KR860008476A - 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법 - Google Patents

심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법 Download PDF

Info

Publication number
KR860008476A
KR860008476A KR1019860002420A KR860002420A KR860008476A KR 860008476 A KR860008476 A KR 860008476A KR 1019860002420 A KR1019860002420 A KR 1019860002420A KR 860002420 A KR860002420 A KR 860002420A KR 860008476 A KR860008476 A KR 860008476A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
film
solubilizer
cast
substrate
Prior art date
Application number
KR1019860002420A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900000863B1 (ko
Inventor
슈와로츠코프 죠즈
Original Assignee
제이. 티. 베이커 케미컬 컴퍼니
케네드 엘. 핏쉬맨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이. 티. 베이커 케미컬 컴퍼니, 케네드 엘. 핏쉬맨 filed Critical 제이. 티. 베이커 케미컬 컴퍼니
Publication of KR860008476A publication Critical patent/KR860008476A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900000863B1 publication Critical patent/KR900000863B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00—Photosensitive materials
    • G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
    • G03C1/492—Photosoluble emulsions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/016—Diazonium salts or compounds
    • G03F7/0163—Non ionic diazonium compounds, e.g. diazosulphonates; Precursors thereof, e.g. triazenes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00—Photosensitive materials
    • G03C1/52—Compositions containing diazo compounds as photosensitive substances

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그와 이용법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (34)

  1. 염기 가용성의 필름-형성 중합체와 이것과 혼합되어 있는 다음 일반식(Ⅰ)의 감광성 가용화제로 구성됨으로써 심부 자외선 방사에 노출되면 노출된 조성물이 알칼리성 현상제에 더욱 가용성이 되는 것을 특징으로 하는, 300nm 이하의 심부 자외선 광에 사용될 석판인쇄 내식막 조성물.
    상기 식에서,
    R4는 수소와 -C(O)R5로부터 선택되고, 이때의 R5는 1내지 약 20개의 탄소원자를 갖는 알콕시기이며;
    R6, R7, R8및 R9은 동일 또는 상이한 것으로 수소와 1내지 6개 탄소 원자의알킬로부터 선택되고, 이때 R4는 -C(O)R5이고; 또는
    R4가 수소나 -C(O)R5인 경우
    a) R6나 R7중의 하나와, R8과 R6중의 하나는 수소이고, 수소가 아닌 R6나 R7중의 다른 하나와 R8나 R9중의 다른 하나는 함께 1내지 약 6개 탄소원자의 알킬렌기를 형성하고, 또는
    b) R6와 R7과의 조(組)나 R8과 R9과의 조중의 하나는 4내지 8개 탄소원자의 시클로 알킬기이고, 시클로 알킬이 아닌 R6와 R7과의 조와 R8과 R9과의 조중의 다른 하는 각각 수소이다.
  2. 제1항에 있어서, 염기 가용성 필름-형성 중합체는 페놀-포름알데히드, 크래졸-포름 알데히드, 폴리(비닐페놀) 및 폴리(메틸 메타크릴레이트-메타크릴산) 수지로부터 산택된 수지인 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 가용화제가 중합체와 가용화제의 총중량을 기준으로 약15내지 약50중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 가용화제가 중합체와 용화제의 총중량을 기준으로 약15내지 약50중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 가용화제가 중합체와 가용화제의 총중량을 기준으로 약15내지 약50중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 가용화제가 다음 일반식의 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
    상기식에서 R5, R6, R7, R8및 R9은 상기 제1항에서 정의한 것과 같다.
  7. 제1항에 있어서, 가용화제가 다음 일반식의 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
    상기식에서 n은 1내지 6의 수이고 R4는 상기 제1항에서 정의한 것과 같다.
  8. 제1항에 있어서, 가용화제가 다음 일반식의 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
    상기식에서 m은 4내지 8의 수이고 R4는 상기 제1항에서 정의한 것과 같다.
  9. 제1항에 있어서, 가용화제가 다음 일반식의 화합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
    상기식에서 m은 4내지 8의 정수이고 R4는 상기 제1항에서 정의한 것과 같다.
  10. 제6항에 있어서, 가용화제가 트랜스-2-디아조 데칼린-1,3-디온 인 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제6항에 있어서, 가용화제가 에틸 3-디아조-2,4-디옥소데칼린카르복실레이트인 것을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제5항에 있어서, 가용화제가 에틸 5-디아조-2,2-디메틸-4,6-디옥소시클로헥산 카르복실레이트인 것을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제8항에 있어서, 가용화제가 2-디아조-5,5-펜타메틸렌시클로헥산-1,3-디온인 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제4항에 있어서, 가용화제가 에틸 3-디아조-2,4-디옥소데칼린카르 복실레이트인 것을 특징으로 하는 조성물.
  15. 제4항에 있어서, 가용화제가 에틸 5-디아조-2,2-디메틸-4,6-디옥소시클로헥산 카르복실레이트인 것을 특징으로 하는 조성물.
  16. 제10항에 있어서, 중합체가 폴리(메틸 메타크릴레이트-메타크릴산)인 것을 특징으로 하는 조성물.
  17. 제15항에 있어서, 가용화제가 중합체와 가용화제의 총중량을 기준으로 약15내지 약50중량%의 양으로 존재하며, 폴리(메틸메타크릴레이트-메타크릴산)이 약 80,000의 분자량을 가지며, 메타크릴산에 대한 메타크릴레이트의 비율이 75/25인 것을 특징으로 하는 조성물.
  18. 제16항에 있어서, 가용화제가 30중량%의 양으로 존재하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  19. 약 120내지 210℃의 비점을 갖는 필름-형성용제내에 청구범위 1항의 석판인쇄 내식막 조성물을 함유하는 것을 특징으로 하는 주조 가능한 내식막 조성물.
  20. 제18항에 있어서, 용제가 약 50내지 약95중량%의 주조 가능한 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  21. 제19항에 있어서, 용제가 디글라임, 메틸이소부틸 케톤, 2-에톡시에탄올, 2-메톡시에틸 아세테이트 및 γ-부티롤 락톤으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  22. 제20항에 있어서, 가용화제가 에틸 3-디아조-2,4-디옥소데칼린카트복실레이트인 것을 특징으로 하는 조성물.
  23. 비점이 약 120내지 210℃인 필름-형성 용제내에 상기 제5항의 석판인쇄 내식막 조성물을 포함하며, 이때 용제는 약 50내지 약 95중량%의 주조 가능한 조성물을 포함하며, 디글라임, 메틸이소부틸케톤, 2-에톡시에탄올, 2-메톡시에틸 아세테이트 및 γ-부티롤락톤으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 주조 가능한 내식막 조성물.
  24. 비점이 약 120내지 210℃인 필름-형성 용제내에 상기 제6항의 석판인쇄 내식막 조성물을 포함하며, 이때 용제는 약 50%내지 약 95중량%의 주조 가능한 조성물을 포함하며, 디글라임, 메틸이소부틸케톤, 2-에톡시에탄올, γ-메톡시에틸 아세테이트 및 γ-부티롤락톤으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 주조 가능한 내식막 조성물.
  25. 비점이 약 120내지 210℃인 필름-형성 용제내에 상기 제7항의 석판인쇄 내식막 조성물을 함유하며, 이때 용제는 약 50%내지 약 95중량%의 주조 가능한 조성물을 포함하며, 디글라임, 메틸이소부틸케톤, 2-에톡시에탄올, 2-메톡시에틸아세테이트 및 γ-부티롤락톤으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 주조 가능한 내식막 조성물.
  26. 비점이 약 120내지 210℃인 필름-형성 용제내에 상기 제8항의 석판인쇄 내식막 조성물을 함유하며, 이때 용제는 약 50%내지 약 95중량%의 주조 가능한 조성물을 포함하며, 디글라임, 메틸이소부틸케톤, 2-에톡시에탄올, 2-메톡시에틸아세테이트 및 r-부티롤락톤으로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 주조 가능한 내식막 조성물.
  27. 약 30nm이하의 심부 자외광선광에 기판상의 주조필름을 영상-방향 노출시키는 단계와, 상기 필름의 노출된 부분을 염기성 용액으로 용해시키는 단계로 구성되며, 이때 기판상의 주조필름은 상기 제18항의 주조 가능한 조성물로 된 주조필름인 것을 특징으로 하는, 석판인쇄 내식막 상을 형성시키는 방법.
  28. 약 300nm이하의 심부 자외광선광에 기판상의 주조필름을 영상-방향 노출시키는 단계와, 상기 필름의 노출된 부분을 염기성 용액으로 용해시키는 단계로 구성되며, 이때 기판상의 주조필름은 상기 제19항의 주조 가능한 조성물로 된 주조필름으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 석판인쇄 내식막 상을 형성시키는 방법.
  29. 약 300nm이하의 심부 자외광선광에 기판상의 주조필름을 영상-방향 노출시키는 단계와, 상기 필름의 노출된 부분을 염기성 용액으로 용해시키는 단계로 구성되며, 이때 기판상의 주조필름은 상기 제20항의 주조 가능한 조성물로 된 주조필름인 것을 특징으로 하는, 석판인쇄 내식막 상을 형성시키는 방법.
  30. 약 300nm이하의 심부 자외광선광에 기판상의 주조필름을 영상-방향 노출시키는 단계와, 상기 필름의 노출된 부분을 염기성 용액으로 용해시키는 단계로 구성되며, 이때 기판상의 주조 필름은 상기 제항의 주조 가능한 조성물로 된 주조필름인 것을 특징으로 하는 석판인쇄 내식막 상을 형성시키는 방법.
  31. 약 300nm이하의 심부 자외광선광에 기판상의 주조필름을 영상-방향 노출시키는 단계와, 상기 필름의 노출된 부분을 염기성 용액으로 용해시키는 단계로 구성되며, 이때 기판상의 주조필름은 상기 제22항의 주조 가능한 조성물로 된 주조필름으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 석판인쇄 내식막 상을 형성시키는 방법.
  32. 약 300nm이하의 심부 자외광선광에 기판상의 주조필름을 영상-방향 노출시키는 단계와, 상기 필름의 노출된 부분을 염기성 용액으로 용해시키는 단계로 구성되며, 이때 기판상의 주조필름은 상기 제23항의 주조 가능한 조성물로 된 주조필름으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 석판인쇄 내식막 상을 형성시키는 방법.
  33. 약 300nm이하의 심부 자외광선광에 기판상의 주조필름을 영상-방향 노출시키는 단계와, 상기 필름의 노출된 부분을 염기성 용액으로 용해시키는 단계로 구성되며, 이때 기판상의 주조필름은 상기 제24항의 주조 가능한 조성물로 된 주조필름으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 석판인쇄 내식막 상을 형성시키는 방법.
  34. 약 300nm이하의 심부 자외광선광에 기판상의 주조필름을 영상-방향 노출시키는 단계와, 상기 필름의 노출된 부분을 염기성 용액으로 용해시키는 단계로 구성되며, 이때 기판상의 주조필름은 상기 제25항의 주조 가능한 조성물로 된 주조필름으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 석판인쇄 내식막 상을 형성시키는 방법.
KR1019860002420A 1985-04-15 1986-03-31 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법 KR900000863B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US723273 1985-04-15
US06/723,273 US4624908A (en) 1985-04-15 1985-04-15 Deep ultra-violet lithographic resist composition and process of using

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860008476A true KR860008476A (ko) 1986-11-15
KR900000863B1 KR900000863B1 (ko) 1990-02-17

Family

ID=24905568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860002420A KR900000863B1 (ko) 1985-04-15 1986-03-31 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4624908A (ko)
EP (1) EP0198674A3 (ko)
JP (1) JPS61240237A (ko)
KR (1) KR900000863B1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4808512A (en) * 1986-10-02 1989-02-28 J. T. Baker Inc. Process of deep ultra-violet imaging lithographic resist compositions
US4752551A (en) * 1986-10-02 1988-06-21 J. T. Baker Inc. Photosensitive solubilization inhibition agents, and deep ultra-violet lithographic resist compositions
DE3751642T2 (de) * 1986-10-17 1996-09-05 Amdahl Corp Verwaltung von getrennten Befehls- und Operanden-Cachespeichern
US5158855A (en) * 1987-09-24 1992-10-27 Hitachi, Ltd. α-diazoacetoacetates and photosensitive resin compositions containing the same
EP0319325A3 (en) * 1987-12-04 1990-12-27 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Photosensitive material and process for forming pattern using the same
US5169741A (en) * 1988-10-11 1992-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for forming high sensitivity positive patterns employing a material containing a photosensitive compound having a diazo group, an alkaline-soluble polymer, a compound capable of adjusting the pH to 4 or less and a solvent
US4959293A (en) * 1988-10-28 1990-09-25 J. T. Baker, Inc. Deep UV photoresist with alkyl 2-diazo-1-ones as solubility modification agents
DE3837438A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3837513A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3900736A1 (de) * 1989-01-12 1990-07-26 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch enthaltend einen mehrfunktionellen (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu dessen herstellung und strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial enthaltend dieses gemisch
US5182185A (en) * 1989-06-29 1993-01-26 Hoechst Celanese Corporation Deep u.v. photoresist compositions containing 4-tert-butylstyrene/maleimide copolymer and polycyclic cyclopentane-2-diazo-1,3-dione and elements utilizing the compositions
US5039596A (en) * 1989-06-29 1991-08-13 Hoechst Celanese Corporation Deep u.v. photoresist process utilizing compositions containing polycyclic cyclopentane 2-diazo-1,3-dione
EP0410256A1 (de) * 1989-07-26 1991-01-30 Siemens Aktiengesellschaft Lichtempfindliches Gemisch
DE4014649A1 (de) * 1990-05-08 1991-11-14 Hoechst Ag Neue mehrfunktionelle verbindungen mit (alpha)-diazo-ss-ketoester- und sulfonsaeureester-einheiten, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung
DE4014648A1 (de) * 1990-05-08 1991-11-14 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindiches gemisch und strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer die belichtung mit duv-strahlung
GB9407511D0 (en) * 1994-04-15 1994-06-08 Smithkline Beecham Corp Compounds
US5876897A (en) * 1997-03-07 1999-03-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive photoresists containing novel photoactive compounds
US7022452B2 (en) * 2002-09-04 2006-04-04 Agilent Technologies, Inc. Contrast enhanced photolithography

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL247406A (ko) * 1959-01-17
US4207107A (en) * 1978-08-23 1980-06-10 Rca Corporation Novel ortho-quinone diazide photoresist sensitizers
US4339522A (en) * 1979-06-18 1982-07-13 International Business Machines Corporation Ultra-violet lithographic resist composition and process
US4284706A (en) * 1979-12-03 1981-08-18 International Business Machines Corporation Lithographic resist composition for a lift-off process
US4522911A (en) * 1983-06-28 1985-06-11 International Business Machines Corporation Deep ultra-violet lithographic resists with diazohomotetramic acid compounds

Also Published As

Publication number Publication date
EP0198674A3 (en) 1987-09-02
KR900000863B1 (ko) 1990-02-17
EP0198674A2 (en) 1986-10-22
JPH036495B2 (ko) 1991-01-30
US4624908A (en) 1986-11-25
JPS61240237A (ja) 1986-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860008476A (ko) 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법
US5667938A (en) Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists
KR900018746A (ko) 공중합체 결합제를 사용한 감광성 내식막
EP0519297B1 (de) Strahlungsempfindliches Gemisch, das als Bindemittel neue Polymere mit Einheiten aus Amiden von alpha,beta-ungesättigten Carbonsäuren enthält
US5585220A (en) Resist composition with radiation sensitive acid generator
KR960008428A (ko) 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물
KR930001349A (ko) 레지스트 물질 및 패턴 형성 방법
KR20000076477A (ko) 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물
KR100266187B1 (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법
KR920022043A (ko) 감방사선성 수지 조성물
EP0272298A1 (en) IRREVERSIBLE PHOTOCHROME MARKINGS.
CN110325915B (zh) 化学增幅型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法
Allen et al. Designing High Performance KrF and ArF Single Layer Resists with Methacrylate Polymers
KR20010026524A (ko) 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법
US3497356A (en) Photoresist composition and element
US5326826A (en) Radiation-sensitive polymers containing diazocarbonyl groups and a process for their preparation
KR960042219A (ko) Si 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물
KR940007604A (ko) 포토레지스트 조성물
KR950012149A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법
KR890007120A (ko) 염료를 함유하는 양성-작용성 감광성 조성물 및 이러한 조성물로부터 제조된 양성-작용성 감광성 기록물질
KR940000916A (ko) 염색된 i-선 양성 작용성 방사선 민감성 혼합물
KR0164963B1 (ko) 3성분계 화학증폭형 포토레지스트 조성물
KR920013028A (ko) 광증감제 조성물
JPH11158118A (ja) アセト酢酸誘導体、その製法及び用途
Shiraishi et al. Insolubilization mechanism of a chemical amplification negative-resist system utilizing an acid-catalyzed silanol condensation reaction

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19941231

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee