KR890002714A - 포지티브 포토레지스트조성물 - Google Patents

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KR890002714A
KR890002714A KR1019880009376A KR880009376A KR890002714A KR 890002714 A KR890002714 A KR 890002714A KR 1019880009376 A KR1019880009376 A KR 1019880009376A KR 880009376 A KR880009376 A KR 880009376A KR 890002714 A KR890002714 A KR 890002714A
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bis
positive photoresist
hydroxyphenyl
photoresist composition
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KR1019880009376A
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슐츠 레인하르트
뮨 젤 호르스트
Original Assignee
나우만, 호이만
메르크 파텐트 게젤샤프트 미트 베슈랭크터 하프롱
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00—Photosensitive materials
    • G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract

내용 없음

Description

포지티브 포토레지스트조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (4)

  1. 유기용매중에, 필수적으로 a)알카리-용해성 수지, b)감광성 퀴논 디아지드 화합물, c) 감광속도 및/또는 현상속도를 증가시키는 방향족 히드록시 화합물, 각각 적어도 1종과 또한 임의로 다른 통상의 첨가제를 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물에 있어서, 일반식(Ⅰ)의 화합물을 방향족 히드록시 화합물로서 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
    상기식에서, X는 단일결합, -O-,-S-,SO2-, CO 또는 CR5R6이고, R1,R2,R3, 및 R4는 각기 H, 할로겐, 탄소수 1 내지 4의 알킬, 탄소수 1 내지 4의 알콕시 또는 OH이나, 모든 트리히드록시벤조페논화합물은 제외되며, R5및 R6는 각기 H, 탄소수 1 내지 4의 알킬 또는 탄소수 1 내지 4의 피플루오로 알킬이다.
  2. 제1항에 있어서, 일반식(Ⅰ)의 화합물(들)이 총 고체 함량에 대해 2 내지 25중량%의 비율로 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서,4,4′-디히드록시페닐, 2,2′-디히드록시비페닐, 4,4′-디히드록시벤조페논, 비스(4-히드록시페닐)에테르, 비스(4-히드록시페닐) 설피드, 비스(2,4-디히드록시페닐)설피드, 비스(4-히드록시페닐)설폰, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시비페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오토프로판으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물을 일반식(Ⅰ)의 화합물로서 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  4. 알카리-용해성 수지 및 감광성 퀴논 디아지드 화합물을 기본으로 한 포지티브 포토레지스트 조성물에 있어서의 감광속도 및/또는 현상속도를 증가시키기 위한 첨가제로서 일반식(Ⅰ)화합물의 용도.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880009376A 1987-07-27 1988-07-26 포지티브 포토레지스트조성물 KR890002714A (ko)

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