KR920015158A - 네거티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (10)
- 알데히드와 다음 일반식(Ⅰ)의 화합물을 함유하는 페놀 화합물을 축합 반응시켜 얻어질 수 있는 알칼리-가용성 수지; 가교결합제; 및 광-산 발생제(photo-acid generator)를 함유함을 특징으로하는 네거티브 포트레지스트 조성물.상기식에서, R1내지 R9는 독립적으로 수소원자, 치환되거나 비치환된 알킬기, 치환되거나 비치환된 알케닐기, 치환되거나 비치환된 알킬카르보닐기, 할로겐원자 또는 히드록실기이지만, 단 R1내지 R9중 적어도 하나는 히드록실기이고 이러한 히드록실기의 오르토- 또는 파라- 위치에 적어도 2개의 수소원자들이 존재한다.
- 제1항에 있어서, 가교결합제가 하기 일반식(2)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.상기식에서, Z는 -NRR' 또는 치환되거나 비치환된 아릴기이며, 여기서 R, R' 및 X1내지 X4는 독립적으로 수소원자 또는 일반식 : -CH2OH 또는 -CH2OR"(R"는 알킬기이다)의 기를 나타낸다.
- 제1항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(3)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.상기식에서, Y1및 Y2는 독립적으로 수소원자, 일킬기, 알케닐기 또는 알콕실기이다.
- 제1항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(4)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.상기식에서, Y3, Y4및 Y5는 독립적으로 치환되거나 비치환된 알킬기, 치환되거나 비치환된 아릴기, 치환되거나 비치환된 알케닐기, 치환되거나 비치환된 아르알킬기, 치환되거나 비치환된 피페리디노기, 또는 일반식;, -OY8또는 -SY9(여기서, Y8내지 Y9는 독립적으로 수소원자, 치환되거나 비치환된 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 아릴기이다)의 기인데, 단, Y3, Y4및 Y5중의 적어도 하나는 모노 -, 디- 또는 트리 - 하로겐화 메틸기이다.
- 제1항에 있어서, 광-산 발생제가 트리플루오르메탄술폰산 에스테르기를 갖는 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.
- 제5항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(5)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.CF3SO2O-(CH2)n-Y10상기식에서, Y10은 치환되거나 비치환된 아릴기이고 n은 0 또는 1이다.
- 제5항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(6)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.상기식에서, Y11는 및 Y12는 독립적으로 수소원자, 비치환된 아릴기, 치환되거나 비치환된 알킬기 또는 치환되거나 비치환된 알콜실기이고, Y13은 치환되거나 비치환된 아릴기이며, n'는 1또는 2이다.
- 제5항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(7)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.상기식에서 Y14는 치환되거나 비치환된 알킬기이며, Y15는 치환되거나 비치환된 아릴기이다.
- 제5항에 있어서, 광-산 발생제가 다음 일반식(8)의 화합물인 네거티브 포토레지스트 조성물.상기식에서 Y16은 수소원자, 치환되거나 비치환된 아릴기 또는 치환되거나 비치환된 알킬기이고, Y17은 치환되거나 비치환된 아릴기를 나타낸다.
- 알칼기-가용성 수지, 가교결합제 및 트리플루오로메탄술폰산 에스테르기를 갖는 광-산 발생제를 함유함을 특징으로 하는 네거티브 포토레지스트 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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