KR930022148A - 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents
포지티브 포토레지스트 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930022148A KR930022148A KR1019930005315A KR930005315A KR930022148A KR 930022148 A KR930022148 A KR 930022148A KR 1019930005315 A KR1019930005315 A KR 1019930005315A KR 930005315 A KR930005315 A KR 930005315A KR 930022148 A KR930022148 A KR 930022148A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- substituted
- photoresist composition
- positive photoresist
- unsubstituted
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/96—Esters of carbonic or haloformic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D205/00—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D205/02—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D205/10—Heterocyclic compounds containing four-membered rings with one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
본 발명은 하기 일반식(I)로 표시되는 화합물과 알데히드의 축합반응을 통해 얻어지는 알칼리 용해성 수지, 용해 억제제 및 광유도 산 전구체로 이루어지는 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다.
[상기 식에서, R1내지 R9는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, -OH기등을 나타내고; 단, R1내지 R9중의 적어도 하나는 -OH기이고, 적어도 2개의 수소원자가 상기 -OH기의 o- 또는 p-위치에 부착되어 있음]
본 포지티브 포토레지스트 조성물은 해상력, 형상, 감도등과 같은 성능면에서 우수하다.
Description
내용없음
Claims (6)
- 하기 일반식(I)로 표시되는 화합물을 포함한 페놀화합물과 알데히드 성분의 축합반응을 통해 얻어질 수 있는 알칼리 용해성 수지, 용해 억제제 및 광유도 산 전구체로 이루어지는 포지티브 포토레지스트 조성물.[상기 식에서, R1내지 R9는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 치환되거나 또는 치환되지 않은 직쇄 또는 측쇄인 알킬 또는 알케닐기, -OH기 또는 치환되거나 치환되지 않은 알킬카르보닐기를 나타내고; 단, R1내지 R9중의 적어도 하나는 -OH기이고, 적어도 2개의 수소원자가 상기 -OH기의 o-또는 p-위치에 부착되어 있음]
- 제1항에 있어서, 상기 용해 억제제가 3급-부톡시카르보닐옥시기에 의해 치환된 벤젠링을 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
- 제2항에 있어서, 3급-부톡시카르보닐옥시기에 의해 치환된 벤젠링을 함유하는 상기 화합물이 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.[상기 식에서, R10내지 R17은 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 치환되거나 또는 치환되지 않은 직쇄 또는 측쇄인 알킬 또는 알케닐기 또는 치환되거나 또는 치환되지 않은 알킬카르보닐기를 나타내고; A는 -O-, -SO2-또는 탄소수 1 내지 6의 치환되거나 또는 치환되지 않은 알킬렌기를 나타냄]
- 제1항 내지 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 광유도 산 전구체는 하기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 N-히드록시이미드 화합물의 술폰상 에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.[상기 식에서, R18은 치환되거나 또는 치환되지 않은 아릴렌, 알킬렌 또는 알케닐렌기를 나타내고, R19는 치환되거나 또는 치환되지 않은 알킬 또는 아릴기를 나타냄]
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 광유도 산 전구체가 하기 일반식(Ⅳ)로 표시되는 에스테르인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.[상기 식에서, R20은 치환되거나 또는 치환되지 알킬 또는 아릴기를 나타내고, n은 1 내지 3의 정수임]
- 제1항에 있어서, 상기 일반식(I)의 화합물은, 식중의 적어도 하나의 R1내지 R4가 -OH기이고, 적어도 하나의 R5내지 R9도 -OH기인 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP92-090771 | 1992-04-10 | ||
JP9077192 | 1992-04-10 | ||
JP5005793A JPH05341531A (ja) | 1992-04-10 | 1993-01-18 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP93-005793 | 1993-01-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930022148A true KR930022148A (ko) | 1993-11-23 |
Family
ID=14007871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930005315A KR930022148A (ko) | 1992-04-10 | 1993-03-31 | 포지티브 포토레지스트 조성물 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05341531A (ko) |
KR (1) | KR930022148A (ko) |
TW (1) | TW333620B (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3393915B2 (ja) * | 1994-03-04 | 2003-04-07 | 住友化学工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
JPH0934112A (ja) * | 1995-05-12 | 1997-02-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JPH09166871A (ja) | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP5005793A patent/JPH05341531A/ja active Pending
- 1993-03-31 KR KR1019930005315A patent/KR930022148A/ko active IP Right Grant
- 1993-04-08 TW TW082102586A patent/TW333620B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW333620B (en) | 1998-06-11 |
JPH05341531A (ja) | 1993-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960706524A (ko) | 실란 교차결합 촉매로서의 폴리에틸렌 양립성 술폰산(polyethylene compatible sulphonic acids as silane crosslinking catalysts) | |
KR930021602A (ko) | 시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
KR970028826A (ko) | 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 | |
KR880011623A (ko) | 감광 조성물 | |
KR920015158A (ko) | 네거티브 포토레지스트 조성물 | |
ATE366952T1 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche polyimidvorstufen-zusammensetzung | |
KR920701869A (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR880002050A (ko) | 고내열성 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
KR920018040A (ko) | 다가 페놀 화합물 및 그것을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR970022549A (ko) | 포지티브 내식막 조성물 및 감광제 | |
KR920001243A (ko) | 포지티브 감 방사선성 레지스트 조성물 | |
KR900002125A (ko) | 내식막 조성물 | |
KR870007446A (ko) | 감광성 조성물 | |
KR930022148A (ko) | 포지티브 포토레지스트 조성물 | |
KR920702890A (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR960042214A (ko) | 포지티브형 내식막 조성물 | |
KR920000010A (ko) | 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR930022147A (ko) | 네가티브형 감광성 내식막 조성물 | |
KR960038487A (ko) | 파지티브 포토레지스트 조성물 | |
KR930023767A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR920020260A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR880000499A (ko) | 열가소성 폴리에스테르 수지조성물 | |
KR870010099A (ko) | 트리스페놀 및 디사이클로펜타디엔으로부터 제조된 에폭시수지 | |
EP0564997A3 (en) | Positive photoresist composition | |
KR960001890A (ko) | 폴리히드록시 화합물 및 이를 함유하는 포지티브레지스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
NORF | Unpaid initial registration fee |