JPS62284352A - ネガ型フォトレジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体装置等の形成に当り能動素子、配線
パターン等の作製のため用いられるネガ型フォトレジス
トに関するものである。

（従来の技術） 近年、半導体装置の高集積化に伴ないこれら装置の製造
工程においてアスペクト比が高くかつ微細なレジストパ
ターンを形成することが出来る技術が要求されてきてい
る。特に、多層配線を形成する際、基板に形成された配
線は基板面との間に段差を構成しこのような段差は、こ
の基板上に次の配線を形成するため新たなレジストパタ
ーンを形成する場合に弊害となる。

ところで、このような段差を有する基板上にレジストパ
ターンを形成する場合この段差を覆うことが出来前る程
度に厚い膜厚で（例えば１．５〜２．０μｍ）レジスト
を形成する必要がある。しかし、現在主として用いられ
ている縮小投影露光機は、それに備わるレンズの開口数
を高解像なレジストパターンが得られるように大きなも
のにする傾向にあり、従って、焦点深度が大きくとれず
、これがため、このような露光機によって膜厚の厚いレ
ジストを高解像にパターニングすることは困難であった
。又、高解像なレジストパターンを得ることを目的とし
て短波長の光、例えば２００〜３００ｎｍの遠紫外線を
用いてレジストを露光することが行われているが、通常
用いられているレジストの多くはこのような波長範囲で
吸収を有するため、レジストの膜厚が厚くなるとこれを
高解像にパターニングすることは困難となる。

上述したような欠点を除去し、膜厚の厚いレジストから
であってもアスペクト比が高くかつ微細なレジストパタ
ーンを得ることが出来るような加工技術として二層レジ
ストプロセスが提案されてきている。

以下、第６図（Ａ）〜（Ｃ）に示す製造工程図を参照し
てこの二層レジストプロセスにつき簡単に説明する。尚
、これら図をウェハの一部を概略的に示す断面図で表わ
しである。

二層レジストプロセスとは、基板ｌｌ上の段差１３を吸
収させ平坦化を図るための厚い膜厚に形成された下層レ
ジスト１５と、この下層レジスト上に形成され珪素が含
有された上層レジスト１７とを用いてレジストパターン
を得るものである。この上層レジスト１７０膜厚を通常
は０．２〜０．５μｍ程度としく第６図（Ａ）参照。）
、光露光法等の好適な方法によってこの上層レジスト１
７をパターニングしレジストパターン＋７ａを得（第６
図（Ｂ）参照。）、次に、このレジストパターン１７ａ
をエツチングマスクとして用いて下層レジスト１５を酸
素（ｏ２）−リアクティブ・イオン・エツチング（ＲＩ
Ｅ）によって除去して行うものである。

これによって、上層レジストのパターンを下層レジスト
へ転写することが出来、アスペクト比が高くかつ微細な
二層のレジストパターン１９が得られる（第６図（Ｃ）
参照。）。

従来から、このような二層レジストプロセスに用いられ
る種々のレジストが提案されているが、以下、特に上層
レジストに用いられるレジストについて説明する。この
ような上層用のレジストとしては例えば文献（ジャーナ
ル　オブ　ジ　エレクトロケミカル　ソサエテ４　（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ＴｈｅＥＩｅｃＬｒｏｃｈｅｍｉ
ｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）　＋３０　［９］　Ｐ、１９
６２（１９８３）　’）に開示されているものがある。

この文献によれば、珪素含有フォトレジストとしてトリ
メチルシリルスチレン（ＳｉＳｔと称している。）と、
クロロメチルスチレン（ＣＭＳと称している。）との共
重合体が用いられており、その共重合比が９０：１０の
共重合体であるＰ（ＳｉＳｔｓ。−ＣＭＳ、。）の０２
−ＲＩＥ耐性及び遠紫外線に対する感度が共に優れてい
るとの報告がある。この報告によれば、Ｐ（ＳｉＳｔ９
゜−ＣＭＳｌ。）に対して０□−ＲＩＥを施した場合、
これの膜厚減少量が数人／　ｍ　ｉ　ｎというように極
めて小さな値を示すまでにエツチングされる量（以下、
初期エツチング量と略称することもある。）が２２０〜
２９０人であるという。又、遠紫外光に対する感度（ゲ
ル化開始露光ｆｆ１Ｄｉ　）が６０ｍＪ／ｃｍ２である
という。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述したような従来のフォトレジストで
は初期エツチング量が２２０〜２９０人／　ｍ　ｉ　ｎ
と大きいためエツチングのプロセスラチチュードを広く
とれないという問題点があった。

具体的に説明すると、このレジストをエツチングマスク
として用いる場合初期エツチング量が多いため、ある程
度に厚い膜厚に形成しなければならないが、反面、この
上層レジストの膜厚を必要以上に厚くすると微細でかつ
高アスペクト比を有するレジストパターンを得ることか
出来なくなる。

従って、上層レジストの膜厚を厚くすることにも自ら限
界が生ずる。これがため、下層レジストの膜厚もそれほ
ど厚い膜厚にすることが出来ない。

又、遠紫外光に対する感度（Ｄ（）も６０ｍＪ／ａｍ２
と低いため、高スルーブツトが得られないという問題点
があった。

この発明の目的は、上述した問題点を解決し、０２−Ｒ
ＩＥ耐性と、優れた感度とを有するネガ型フォトレジス
トを提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明のネガ型フォトレ
ジストによれば、下記（１）式で表わされる重量平均分
子量約３０００〜約５００００のポリ（アリルシルセス
キオキサン）と、ビスアジドとを含むことを特徴とする
。

このポリ（アリルシルセスキオキサン）とはアリルシル
セスキオキサンのポリマーのことであり、例えばアリル
トリクロロシラン或いはアリルトリアルコキシを加水分
解して得られるオリゴマーを例えばトリエチルアミン、
トリノルマルブチルアミン等の第三級アミンで縮重合さ
せて得ることが出来る。

又、ビスアジド類にはこれらに光を照射した場合吸収波
長が異る種々のものがあるから、ビスアジドを選択使用
することによってこの発明のネガ型レジストの感光波長
を変更することが出来る。

この発明の実施に当り、例えば高解像なレジストパター
ンを得ることを目的として短波長の光５例えば遠紫外線
で露光されるようなレジストを得ようとする場合であれ
ば、前述のビスアジドを波長約２００〜３００ｎｍの遠
紫外光によって光分解するビスアジドとすれば良い。

さらに、ビスアジドを前述のポリ（アリルシルセスキオ
キサン）に対して約５〜１４重層％添加するのが好適で
ある。

（作用） この発明のネガ型フォトレジストはビスアジドと、比較
的低分子量のポリ（アリルシルセスキすキサン）とを含
んでいるものである。

アジド類は光によって窒素分子を脱離してナイトレンを
生成し二重結合へ付加したり、或いは、ベンジル位やア
リル位等にある活性水素を引き抜いたりして、フォトレ
ジスト中のベースポリマ間に架橋を生じさせることが知
られている。さらに、上述したポリ（アリルシルセスキ
オキサン）分子中にはナイトレンとの架橋にあずかる多
数のアリル基が存在するからこれらと、ナイトレンとで
高い密度の架橋構造を形成する。従って、ポリ（アリル
シルセスキオキサン）の分子量が比較的低分子であり、
かつ、ビスアジドの添加量が少ないにもかかわらず高感
度なネガ型レジストが得られる。又、光照射されない部
分では架橋構造が出現しないから、現像工程においてこ
の部分は除去され、従って、レジストパターンが形成さ
れる。

さらに、光照射された部分では高い密度の架橋構造が出
現するので、この部分が現像時に膨潤するようなことが
起こりえず、従って、微細なレジストパターン形成を促
す。

又、このポリ（アリルシルセスキオキサン）はその分子
中の珪素含有量か３０重量％と高く、かつ、組成的にみ
た場合も珪素一原子に対し酸素３／２原子の組成となフ
ており、これは二酸化珪素の組成と近いものであるから
、ポリ（アリルシルセスキオキサン）の０２−ＲＩＥ耐
性は二酸化珪素のそれに近いものが期待される。

（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例につき説明する
。しかしながら、以下に述べるこの発明の説明をこの発
明の範囲内の好ましい特定の数値的条件等で説明してい
るが、これらは単なる例示にすぎず、この発明はこれら
条件のみに限定されるものでないこと明らかである。

先ず、下記（１）式 で表わされる重量平均分子量約３０００〜約５ｏｏｏｏ
のポリ（アリルシルセスキオキサン）に、ビスアジドを
添加し、これを有機溶媒例えばクロロベンゼン等の溶剤
に所定の濃度となるように溶解して、この発明のネガ型
フォトレジストのレジスト溶液を作製した。

尚、このポリ（アリルシルセスキオキサン）は例えばア
リルトリクロロシラン或いはアリルトリアルコキシを加
水分解して得られるオリゴマーを例えばトリエチルアミ
ン、トリノルマルブチルアミン等の第三級アミンで縮重
合させて得ることが出来る。又、重量平均分子量約３０
００〜約５００００のポリ（アリルシルセスキオキサン
）を用いた理由は、これがこの範囲より少さな分子量で
あると液体状であり、この範囲より大きな分子量である
とゲル状であり、何れの場合もフォトレジストを構成す
る物質として不適当なものとなるからである。

又、ビスアジド類にはこれらに光を照射した場合吸収波
長が異る種々のものがあるから、ビスアジドを選択使用
することによってこの発明のネガ型フォトレジストの感
光波長を変更することが出来る。尚、以下に述べる実施
例を、遠紫外線で露光されるようなネガ型フォトレジス
トとした例で説明する。このような場合であれば、前述
のビスアジドを波長約２００〜３００ｎｍの遠紫外光に
よって光分解するビスアジドとすれば良い。例えばアル
キルアジド類は約３００ｎｍ以下の波長に対して吸収を
示し、このような遠紫外光によって光分解することが知
られているので、現在実用されているビスアジドの中の
多くのものをこの発明のネガ型フォトレジストに添加さ
せ使用することが出来る。具体例を挙げると、２．６−
ビス（４′アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘ
キサノン、２，６−ビス（４′　−アジドベンジリデン
）シクロヘキサノン等のようにアジド基が芳香環に直接
結合している芳香族ビスアジド類、アジド基が芳香環に
結合していない例えば１．３−ジアジド−１，３−ジメ
チル−１，３−ジフェニルジシロキサン等のビスアジド
類等がある。

゛・□　゛に丸する感度− 先ず、この発明のネガ型フォトレジストの遠紫外光に対
する感度についての実験結果につき説明する。

実Ｊｄ殊上 アリルトリクロロシランを加水分解させた後、縮重合し
て得られるポリ（アリルシルセスキオキサン）でＬｍ平
均分子ｆｉＭ、３０００のものを５ｇと、２．６−ビス
（４′　−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘ
キサノンを２５０ｍｇとをクロロベンセン２８ｇに溶解
した後、この溶液を０．２μｍの孔径を有するメンブラ
ンフィルタでろ過してレジスト溶液を調製した。このレ
ジスト溶液を予め用意した６枚の基板にそれぞれ回転塗
布した後、６０℃の温度で３０分間ソフトベークを行っ
て０．５μｍの膜厚のレジスト膜をそれぞれ有する６枚
の試料ウェハを得た。この時のレジスト膜厚を初期膜厚
とする。

これらの試料クエへに対しドーズ量を変え、種々の線幅
の形成が可能なテストパターンを有する石英マスクを介
してそれぞれ露光を行う。この露光をｓｏｏｗのＸｅ−
Ｈｇランプを用いＣＭ−２５０コールドミラーによって
２８０ｎｍより長波長の光を除去した遠紫外光を用いて
行った。

露光終了後、これら試料ウェハをイソプロパツール／シ
クロヘキサノの１０／１．５（体積比）の混合溶媒中で
現像時間を３５秒として現像し、続いて、イソプロパツ
ール中で５秒間リンスを行った。

次に、これら試料ウェハに対し１００℃の温度で１５分
間ポストベークを行った。

このような処理によって複数の試料ウェハ上にそれぞれ
形成されたレジストパターンの膜厚を、このパターン中
の３μｍのラインパターンについてそれぞれ測定し各試
料ウェハの残存膜厚を得た。

これらの残存膜厚を上述した初期膜厚によって規格化し
た値（残膜率）を縦釉にとり、各試料ウェハに対するド
ーズ量の常用対数をとったものを横軸にとり、ドーズ量
に対する残膜率をプロットした特性曲線図を第１図に示
す。

夾五勇ユ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均分子ｆｆ
１Ｍ、８０００のものを５ｇと、実施例１で用いたと同
様な２．６−ビス（４′　−アジドベンジリデン）−４
−メチルシクロへキサノン５００ｍｇとをクロロベンゼ
ン２８ｇに溶解した後、この溶液を０．２μｍの孔径を
有するメンブランフィルタでろ過してレジスト溶液を調
製した。

現像時間を４５秒とした以外は実施例１と同様にして試
料クエへを作製し、さらに、ドーズ量に対する残膜率の
特性曲線を求めた。この結果を第２図に示す。

火施勇ｌ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均分子量ｖ
、ａｏｏｏのものを５ｇと、２．６−ビス（４′−アジ
ドベンジリデン）シクロへキサノン２５０ｍｇとをクロ
ロベンゼン２８ｇに溶解した後、この溶液を０．２μｍ
の孔径を有するメンブランフィルタでろ過してレジスト
溶液を調製した。

現像時間を４５秒とした以外は実施例１と同様にして試
料クエへを作製し、さらに、ドーズ量に対する残膜率の
特性曲線を求めた。この結果を第３図に示す。

Ｘム１ ポリ（アリルシルセスキオキサン）で重量平均分子量Ｍ
、８０００のものを５ｇと、１，３−ジアジド−１，３
−ジメチル−１，３−ジフェニルジシロキサン５００ｍ
ｇとをクロロベンゼン２８ｇに溶解した後、この溶液を
０．２μｍの孔径を有するメンブランフィルタでろ過し
てレジスト溶液を調製した。

現像液をイソプロパツール／シクロヘキサノンの１０／
１（体積比）の混合溶媒とし、かつ、現像時間を３２秒
とした以外は実施例１と同様にして試料クエへを作製し
、さらに、ドーズ量に対する残膜率の特性曲線を求めた
。この結果を第４図に示す。

別表１に実施例１〜実施例４の使用材料及び実験条件と
、各実施例において得た特性曲線図から求めた感度（残
膜率が５０％となるドーズ量ｏ　％　Ｓ　）とをそれぞ
れ示す。

実施例１と、実施例２とを比較することによって理解出
来るように、この発明のレジスト中に同じ種類のビスア
ジドを添加した場合ではその添加量が多くなると感度が
向上することが分かり、実施例２において１１ｍＪ／ａ
ｍ２の感度が得られた。又、ビスアジドの添加量をさら
に増していった場合感度の向上が期待されるが、ビスア
ジドの有機溶媒に対する溶解度に起因する問題が生じる
。例えば実施例２においてこのビスアジドをポリ（アリ
ルシルセスキオキサン）に対して１５重量％添加したレ
ジストで基板上に皮膜を形成したところ、露光館のベー
ク中にビスアジドが析出してしまいレジストパターン形
成に不適当な皮膜となった。又、実施例４においてこの
ビスアジドを１５重量％添加したレジストで基板上に皮
膜を形成したところ、密着露光を行う際マスクと、ウェ
ハとがくっつくスティッキングが起こった。このように
スティッキングが生じた原因は１，３−ジアジド−１，
３−ジメチル−１，３−ジフェニルジシロキサンが油状
物であるためと考えられる。

従って、この発明のネガ型フォトレジストの構成成分の
一つであるビスアジドをボッ（アリルシルセスキオキサ
ン）に対して約５〜１４重量％好ましくは５〜１０重量
％添加するのが好適である。

尚、添加量の下限を５重量％とした理由はこれより添加
量が少ない場合は所望とする感度を得ることが出来ない
からである。

０２−ＲＩＥ　　　： 次に、この発明のネガ型フォトレジストの０２−ＲＩＥ
耐性についての実験結果につき説明する。

実五■乳Ｑ 実施例２で調製したレジスト溶液をシリコン基板上に回
転塗布した後、６０℃の温度で３０分間ソフトベークを
行い０．５μｍの膜厚のレジスト膜を得る。続いて、ド
ーズ量２０ｍＪ／ｃｍ２とし石英のマスクブランクを介
して実施例２と同様な光源を用いて露光を行った。次に
、現像及びポストベークを実施例２と同じ条件で行って
試料ウェハを得た。

次に、この試料ウェハを四分割しこの中の三つのウニ八
部分に対して一つは１０分間、一つは２０分間、一つは
３０分間それぞれ０２−ＲＩＥを行った。このエツチン
グ条件をｒｆパワー密度を０．０８Ｗ／ｃｍ２とし、ガ
ス圧を５Ｐａとし、ガス流量を２０ｓｅｃｍとして行っ
た。

第５図は、それぞれのエツチング時間中にエツチングさ
れた各試料ウニ八部分のレジストの膜減り量を縦軸にと
り、エツチング時間を横軸にとり、エツチング時間に対
するレジストの膜減り量をプロットして示す特性曲線図
であり、第５図中■で示す特性曲線図が実施例２で調製
したレジストの０２−ＲＩＥ耐性を示すものである。

矢五孤Ω 実施例４で調製したレジストを用い、実施例■と同様な
処理を行ってこのレジストの０２−ＲＩＥ耐性を調査し
た。ただし、この実施例の場合ドーズ量を８０ｍＪ／ｃ
ｍ２とし、又、現像処理に関しては実施例４と同様な条
件で行った。

第５図中■で示す特性曲線図が実施例４で調製したレジ
ストの０２−ＲＩＥ耐性を示すものである。

ルＪ日江工 比較のため、シリコン基板上に二層レジストプロセスで
下層レジストとして用いられる例えばＡＺ−２４００（
シラプレー社のレジストの商品名。）を塗布した後、２
２０℃の温度で１時間ハードベークを行い２μｍのｌｌ
５１厚のレジスト膜を得た。

このレジスト膜を有するウェハを四分割し、実施例■で
行った０２−ＲＩＥの条件と同じ条件で各ウニ八部分に
対しそれぞれエツチングを行って、このレジスト膜の０
２−ＲＩＥ耐性を調査した。第５図ウニで示す特性曲線
図がＡＺレジストの０２−ＲＩＥ耐性を示すものである
。尚、このＡＺレジストは上述のエツチングにおいてエ
ツチング開始から２５分経過後に全てエツチングされて
しまった。

第５図にそれぞれ示した実施例■及び■と、比較例工と
の特性曲線図からも理解出来るように、エツチングされ
る速度が実質的に零になるまでのエツチング量（初期エ
ツチング量）は、実施例■で用いたレジストの場合が１
４０人であり、実施例■で用いたレジストの場合が１０
０人であり、何れのものも従来の珪素含訂フォトレジス
トのそれの半分程度の値となった。従って、この発明の
ネガ型フォトレジストを二層レジストプロセスにおける
上層レジストとして用いた場合、充分に薄い膜厚に形成
しても目的を達成することが出来る。

ニ　レジス　パターンのン　ニー 以下、この発明のネガ型フォトレジストを二層レジスト
プロセスの上層レジストとして用い、レジストパターン
の形成を行った実験結果につき説明する。

実表ｄ江１ シリコン基板上にＡＺ−２４００を塗布した後、２２０
℃の温度で１時間ハードベークを行い３μｍの膜厚の下
層レジスト膜を得た。続いて、この下層レジスト股上に
実施例１で調製したレジスト溶液を回転塗布した後、６
０℃の温度で３０分間ソフトヘークを行い０．３μｍの
膜厚の上層レジストｊＩ２を得た。

次に、ドーズ量４０ｍＪ／ｃｍ２とし、実施例１で既に
説明した光源を用い所定の石英マスクを介して露光を行
った。続いて実施例１の現像条件及びポストベーク条件
と同様な条件で現像及びベーキングを行って、上層レジ
ストのレジストパターンを得た。

続いて、この上層のレジストパターンをエツチングマス
クとして用い、下層レジストに対してｒｆパワー密度を
０　、０８　Ｗ　／　ｃ　ｍ　２とし、ガス圧を５Ｐａ
とし、ガス流量を２０ｓｅｃｍとして５０分間０２−Ｒ
ＩＥを施した。

エツチング終了後の二層レジストをＳＥＭ（走査電子顕
微鏡）を用いて観察したところ厚み３μｍ、ライン幅０
．５μｍつまりアスペクト比６の、用いたマスクの設計
値にほぼ等しい二層レジストパターンが得られているこ
とが分った。

夫Ａ亘ユ シリコン基板上に実施例工と同様にＡＺ−２４００を２
．０μｍの膜厚に形成し、このＡＺ−２４００上に上層
レジストとして実施例２で調製したレジストを０．３５
μｍの膜厚に形成した。次に、実施例工と同様にして二
層レジストパターンの形成を行った。尚、この実施例の
場合上層レジストに対して行う露光のドーズ量を２０ｍ
Ｊ／ｃｍ２とし、現像時間を実施例２と同様な現像時間
とした。又、０□−ＲＩＥの条件をエツチング時間を３
５分とした以外は実施例Ｉと同様のものとした。

エツチング終了後の二層レジストをＳＥＭを用いて観察
したところ厚み２．１μｍの０．５μｍラインアンドス
ペースの二層レジストパターンが得られていることが分
った。

及五亘１ シリコン基板上に実施例工と同様に、Ａ　Ｚ　−２４０
０を２．０μｍの膜厚に形成し、このＡｚ−２４００上
に上層レジストとして実施例４で調製したレジストを０
．２５μｍの膜厚に形成した。次に、実施例工と同様に
して二層レジストパターンの形成を行う。尚、この実施
例の場合上層レジストに対して行う露光のドーズ量を６
０ｍＪ／ｃｍ２とし、現像時間を実施例４と同様な現像
時間とした。又、０２−ＲＩＥの条件をエツチング時間
を３５分とした以外は実施例■と同様のものとした。

エツチング終了後の二層レジストをＳＥＭを用いて観察
したところ厚み２．１μｍの０．５μｍラインアンドス
ペースの二層レジストパターンが得られていることが分
った。

実施例工〜実施例■の実験結果からも明らかなように、
この発明のネガ型フォトレジストは０２−ＲＩ　Ｅ耐性
が非常に慢れている。従って、この発明のレジストを上
層レジストとして用いた場合従来のレジストよりも薄い
膜厚であってもエツチングマスクとしての使用に耐え得
ることが分かる。又、下層レジストの膜厚を従来よりも
厚くすることが可能となる。

尚、この発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。

例えば、上述した実施例を遠紫外光用のネガ型フォトレ
ジストとした例につき説明したか、添加するビスアジド
を実施例の波長とは異る波長で光分解するビスアジドと
することによって、他の波長帯で露光可能なレジストを
得ることも可能である。このような場合であっても架橋
密度が高いレジストパターンであフて、０２−ＲＩＥ耐
性に優れたネガ型フォトレジストを得ることが可能であ
る。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明のネガ型
フォトレジストは、架橋反応に関与するアリル基を多数
有するポリ（アリルシルセスキオキサン）と、ビスアジ
ドとを含んでいるものであり、このレジスト中のどスア
ジドを例えば遠紫外光で光分解するビスアジドとしたも
のであれば、遠紫外光で露光し５０％の残膜率が得られ
る露光を１１ｍＪ／ｃｍ２のドーズ量で行えるというよ
うに非常に高感度なものである。従って、レジストパタ
ーンを高スルーブツトで形成することが出来る。

又、高い架橋密度が出現するから、例えばサブミクロン
オーダーの高解像度のレジストパターンを得ることが出
来る。

又、この発明のネガ型レジストに対して０□−ＲＩＥを
施した場合、エツチングされる速度が実質的に零になる
までのエツチング量（初期エツチング量）は１００〜１
４０人であった。このイ直は従来の珪素含有フィトレジ
ストのそれの半分程度の値となる。従って、エツチング
のプロセスラチチュードを広くとることが出来る。

これがため、０２ＲＩＥ耐性と、優れた感度とを有する
ネガ型フォトレジストを提供することが出来る。

従って、この発明のネガ型フォトレジストは、例えば大
規模集積回路等の製造工程において、複雑で大きな段差
を有する基板上に高いアスペクト比でかつサブミクロオ
ーダーのレジストパターンを形成するための二層レジス
トプロセスの上層レジストして用いることが可能なもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図はこの発明の第１〜第４実施例で説明し
たネガ型フォトレジストの遠紫外光に対する感度をそれ
ぞれ示す特性曲線図、 第５図はこの発明の第２及び第４実施例で説明したそれ
ぞれのネガ型フォトレジストと、比較例のレジストとの
０２−ＲＩＥ耐性をそれぞれ示す特性曲線図、 第６図（Ａ）〜（Ｃ）は従来及びこの発明の説明に供す
る、二層レジストプロセスを説明するための製造工程図
である。 ＩＩ・・・基板、　　　　　　　１３・・・段差１５・
・・下層レジスト、　　　１７・・・上層レジスト１７
ａ・−上層レジストのパターン １９　＝−二層レジストのパターン。 特許出願人　　　　沖電気工業株式会社ド　−ス゛１１
１′ 二Ｌ：ｙ）４９月の英万在、イ列ｔｒＭＦｔヨ月Ｌｒニ
ムン′スと’Ａ＼崖を示Ｊ竹竹９番ｎ行第１図 ドース量 二の４蔓、８月／）芙１をｇ１１２７”ｉ児ａＦｊ　Ｌ
　ｒ：　Ｌシ゛ヌとの次Ｎ眉を牙、４千ケナ生臼漣手国
ド一　ス゛ｔ この発Ｂ月の実苅；Ｑｒ＋　３７゛説明ＬｉＳ糾ジース
トのゑ彦ｅｒｒす釣Ｔ１由季氷のドース゛ｉ この発４月の実流イダ１１４７”説明ヒｒｉｂヅストの
λχ斤を示４刊寸生曲豹陶旧第４図 Ｌノチンク゛１ヶ戸〜　　（５゛） この多Ｅ月のレグストに７’冴用しン′朴との０．−Ｒ
ｒＥ淘甘生衿角イヨ第５図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記（１）式 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（１） で表わされる重量平均分子量３０００〜５００００のポ
   リ（アリルシルセスキオキサン）と、ビスアジドとを含
   むことを特徴とするネガ型フォトレジスト。
2. （２）前記ビスアジドを波長２００〜３００ｎｍの遠紫
   外光によって光分解するビスアジドとしたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のネガ型フォトレジスト
   。
3. （３）前記ビスアジドを前記ポリ（アリルシルセスキオ
   キサン）に対して５〜１４重量％添加したことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のネガ型フォトレジスト
   。