR970028826A (ko) | 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 | |
KR920015158A (ko) | 네거티브 포토레지스트 조성물 | |
PH21005A (en) | Negative photoresist compositions with polyglutarimide polymer | |
KR870011502A (ko) | 감광제 조성물 | |
KR960015085A (ko) | 퀴논디아지드의 합성법 및 이것을 함유하는 포지형 레지스트 | |
KR20010009339A (ko) | 카르복시산 유도체 및 그 제조방법 | |
KR900003678A (ko) | 감광제 및 그 감광제를 사용한 감광성 수지조성물 및 그의 감광성 수지조성물을 사용한 패턴형성방법 | |
KR920702890A (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR920020260A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR930022148A (ko) | 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
KR960007553A (ko) | 퀴논디아지드술폰산 에스테르 및 이를 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
KR950033676A (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
EP0564997A3 (en) | Positive photoresist composition | |
KR930006068A (ko) | 노볼락 수지 및 이의 제조방법 | |
KR950012153A (ko) | 포지티브형 단편 조성물 및 패턴형성방법 | |
KR940003950A (ko) | 다가 페놀 화합물의 제조방법 | |
KR960001890A (ko) | 폴리히드록시 화합물 및 이를 함유하는 포지티브레지스트 조성물 | |
KR970028845A (ko) | 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
NORF | Unpaid initial registration fee |