KR920015158A - 네거티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents

네거티브 포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR920015158A
KR920015158A KR1019920001482A KR920001482A KR920015158A KR 920015158 A KR920015158 A KR 920015158A KR 1019920001482 A KR1019920001482 A KR 1019920001482A KR 920001482 A KR920001482 A KR 920001482A KR 920015158 A KR920015158 A KR 920015158A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substituted
group
unsubstituted
general formula
compound
Prior art date
Application number
KR1019920001482A
Other languages
English (en)
Inventor
유지 우에다
히로미 우에끼
나오끼 다께야마
다께히로 구스모또
Original Assignee
모리 히데오
스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP6621591A external-priority patent/JP2959160B2/ja
Priority claimed from JP3079742A external-priority patent/JP2985351B2/ja
Priority claimed from JP3247396A external-priority patent/JPH0588366A/ja
Application filed by 모리 히데오, 스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 모리 히데오
Publication of KR920015158A publication Critical patent/KR920015158A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/04—Chromates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/115—Cationic or anionic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/122—Sulfur compound containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

네거티브 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 알데히드와 다음 일반식(Ⅰ)의 화합물을 함유하는 페놀 화합물을 축합 반응시켜 얻어질 수 있는 알칼리-가용성 수지; 가교결합제; 및 광-산 발생제(photo-acid generator)를 함유함을 특징으로하는 네거티브 포트레지스트 조성물.
    상기식에서, R1내지 R9는 독립적으로 수소원자, 치환되거나 비치환된 알킬기, 치환되거나 비치환된 알케닐기, 치환되거나 비치환된 알킬카르보닐기, 할로겐원자 또는 히드록실기이지만, 단 R1내지 R9중 적어도 하나는 히드록실기이고 이러한 히드록실기의 오르토- 또는 파라- 위치에 적어도 2개의 수소원자들이 존재한다.
  2. 제1항에 있어서, 가교결합제가 하기 일반식(2)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
    상기식에서, Z는 -NRR' 또는 치환되거나 비치환된 아릴기이며, 여기서 R, R' 및 X1내지 X4는 독립적으로 수소원자 또는 일반식 : -CH2OH 또는 -CH2OR"(R"는 알킬기이다)의 기를 나타낸다.
  3. 제1항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(3)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
    상기식에서, Y1및 Y2는 독립적으로 수소원자, 일킬기, 알케닐기 또는 알콕실기이다.
  4. 제1항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(4)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
    상기식에서, Y3, Y4및 Y5는 독립적으로 치환되거나 비치환된 알킬기, 치환되거나 비치환된 아릴기, 치환되거나 비치환된 알케닐기, 치환되거나 비치환된 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 피페리디노기, 또는 일반식;, -OY8또는 -SY9(여기서, Y8내지 Y9는 독립적으로 수소원자, 치환되거나 비치환된 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 아릴기이다)의 기인데, 단, Y3, Y4및 Y5중의 적어도 하나는 모노 -, 디- 또는 트리 - 하로겐화 메틸기이다.
  5. 제1항에 있어서, 광-산 발생제가 트리플루오르메탄술폰산 에스테르기를 갖는 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(5)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
    CF3SO2O-(CH2)n-Y10
    상기식에서, Y10은 치환되거나 비치환된 아릴기이고 n은 0 또는 1이다.
  7. 제5항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(6)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
    상기식에서, Y11는 및 Y12는 독립적으로 수소원자, 비치환된 아릴기, 치환되거나 비치환된 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 알콜실기이고, Y13은 치환되거나 비치환된 아릴기이며, n'는 1또는 2이다.
  8. 제5항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(7)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
    상기식에서 Y14는 치환되거나 비치환된 알킬기이며, Y15는 치환되거나 비치환된 아릴기이다.
  9. 제5항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(8)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
    상기식에서 Y16은 수소원자, 치환되거나 비치환된 아릴기 또는 치환되거나 비치환된 알킬기이고, Y17은 치환되거나 비치환된 아릴기를 나타낸다.
  10. 알칼기-가용성 수지, 가교결합제 및 트리플루오로메탄술폰산 에스테르기를 갖는 광-산 발생제를 함유함을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920001482A 1991-01-31 1992-01-31 네거티브 포토레지스트 조성물 KR920015158A (ko)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-10772 1991-01-31
JP1077291 1991-01-31
JP6621591A JP2959160B2 (ja) 1991-01-31 1991-03-29 ネガ型フォトレジスト組成物
JP91-66215 1991-03-29
JP3079742A JP2985351B2 (ja) 1991-04-12 1991-04-12 ネガ型フォトレジスト組成物
JP91-79742 1991-04-12
JP3247396A JPH0588366A (ja) 1991-09-26 1991-09-26 ネガ型フオトレジスト組成物
JP91-247396 1991-09-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920015158A true KR920015158A (ko) 1992-08-26

Family

ID=27455458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920001482A KR920015158A (ko) 1991-01-31 1992-01-31 네거티브 포토레지스트 조성물

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5304456A (ko)
EP (1) EP0497342B1 (ko)
KR (1) KR920015158A (ko)
CA (1) CA2060228A1 (ko)
DE (1) DE69226456T2 (ko)
TW (1) TW207009B (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2092774A1 (en) * 1992-04-10 1993-10-11 Yuji Ueda Positive photoresist composition
JPH06236024A (ja) * 1992-09-24 1994-08-23 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
WO1994014892A1 (en) * 1992-12-24 1994-07-07 Sumitomo Chemical Company, Limited Photosensitive resin composition for color filter
US5876895A (en) * 1992-12-24 1999-03-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Photosensitive resin composition for color filter
DE4302681A1 (de) * 1993-02-01 1994-08-04 Hoechst Ag Sulfonsäureester, damit hergestellte strahlungsempfindliche Gemische und deren Verwendung
JPH06308729A (ja) * 1993-04-19 1994-11-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
TW288112B (ko) * 1993-06-02 1996-10-11 Sumitomo Chemical Co
US5637440A (en) * 1993-12-27 1997-06-10 Mitsubishi Materials Corporation Composition for forming metal oxide thin film pattern and method for forming metal oxide thin film pattern
JP2776273B2 (ja) * 1994-01-31 1998-07-16 日本電気株式会社 ビニル基を有する単量体
JPH07307444A (ja) * 1994-05-16 1995-11-21 Mitsubishi Materials Corp 不揮発性強誘電体薄膜メモリのパターン形成方法
EP0795789B1 (en) * 1996-03-11 2000-02-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Negative type image recording material
US6068963A (en) * 1997-01-20 2000-05-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Negative-type image recording materials
US6323287B1 (en) * 1999-03-12 2001-11-27 Arch Specialty Chemicals, Inc. Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 NM lithography
EP1739485B1 (en) * 2004-04-15 2016-08-31 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition
US7573063B1 (en) 2008-05-15 2009-08-11 Xerox Corporation Organic thin film transistors
US9541834B2 (en) * 2012-11-30 2017-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ionic thermal acid generators for low temperature applications
US9983475B2 (en) 2016-08-12 2018-05-29 International Business Machines Corporation Fluorinated sulfonate esters of aryl ketones for non-ionic photo-acid generators
US9950999B2 (en) 2016-08-12 2018-04-24 International Business Machines Corporation Non-ionic low diffusing photo-acid generators

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3288864A (en) * 1962-05-11 1966-11-29 Union Carbide Corp Reaction products of isopropenyl phenols and of linear dimers thereof
US3987037A (en) * 1971-09-03 1976-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Chromophore-substituted vinyl-halomethyl-s-triazines
DE2718259C2 (de) * 1977-04-25 1982-11-25 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliches Gemisch
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
DK241885A (da) * 1984-06-01 1985-12-02 Rohm & Haas Fotosensible belaegningssammensaetninger, termisk stabile belaegninger fremstillet deraf og anvendelse af saadanne belaegninger til dannelse af termisk stabile polymerbilleder
US4929536A (en) * 1985-08-12 1990-05-29 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
JPH0693117B2 (ja) * 1986-08-08 1994-11-16 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US4837128A (en) * 1986-08-08 1989-06-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive composition
JPH01293339A (ja) * 1988-05-23 1989-11-27 Tosoh Corp フォトレジスト組成物
JPH02120366A (ja) * 1988-10-31 1990-05-08 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法
CA2015721A1 (en) * 1989-05-12 1990-11-12 Karen Ann Graziano Method of using highly branched novolaks in photoresists
JP2566170B2 (ja) * 1989-12-28 1996-12-25 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
DE3943413A1 (de) * 1989-12-30 1991-07-04 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefstrukturen

Also Published As

Publication number Publication date
EP0497342B1 (en) 1998-08-05
DE69226456T2 (de) 1999-04-29
TW207009B (ko) 1993-06-01
EP0497342A3 (en) 1992-09-30
CA2060228A1 (en) 1992-08-01
DE69226456D1 (de) 1998-09-10
US5304456A (en) 1994-04-19
EP0497342A2 (en) 1992-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920015158A (ko) 네거티브 포토레지스트 조성물
KR960008428A (ko) 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물
KR900018746A (ko) 공중합체 결합제를 사용한 감광성 내식막
KR840001484A (ko) 제막(除膜) 조성물 및 내막식(耐膜蝕) 제거방법
KR910006776A (ko) 포지티브-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선-감수성 복사물질
KR910006777A (ko) 포지티브-작용성 감조사성 혼합물 및 이로부터 제조된 감조사성 복사물질
KR950001415A (ko) 포토레지스트 조성물
KR930004809A (ko) 네거티브 감광성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법
KR930010622A (ko) 네가티브형 레지스터 조성물
KR920004450A (ko) 광중합성 조성물 및 이 조성물을 사용하여 제조한 광중합성 기록물질
KR890004201A (ko) 포지티브 방사선-감수성 혼합물
KR890002714A (ko) 포지티브 포토레지스트조성물
KR880011623A (ko) 감광 조성물
KR970028826A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR920001243A (ko) 포지티브 감 방사선성 레지스트 조성물
KR930021602A (ko) 시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물
KR970022549A (ko) 포지티브 내식막 조성물 및 감광제
KR920701869A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR900002125A (ko) 내식막 조성물
KR920702890A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR890000927A (ko) 1,2 나프토퀴논-디아지드계 감광성 혼합물, 이로부터 제조된 기록재료 및 이의 용도
KR930001010A (ko) 방사선-감수성 설폰산 에스테르 및 이의 용도
KR920018040A (ko) 다가 페놀 화합물 및 그것을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물
KR870009255A (ko) 감광성 조성물
KR920019729A (ko) 산-분해성 화합물, 이를 함유하는 양성-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조한 방사선-감수성 기록물질

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application