KR960042219A - Si 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물 - Google Patents

Si 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR960042219A
KR960042219A KR1019960019286A KR19960019286A KR960042219A KR 960042219 A KR960042219 A KR 960042219A KR 1019960019286 A KR1019960019286 A KR 1019960019286A KR 19960019286 A KR19960019286 A KR 19960019286A KR 960042219 A KR960042219 A KR 960042219A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
resin composition
photosensitive resin
methyl
hydrocarbon group
Prior art date
Application number
KR1019960019286A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0171653B1 (ko
Inventor
시게유끼 이와사
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR960042219A publication Critical patent/KR960042219A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0171653B1 publication Critical patent/KR0171653B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/14—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

Si 함유 고분자 화합물은 측쇄에 비닐기를 갖는 폴리실세스퀴옥산 및 알콕시실란에 의해 수득된 가교결합 산에 의해 수득된다. 이 Si 함유 고분자 화합물은 하기 일반식으로 표시된다.
(식 중, R1은 C2-C82가 포화 탄화수소기이며, R2은 C1-C8탄화수소기이며, R3은 C1-C8탄화수소기이며, Z는 탄화수소 원자 또는 트리메틸실일기이며, a는 1 내지 3이며, b 는 0 내지 2이며, a와 b의 합은 3이며, n은 10 내지 500의 양의 정수이다.)감광성 수지 조성물은 Si 함유 고분자 화합물을 광산 발생제와 결합시킴으로써 수득된다.

Description

Si 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 하기 일반식으로 표시되는 Si 함유 고분자 화합물
    (식 중, R1은 C2-C82가 포화 탄화수소기이며, R2은 C1-C8탄화수소기이며, R3은 C1-C8탄화수소기이며, Z는 탄화수소 원자 또는 트리메틸실일기이며, a는 1 내지 3 이며, b는 0 내지 2이며, a와 b의 합은 3이며, n은 10 내지 500의 양의 정수이다.)
  2. Si 함유 고분자 화합물이 하기 일반식으로 표시되며
    (식 중, R1은 C2-C82가 포화 탄화수소기이며, R2은 C1-C8탄화수소기이며, R3은 C1-C8탄화수소기이며, Z는 탄화수소 원자 또는 트리메틸실일기이며, a는 1 내지 3 이며, b는 0 내지 2이며, a와 b의 합은 3이며, n은 10 내지 500의 양의 정수이다).
    광산 발생제는 광조사에 의해 산을 발생시키며 노출 후 열처리에서 촉매반응의 형태로 레지스트의 화학적 변화를 증폭시키는 것을 특징으로 하는, 하나 이상의 Si 함유 고분자 화합물 및 광산 발생제를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 감광성 수지 조성물 중에 포함된 Si 함유 고분자 화합물의 비가 75내지 99.8 중량부임을특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 감광성 수지 조성물 중에 포함된 광산 발생제의 비가 0.2 내지 25 중량부임을 특징으로하는 감광성 수지 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 용매가 Si 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물로 구성된 물질을 용해시킴을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  6. 제2항에 있어서, R1이 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기, 시클로헵틸렌기, 시클로옥틸렌기, 시클로펜틸 에틸렌기, 또는 시클로헥실 에틸렌기와 같은 C2-C82가 포화 탄화수소기임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  7. 제2항에 있어서 R2이 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 페닐기, 또는 메틸 페닐기와 같은 C1-C8탄화수소기임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  8. 제2항에 있어서, R3이 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 페닐기, 또는 메틸 페닐기와 같은 C1-C8탄화수소기임을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  9. 제2항에 있어서, 광산 발생제로서 트리페닐 술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐 술포늄 트리플루오로메탄 안티모네이트, 트리페닐 술포늄 벤조술포네이트, 시클로헥실 메틸(2-옥소시클로헥실) 술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 디시클로헥실(2-옥소시클로헥실)술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 디시클로헥실술포닐 시클로헥사논,또는 디메틸 (2-옥소시클로헥실)술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트와 같은 술포늄 염 화합물, 디페닐 이오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트와 같은 이오도늄 염, N-히드록시 숙신이미드 트리플루오로메탄 술포네이트 등을 단독으로 또는 2이상의 종류를 배합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  10. 제2항에 있어서, 용매로서 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 2-메톡시에틸 아세테이트, 2-에톡시에틸 아세테이트, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트, 3-메톡시메틸 프로피오네이트, N-메틸-피롤리디논, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸에틸케톤, 1,4-디옥산, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 등을 단독으로 또는 2 이상의 종류를 배합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960019286A 1995-05-31 1996-05-31 에스아이 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물 KR0171653B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-133586 1995-05-31
JP7133586A JP2697680B2 (ja) 1995-05-31 1995-05-31 珪素含有高分子化合物および感光性樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960042219A true KR960042219A (ko) 1996-12-21
KR0171653B1 KR0171653B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=15108275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960019286A KR0171653B1 (ko) 1995-05-31 1996-05-31 에스아이 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5723257A (ko)
EP (1) EP0745633B1 (ko)
JP (1) JP2697680B2 (ko)
KR (1) KR0171653B1 (ko)
DE (1) DE69609569T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100519406B1 (ko) * 1999-12-01 2005-10-07 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990061090A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 다층 레지스트 공정용 포토레지스트와 이를 이용한반도체 소자의 미세패턴 제조방법
JP4603634B2 (ja) * 1998-05-12 2010-12-22 東レ・ダウコーニング株式会社 トリハロシランからオルガノシロキサンを製造する方法
US6197913B1 (en) * 1999-08-26 2001-03-06 Dow Corning Corporation Method for making microporous silicone resins with narrow pore-size distributions
US6743885B2 (en) * 2001-07-31 2004-06-01 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin composition for intermediate layer of three-layer resist
JP3626469B2 (ja) * 2002-04-19 2005-03-09 三菱電機株式会社 磁気抵抗センサ装置
US6939664B2 (en) * 2003-10-24 2005-09-06 International Business Machines Corporation Low-activation energy silicon-containing resist system
US7141692B2 (en) * 2003-11-24 2006-11-28 International Business Machines Corporation Molecular photoresists containing nonpolymeric silsesquioxanes
CN1320035C (zh) * 2005-06-03 2007-06-06 哈尔滨工业大学 一种接枝改性有机硅树脂的方法
US8329849B2 (en) 2008-05-16 2012-12-11 Nec Corporation Organic silicon compound and material for forming silica-based fine particle
US7919225B2 (en) * 2008-05-23 2011-04-05 International Business Machines Corporation Photopatternable dielectric materials for BEOL applications and methods for use
JP5873677B2 (ja) * 2011-10-04 2016-03-01 株式会社カネカ 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物
CN106397775B (zh) * 2016-09-08 2019-06-21 沈阳化工大学 一种含l-poss的耐高温硅烷交联剂及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5760330A (en) * 1980-09-27 1982-04-12 Fujitsu Ltd Resin composition
US4507384A (en) * 1983-04-18 1985-03-26 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Pattern forming material and method for forming pattern therewith
EP0163538B1 (en) * 1984-05-30 1989-11-23 Fujitsu Limited Pattern-forming material and its production and use
JPS61144639A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Hitachi Ltd 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成法
WO1986005284A1 (en) * 1985-03-07 1986-09-12 Hughes Aircraft Company Polysiloxane resist for ion beam and electron beam lithography
US4822716A (en) * 1985-12-27 1989-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
JPS62284352A (ja) * 1986-06-02 1987-12-10 Oki Electric Ind Co Ltd ネガ型フォトレジスト
US5057396A (en) * 1988-09-22 1991-10-15 Tosoh Corporation Photosensitive material having a silicon-containing polymer
US5059512A (en) * 1989-10-10 1991-10-22 International Business Machines Corporation Ultraviolet light sensitive photoinitiator compositions, use thereof and radiation sensitive compositions
US5252430A (en) * 1989-10-25 1993-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fine pattern forming method
JP2646289B2 (ja) * 1990-06-01 1997-08-27 富士写真フイルム株式会社 レジスト組成物
KR950002874B1 (ko) * 1990-06-25 1995-03-27 마쯔시다덴시고오교오 가부시기가이샤 광 또는 방사선감응성 조성물과 패턴형성방법과 포토마스크의 제조방법 및 반도체
JPH0458249A (ja) * 1990-06-28 1992-02-25 Oki Electric Ind Co Ltd 感光性樹脂
US5338818A (en) * 1992-09-10 1994-08-16 International Business Machines Corporation Silicon containing positive resist for DUV lithography

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100519406B1 (ko) * 1999-12-01 2005-10-07 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR0171653B1 (ko) 1999-03-20
JPH08325455A (ja) 1996-12-10
US5723257A (en) 1998-03-03
DE69609569T2 (de) 2001-04-05
DE69609569D1 (de) 2000-09-07
EP0745633A2 (en) 1996-12-04
EP0745633A3 (en) 1997-08-20
EP0745633B1 (en) 2000-08-02
JP2697680B2 (ja) 1998-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960042219A (ko) Si 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물
KR960018764A (ko) 감광성 수지 조성물
KR900700923A (ko) 포토레지스트 조성물
KR880014417A (ko) 감광성 내식막으로 사용하기 위한 차단된 단량체 및 그의 중합체
KR960007714A (ko) 비닐에테르 작용성 폴리유기실록산을 함유하는 방사선 경화성 조성물
KR880011211A (ko) 중합성 화합물 및 이를 함유하는 방사선-중합성 혼합물
KR910006776A (ko) 포지티브-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선-감수성 복사물질
KR960022623A (ko) 가교결합된 중합체
KR920013027A (ko) 감광성 조성물
KR970022547A (ko) 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
KR980002109A (ko) 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
KR970028825A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR970066718A (ko) 감방사선성 수지 조성물
KR930010622A (ko) 네가티브형 레지스터 조성물
KR840002116A (ko) 감광성 수지조성물 및 감광성 수지조성물 적층체
KR960018762A (ko) 방사선 감수성 조성물
KR890007117A (ko) 염료를 함유하는 양성-작용성 감광성 조성물 및 이 조성물로부터 제조된 양성-작용성 감광성 기록물질
KR930002878A (ko) 감광성 조성물
KR860008476A (ko) 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법
KR970028826A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR880004728A (ko) 광경화성 적층판
KR960071390A (ko) 착색 감광성 수지 조성물(Colored photosensitive resin composition)
KR920702890A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR970002469A (ko) 화학감광형 포지티브형 포토레지스트조성물
KR900016385A (ko) Uv 경화성 페닐-함유 아크릴아미드 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20031013

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee