JPH10319597A - 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 - Google Patents
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置Info
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- JPH10319597A JPH10319597A JP9133602A JP13360297A JPH10319597A JP H10319597 A JPH10319597 A JP H10319597A JP 9133602 A JP9133602 A JP 9133602A JP 13360297 A JP13360297 A JP 13360297A JP H10319597 A JPH10319597 A JP H10319597A
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- JP
- Japan
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- resin composition
- silicone ladder
- photosensitive
- film
- based resin
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- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 直接光で微細加工可能な感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物を得る。 【解決手段】 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
は、下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1およびＲ2はアリール基、水素原子、脂肪族
アルキル基または不飽和結合を有する官能基であり、同
種でも異種でもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は水素原
子、アリール基、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリ
ル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でも
異種でもよい。ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
びＲ6のうち１重量％以上は感光性を有する官能基で、
ｎは自然数である。）で表されるシリコーンラダー系樹
脂と、感光性架橋剤または光重合開始剤を含有するもの
である。
ダー系樹脂組成物を得る。 【解決手段】 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
は、下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1およびＲ2はアリール基、水素原子、脂肪族
アルキル基または不飽和結合を有する官能基であり、同
種でも異種でもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は水素原
子、アリール基、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリ
ル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でも
異種でもよい。ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
びＲ6のうち１重量％以上は感光性を有する官能基で、
ｎは自然数である。）で表されるシリコーンラダー系樹
脂と、感光性架橋剤または光重合開始剤を含有するもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写
するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半
導体装置に関するものである。
ラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写
するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置における固体素子のパ
ッシベーション層、応力緩衝膜または層間膜などとして
用いられる絶縁膜として、シリコーンラダー系樹脂やポ
リイミド樹脂等熱硬化性樹脂の高分子材料の開発が検討
されている。これらの材料は、無機材料と比較して残留
応力が小さく、平滑性が良好でしかも純度が高いなどの
点で優れており、一部半導体素子の製造に実用化されて
きている。上記高分子材料はダイボンディングなどの作
業工程上では優れた耐熱性を保持することが要求され、
通常４５０℃以上の耐熱性を有する必要がある。上記シ
リコーンラダー系樹脂を固体素子のパッシベーション
層、応力緩衝膜または層間絶縁層として使用する場合に
は、特開平２―２２２５３７号公報に示されているよう
に、上下の導体層の通風部や外部リード線との接続のた
めのスルーホール孔などの微細加工を施す必要があり、
フォトレジストをマスクとして使用したシリコーンラダ
ー系樹脂の化学エッチング処理により行われている。
ッシベーション層、応力緩衝膜または層間膜などとして
用いられる絶縁膜として、シリコーンラダー系樹脂やポ
リイミド樹脂等熱硬化性樹脂の高分子材料の開発が検討
されている。これらの材料は、無機材料と比較して残留
応力が小さく、平滑性が良好でしかも純度が高いなどの
点で優れており、一部半導体素子の製造に実用化されて
きている。上記高分子材料はダイボンディングなどの作
業工程上では優れた耐熱性を保持することが要求され、
通常４５０℃以上の耐熱性を有する必要がある。上記シ
リコーンラダー系樹脂を固体素子のパッシベーション
層、応力緩衝膜または層間絶縁層として使用する場合に
は、特開平２―２２２５３７号公報に示されているよう
に、上下の導体層の通風部や外部リード線との接続のた
めのスルーホール孔などの微細加工を施す必要があり、
フォトレジストをマスクとして使用したシリコーンラダ
ー系樹脂の化学エッチング処理により行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記微
細加工におけるシリコーンラダー系樹脂のパターン加工
には、フォトレジストの塗布、露光、現像や剥離といっ
た工程が必要とされ、プロセス自体が非常に煩雑なもの
となるという課題があった。
細加工におけるシリコーンラダー系樹脂のパターン加工
には、フォトレジストの塗布、露光、現像や剥離といっ
た工程が必要とされ、プロセス自体が非常に煩雑なもの
となるという課題があった。
【０００４】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、直接光で微細加工可能な感光性シリコー
ンラダー系樹脂組成物を得ることを目的とする。また、
短時間にしかも安定にパターン転写が可能なパターン転
写方法および容易に製造される半導体装置を得ることを
目的とする。
されたもので、直接光で微細加工可能な感光性シリコー
ンラダー系樹脂組成物を得ることを目的とする。また、
短時間にしかも安定にパターン転写が可能なパターン転
写方法および容易に製造される半導体装置を得ることを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の感光
性シリコーンラダー系樹脂組成物は、下記一般式（１）
性シリコーンラダー系樹脂組成物は、下記一般式（１）
【０００６】
【化２】
【０００７】（式中、Ｒ1およびＲ2はアリール基、水素
原子、脂肪族アルキル基または不飽和結合を有する官能
基であり、同種でも異種でもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
びＲ6は水素原子、アリール基、脂肪族アルキル基、ト
リアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基で
あり、同種でも異種でもよい。ただし、Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6のうち１重量％以上は感光性を
有する官能基で、ｎは自然数である。）で表されるシリ
コーンラダー系樹脂並びに感光性架橋剤もしくは光重合
開始剤を含有したものである。
原子、脂肪族アルキル基または不飽和結合を有する官能
基であり、同種でも異種でもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
びＲ6は水素原子、アリール基、脂肪族アルキル基、ト
リアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基で
あり、同種でも異種でもよい。ただし、Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6のうち１重量％以上は感光性を
有する官能基で、ｎは自然数である。）で表されるシリ
コーンラダー系樹脂並びに感光性架橋剤もしくは光重合
開始剤を含有したものである。
【０００８】本発明に係る第２の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物は、上記第１の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物において、シリコーンラダー系樹脂の不飽
和結合を有する官能基が、アルケニル基、アルキルアク
リロイル基、アルキルメタクリロイル基またはスチリル
基のものである。
ー系樹脂組成物は、上記第１の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物において、シリコーンラダー系樹脂の不飽
和結合を有する官能基が、アルケニル基、アルキルアク
リロイル基、アルキルメタクリロイル基またはスチリル
基のものである。
【０００９】本発明に係る第３の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物は、上記第１または第２の感光性シリコ
ーンラダー系樹脂組成物において、感光性架橋剤もしく
は光重合開始剤をシリコーンラダー系樹脂に対し０．０
１〜２０重量％含有したものである。
ー系樹脂組成物は、上記第１または第２の感光性シリコ
ーンラダー系樹脂組成物において、感光性架橋剤もしく
は光重合開始剤をシリコーンラダー系樹脂に対し０．０
１〜２０重量％含有したものである。
【００１０】本発明に係る第４の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物は、上記第１ないし第３のいずれかの感
光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、光増感剤または
光開始助剤を含有したものである。
ー系樹脂組成物は、上記第１ないし第３のいずれかの感
光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、光増感剤または
光開始助剤を含有したものである。
【００１１】本発明に係る第５の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物は、上記第１ないし第４のいずれかの感
光性シリコーンラダー系樹脂組成物において、光増感剤
または光開始助剤をシリコーンラダー系樹脂に対し０．
０１〜１０重量％含有したものである。
ー系樹脂組成物は、上記第１ないし第４のいずれかの感
光性シリコーンラダー系樹脂組成物において、光増感剤
または光開始助剤をシリコーンラダー系樹脂に対し０．
０１〜１０重量％含有したものである。
【００１２】本発明に係る第６の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物は、上記第１ないし第５のいずれかの感
光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、重合禁止剤を含
有したものである。
ー系樹脂組成物は、上記第１ないし第５のいずれかの感
光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、重合禁止剤を含
有したものである。
【００１３】本発明に係る第７の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物は、上記第６の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物において、重合禁止剤をシリコーンラダー
系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜５重量％含有したものであ
る。
ー系樹脂組成物は、上記第６の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物において、重合禁止剤をシリコーンラダー
系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜５重量％含有したものであ
る。
【００１４】本発明に係る第８の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物は、上記第１ないし第７のいずれかの感
光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、シランカップリ
ング剤を含有したものである。
ー系樹脂組成物は、上記第１ないし第７のいずれかの感
光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、シランカップリ
ング剤を含有したものである。
【００１５】本発明に係る第９の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物は、上記第８の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物において、シランカップリング剤をシリコ
ーンラダー系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜１０重量％含有し
たものである。
ー系樹脂組成物は、上記第８の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物において、シランカップリング剤をシリコ
ーンラダー系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜１０重量％含有し
たものである。
【００１６】本発明に係る第１０の感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物は、上記第１ないし第９のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、光重合性モノ
マーまたは光重合性オリゴマーを含有したものである。
ダー系樹脂組成物は、上記第１ないし第９のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、光重合性モノ
マーまたは光重合性オリゴマーを含有したものである。
【００１７】本発明に係る第１１の感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物は、上記第１０の感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物において、光重合性モノマーまたは光
重合性オリゴマーをシリコーンラダー系樹脂に対し１０
ｐｐｍ〜１００重量％含有したものである。
ダー系樹脂組成物は、上記第１０の感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物において、光重合性モノマーまたは光
重合性オリゴマーをシリコーンラダー系樹脂に対し１０
ｐｐｍ〜１００重量％含有したものである。
【００１８】本発明に係る第１のパターン転写方法は、
基板に、上記第１ないし第１１のいずれかの感光性シリ
コーンラダー系樹脂組成物を含有した樹脂組成物膜を形
成する工程、感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤、
光開始助剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、光重
合性モノマーまたは光重合性オリゴマーの分解温度より
５℃以上低温で加熱乾燥する工程、フォトマスクを用い
て露光する工程および上記樹脂組成物膜を現像する工程
を施す方法である。
基板に、上記第１ないし第１１のいずれかの感光性シリ
コーンラダー系樹脂組成物を含有した樹脂組成物膜を形
成する工程、感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤、
光開始助剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、光重
合性モノマーまたは光重合性オリゴマーの分解温度より
５℃以上低温で加熱乾燥する工程、フォトマスクを用い
て露光する工程および上記樹脂組成物膜を現像する工程
を施す方法である。
【００１９】本発明に係る第２のパターン転写方法は、
上記第１のパターン転写方法において、シランカップリ
ング処理された基板を用いる方法である。
上記第１のパターン転写方法において、シランカップリ
ング処理された基板を用いる方法である。
【００２０】本発明に係る第３のパターン転写方法は、
上記第１または第２のパターン転写方法において、露光
を不活性雰囲気中で行う方法である。
上記第１または第２のパターン転写方法において、露光
を不活性雰囲気中で行う方法である。
【００２１】本発明に係る第４のパターン転写方法は、
上記第１ないし第３のいずれかのパターン転写方法にお
いて、露光後、感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感
剤、光開始助剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、
光重合性モノマーまたは光重合性オリゴマーの分解温度
より５℃以上低温で加熱する工程を施す方法である。
上記第１ないし第３のいずれかのパターン転写方法にお
いて、露光後、感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感
剤、光開始助剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、
光重合性モノマーまたは光重合性オリゴマーの分解温度
より５℃以上低温で加熱する工程を施す方法である。
【００２２】本発明に係る第５のパターン転写方法は、
上記第１ないし第４のいずれかのパターン転写方法にお
いて、現像は、樹脂組成物膜にエッチングおよびリンス
を交互に複数回施すことにより行う方法である。
上記第１ないし第４のいずれかのパターン転写方法にお
いて、現像は、樹脂組成物膜にエッチングおよびリンス
を交互に複数回施すことにより行う方法である。
【００２３】本発明に係る第１の半導体装置は、半導体
基板に上記第１ないし第１１のいずれかの感光性シリコ
ーンラダー系樹脂組成物からなる樹脂組成物膜を設けた
ものである。
基板に上記第１ないし第１１のいずれかの感光性シリコ
ーンラダー系樹脂組成物からなる樹脂組成物膜を設けた
ものである。
【００２４】本発明に係る第２の半導体装置は、上記第
１の半導体装置の樹脂組成物膜が絶縁膜であり、応力緩
衝膜、パッシベーション膜または表面保護膜として使用
されているものである。
１の半導体装置の樹脂組成物膜が絶縁膜であり、応力緩
衝膜、パッシベーション膜または表面保護膜として使用
されているものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物は上記一般式（１）で表されるシリコーン
ラダー系樹脂に、感光剤となる感光性架橋剤もしくは光
重合開始剤を含有したものであり、光または放射線によ
り溶剤不溶となるので直接光による加工が可能となる。
系樹脂組成物は上記一般式（１）で表されるシリコーン
ラダー系樹脂に、感光剤となる感光性架橋剤もしくは光
重合開始剤を含有したものであり、光または放射線によ
り溶剤不溶となるので直接光による加工が可能となる。
【００２６】なお、上記一般式（１）において、Ｒ1、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6のうち１重量％以上は感
光性を有する官能基である。１重量％未満であると本発
明のシリコーンラダー系樹脂組成物の光または放射線に
対する感光性が不十分となる。また、不飽和結合を有す
る官能基としては、感度特性を向上させるためにはアル
ケニル基、アルキルアクリロイル基、アルキルメタクリ
ロイル基またはスチリル基であるのが好ましいが、これ
らに限定されるものではない。これらの不飽和結合を有
する官能基は単独で導入してもよく、２種以上混合して
導入してもよい。なお、上記シリコーンラダー系樹脂は
公知の樹脂であり、例えば特開平０３―２０７７１９号
公報に記載された製造方法により得ることができる。
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6のうち１重量％以上は感
光性を有する官能基である。１重量％未満であると本発
明のシリコーンラダー系樹脂組成物の光または放射線に
対する感光性が不十分となる。また、不飽和結合を有す
る官能基としては、感度特性を向上させるためにはアル
ケニル基、アルキルアクリロイル基、アルキルメタクリ
ロイル基またはスチリル基であるのが好ましいが、これ
らに限定されるものではない。これらの不飽和結合を有
する官能基は単独で導入してもよく、２種以上混合して
導入してもよい。なお、上記シリコーンラダー系樹脂は
公知の樹脂であり、例えば特開平０３―２０７７１９号
公報に記載された製造方法により得ることができる。
【００２７】また、上記感光剤となる感光性架橋剤もし
くは光重合開始剤は、上記シリコーンラダー系樹脂に対
し０．０１〜２０重量％添加するが、０．０１重量％未
満の場合は感度が低く、２０重量％を超えると耐熱性や
保存安定性に劣るので好ましくない。
くは光重合開始剤は、上記シリコーンラダー系樹脂に対
し０．０１〜２０重量％添加するが、０．０１重量％未
満の場合は感度が低く、２０重量％を超えると耐熱性や
保存安定性に劣るので好ましくない。
【００２８】上記感光性架橋剤は、芳香族アジド化合
物、芳香族ジアジド化合物、イミノキノンジアジド化合
物、芳香族ジアゾ化合物や有機ハロゲン化合物などの光
照射によりラジカル活性種を生成する感光性化合物であ
る。例えば、アジドピレン、ｐ―アジドベンズアルデヒ
ド、ｐ―アジドアセトフェノン、ｐ―アジドベンゾイッ
クアシッド、ｐ―アジドベンザルアセトン、ｐ―アジド
ベンザルアセトフェノン、ｐ―アジド―α―シアノシン
ナミックアシッド、４―スルフォニルアジドベンゾイッ
クアシッド、３―スルフォニルアジドベンゾイックアシ
ッド、２，６―ジ（４’―アジドベンザル）シクロヘキ
サノン、２，６―ジ（４’―アジドベンザル）―４―メ
チルシクロヘキサノン、２，６―ジ（４’―アジドベン
ザル）―４―エチルシクロヘキサノン、２，６―ジ（ｐ
―アジドベンザル）―４―ｔｅｒｔ．アミルシクロヘキ
サノン、１，３―ジ（４’―アジドベンザル）―２―プ
ロパノン、１，３―ジ（４’―アジドシンナミリジン）
―２―プロパノン、４，４’―ジアジドカルコン―２―
［ｎ，ｎ―ジ（２―エトキシエチル）スルフォンアミ
ド、４，４’―ジアジドスチルベン―２，２’―ジ
［ｎ，ｎ―ジ（２―エトキシエチル）スルフォンアミ
ド、１，３―ジ（４’―アジドベンザル）―２―プロパ
ノン―２’―スルフォニックアシッド、２，６―ジ
（４’―アジドベンザルスルフォニックアシッド）シク
ロヘキサノン、２，６―ジ（４’―アジドベンザルスル
フォニックアシッド）メチルシクロヘキサノン、４，
４’―ジアジドベンザルアセトン、４，４’―ジアジド
スチルベン、４，４’―ジアジドカルコン、４，４’―
ジアジドアクリジン、４，４’―ジアジドジフェニルメ
タン、１，４―イミノキノン―ジアジド（４）―２―ス
ルフォンアミド、１，４―イミノキノン―ジアジド
（４）―２―スルフォニックアシッドエステル、４―フ
ェニルアミノフェニル―４’―アゾトリルスルフォン、
テトラゾ（ジジアゾ）ニウム塩、３，４―ジアゾ―ｎ―
エチル―ｎ―β―フェノキシエチルアニリン、４，４―
ジアゾ―ｎ―フェニルモルフォリン、ｐ―ジアゾジフェ
ニルアミン、２，４―ジアゾ―ｎ―メチル―ｎ―フェネ
チルアニリン、３，４―ジアゾ―ｎ―エチル―ｎ―β―
ヒドロキシエチルアニリン、４―ジアゾ―４’―メトキ
シジフェニルアミンアミン塩、４―ジアゾ―３―メトキ
シジフェニルアミンアミン、トリブロムアセトフェノ
ン、ｏ―ニトロベンズアルデヒド、２―ニトロ―５―ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、ジフェニルニトロン、チオ
キサントン、ベンゾフェノチアジン、ベンゾフェノキサ
ジン、１―メチル―３―ジアゾオキシインドール、ジア
ゾシクロペンタジエンジフェニルスルホンなどが挙げら
れるが、これらに限定されるものではなく、これらは単
独でも、２種以上混合して用いてもよい。
物、芳香族ジアジド化合物、イミノキノンジアジド化合
物、芳香族ジアゾ化合物や有機ハロゲン化合物などの光
照射によりラジカル活性種を生成する感光性化合物であ
る。例えば、アジドピレン、ｐ―アジドベンズアルデヒ
ド、ｐ―アジドアセトフェノン、ｐ―アジドベンゾイッ
クアシッド、ｐ―アジドベンザルアセトン、ｐ―アジド
ベンザルアセトフェノン、ｐ―アジド―α―シアノシン
ナミックアシッド、４―スルフォニルアジドベンゾイッ
クアシッド、３―スルフォニルアジドベンゾイックアシ
ッド、２，６―ジ（４’―アジドベンザル）シクロヘキ
サノン、２，６―ジ（４’―アジドベンザル）―４―メ
チルシクロヘキサノン、２，６―ジ（４’―アジドベン
ザル）―４―エチルシクロヘキサノン、２，６―ジ（ｐ
―アジドベンザル）―４―ｔｅｒｔ．アミルシクロヘキ
サノン、１，３―ジ（４’―アジドベンザル）―２―プ
ロパノン、１，３―ジ（４’―アジドシンナミリジン）
―２―プロパノン、４，４’―ジアジドカルコン―２―
［ｎ，ｎ―ジ（２―エトキシエチル）スルフォンアミ
ド、４，４’―ジアジドスチルベン―２，２’―ジ
［ｎ，ｎ―ジ（２―エトキシエチル）スルフォンアミ
ド、１，３―ジ（４’―アジドベンザル）―２―プロパ
ノン―２’―スルフォニックアシッド、２，６―ジ
（４’―アジドベンザルスルフォニックアシッド）シク
ロヘキサノン、２，６―ジ（４’―アジドベンザルスル
フォニックアシッド）メチルシクロヘキサノン、４，
４’―ジアジドベンザルアセトン、４，４’―ジアジド
スチルベン、４，４’―ジアジドカルコン、４，４’―
ジアジドアクリジン、４，４’―ジアジドジフェニルメ
タン、１，４―イミノキノン―ジアジド（４）―２―ス
ルフォンアミド、１，４―イミノキノン―ジアジド
（４）―２―スルフォニックアシッドエステル、４―フ
ェニルアミノフェニル―４’―アゾトリルスルフォン、
テトラゾ（ジジアゾ）ニウム塩、３，４―ジアゾ―ｎ―
エチル―ｎ―β―フェノキシエチルアニリン、４，４―
ジアゾ―ｎ―フェニルモルフォリン、ｐ―ジアゾジフェ
ニルアミン、２，４―ジアゾ―ｎ―メチル―ｎ―フェネ
チルアニリン、３，４―ジアゾ―ｎ―エチル―ｎ―β―
ヒドロキシエチルアニリン、４―ジアゾ―４’―メトキ
シジフェニルアミンアミン塩、４―ジアゾ―３―メトキ
シジフェニルアミンアミン、トリブロムアセトフェノ
ン、ｏ―ニトロベンズアルデヒド、２―ニトロ―５―ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、ジフェニルニトロン、チオ
キサントン、ベンゾフェノチアジン、ベンゾフェノキサ
ジン、１―メチル―３―ジアゾオキシインドール、ジア
ゾシクロペンタジエンジフェニルスルホンなどが挙げら
れるが、これらに限定されるものではなく、これらは単
独でも、２種以上混合して用いてもよい。
【００２９】上記光重合開始剤は、カルボニル化合物、
ジカルボニル化合物、アセトフェノン、ベンゾインエー
テル、アシルフォスフィンオキシド、チオキサンソン、
アミノカルボニル化合物、含窒素化合物などである。例
えば、ベンゾフェノン、２，４，６―トリメチルベンゾ
フェノン、１，２―ナフトキノン、ベンジル、アントラ
キノン、２―エチルアントラキノン、９，１０―フェナ
ントレンキノン、メチル―α―オキソベンゼンアセテー
ト、２―ヒドロキシ―２―メチル―１―フェニルプロパ
ン―１―オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソペンチ
ルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、２，４，
６―トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキ
サイド、メチル４―（ジメチルアミノ）ベンゾエート、
エチル４―（ジメチルアミノ）ベンゾエート、２―（ジ
メチルアミノ）エチルベンゾエート、チオキサンソン、
２―クロルチオキサンソン、２―メチルチオキサンソ
ン、２，４―ジメチルチオキサンソン、２，４―ジクロ
ルチオキサンソン、イソピロピルチオキサンソン、２，
４―ジエチルチオキサンソン、２，４―ジイソプロピル
チオキサンソン、４，４’―ジジメチルアミノベンゾフ
ェノン、４，４’―ジジエチルアミノベンゾフェノン、
９―フェニルアクリジン、２，２’―ジ（ｏ―クロロフ
ェニル）―４，４’，５，５’，―テトラフェニル―
１，２―ビイミダゾール、ジ（５―シクロペンタンジエ
ニル）ジ［２，６―ジフルオロ―３―（１Ｈ―ｐｙｒ―
１―ｙｌ）フェニル］チタニウム、［η―５，２，４―
（シクロペンタンジエニル）―（１，２，３，４，５，
６，η）―（メチルエチル）―ベンゼン］アイロン（Ｉ
Ｉ）ヘキサフルオロフォスフェート、２，２―ジメトキ
シ―１，２―ジフェニルエタン―１―オン、、２，２―
ジエトキシ―１，２―ジフェニルエタノン、１―フェニ
ル―１，２―プロパンジオン―２―（ｏ―エトキシカル
ボニル）オキシム、３，６―ジ（２―メチル―２―モル
フォリノプロパノニル）―９―ブチルカルバゾール、１
―ヒドロキシ―シクロヘキシルフェニルケトン、２―メ
チル―１―［４―（メチルチオ）フェニル］―２―モン
フォリノ―１―プロパノン、２―ベンジル―２―ジメチ
ルアミノ―１―（４―モルフォリノフェニル）―ブタン
―１―オン、２―ヒドロキシ―２―メチル―１―フェニ
ルプロパン―１―オン、１―［４―（２―ヒドロキシエ
トキシ）フェニル］―２―ヒドロキシ―２―メチル―１
―プロパン―１―オン、ジアシルフォスフィンオキサイ
ド、９，１０―フェナンスレンキノン、α―アシロキシ
ムエステル、カンファーキノン、ジベンゾスベロン、２
―エチルアンスラキノン、４’，４”―ジエチルイソフ
タロフェノン、３，３’，４，４’―テトラ（ｔ―ブチ
ルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノンなどが挙げら
れるが、これらに限定されるものではなく、これらは単
独でも、２種以上混合して用いてもよい。
ジカルボニル化合物、アセトフェノン、ベンゾインエー
テル、アシルフォスフィンオキシド、チオキサンソン、
アミノカルボニル化合物、含窒素化合物などである。例
えば、ベンゾフェノン、２，４，６―トリメチルベンゾ
フェノン、１，２―ナフトキノン、ベンジル、アントラ
キノン、２―エチルアントラキノン、９，１０―フェナ
ントレンキノン、メチル―α―オキソベンゼンアセテー
ト、２―ヒドロキシ―２―メチル―１―フェニルプロパ
ン―１―オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソペンチ
ルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、２，４，
６―トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキ
サイド、メチル４―（ジメチルアミノ）ベンゾエート、
エチル４―（ジメチルアミノ）ベンゾエート、２―（ジ
メチルアミノ）エチルベンゾエート、チオキサンソン、
２―クロルチオキサンソン、２―メチルチオキサンソ
ン、２，４―ジメチルチオキサンソン、２，４―ジクロ
ルチオキサンソン、イソピロピルチオキサンソン、２，
４―ジエチルチオキサンソン、２，４―ジイソプロピル
チオキサンソン、４，４’―ジジメチルアミノベンゾフ
ェノン、４，４’―ジジエチルアミノベンゾフェノン、
９―フェニルアクリジン、２，２’―ジ（ｏ―クロロフ
ェニル）―４，４’，５，５’，―テトラフェニル―
１，２―ビイミダゾール、ジ（５―シクロペンタンジエ
ニル）ジ［２，６―ジフルオロ―３―（１Ｈ―ｐｙｒ―
１―ｙｌ）フェニル］チタニウム、［η―５，２，４―
（シクロペンタンジエニル）―（１，２，３，４，５，
６，η）―（メチルエチル）―ベンゼン］アイロン（Ｉ
Ｉ）ヘキサフルオロフォスフェート、２，２―ジメトキ
シ―１，２―ジフェニルエタン―１―オン、、２，２―
ジエトキシ―１，２―ジフェニルエタノン、１―フェニ
ル―１，２―プロパンジオン―２―（ｏ―エトキシカル
ボニル）オキシム、３，６―ジ（２―メチル―２―モル
フォリノプロパノニル）―９―ブチルカルバゾール、１
―ヒドロキシ―シクロヘキシルフェニルケトン、２―メ
チル―１―［４―（メチルチオ）フェニル］―２―モン
フォリノ―１―プロパノン、２―ベンジル―２―ジメチ
ルアミノ―１―（４―モルフォリノフェニル）―ブタン
―１―オン、２―ヒドロキシ―２―メチル―１―フェニ
ルプロパン―１―オン、１―［４―（２―ヒドロキシエ
トキシ）フェニル］―２―ヒドロキシ―２―メチル―１
―プロパン―１―オン、ジアシルフォスフィンオキサイ
ド、９，１０―フェナンスレンキノン、α―アシロキシ
ムエステル、カンファーキノン、ジベンゾスベロン、２
―エチルアンスラキノン、４’，４”―ジエチルイソフ
タロフェノン、３，３’，４，４’―テトラ（ｔ―ブチ
ルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノンなどが挙げら
れるが、これらに限定されるものではなく、これらは単
独でも、２種以上混合して用いてもよい。
【００３０】また、感光性シリコーンラダー系樹脂組成
物としては、上記感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
に、さらに光増感剤または光開始助剤を添加したものが
用いられる。上記光増感剤または光開始助剤を０．０１
〜１０重量％添加すれば感度が向上するため好ましい。
光増感剤または光開始助剤の添加量が０．０１重量％未
満の場合は十分な感度が得られず、１０重量％を超える
と耐熱性や保存安定性に劣るので好ましくない。
物としては、上記感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
に、さらに光増感剤または光開始助剤を添加したものが
用いられる。上記光増感剤または光開始助剤を０．０１
〜１０重量％添加すれば感度が向上するため好ましい。
光増感剤または光開始助剤の添加量が０．０１重量％未
満の場合は十分な感度が得られず、１０重量％を超える
と耐熱性や保存安定性に劣るので好ましくない。
【００３１】上記光増感剤は、芳香族炭化水素化合物、
芳香族ニトロ化合物、芳香族ケトン化合物、芳香族アミ
ノ化合物、フェノール性化合物、キノン化合物、アント
ロン化合物、クマリン誘導体などである。例えばナフタ
レン、アントラセンフェナントレン、クリセン、ニトロ
ベンゼン、ｐ―ジニトロベンゼン、１，３，５―トリニ
トロベンゼン、ｐ―ニトロジフェニル、ニトロアニリ
ン、ジニトロアニリン、ピクラミド、２―クロロ―４―
ニトロアニリン、フェノール、ｐ―ニトロフェノール、
２，４―ジニトロフェノール、２，４，６―トリニトロ
フェノール、ベンズアルデヒド、９―アントラアルデヒ
ド、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ジベンザルアセ
トン、ベンジル、ｐ，ｐ’―ジアミノベンゾフェノン、
ｐ，ｐ’―ジメチルアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ’―
テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ベンゾキノン、
１，２―ナフトキノン、１，４―ナフトキノン、アント
ラキノン、１，２―ベンゾアントラキノン、アントロ
ン、１，９―ベンゾアントラキノン、６―フェニル―
１，９―ベンゾアントラキノン、３―フェニル―１，９
―ベンゾアントラキノン、２―ケト―３―アザ―１，９
―ベンゾアントラキノン、３―メチル―１，３―ジアザ
―１，９―ベンゾアントラキノン、２―ニトロフルオレ
ン、２，７―ジニトロフルオレン、２，５―ジニトロフ
ルオレン、１，８―フタロイルナフタレン、２―クロロ
―１，８―フタロイルナフタレン、４―クロロ―１，８
―フタロイルナフタレン、５―ニトロアセナフテン、
５，６―ジニトロアセナフテン、５―ベンゾイルアセナ
フテン、１―ニトロピレン、ｎ―アセチル―４―ニトロ
―１―アミノナフタレン、ｎ―フェニルチオアクリド
ン、トリフェニルピリリウムパークロレイト、４―メト
キシフェニル―２，６―ジフェニルピリリウムパークロ
レイト、４―ブトキシフェニル―２，６―ジフェニルピ
リリウムパークロレイト、４―ペンチロキシフェニル―
２，６―ジフェニルピリリウムパークロレイト、２，
４，６―トリメトキシフェニル―２，６―ジフェニルピ
リリウムパークロレイト、４―メトキシフェニル―２，
６―ジフェニルチオピリリウムパークロレイト、４―ブ
トキシフェニル―２，６―ジフェニルチオピリリウムパ
ークロレイト、４―アミロキシフェニル―２，６―ジフ
ェニルチオピリリウムパークロレイト、２，４，６―ト
リメトキシフェニル―２，６―ジフェニルピリリウムパ
ークロレイト、３―ケトクマリン、アリルクマリン、ア
ロイルクマリン、アルコキシカルボニルジクマリン、ジ
アルキルケトジクマリンなどが挙げられるが、これらに
限定されるものではなく、単独でも２種以上混合して用
いてもよい。
芳香族ニトロ化合物、芳香族ケトン化合物、芳香族アミ
ノ化合物、フェノール性化合物、キノン化合物、アント
ロン化合物、クマリン誘導体などである。例えばナフタ
レン、アントラセンフェナントレン、クリセン、ニトロ
ベンゼン、ｐ―ジニトロベンゼン、１，３，５―トリニ
トロベンゼン、ｐ―ニトロジフェニル、ニトロアニリ
ン、ジニトロアニリン、ピクラミド、２―クロロ―４―
ニトロアニリン、フェノール、ｐ―ニトロフェノール、
２，４―ジニトロフェノール、２，４，６―トリニトロ
フェノール、ベンズアルデヒド、９―アントラアルデヒ
ド、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ジベンザルアセ
トン、ベンジル、ｐ，ｐ’―ジアミノベンゾフェノン、
ｐ，ｐ’―ジメチルアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ’―
テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ベンゾキノン、
１，２―ナフトキノン、１，４―ナフトキノン、アント
ラキノン、１，２―ベンゾアントラキノン、アントロ
ン、１，９―ベンゾアントラキノン、６―フェニル―
１，９―ベンゾアントラキノン、３―フェニル―１，９
―ベンゾアントラキノン、２―ケト―３―アザ―１，９
―ベンゾアントラキノン、３―メチル―１，３―ジアザ
―１，９―ベンゾアントラキノン、２―ニトロフルオレ
ン、２，７―ジニトロフルオレン、２，５―ジニトロフ
ルオレン、１，８―フタロイルナフタレン、２―クロロ
―１，８―フタロイルナフタレン、４―クロロ―１，８
―フタロイルナフタレン、５―ニトロアセナフテン、
５，６―ジニトロアセナフテン、５―ベンゾイルアセナ
フテン、１―ニトロピレン、ｎ―アセチル―４―ニトロ
―１―アミノナフタレン、ｎ―フェニルチオアクリド
ン、トリフェニルピリリウムパークロレイト、４―メト
キシフェニル―２，６―ジフェニルピリリウムパークロ
レイト、４―ブトキシフェニル―２，６―ジフェニルピ
リリウムパークロレイト、４―ペンチロキシフェニル―
２，６―ジフェニルピリリウムパークロレイト、２，
４，６―トリメトキシフェニル―２，６―ジフェニルピ
リリウムパークロレイト、４―メトキシフェニル―２，
６―ジフェニルチオピリリウムパークロレイト、４―ブ
トキシフェニル―２，６―ジフェニルチオピリリウムパ
ークロレイト、４―アミロキシフェニル―２，６―ジフ
ェニルチオピリリウムパークロレイト、２，４，６―ト
リメトキシフェニル―２，６―ジフェニルピリリウムパ
ークロレイト、３―ケトクマリン、アリルクマリン、ア
ロイルクマリン、アルコキシカルボニルジクマリン、ジ
アルキルケトジクマリンなどが挙げられるが、これらに
限定されるものではなく、単独でも２種以上混合して用
いてもよい。
【００３２】上記光開始助剤は、脂肪族アミンや芳香族
アミンなどである。例えば、トリエタノールアミン、メ
チルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミ
ン、ｎ―ブチルアミン、ｎ―メチルジエタノールアミ
ン、ジエチルアミノエチルメタノールクリエート、ミヒ
ラーケトン、４，４―ジエチルアミノフェノン、４―ジ
メチルアミノ安息香酸エチル、４―ジメチルアミノ安息
香酸（ｎ―ブトキシ）エチル、４―ジメチルアミノ安息
香酸イソアミルなどが挙げられるが、これらに限定され
るものではなく、単独でも２種以上混合して用いてもよ
い。
アミンなどである。例えば、トリエタノールアミン、メ
チルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミ
ン、ｎ―ブチルアミン、ｎ―メチルジエタノールアミ
ン、ジエチルアミノエチルメタノールクリエート、ミヒ
ラーケトン、４，４―ジエチルアミノフェノン、４―ジ
メチルアミノ安息香酸エチル、４―ジメチルアミノ安息
香酸（ｎ―ブトキシ）エチル、４―ジメチルアミノ安息
香酸イソアミルなどが挙げられるが、これらに限定され
るものではなく、単独でも２種以上混合して用いてもよ
い。
【００３３】また、感光性シリコーンラダー系樹脂組成
物としては、上記感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
に、さらに重合禁止剤を添加したものが用いられる。上
記重合禁止剤は貯蔵安定性や寿命の延長を行うために添
加するものであり、１０ｐｐｍ〜５重量％加えるのが好
ましい。１０ｐｐｍ未満の場合は効果が得られず、５重
量％を超えると感度の低下が起こるので好ましくない。
物としては、上記感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
に、さらに重合禁止剤を添加したものが用いられる。上
記重合禁止剤は貯蔵安定性や寿命の延長を行うために添
加するものであり、１０ｐｐｍ〜５重量％加えるのが好
ましい。１０ｐｐｍ未満の場合は効果が得られず、５重
量％を超えると感度の低下が起こるので好ましくない。
【００３４】上記重合禁止剤としては、ハイドロキノ
ン、メトキノン、ｐ―ベンゾキノン、フェノチアジン、
モノ―ｔ―ブチルハイドロキノン、カテコール、ｐ―ｔ
―ブチルカテコール、ベンゾキノン、２，５―ジ―ｔ―
ブチルハイドロキノン、アンスラキノン、２，６―ジ―
ｔ―ブチルヒドロキシトルエンなどが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではなく、単独でも２種以上混合
して用いてもよい。
ン、メトキノン、ｐ―ベンゾキノン、フェノチアジン、
モノ―ｔ―ブチルハイドロキノン、カテコール、ｐ―ｔ
―ブチルカテコール、ベンゾキノン、２，５―ジ―ｔ―
ブチルハイドロキノン、アンスラキノン、２，６―ジ―
ｔ―ブチルヒドロキシトルエンなどが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではなく、単独でも２種以上混合
して用いてもよい。
【００３５】また、感光性シリコーンラダー系樹脂組成
物としては、上記感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
に、さらにシランカップリング剤を添加したものが用い
られる。上記シランカップリング剤は下地基板との接着
性を向上させるものであり、１０ｐｐｍ〜１０重量％を
加えるのが好ましい。１０ｐｐｍ未満の場合は効果が得
られず、１０重量％を超えると樹脂粘度の低下が起こる
ので好ましくない。
物としては、上記感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
に、さらにシランカップリング剤を添加したものが用い
られる。上記シランカップリング剤は下地基板との接着
性を向上させるものであり、１０ｐｐｍ〜１０重量％を
加えるのが好ましい。１０ｐｐｍ未満の場合は効果が得
られず、１０重量％を超えると樹脂粘度の低下が起こる
ので好ましくない。
【００３６】上記シランカップリングとしては分子中に
２個以上異なった反応基（メトキシ基、エトキシ基、シ
ラノール基、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基、ア
クリル基、アミノ基など）を持つ有機ケイ素単量体であ
り、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（β―メト
キシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、γ―（メタクリロキシプロピ
ル）トリメトキシシラン、γ―（メタクリロキシプロピ
ル）トリエトキシシラン、γ―（メタクリロキシプロピ
ル）メチルジメトキシシラン、γ―（メタクリロキシプ
ロピル）エチルジメトキシシラン、γ―（アクリロキシ
プロピル）トリメトキシシラン、γ―（アクリロキシプ
ロピル）メチルジメトキシシラン、β―（３，４―エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ―
グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ―グ
リシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ―グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、ｎ―β―（アミノエ
チル）―γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、ｎ―
β―（アミノエチル）―γ―アミノプロピルトリエトキ
シシラン、ｎ―β―（アミノエチル）―γ―アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ―アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ―アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、ｎ―フェニル―γ―アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ
―クロロプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる
が、これらに限定されるものではなく、単独でも２種以
上混合して用いてもよい。
２個以上異なった反応基（メトキシ基、エトキシ基、シ
ラノール基、ビニル基、エポキシ基、メタクリル基、ア
クリル基、アミノ基など）を持つ有機ケイ素単量体であ
り、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（β―メト
キシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、γ―（メタクリロキシプロピ
ル）トリメトキシシラン、γ―（メタクリロキシプロピ
ル）トリエトキシシラン、γ―（メタクリロキシプロピ
ル）メチルジメトキシシラン、γ―（メタクリロキシプ
ロピル）エチルジメトキシシラン、γ―（アクリロキシ
プロピル）トリメトキシシラン、γ―（アクリロキシプ
ロピル）メチルジメトキシシラン、β―（３，４―エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ―
グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ―グ
リシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ―グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、ｎ―β―（アミノエ
チル）―γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、ｎ―
β―（アミノエチル）―γ―アミノプロピルトリエトキ
シシラン、ｎ―β―（アミノエチル）―γ―アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ―アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ―アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、ｎ―フェニル―γ―アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ
―クロロプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる
が、これらに限定されるものではなく、単独でも２種以
上混合して用いてもよい。
【００３７】さらに、感光性シリコーンラダー系樹脂組
成物としては、上記感光性シリコーンラダー系樹脂組成
物に、さらに光重合性モノマーまたは光重合性オリゴマ
ーを添加したものが用いられる。上記光重合性モノマー
または光重合性オリゴマーは、光硬化性を促進し、感
度、精度を向上させるために添加するものであり、シリ
コーンラダー系樹脂に対して１０ｐｐｍ〜１００重量％
を加えるのが好ましい。１０ｐｐｍ未満の場合は効果が
得られず、１００重量％を超えるとシリコーンラダー系
樹脂本来の耐熱特性が低下するので好ましくない。
成物としては、上記感光性シリコーンラダー系樹脂組成
物に、さらに光重合性モノマーまたは光重合性オリゴマ
ーを添加したものが用いられる。上記光重合性モノマー
または光重合性オリゴマーは、光硬化性を促進し、感
度、精度を向上させるために添加するものであり、シリ
コーンラダー系樹脂に対して１０ｐｐｍ〜１００重量％
を加えるのが好ましい。１０ｐｐｍ未満の場合は効果が
得られず、１００重量％を超えるとシリコーンラダー系
樹脂本来の耐熱特性が低下するので好ましくない。
【００３８】上記光重合性モノマーまたは光重合性オリ
ゴマーとしては、ビニル基を有する反応性モノマーまた
はオリゴマー、アクリロイル基またはメタクリロイル基
を有する単官能または多官能モノマーまたはオリゴマー
があり、具体的には以下に示すものがある。即ち、スチ
レン、ビニルトルエン、酢酸ビニル、Ｎ―ビニルピロリ
ドン、Ｎ―ビニルカプロラクタム、ブチルアクリレー
ト、長鎖脂肪族アクリレート、アリルアクリレート、ア
リルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジル
メタクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキ
シエチルメタクリレート、ブタンジオールモノアクリレ
ート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、
ＥＣＨ変性ブチルアクリレート、ｔ―ブチルアミノエチ
ルメタクリレート、カプロラクトンアクリレート、３―
クロロ―２―ヒドロキシプロピルメタクリレート、２―
シアノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレ
ート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペン
タニルメタクリレート、脂環式変性ネオペンチルグリコ
ールアクリレート、２，３―ジブロモプロピルアクリレ
ート、２，３―ジブロモプロピルメタクリレート、ジシ
クロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニロキシ
エチルアクリレート、ジシクロペンテニロキシエチルメ
タクリレート、Ｎ，Ｎ―ジエチルアミノエチルアクリレ
ート、Ｎ，Ｎ―ジエチルアミノエチルメタクリレート、
Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ―
ジメチルアミノエチルメタクリレート、２―エトキシエ
チルアクリレート、２―エトキシエチルメタクリレー
ト、２―エチルヘキシルアクリレート、２―エチルヘキ
シルメタクリレート、グリセロールメタクリレート、グ
リシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、ヘ
プタデカフロロデシルアクリレート、ヘプタデカフロロ
デシルメタクリレート、２―ヒドロキシエチルアクレー
ト、２―ヒドロキシエチルメタクレート、カプロラクト
ン変性２―ヒドロキシエチルアクリレート、カプロラク
トン変性２―ヒドロキシエチルメタクリレート、２―ヒ
ドロキシ―３―メタクリロキシプロピルトリメチルアン
モニウムクロライド、２―ヒドロキシプロピルアクリレ
ート、２―ヒドロキシプロピルメタクリレート、イソボ
ニルアクリレート、イソボニルメタクリレート、イソデ
シルアクリレート、イソデシルメタクリレート、イソオ
クチルアクリレート、イソオクチルメタクリレート、γ
―メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、２―メ
トキシエチルアクリレート、メトキシジエチレングリコ
ールメタクリレート、メトキシトリエチレングリコール
アクリレート、メトキシトリエチレングリコールメタク
リレート、メトキシテトラエチレングリコールメタクリ
レート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレー
ト、メトキシジプロピレングリコールアクリレート、メ
トキシ化シクロデカトリエンアクリレート、モルホリン
アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコー
ルアクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリ
コールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレー
ト、オクタフロロペンチルメタクリレート、フェノキシ
ヒドロキシプロピルアクリレート、フェノキシエチルメ
タクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリ
レート、フェノキシテトラエチレングリコールアクリレ
ート、フェノキシヘキサエチレングリコールアクリレー
ト、ＥＯ変性オクトキシ化リン酸アクリレート、ＥＯ変
性オクトキシ化リン酸メタクリレート、フェニルメタク
リレート、ＥＯ変性リン酸アクリレート、ＥＯ変性リン
酸メタクリレート、ＥＯ変性ブトキシ化リン酸アクリレ
ート、ＥＯ変性ブトキシ化リン酸メタクリレート、ＥＯ
変性フェノキシ化リン酸アクリレート、ＥＯ変性フェノ
キシ化リン酸メタクリレート、ＥＯ変性フタル酸アクリ
レート、ＥＯ変性フタル酸メタクリレート、ＥＯ変性フ
タール酸アクリレート、ＥＯ，ＰＯ変性フタル酸メタク
リレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポ
リプロピレングリコールメタクリレート、ポリエチレン
グリコール／ポリプロピレングリコールメタクリレー
ト、ステアリルメタクリレート、ＥＯ変性コハク酸アク
リレート、ＥＯ変性コハク酸メタクリレート、スルホン
酸ソーダエトキシアクリレート、スルホン酸ソーダエト
キシメタクリレート、テトラフルオロプロピルアクリレ
ート、テトラフルオロプロピルメタクリレート、カプロ
ラクトン変性テトラヒドロフルフリルアクリレート、ト
リフロロエチルアクリレート、トリフロロエチルメタク
リレート、ｎ―ヘキシルアクリレート、シクロヘキシル
アクリレート、ｎ―デシルアクリレート、ジシクロペン
テニロキシエチルアクリレート、フェノキシエチルアク
リレート、１，２―ヘキサンジオールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、トリプロピ
レングリコールジアクリレート、２―（２―エトキシエ
トキシ）エチルアクリレート、ステアリルアクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルア
クリレート、２―フェノキシエチルアクリレート、イソ
デシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリ
デシルアクリレート、カプロラクトンアクリレート、エ
トキシ化ノニルフェノールアクリレート、アリル化シク
ロヘキシルジアクリレート、アクリル化イソシアヌレー
ト、ジ（アクリロキシネオペンチルグリコール）アジペ
ート、エトキシ化ジフェノールＳジアクリレート、ジフ
ェノールＡジメタクリレート、エトキシ化ジフェノール
Ａジメタクリレート、エトキシ化ジフェノールＦジアク
リレート、ジシクロペンタニルジアクリレート、ＥＣＨ
変性ジエチレングリコールジメタクリレート、ジペンタ
エリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペ
ンタエリスリトールペンタアクリレート、アルキル変性
ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、アルキル
変性ジペンタエリスリトールトリアクリレート、カプロ
ラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト、ＥＣＨ変性エチレングリコールジアクリレート、グ
リセロールアクリレート／メタクリレート、グリセロー
ルジメタクリレート、ＥＣＨ変性グリセロールトリアク
リレート、ＥＣＨ変性１，６―ヘキサンジオールジアク
リレート、長鎖脂肪族ジアクリレート、長鎖脂肪族ジメ
タクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ヒドロキ
シピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリレート、
カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸ネオペンチル
グリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールテト
ラメタクリレート、ステアリン酸変性ペンタエリスリト
ールジアクリレート、ＥＯ変性リン酸ジアクリレート、
ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、ＥＯ変性リン酸ジメ
タクリレート、カプロラクトンＥＯ変性リン酸ジメタク
リレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジアクリレート、ＥＣＨ
変性プロピレングリコールジアクリレート、テトラブロ
モジフェノールＡジアクリレート、トリエチレングリコ
ールジビニルエーテル、トリグリセロールジアクリレー
ト、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ＥＣＨ変性トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、カプロラクトン変性トリス（アクリロキシエチル）
イソシアヌレート、トリス（メタクリロキシエチル）イ
ソシアヌレート、ジンクジアクリレート、１，３―ブタ
ンジオールジアクリレート、１，４―ブタンジオールジ
アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレ
ングリコールジアクリレート、エトキシ化ジフェノール
Ａジアクリレート、プロポキシ化ネオペンチルグリコー
ルジアクリレート、トリス（２―ヒドロキシエチル）イ
ソシアヌレートトリアクリレート、エトキシ化トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、ペンタエリストール
トリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、プロキシ化グリセリルトリアクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジ
トリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタ
エリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、エトキ
シ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタ
アクリレートエステル、テトラヒドロフルフリルメタク
リレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソデシル
メタクリレート、ラウリルメタクリレート、ポリプロピ
レングリコールモノメタクリレート、トリエチレングリ
コールジメタクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、
１，４―ブタンジオールジメタクリレート、ジエチレン
グリコールジメタクリレート、１，６―ジヘキサンジオ
ールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタ
クリレート、１，３―ブチレングリコールジメタクリレ
ート、エトキシ化ジフェノールＡジメタクリレート、ジ
ンクメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタ
クリレートなどが挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらの光重合性モノマーまたは光重合性
オリゴマーは単独で用いてもよく、２種以上混合して用
いてもよい。
ゴマーとしては、ビニル基を有する反応性モノマーまた
はオリゴマー、アクリロイル基またはメタクリロイル基
を有する単官能または多官能モノマーまたはオリゴマー
があり、具体的には以下に示すものがある。即ち、スチ
レン、ビニルトルエン、酢酸ビニル、Ｎ―ビニルピロリ
ドン、Ｎ―ビニルカプロラクタム、ブチルアクリレー
ト、長鎖脂肪族アクリレート、アリルアクリレート、ア
リルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジル
メタクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキ
シエチルメタクリレート、ブタンジオールモノアクリレ
ート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、
ＥＣＨ変性ブチルアクリレート、ｔ―ブチルアミノエチ
ルメタクリレート、カプロラクトンアクリレート、３―
クロロ―２―ヒドロキシプロピルメタクリレート、２―
シアノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレ
ート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペン
タニルメタクリレート、脂環式変性ネオペンチルグリコ
ールアクリレート、２，３―ジブロモプロピルアクリレ
ート、２，３―ジブロモプロピルメタクリレート、ジシ
クロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニロキシ
エチルアクリレート、ジシクロペンテニロキシエチルメ
タクリレート、Ｎ，Ｎ―ジエチルアミノエチルアクリレ
ート、Ｎ，Ｎ―ジエチルアミノエチルメタクリレート、
Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ―
ジメチルアミノエチルメタクリレート、２―エトキシエ
チルアクリレート、２―エトキシエチルメタクリレー
ト、２―エチルヘキシルアクリレート、２―エチルヘキ
シルメタクリレート、グリセロールメタクリレート、グ
リシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、ヘ
プタデカフロロデシルアクリレート、ヘプタデカフロロ
デシルメタクリレート、２―ヒドロキシエチルアクレー
ト、２―ヒドロキシエチルメタクレート、カプロラクト
ン変性２―ヒドロキシエチルアクリレート、カプロラク
トン変性２―ヒドロキシエチルメタクリレート、２―ヒ
ドロキシ―３―メタクリロキシプロピルトリメチルアン
モニウムクロライド、２―ヒドロキシプロピルアクリレ
ート、２―ヒドロキシプロピルメタクリレート、イソボ
ニルアクリレート、イソボニルメタクリレート、イソデ
シルアクリレート、イソデシルメタクリレート、イソオ
クチルアクリレート、イソオクチルメタクリレート、γ
―メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、２―メ
トキシエチルアクリレート、メトキシジエチレングリコ
ールメタクリレート、メトキシトリエチレングリコール
アクリレート、メトキシトリエチレングリコールメタク
リレート、メトキシテトラエチレングリコールメタクリ
レート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレー
ト、メトキシジプロピレングリコールアクリレート、メ
トキシ化シクロデカトリエンアクリレート、モルホリン
アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコー
ルアクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリ
コールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレー
ト、オクタフロロペンチルメタクリレート、フェノキシ
ヒドロキシプロピルアクリレート、フェノキシエチルメ
タクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリ
レート、フェノキシテトラエチレングリコールアクリレ
ート、フェノキシヘキサエチレングリコールアクリレー
ト、ＥＯ変性オクトキシ化リン酸アクリレート、ＥＯ変
性オクトキシ化リン酸メタクリレート、フェニルメタク
リレート、ＥＯ変性リン酸アクリレート、ＥＯ変性リン
酸メタクリレート、ＥＯ変性ブトキシ化リン酸アクリレ
ート、ＥＯ変性ブトキシ化リン酸メタクリレート、ＥＯ
変性フェノキシ化リン酸アクリレート、ＥＯ変性フェノ
キシ化リン酸メタクリレート、ＥＯ変性フタル酸アクリ
レート、ＥＯ変性フタル酸メタクリレート、ＥＯ変性フ
タール酸アクリレート、ＥＯ，ＰＯ変性フタル酸メタク
リレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポ
リプロピレングリコールメタクリレート、ポリエチレン
グリコール／ポリプロピレングリコールメタクリレー
ト、ステアリルメタクリレート、ＥＯ変性コハク酸アク
リレート、ＥＯ変性コハク酸メタクリレート、スルホン
酸ソーダエトキシアクリレート、スルホン酸ソーダエト
キシメタクリレート、テトラフルオロプロピルアクリレ
ート、テトラフルオロプロピルメタクリレート、カプロ
ラクトン変性テトラヒドロフルフリルアクリレート、ト
リフロロエチルアクリレート、トリフロロエチルメタク
リレート、ｎ―ヘキシルアクリレート、シクロヘキシル
アクリレート、ｎ―デシルアクリレート、ジシクロペン
テニロキシエチルアクリレート、フェノキシエチルアク
リレート、１，２―ヘキサンジオールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、トリプロピ
レングリコールジアクリレート、２―（２―エトキシエ
トキシ）エチルアクリレート、ステアリルアクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルア
クリレート、２―フェノキシエチルアクリレート、イソ
デシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリ
デシルアクリレート、カプロラクトンアクリレート、エ
トキシ化ノニルフェノールアクリレート、アリル化シク
ロヘキシルジアクリレート、アクリル化イソシアヌレー
ト、ジ（アクリロキシネオペンチルグリコール）アジペ
ート、エトキシ化ジフェノールＳジアクリレート、ジフ
ェノールＡジメタクリレート、エトキシ化ジフェノール
Ａジメタクリレート、エトキシ化ジフェノールＦジアク
リレート、ジシクロペンタニルジアクリレート、ＥＣＨ
変性ジエチレングリコールジメタクリレート、ジペンタ
エリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペ
ンタエリスリトールペンタアクリレート、アルキル変性
ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、アルキル
変性ジペンタエリスリトールトリアクリレート、カプロ
ラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト、ＥＣＨ変性エチレングリコールジアクリレート、グ
リセロールアクリレート／メタクリレート、グリセロー
ルジメタクリレート、ＥＣＨ変性グリセロールトリアク
リレート、ＥＣＨ変性１，６―ヘキサンジオールジアク
リレート、長鎖脂肪族ジアクリレート、長鎖脂肪族ジメ
タクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ヒドロキ
シピバリン酸ネオペンチルグリコールジアクリレート、
カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸ネオペンチル
グリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールテト
ラメタクリレート、ステアリン酸変性ペンタエリスリト
ールジアクリレート、ＥＯ変性リン酸ジアクリレート、
ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、ＥＯ変性リン酸ジメ
タクリレート、カプロラクトンＥＯ変性リン酸ジメタク
リレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジアクリレート、ＥＣＨ
変性プロピレングリコールジアクリレート、テトラブロ
モジフェノールＡジアクリレート、トリエチレングリコ
ールジビニルエーテル、トリグリセロールジアクリレー
ト、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ＥＣＨ変性トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、カプロラクトン変性トリス（アクリロキシエチル）
イソシアヌレート、トリス（メタクリロキシエチル）イ
ソシアヌレート、ジンクジアクリレート、１，３―ブタ
ンジオールジアクリレート、１，４―ブタンジオールジ
アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレ
ングリコールジアクリレート、エトキシ化ジフェノール
Ａジアクリレート、プロポキシ化ネオペンチルグリコー
ルジアクリレート、トリス（２―ヒドロキシエチル）イ
ソシアヌレートトリアクリレート、エトキシ化トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、ペンタエリストール
トリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパ
ントリアクリレート、プロキシ化グリセリルトリアクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジ
トリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタ
エリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、エトキ
シ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタ
アクリレートエステル、テトラヒドロフルフリルメタク
リレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソデシル
メタクリレート、ラウリルメタクリレート、ポリプロピ
レングリコールモノメタクリレート、トリエチレングリ
コールジメタクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、
１，４―ブタンジオールジメタクリレート、ジエチレン
グリコールジメタクリレート、１，６―ジヘキサンジオ
ールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタ
クリレート、１，３―ブチレングリコールジメタクリレ
ート、エトキシ化ジフェノールＡジメタクリレート、ジ
ンクメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタ
クリレートなどが挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらの光重合性モノマーまたは光重合性
オリゴマーは単独で用いてもよく、２種以上混合して用
いてもよい。
【００３９】即ち、本発明の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物としては、上記一般式（１）で表されるシリ
コーンラダー系樹脂に （ａ）感光性架橋剤または光重合開始剤を加えた樹脂組
成物ａ （ｂ）樹脂組成物ａに光増感剤または光開始助剤を加え
た樹脂組成物ｂ （ｃ）樹脂組成物ａまたは樹脂組成物ｂに重合禁止剤を
加えた樹脂組成物ｃ （ｄ）樹脂組成物ａ〜ｃにシランカップリング剤を加え
た樹脂組成物ｄ （ｅ）樹脂組成物ａ〜ｄに光重合性モノマーまたは光重
合性オリゴマーを加えた樹脂組成物ｅ が用いられる。上記樹脂組成物から得られる膜は、残留
応力が小さく、平滑性が良好であり、しかも純度が高い
ので、例えば固体素子のパッシベーション層、応力緩衝
膜または層間絶縁層などとして用いるのが好ましい。
樹脂組成物としては、上記一般式（１）で表されるシリ
コーンラダー系樹脂に （ａ）感光性架橋剤または光重合開始剤を加えた樹脂組
成物ａ （ｂ）樹脂組成物ａに光増感剤または光開始助剤を加え
た樹脂組成物ｂ （ｃ）樹脂組成物ａまたは樹脂組成物ｂに重合禁止剤を
加えた樹脂組成物ｃ （ｄ）樹脂組成物ａ〜ｃにシランカップリング剤を加え
た樹脂組成物ｄ （ｅ）樹脂組成物ａ〜ｄに光重合性モノマーまたは光重
合性オリゴマーを加えた樹脂組成物ｅ が用いられる。上記樹脂組成物から得られる膜は、残留
応力が小さく、平滑性が良好であり、しかも純度が高い
ので、例えば固体素子のパッシベーション層、応力緩衝
膜または層間絶縁層などとして用いるのが好ましい。
【００４０】本発明のパターン転写方法は、まず基板上
に上記一般式（１）で表されるシリコーンラダー系樹脂
に感光性架橋剤もしくは光重合開始剤、または必要に応
じて光増感剤、光開始助剤、重合禁止剤、シランカップ
リンブ剤、光重合性モノマーもしくは光重合性オリゴマ
ーを加えた感光性シリコーンラダー系樹脂組成物（上記
樹脂組成物ａ〜ｅ）を塗布し樹脂組成物膜を形成する。
次に、ホットプレートやオーブンなどを用いて乾燥させ
て溶剤を除去して乾燥させた未硬化の樹脂組成物膜とし
て後、所定のパターンを有するフォトマスクを通して紫
外線などの光または放射線に露光し、上記樹脂組成物膜
の未露光部を有機溶剤を用いてエッチングを行い現像す
ることによりパターンを形成する。
に上記一般式（１）で表されるシリコーンラダー系樹脂
に感光性架橋剤もしくは光重合開始剤、または必要に応
じて光増感剤、光開始助剤、重合禁止剤、シランカップ
リンブ剤、光重合性モノマーもしくは光重合性オリゴマ
ーを加えた感光性シリコーンラダー系樹脂組成物（上記
樹脂組成物ａ〜ｅ）を塗布し樹脂組成物膜を形成する。
次に、ホットプレートやオーブンなどを用いて乾燥させ
て溶剤を除去して乾燥させた未硬化の樹脂組成物膜とし
て後、所定のパターンを有するフォトマスクを通して紫
外線などの光または放射線に露光し、上記樹脂組成物膜
の未露光部を有機溶剤を用いてエッチングを行い現像す
ることによりパターンを形成する。
【００４１】上記樹脂組成物は、まずシリコーンラダー
系樹脂を有機溶剤と混合した後に、感光性架橋剤もしく
は光重合開始剤等の感光剤、光増感剤、光開始助剤、重
合禁止剤、シランカップリンブ剤、光重合性モノマーま
たは光重合性オリゴマー等の添加剤を添加することによ
り得られる。
系樹脂を有機溶剤と混合した後に、感光性架橋剤もしく
は光重合開始剤等の感光剤、光増感剤、光開始助剤、重
合禁止剤、シランカップリンブ剤、光重合性モノマーま
たは光重合性オリゴマー等の添加剤を添加することによ
り得られる。
【００４２】上記有機溶剤は上記シリコーンラダー系樹
脂と上記添加剤が溶解する溶媒であればよく、特にケト
ン系、エーテル系、エステル系、ハロゲン化炭化水素
系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系
が好ましく、例えばトルエン、キシレン、メトキシベン
ゼン、エトキシベンゼン、ベンゼン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、アセトン、酢酸t―ブチ
ル、酢酸ｎ―ブチル、酢酸エチル、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、エチル
セルソルブ、ｎ―メチルピロリドン、ｎ，ｎ’―ジメチ
ルホルムアミドなどが挙げられるが、これらに限定され
るものではない。
脂と上記添加剤が溶解する溶媒であればよく、特にケト
ン系、エーテル系、エステル系、ハロゲン化炭化水素
系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系
が好ましく、例えばトルエン、キシレン、メトキシベン
ゼン、エトキシベンゼン、ベンゼン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、アセトン、酢酸t―ブチ
ル、酢酸ｎ―ブチル、酢酸エチル、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、エチル
セルソルブ、ｎ―メチルピロリドン、ｎ，ｎ’―ジメチ
ルホルムアミドなどが挙げられるが、これらに限定され
るものではない。
【００４３】上記樹脂組成物を上記有機溶剤に溶解した
ものは、スピナーを用いる回転塗布などによりシリコン
ウエハなどの基板上に塗布するのが好ましい。乾燥はホ
ットプレートやオーブンなどを用いて空気中または嫌気
下で行い、その条件は用いる溶剤や上記添加剤の種類に
よって異なるが、上記添加剤の分解温度より５℃以上低
い温度が好ましい。乾燥が添加剤の分解温度より５℃低
い温度より高かった場合、上記樹脂組成物膜の熱硬化が
進行し現像時間が長くなったり、現像後に残膜が生じ
る。なお、上記樹脂組成物膜の厚さは使用目的によって
異なるが、通常２０００〜１００μｍとする。
ものは、スピナーを用いる回転塗布などによりシリコン
ウエハなどの基板上に塗布するのが好ましい。乾燥はホ
ットプレートやオーブンなどを用いて空気中または嫌気
下で行い、その条件は用いる溶剤や上記添加剤の種類に
よって異なるが、上記添加剤の分解温度より５℃以上低
い温度が好ましい。乾燥が添加剤の分解温度より５℃低
い温度より高かった場合、上記樹脂組成物膜の熱硬化が
進行し現像時間が長くなったり、現像後に残膜が生じ
る。なお、上記樹脂組成物膜の厚さは使用目的によって
異なるが、通常２０００〜１００μｍとする。
【００４４】また、上記塗布の前処理として、上記シラ
ンカップリング剤を１０ｐｐｍを超える濃度で溶剤に溶
解させた溶液を基板上に回転塗布し、ホットプレート上
で乾燥し溶媒除去する工程を施してもよい。これにより
基板と感光性シリコーンラダー系樹脂組成物膜との接着
性を向上させることが可能であり、感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物と基板との接着性に難がある場合に用
いる手段である。上記溶剤はシランカップリング剤が溶
解する溶媒であれば良く、水、アルコール系、ケトン
系、エーテル系、エステル系、ハロゲン化炭化水素系、
ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系が好
ましく、例えば水、メタノール、キシレン、メトキシベ
ンゼン、エトキシベンゼン、メチルイソブチルケトン、
アセトン、酢酸ｔ―ブチル、酢酸ｎ―ブチル、テトラヒ
ドロフラン、ジエチルエーテル、イソプロピルアルコー
ル、エチルセルソルブ、ｎ―メチルピロリドン、ｎ，
ｎ’―ジメチルホルムアミドなどが挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。シランカップリング剤の
濃度が１０ｐｐｍ未満の場合は、接着性向上の効果が得
られない。なお、感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
に添加した場合は、上記前処理を行わなくても十分な接
着性を有する。
ンカップリング剤を１０ｐｐｍを超える濃度で溶剤に溶
解させた溶液を基板上に回転塗布し、ホットプレート上
で乾燥し溶媒除去する工程を施してもよい。これにより
基板と感光性シリコーンラダー系樹脂組成物膜との接着
性を向上させることが可能であり、感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物と基板との接着性に難がある場合に用
いる手段である。上記溶剤はシランカップリング剤が溶
解する溶媒であれば良く、水、アルコール系、ケトン
系、エーテル系、エステル系、ハロゲン化炭化水素系、
ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系が好
ましく、例えば水、メタノール、キシレン、メトキシベ
ンゼン、エトキシベンゼン、メチルイソブチルケトン、
アセトン、酢酸ｔ―ブチル、酢酸ｎ―ブチル、テトラヒ
ドロフラン、ジエチルエーテル、イソプロピルアルコー
ル、エチルセルソルブ、ｎ―メチルピロリドン、ｎ，
ｎ’―ジメチルホルムアミドなどが挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。シランカップリング剤の
濃度が１０ｐｐｍ未満の場合は、接着性向上の効果が得
られない。なお、感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
に添加した場合は、上記前処理を行わなくても十分な接
着性を有する。
【００４５】上記露光に用いる紫外線などの光または放
射線は上記添加剤の種類によって異なるが、カットフィ
ルターで例えば３００ｎｍ以下の波長をカットした光ま
たは放射線を用いることは上記添加剤の分解が防止され
るため好ましい。光の照射量は照射する光の波長によっ
ても異なるが、１０ｍＪ／ｃｍ2以上であるのが好まし
く、２５０〜５００ｎｍの波長の光では１００ｍＪ／ｃ
ｍ2以上であるのが好ましい。１０ｍＪ／ｃｍ2より低い
照射量では、上記樹脂組成物膜の硬化が十分進行してお
らず、現像後の膜減りが大きくなったり、パターンのぼ
やけが生じたりする。
射線は上記添加剤の種類によって異なるが、カットフィ
ルターで例えば３００ｎｍ以下の波長をカットした光ま
たは放射線を用いることは上記添加剤の分解が防止され
るため好ましい。光の照射量は照射する光の波長によっ
ても異なるが、１０ｍＪ／ｃｍ2以上であるのが好まし
く、２５０〜５００ｎｍの波長の光では１００ｍＪ／ｃ
ｍ2以上であるのが好ましい。１０ｍＪ／ｃｍ2より低い
照射量では、上記樹脂組成物膜の硬化が十分進行してお
らず、現像後の膜減りが大きくなったり、パターンのぼ
やけが生じたりする。
【００４６】また、光照射は一般に空気中で行うが、窒
素やアルゴンなどの不活性ガスの嫌気中または気流下で
光照射を行えば、現像後の残膜率および感度や解像度を
向上させることができる。
素やアルゴンなどの不活性ガスの嫌気中または気流下で
光照射を行えば、現像後の残膜率および感度や解像度を
向上させることができる。
【００４７】また、上記パターン転写方法において、露
光後上記樹脂組成物膜を加熱することにより、現像時に
エッチング液に浸漬した時に、樹脂組成物膜内の残留応
力が大きくなり、樹脂組成物膜が下地基板から剥離する
ことを抑制することができる。ただし、加熱温度は室温
を越え、上記添加剤の分解温度より５℃以上低い温度で
行わなければならない。加熱温度が室温以下では効果が
なく上記樹脂組成物膜が下地基板から剥離し、加熱温度
が添加剤の分解温度より５℃低い温度より高かった場
合、未露光部の硬化が進行し、現像後に所要のパターン
が得られなくなる。上記加熱処理としては、ホットプレ
ートまたはオーブンを用いて上記樹脂組成物が硬化しな
い温度範囲で加熱する。上記加熱処理は、感光性架橋剤
などの添加剤があれば、行わなくてよい場合もある。な
お、上記露光後の加熱は、本発明者らが樹脂組成物膜を
エッチング液に浸漬する前に樹脂組成物膜内に発生する
応力を解放する方法または樹脂組成物膜と下地基板間を
活性化させ、樹脂組成物膜の密着性を向上する方法によ
って、上記樹脂組成物膜の剥離を抑制できると考えたこ
とに基づき見出したものである。
光後上記樹脂組成物膜を加熱することにより、現像時に
エッチング液に浸漬した時に、樹脂組成物膜内の残留応
力が大きくなり、樹脂組成物膜が下地基板から剥離する
ことを抑制することができる。ただし、加熱温度は室温
を越え、上記添加剤の分解温度より５℃以上低い温度で
行わなければならない。加熱温度が室温以下では効果が
なく上記樹脂組成物膜が下地基板から剥離し、加熱温度
が添加剤の分解温度より５℃低い温度より高かった場
合、未露光部の硬化が進行し、現像後に所要のパターン
が得られなくなる。上記加熱処理としては、ホットプレ
ートまたはオーブンを用いて上記樹脂組成物が硬化しな
い温度範囲で加熱する。上記加熱処理は、感光性架橋剤
などの添加剤があれば、行わなくてよい場合もある。な
お、上記露光後の加熱は、本発明者らが樹脂組成物膜を
エッチング液に浸漬する前に樹脂組成物膜内に発生する
応力を解放する方法または樹脂組成物膜と下地基板間を
活性化させ、樹脂組成物膜の密着性を向上する方法によ
って、上記樹脂組成物膜の剥離を抑制できると考えたこ
とに基づき見出したものである。
【００４８】現像は上記露光直後または露光後上記加熱
処理を施して後に行う。上記現像は、一般にエッチング
―リンス―乾燥の工程を各々１回ずつ連続に行うが、感
光性シリコーンラダー系樹脂が例えば膜厚が１μｍを越
えるような厚膜である場合は、エッチングとリンスを数
回交互に繰り返し行った後に乾燥を行えば、解像度が向
上する場合がある。エッチングとリンスを数回交互に繰
り返す場合、エッチング時間とリンス時間の和が１０〜
５００秒になるようにし、その繰り返し回数は２〜５回
が好ましい。エッチングに用いるエッチング液として
は、上記樹脂組成物膜の未露光部分のみを溶解する溶剤
であることが必要とされ、上記溶剤としては、ケトン
系、エーテル系、エステル系、ハロゲン化炭化水素系、
ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系など
が用いられる。
処理を施して後に行う。上記現像は、一般にエッチング
―リンス―乾燥の工程を各々１回ずつ連続に行うが、感
光性シリコーンラダー系樹脂が例えば膜厚が１μｍを越
えるような厚膜である場合は、エッチングとリンスを数
回交互に繰り返し行った後に乾燥を行えば、解像度が向
上する場合がある。エッチングとリンスを数回交互に繰
り返す場合、エッチング時間とリンス時間の和が１０〜
５００秒になるようにし、その繰り返し回数は２〜５回
が好ましい。エッチングに用いるエッチング液として
は、上記樹脂組成物膜の未露光部分のみを溶解する溶剤
であることが必要とされ、上記溶剤としては、ケトン
系、エーテル系、エステル系、ハロゲン化炭化水素系、
ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系など
が用いられる。
【００４９】本発明者らはこれらの溶剤を検討した結
果、上記樹脂組成物膜の未露光部を溶解し、露光部を溶
解しない溶剤として、ベンゼン、トルエン、メトキシベ
ンゼン、エトキシベンゼン、キシレン、ジフェニルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシベ
ンゼン、ｎ―メチルピロリドン、ｎ，ｎ―ジメチルホル
ムアミド、ｎ，ｎ―ジメチルアセトアミド、クロロメチ
レンなどの有機系の溶剤を見出した。エッチングの際
は、これらの溶剤を単独もしくは他の溶媒と混合して用
いる。上記エッチング液のエッチングレートは、感光性
シリコーンラダー系樹脂組成物のエッチング時間を１０
〜５００秒にするために０．５〜４０μｍ／分の範囲の
適当な速度であるのが好ましく、貧溶媒を混合すること
により容易に調整できる。
果、上記樹脂組成物膜の未露光部を溶解し、露光部を溶
解しない溶剤として、ベンゼン、トルエン、メトキシベ
ンゼン、エトキシベンゼン、キシレン、ジフェニルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシベ
ンゼン、ｎ―メチルピロリドン、ｎ，ｎ―ジメチルホル
ムアミド、ｎ，ｎ―ジメチルアセトアミド、クロロメチ
レンなどの有機系の溶剤を見出した。エッチングの際
は、これらの溶剤を単独もしくは他の溶媒と混合して用
いる。上記エッチング液のエッチングレートは、感光性
シリコーンラダー系樹脂組成物のエッチング時間を１０
〜５００秒にするために０．５〜４０μｍ／分の範囲の
適当な速度であるのが好ましく、貧溶媒を混合すること
により容易に調整できる。
【００５０】リンスに用いるリンス液としては、この樹
脂組成物膜の露光部分を溶解しない溶媒であることが必
要とされる。リンス溶媒としては、純水、アルコール
系、ケトン系、エーテル系、エステル系、ハロゲン化炭
化水素系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケ
トン系などである。本発明者はリンス溶媒を検討した結
果、キシレン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン、
イソプロパノール、ブタノール、エチルベンゼン、ジエ
チルベンゼン、ｎ―ブチルエーテル、ｎ―ヘキサンなど
を見出した。リンスの際は、これらの溶剤を単独もしく
は他の溶媒と混合して用いる。
脂組成物膜の露光部分を溶解しない溶媒であることが必
要とされる。リンス溶媒としては、純水、アルコール
系、ケトン系、エーテル系、エステル系、ハロゲン化炭
化水素系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケ
トン系などである。本発明者はリンス溶媒を検討した結
果、キシレン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン、
イソプロパノール、ブタノール、エチルベンゼン、ジエ
チルベンゼン、ｎ―ブチルエーテル、ｎ―ヘキサンなど
を見出した。リンスの際は、これらの溶剤を単独もしく
は他の溶媒と混合して用いる。
【００５１】なお、現像は上記樹脂組成物膜を上記エッ
チング液およびリンス液に浸漬、噴霧または噴射するこ
とにより行う。
チング液およびリンス液に浸漬、噴霧または噴射するこ
とにより行う。
【００５２】また、現像後感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物膜の乾燥は、上記樹脂組成物膜に直接窒素を５
〜１８０秒間噴射して行う。
脂組成物膜の乾燥は、上記樹脂組成物膜に直接窒素を５
〜１８０秒間噴射して行う。
【００５３】上記現像後にパターンが転写された感光性
シリコーンラダー系樹脂組成物膜を完全に硬化するため
にオーブンを用いて、空気中または嫌気下、２５０℃以
上の範囲内の加熱温度で５分以上、特に２８０〜４００
℃で３０分以上加熱するホストベークを行うのが一般的
である。加熱温度が２５０℃より低い場合や加熱時間が
５分より短い場合は、十分な硬化が得られない。
シリコーンラダー系樹脂組成物膜を完全に硬化するため
にオーブンを用いて、空気中または嫌気下、２５０℃以
上の範囲内の加熱温度で５分以上、特に２８０〜４００
℃で３０分以上加熱するホストベークを行うのが一般的
である。加熱温度が２５０℃より低い場合や加熱時間が
５分より短い場合は、十分な硬化が得られない。
【００５４】即ち、上記感光性シリコーンラダー系樹脂
組成物膜にパターンを転写するパターン転写方法は、シ
リコーンラダー系樹脂に添加する添加剤によって異なり
以下の工程（Ａ）〜（Ｄ）が施される。なお、露光時は
空気中または嫌気下（または気流下）で行うものとし、
塗布―プリベーク、プリベーク―露光、露光―現像、露
光―ベーク、ベーク―現像の各間の室温保持時間（スト
レージ）は感光性シリコーンラダー系樹脂の組成物によ
り異なるものとする。 （Ａ）感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の塗布→
（ストレージ）→プリベーク→（ストレージ）→露光→
（ストレージ）→現像→ホストベーク （Ｂ）感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の塗布→
（ストレージ）→プリベーク→（ストレージ）→露光→
（ストレージ）→ベーク→（ストレージ）→現像→ホス
トベーク （Ｃ）シランカップリング剤を含む溶液の塗布→ベーク
→感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の塗布→（スト
レージ）→プリベーク→（ストレージ）→露光→（スト
レージ）→現像→ホストベーク （Ｄ）シランカップリング剤を含む溶液の塗布→ベーク
→感光性シリコーンラダー系樹脂の塗布→（ストレー
ジ）→プリベーク→（ストレージ）→露光→（ストレー
ジ）→ベーク→（ストレージ）→現像→ホストベーク
組成物膜にパターンを転写するパターン転写方法は、シ
リコーンラダー系樹脂に添加する添加剤によって異なり
以下の工程（Ａ）〜（Ｄ）が施される。なお、露光時は
空気中または嫌気下（または気流下）で行うものとし、
塗布―プリベーク、プリベーク―露光、露光―現像、露
光―ベーク、ベーク―現像の各間の室温保持時間（スト
レージ）は感光性シリコーンラダー系樹脂の組成物によ
り異なるものとする。 （Ａ）感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の塗布→
（ストレージ）→プリベーク→（ストレージ）→露光→
（ストレージ）→現像→ホストベーク （Ｂ）感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の塗布→
（ストレージ）→プリベーク→（ストレージ）→露光→
（ストレージ）→ベーク→（ストレージ）→現像→ホス
トベーク （Ｃ）シランカップリング剤を含む溶液の塗布→ベーク
→感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の塗布→（スト
レージ）→プリベーク→（ストレージ）→露光→（スト
レージ）→現像→ホストベーク （Ｄ）シランカップリング剤を含む溶液の塗布→ベーク
→感光性シリコーンラダー系樹脂の塗布→（ストレー
ジ）→プリベーク→（ストレージ）→露光→（ストレー
ジ）→ベーク→（ストレージ）→現像→ホストベーク
【００５５】上記パターニングされた感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物膜は、半導体装置に用いられるが、
その他、高耐熱性、高絶縁性、低応力性、低誘電率性ま
たは高接着性などの特性を必要とされる樹脂膜が必要と
なるデバイスにも適用が可能である。
ラダー系樹脂組成物膜は、半導体装置に用いられるが、
その他、高耐熱性、高絶縁性、低応力性、低誘電率性ま
たは高接着性などの特性を必要とされる樹脂膜が必要と
なるデバイスにも適用が可能である。
【００５６】本発明の半導体装置は、半導体基板に上記
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物を上記パターニン
転写方法によりパターニングした樹脂組成物膜を設けた
もので、上記樹脂組成物膜は絶縁膜であり、層間膜、応
力緩衝膜、パッシベーション膜および表面保護膜として
使用される。
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物を上記パターニン
転写方法によりパターニングした樹脂組成物膜を設けた
もので、上記樹脂組成物膜は絶縁膜であり、層間膜、応
力緩衝膜、パッシベーション膜および表面保護膜として
使用される。
【００５７】
実施例１．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2が全てビニル
基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がメチル基であり、重量平均分
子量が１０万のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベン
ゼンを加え、さらに３重量％の２―メチル―１―［４―
（メチルチオ）フェニル］―２―モンフォリノ―１―プ
ロパノン、１重量％のγ―アミノプロピルトリメトキシ
シランを添加し、粘度を４０００ｃｐｓに調整した感光
性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶
液をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００
回転の速度で塗布し、膜厚２０μｍの樹脂組成物膜を得
た。これを、１３０℃で３分間ホットプレート上で乾燥
させ、フォトマスクを通して、紫外線（超高圧水銀灯ラ
ンプ）を５００ｍＪ／ｃｍ2照射し、１５０℃で２分間
ホットプレート上で熱処理した。ついで、メトキシベン
ゼンとキシレンとの容積比が１／２の混合液をエッチン
グ液として２５℃で６０秒間浸漬した後、キシレンをリ
ンス液として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行ったとこ
ろ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダー系樹
脂組成物膜を得た。なお、５０μｍφの寸法のマスクで
遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が５２μｍφ
であった。また、パターンの形状を走査型電子顕微鏡で
観察した結果、良好であった。
基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がメチル基であり、重量平均分
子量が１０万のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベン
ゼンを加え、さらに３重量％の２―メチル―１―［４―
（メチルチオ）フェニル］―２―モンフォリノ―１―プ
ロパノン、１重量％のγ―アミノプロピルトリメトキシ
シランを添加し、粘度を４０００ｃｐｓに調整した感光
性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶
液をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００
回転の速度で塗布し、膜厚２０μｍの樹脂組成物膜を得
た。これを、１３０℃で３分間ホットプレート上で乾燥
させ、フォトマスクを通して、紫外線（超高圧水銀灯ラ
ンプ）を５００ｍＪ／ｃｍ2照射し、１５０℃で２分間
ホットプレート上で熱処理した。ついで、メトキシベン
ゼンとキシレンとの容積比が１／２の混合液をエッチン
グ液として２５℃で６０秒間浸漬した後、キシレンをリ
ンス液として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行ったとこ
ろ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダー系樹
脂組成物膜を得た。なお、５０μｍφの寸法のマスクで
遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が５２μｍφ
であった。また、パターンの形状を走査型電子顕微鏡で
観察した結果、良好であった。
【００５８】実施例２．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
が全てアリル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であ
り、重量平均分子量が１万のシリコーンラダー系樹脂に
メトキシベンゼンを加え、さらに１０重量％の１―ヒド
ロキシ―シクロヘキシルフェニルケトン、３重量％の３
―ケトクマリン、１重量％のトリエタノールアミン、
０．５重量％のγ―アミノプロピルトリエトキシシラン
を添加し、粘度を１０００ｃｐｓに調整した感光性シリ
コーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシ
リコンウエハ上にスピナーを用いて毎分２５００回転の
速度で塗布し、膜厚１μｍの樹脂組成物膜を得た。これ
を、窒素雰囲気中において１３０℃で２分間ホットプレ
ート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、紫外線（超
高圧水銀灯ランプ）を２００ｍＪ／ｃｍ2照射し、窒素
雰囲気中において１２０℃で１分間ホットプレート上で
熱処理した。ついでスピン現像器を用いて、キシレンを
エッチング液として２５℃で３０秒間噴霧した後、イソ
プロパノールをリンス液として２５℃で３０秒間噴射し
現像を行ったところ、所定のパターンが転写されたシリ
コーンラダー系樹脂組成物膜を得た。なお、１０μｍφ
の寸法のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口
寸法が１０．５μｍφであった。また、パターンの形状
を走査型電子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
が全てアリル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であ
り、重量平均分子量が１万のシリコーンラダー系樹脂に
メトキシベンゼンを加え、さらに１０重量％の１―ヒド
ロキシ―シクロヘキシルフェニルケトン、３重量％の３
―ケトクマリン、１重量％のトリエタノールアミン、
０．５重量％のγ―アミノプロピルトリエトキシシラン
を添加し、粘度を１０００ｃｐｓに調整した感光性シリ
コーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシ
リコンウエハ上にスピナーを用いて毎分２５００回転の
速度で塗布し、膜厚１μｍの樹脂組成物膜を得た。これ
を、窒素雰囲気中において１３０℃で２分間ホットプレ
ート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、紫外線（超
高圧水銀灯ランプ）を２００ｍＪ／ｃｍ2照射し、窒素
雰囲気中において１２０℃で１分間ホットプレート上で
熱処理した。ついでスピン現像器を用いて、キシレンを
エッチング液として２５℃で３０秒間噴霧した後、イソ
プロパノールをリンス液として２５℃で３０秒間噴射し
現像を行ったところ、所定のパターンが転写されたシリ
コーンラダー系樹脂組成物膜を得た。なお、１０μｍφ
の寸法のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口
寸法が１０．５μｍφであった。また、パターンの形状
を走査型電子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
【００５９】実施例３．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の９５％がフェニル基、５％がビニル基で、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が１５万の
シリコーンラダー系樹脂にメトキシベンゼンを加え、さ
らに３重量％の２，６―ジ（４’―アジドベンザル）エ
チルシクロヘキサノン、１重量％のモノ―ｔ―ブチルハ
イドロキノン、３重量％のＮ―フェニル―γ―アミノプ
ロピルトリメトキシシランを添加し、粘度を３０００ｃ
ｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の
溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを
用いて毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚８μｍの
樹脂組成物膜を得た。これを、１３０℃で２分間ホット
プレート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、窒素気
流下で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ以下
の光をカットするガラスフィルターを通して５００ｍＪ
／ｃｍ2照射した。さらに、１２０℃で１分間ホットプ
レート上で熱処理した後、スピン現像器を用いて、メト
キシベンゼンとキシレンの容積比が１／３である混合液
をエッチング液として２５℃で６０秒間噴射した後、キ
シレンをリンス液として２５℃で３０秒間噴射し現像を
行ったところ、所定のパターンが転写されたシリコーン
ラダー系樹脂組成物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法
のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が
２１μｍφであった。また、パターンの形状を走査型電
子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
の９５％がフェニル基、５％がビニル基で、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が１５万の
シリコーンラダー系樹脂にメトキシベンゼンを加え、さ
らに３重量％の２，６―ジ（４’―アジドベンザル）エ
チルシクロヘキサノン、１重量％のモノ―ｔ―ブチルハ
イドロキノン、３重量％のＮ―フェニル―γ―アミノプ
ロピルトリメトキシシランを添加し、粘度を３０００ｃ
ｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の
溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを
用いて毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚８μｍの
樹脂組成物膜を得た。これを、１３０℃で２分間ホット
プレート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、窒素気
流下で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ以下
の光をカットするガラスフィルターを通して５００ｍＪ
／ｃｍ2照射した。さらに、１２０℃で１分間ホットプ
レート上で熱処理した後、スピン現像器を用いて、メト
キシベンゼンとキシレンの容積比が１／３である混合液
をエッチング液として２５℃で６０秒間噴射した後、キ
シレンをリンス液として２５℃で３０秒間噴射し現像を
行ったところ、所定のパターンが転写されたシリコーン
ラダー系樹脂組成物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法
のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が
２１μｍφであった。また、パターンの形状を走査型電
子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
【００６０】実施例４．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の５０％がフェニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がトリメチ
ルシリル基で、５０％がγ―メタクリロキシプロピル基
であり、重量平均分子量が５万のシリコーンラダー系樹
脂にメトキシベンゼンを加え、さらに３重量％の２，６
―ジ（４’―アジドベンザルスルフォニックアシッド）
メチルシクロヘキサノンを添加し、粘度を２５００ｃｐ
ｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶
液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用
いて毎分３０００回転の速度で塗布し、膜厚５μｍの樹
脂組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気中において１３
０℃で２分間ホットプレート上で乾燥させ、フォトマス
クを通して、窒素気流下で紫外線（超高圧水銀灯ラン
プ）を５００ｍＪ／ｃｍ2照射した。ついで、メトキシ
ベンゼンとキシレンの容積比が１／３である混合液をエ
ッチング液として２５℃で２０秒間浸漬した後、キシレ
ンをリンス液として２５℃で２０秒間浸漬し現像を行っ
たところ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダ
ー系樹脂組成物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法のマ
スクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が２１
μｍφであった。また、パターンの形状を走査型電子顕
微鏡で観察した結果、良好であった。
の５０％がフェニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がトリメチ
ルシリル基で、５０％がγ―メタクリロキシプロピル基
であり、重量平均分子量が５万のシリコーンラダー系樹
脂にメトキシベンゼンを加え、さらに３重量％の２，６
―ジ（４’―アジドベンザルスルフォニックアシッド）
メチルシクロヘキサノンを添加し、粘度を２５００ｃｐ
ｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶
液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用
いて毎分３０００回転の速度で塗布し、膜厚５μｍの樹
脂組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気中において１３
０℃で２分間ホットプレート上で乾燥させ、フォトマス
クを通して、窒素気流下で紫外線（超高圧水銀灯ラン
プ）を５００ｍＪ／ｃｍ2照射した。ついで、メトキシ
ベンゼンとキシレンの容積比が１／３である混合液をエ
ッチング液として２５℃で２０秒間浸漬した後、キシレ
ンをリンス液として２５℃で２０秒間浸漬し現像を行っ
たところ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダ
ー系樹脂組成物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法のマ
スクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が２１
μｍφであった。また、パターンの形状を走査型電子顕
微鏡で観察した結果、良好であった。
【００６１】実施例５．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の７０％がメチル基、３０％がビニル基で、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が１０万の
シリコーンラダー系樹脂に酢酸ｎ―ブチルを加え、さら
に５重量％の２―メチル―１―［４―（メチルチオ）フ
ェニル］―２―モンフォリノ―１―プロパノンと、１重
量％の２，４―ジメチルチオキサンソンを添加し、粘度
を２０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上
にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度で塗布し、
膜厚２．５μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒素雰
囲気中において１５０℃で２分間ホットプレート上で乾
燥させ、フォトマスクを密着し、紫外線（超高圧水銀灯
ランプ）を３００ｍＪ／ｃｍ2照射し、窒素雰囲気中に
おいて１５０℃で２分間ホットプレート上で熱処理し
た。ついで、スピン現像器を用いて、メトキシベンゼン
とキシレンの容積比が１／４である混合液をエッチング
液として２５℃で１５秒間噴射した後、キシレンをリン
ス液として２５℃で１５秒間噴射し現像を行ったとこ
ろ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダー系樹
脂組成物膜を得た。なお、１０μｍφの寸法のマスクで
遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が１０．５μ
ｍφであった。また、パターンの形状を走査型電子顕微
鏡で観察した結果、良好であった。
の７０％がメチル基、３０％がビニル基で、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が１０万の
シリコーンラダー系樹脂に酢酸ｎ―ブチルを加え、さら
に５重量％の２―メチル―１―［４―（メチルチオ）フ
ェニル］―２―モンフォリノ―１―プロパノンと、１重
量％の２，４―ジメチルチオキサンソンを添加し、粘度
を２０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上
にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度で塗布し、
膜厚２．５μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒素雰
囲気中において１５０℃で２分間ホットプレート上で乾
燥させ、フォトマスクを密着し、紫外線（超高圧水銀灯
ランプ）を３００ｍＪ／ｃｍ2照射し、窒素雰囲気中に
おいて１５０℃で２分間ホットプレート上で熱処理し
た。ついで、スピン現像器を用いて、メトキシベンゼン
とキシレンの容積比が１／４である混合液をエッチング
液として２５℃で１５秒間噴射した後、キシレンをリン
ス液として２５℃で１５秒間噴射し現像を行ったとこ
ろ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダー系樹
脂組成物膜を得た。なお、１０μｍφの寸法のマスクで
遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が１０．５μ
ｍφであった。また、パターンの形状を走査型電子顕微
鏡で観察した結果、良好であった。
【００６２】実施例６．１重量％のγ―アミノプロピル
トリメトキシシランを含むイソプロピルアルコール溶液
をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎分１０００回
転の速度で回転塗布し、１００℃で１分間ホットプレー
ト上で乾燥させ表面処理した。上記一般式（１）中のＲ
1、Ｒ2の９５％がメチル基、５％がアリル基で、Ｒ3、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がエチル基あり、重量平均分子量が５０
００のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベンゼンを加
え、さらに５重量％の４，４’―ジアジドスチルベン―
２，２’―ジ［ｎ，ｎ―ジ（２―エトキシエチル）スル
フォンアミドを添加し、粘度を１５００ｃｐｓに調整し
た感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。
上記溶液を表面処理したシリコンウエハ上にスピナーを
用いて毎分２０００回転の速度で塗布し、膜厚１．６μ
ｍの樹脂組成物膜を得た。これを、１３０℃で２分間ホ
ットプレート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、窒
素気流下で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ
以下の光をカットするガラスフィルターを通して４００
ｍＪ／ｃｍ2照射した。ついで、メトキシベンゼンとキ
シレンの容積比が１／２である混合液をエッチング液と
して２５℃で６０秒間浸漬した後、キシレンをリンス液
として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行ったところ、所
定のパターンが転写されたシリコーンラダー系樹脂組成
物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法のマスクで遮蔽し
て形成した樹脂組成物膜の開口寸法が２１μｍφであっ
た。また、パターンの形状を走査型電子顕微鏡で観察し
た結果、良好であった。
トリメトキシシランを含むイソプロピルアルコール溶液
をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎分１０００回
転の速度で回転塗布し、１００℃で１分間ホットプレー
ト上で乾燥させ表面処理した。上記一般式（１）中のＲ
1、Ｒ2の９５％がメチル基、５％がアリル基で、Ｒ3、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がエチル基あり、重量平均分子量が５０
００のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベンゼンを加
え、さらに５重量％の４，４’―ジアジドスチルベン―
２，２’―ジ［ｎ，ｎ―ジ（２―エトキシエチル）スル
フォンアミドを添加し、粘度を１５００ｃｐｓに調整し
た感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。
上記溶液を表面処理したシリコンウエハ上にスピナーを
用いて毎分２０００回転の速度で塗布し、膜厚１．６μ
ｍの樹脂組成物膜を得た。これを、１３０℃で２分間ホ
ットプレート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、窒
素気流下で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ
以下の光をカットするガラスフィルターを通して４００
ｍＪ／ｃｍ2照射した。ついで、メトキシベンゼンとキ
シレンの容積比が１／２である混合液をエッチング液と
して２５℃で６０秒間浸漬した後、キシレンをリンス液
として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行ったところ、所
定のパターンが転写されたシリコーンラダー系樹脂組成
物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法のマスクで遮蔽し
て形成した樹脂組成物膜の開口寸法が２１μｍφであっ
た。また、パターンの形状を走査型電子顕微鏡で観察し
た結果、良好であった。
【００６３】実施例７．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の９０％がフェニル基、１０％がアクリロキシプロピル
基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分
子量が７万のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベンゼ
ンを加え、さらに５重量％の４，４’―ジアジドスチル
ベン―２，２’―ジ［ｎ，ｎ―ジ（２―エトキシエチ
ル）スルフォンアミドと１重量％のミヒラーケトン、
０．７５重量％のｎ―フェニル―γ―アミノプロピルト
リメトキシシランを添加し、粘度を２５００ｃｐｓに調
整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得
た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎
分２０００回転の速度で塗布し、膜厚２．０μｍの樹脂
組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気中において１３０
℃で２分間ホットプレート上で乾燥させ、フォトマスク
を通して、窒素気流下で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）
を５００ｍＪ／ｃｍ2照射した。ついで、メトキシベン
ゼンとキシレンの容積比が１／２である混合液をエッチ
ング液として２５℃で６０秒間浸漬した後、キシレンを
リンス液として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行ったと
ころ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダー系
樹脂組成物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法のマスク
で遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が２１μｍ
φであった。また、パターンの形状を走査型電子顕微鏡
で観察した結果、良好であった。
の９０％がフェニル基、１０％がアクリロキシプロピル
基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分
子量が７万のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベンゼ
ンを加え、さらに５重量％の４，４’―ジアジドスチル
ベン―２，２’―ジ［ｎ，ｎ―ジ（２―エトキシエチ
ル）スルフォンアミドと１重量％のミヒラーケトン、
０．７５重量％のｎ―フェニル―γ―アミノプロピルト
リメトキシシランを添加し、粘度を２５００ｃｐｓに調
整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得
た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎
分２０００回転の速度で塗布し、膜厚２．０μｍの樹脂
組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気中において１３０
℃で２分間ホットプレート上で乾燥させ、フォトマスク
を通して、窒素気流下で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）
を５００ｍＪ／ｃｍ2照射した。ついで、メトキシベン
ゼンとキシレンの容積比が１／２である混合液をエッチ
ング液として２５℃で６０秒間浸漬した後、キシレンを
リンス液として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行ったと
ころ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダー系
樹脂組成物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法のマスク
で遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が２１μｍ
φであった。また、パターンの形状を走査型電子顕微鏡
で観察した結果、良好であった。
【００６４】実施例８．３重量％のｎ―フェニル―γ―
アミノプロピルトリメトキシシランを含むメトキシベン
ゼン溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎分１
０００回転の速度で回転塗布し、１００℃で１分間ホッ
トプレート上で乾燥させ表面処理した。上記一般式
（１）中のＲ1、Ｒ2が全てビニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、
Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が１０万のシリ
コーンラダー系樹脂にメトキシベンゼンを加え、さらに
１０重量％の１―ヒドロキシ―シクロヘキシルフェニル
ケトンと１０重量％の２，４―ジメチルチオキサンソ
ン、０．５重量％のハイドロキノン、を添加し、粘度を
４０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物の溶液を得た。上記溶液を表面処理したシリコ
ンウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度
で塗布し、膜厚８０μｍの樹脂組成物膜を得た。これ
を、１５０℃で２分間ホットプレート上で乾燥させ、フ
ォトマスクを通して紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を１
０００ｍＪ／ｃｍ2照射し、窒素雰囲気中において１５
０℃で２分間ホットプレート上で熱処理した。ついで、
メトキシベンゼンとキシレンの容積比が１／２である混
合液をエッチング液として２５℃で１２０秒間浸漬した
後、キシレンをリンス液として２５℃で６０秒間浸漬し
現像を行ったところ、所定のパターンが転写されたシリ
コーンラダー系樹脂組成物膜を得た。なお、１００μｍ
φの寸法のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開
口寸法が１０３μｍφであった。また、パターンの形状
を走査型電子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
アミノプロピルトリメトキシシランを含むメトキシベン
ゼン溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎分１
０００回転の速度で回転塗布し、１００℃で１分間ホッ
トプレート上で乾燥させ表面処理した。上記一般式
（１）中のＲ1、Ｒ2が全てビニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、
Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が１０万のシリ
コーンラダー系樹脂にメトキシベンゼンを加え、さらに
１０重量％の１―ヒドロキシ―シクロヘキシルフェニル
ケトンと１０重量％の２，４―ジメチルチオキサンソ
ン、０．５重量％のハイドロキノン、を添加し、粘度を
４０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物の溶液を得た。上記溶液を表面処理したシリコ
ンウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度
で塗布し、膜厚８０μｍの樹脂組成物膜を得た。これ
を、１５０℃で２分間ホットプレート上で乾燥させ、フ
ォトマスクを通して紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を１
０００ｍＪ／ｃｍ2照射し、窒素雰囲気中において１５
０℃で２分間ホットプレート上で熱処理した。ついで、
メトキシベンゼンとキシレンの容積比が１／２である混
合液をエッチング液として２５℃で１２０秒間浸漬した
後、キシレンをリンス液として２５℃で６０秒間浸漬し
現像を行ったところ、所定のパターンが転写されたシリ
コーンラダー系樹脂組成物膜を得た。なお、１００μｍ
φの寸法のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開
口寸法が１０３μｍφであった。また、パターンの形状
を走査型電子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
【００６５】実施例９．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の９５％がエチル基、５％がブテニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ
5、Ｒ6がビニル基であり、重量平均分子量が１５万のシ
リコーンラダー系樹脂にメトキシベンゼンを加え、さら
に２０重量％の２，６―ジ（４’―アジドベンザル）メ
チルシクロヘキサノンを添加し、粘度を３０００ｃｐｓ
に調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液
を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用い
て毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚８μｍの樹脂
組成物膜を得た。これを、１１０℃で２分間ホットプレ
ート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、空気中で紫
外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ以下の光をカ
ットするガラスフィルターを通し５００ｍＪ／ｃｍ2を
照射した。ついで、メトキシベンゼンとキシレンの容積
比が１／２である混合液をエッチング液として２５℃で
２０秒間の浸漬、およびキシレンをリンス液として２５
℃で２０秒間の浸漬を交互に３回繰り返して現像を行っ
たところ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダ
ー系樹脂組成物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法のマ
スクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が２１
μｍφであった。また、パターンの形状を走査型電子顕
微鏡で観察した結果、良好であった。
の９５％がエチル基、５％がブテニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ
5、Ｒ6がビニル基であり、重量平均分子量が１５万のシ
リコーンラダー系樹脂にメトキシベンゼンを加え、さら
に２０重量％の２，６―ジ（４’―アジドベンザル）メ
チルシクロヘキサノンを添加し、粘度を３０００ｃｐｓ
に調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液
を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用い
て毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚８μｍの樹脂
組成物膜を得た。これを、１１０℃で２分間ホットプレ
ート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、空気中で紫
外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ以下の光をカ
ットするガラスフィルターを通し５００ｍＪ／ｃｍ2を
照射した。ついで、メトキシベンゼンとキシレンの容積
比が１／２である混合液をエッチング液として２５℃で
２０秒間の浸漬、およびキシレンをリンス液として２５
℃で２０秒間の浸漬を交互に３回繰り返して現像を行っ
たところ、所定のパターンが転写されたシリコーンラダ
ー系樹脂組成物膜を得た。なお、２０μｍφの寸法のマ
スクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法が２１
μｍφであった。また、パターンの形状を走査型電子顕
微鏡で観察した結果、良好であった。
【００６６】実施例１０．２重量％のγ―アミノプロピ
ルトリメトキシシランを含む水溶液をシリコンウエハ上
にスピナーを用いて毎分１０００回転の速度で回転塗布
し、１００℃で１分間ホットプレート上で乾燥させ表面
処理した。上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2が全てビニル
基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分
子量が４０万のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベン
ゼンを加え、さらに７重量％の２―メチル―１―［４―
（メチルチオ）フェニル］―２―モンフォリノ―１―プ
ロパノン、３重量％の２，４―ジメチルチオキサンソ
ン、２重量％のトリエタノールアミンを添加し、粘度を
４５００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物の溶液を得た。上記溶液を表面処理したシリコ
ンウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度
で塗布し、膜厚５０μｍの樹脂組成物膜を得た。これ
を、窒素雰囲気中において１２５℃で３分間ホットプレ
ート上で乾燥させて、フォトマスクを密着し、紫外線
（超高圧水銀灯ランプ）を５００ｍＪ／ｃｍ2を照射
し、１５０℃で２分間ホットプレート上で熱処理した。
ついでスピン現像器を用いて、メトキシベンゼンとキシ
レンとの容積比が１／２である混合液をエッチング液と
して２５℃で３０秒間の浸漬、およびキシレンをリンス
液として２５℃で３０秒間の浸漬を交互に４回繰り返し
て現像を行ったところ、所定のパターンが転写されたシ
リコーンラダー系樹脂組成物膜を得た。なお、１００μ
ｍφの寸法のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の
開口寸法が１０３μｍφであった。また、パターンの形
状を走査型電子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
ルトリメトキシシランを含む水溶液をシリコンウエハ上
にスピナーを用いて毎分１０００回転の速度で回転塗布
し、１００℃で１分間ホットプレート上で乾燥させ表面
処理した。上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2が全てビニル
基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分
子量が４０万のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベン
ゼンを加え、さらに７重量％の２―メチル―１―［４―
（メチルチオ）フェニル］―２―モンフォリノ―１―プ
ロパノン、３重量％の２，４―ジメチルチオキサンソ
ン、２重量％のトリエタノールアミンを添加し、粘度を
４５００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物の溶液を得た。上記溶液を表面処理したシリコ
ンウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度
で塗布し、膜厚５０μｍの樹脂組成物膜を得た。これ
を、窒素雰囲気中において１２５℃で３分間ホットプレ
ート上で乾燥させて、フォトマスクを密着し、紫外線
（超高圧水銀灯ランプ）を５００ｍＪ／ｃｍ2を照射
し、１５０℃で２分間ホットプレート上で熱処理した。
ついでスピン現像器を用いて、メトキシベンゼンとキシ
レンとの容積比が１／２である混合液をエッチング液と
して２５℃で３０秒間の浸漬、およびキシレンをリンス
液として２５℃で３０秒間の浸漬を交互に４回繰り返し
て現像を行ったところ、所定のパターンが転写されたシ
リコーンラダー系樹脂組成物膜を得た。なお、１００μ
ｍφの寸法のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の
開口寸法が１０３μｍφであった。また、パターンの形
状を走査型電子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
【００６７】実施例１１．上記一般式（１）中のＲ1、
Ｒ2の６０％がエチル基、４０％がアクリロキシプロピ
ル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均
分子量が２０万のシリコーンラダー樹脂にメトキシベン
ゼンを加え、さらに１２重量％の２，４―ジエチルチオ
キサントン、５重量％の１，４―ブタンジオールジアク
リレート、１５重量％のｐ―ジメチルアミノ安息香酸イ
ソアミルエステル、０．７５重量％のＮ―フェニル―γ
―アミノプロピルトリメトキシシランを添加し、粘度を
２５００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上に
スピナーを用いて毎分２０００回転の速度で塗布し、膜
厚３０μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気
中において１００℃で２分間ホットプレート上で乾燥さ
せ、フォトマスクを通して、窒素気流下で紫外線（超高
圧水銀灯ランプ）を１０００ｍＪ／ｃｍ2照射した。つ
いで、メトキシベンゼンとキシレンの容積比が１／３で
ある混合液をエッチング液として２５℃で６０秒間浸漬
した後、キシレンをリンス液として２５℃で３０秒間浸
漬し現像を行ったところ、所定のパターンが転写された
シリコーンラダー樹脂膜を得た。なお、４０μｍφの寸
法のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法
が４２μｍφであった。また、パターンの形状を走査型
電子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
Ｒ2の６０％がエチル基、４０％がアクリロキシプロピ
ル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均
分子量が２０万のシリコーンラダー樹脂にメトキシベン
ゼンを加え、さらに１２重量％の２，４―ジエチルチオ
キサントン、５重量％の１，４―ブタンジオールジアク
リレート、１５重量％のｐ―ジメチルアミノ安息香酸イ
ソアミルエステル、０．７５重量％のＮ―フェニル―γ
―アミノプロピルトリメトキシシランを添加し、粘度を
２５００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上に
スピナーを用いて毎分２０００回転の速度で塗布し、膜
厚３０μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気
中において１００℃で２分間ホットプレート上で乾燥さ
せ、フォトマスクを通して、窒素気流下で紫外線（超高
圧水銀灯ランプ）を１０００ｍＪ／ｃｍ2照射した。つ
いで、メトキシベンゼンとキシレンの容積比が１／３で
ある混合液をエッチング液として２５℃で６０秒間浸漬
した後、キシレンをリンス液として２５℃で３０秒間浸
漬し現像を行ったところ、所定のパターンが転写された
シリコーンラダー樹脂膜を得た。なお、４０μｍφの寸
法のマスクで遮蔽して形成した樹脂組成物膜の開口寸法
が４２μｍφであった。また、パターンの形状を走査型
電子顕微鏡で観察した結果、良好であった。
【００６８】実施例１２．回路の形成された半導体基板
上に、上記実施例１〜１１で用いた感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物を用いてパッシベーション膜を形成
し、さらに透明モールド樹脂で被覆して半導体装置を作
製し、動作を確認した。上記実施例１〜１１の感光性シ
リコーンラダー系樹脂組成物は紫外線を透過するので、
紫外線消去型半導体記録装置として使用され、しかも信
頼性が向上した。
上に、上記実施例１〜１１で用いた感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物を用いてパッシベーション膜を形成
し、さらに透明モールド樹脂で被覆して半導体装置を作
製し、動作を確認した。上記実施例１〜１１の感光性シ
リコーンラダー系樹脂組成物は紫外線を透過するので、
紫外線消去型半導体記録装置として使用され、しかも信
頼性が向上した。
【００６９】実施例１３．半導体基板に設けられた素子
間を相互に接続するアルミ配線間を絶縁するために、上
記実施例１〜１１で用いた感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物を用いて層間絶縁膜を形成し、さらに上記実施
例１〜１１で用いた感光性シリコーンラダー系樹脂組成
物を用いて応力緩衝膜を設け、樹脂でモールドして半導
体装置を作製した。上記半導体装置の動作を確認するこ
とができ、しかも信頼性が向上した。
間を相互に接続するアルミ配線間を絶縁するために、上
記実施例１〜１１で用いた感光性シリコーンラダー系樹
脂組成物を用いて層間絶縁膜を形成し、さらに上記実施
例１〜１１で用いた感光性シリコーンラダー系樹脂組成
物を用いて応力緩衝膜を設け、樹脂でモールドして半導
体装置を作製した。上記半導体装置の動作を確認するこ
とができ、しかも信頼性が向上した。
【００７０】実施例１４．素子の形成された半導体基板
上に、上記実施例１〜１１で用いた感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物を用いてバッファーコート膜またはα
線遮蔽膜を形成し、これらを封止材で封止して半導体装
置を作製した。上記半導体装置の動作を確認することが
でき、しかも信頼性が向上した。なお、上記半導体装置
は光照射により記憶を消去できるので、光消去型半導体
記憶装置として使用される。
上に、上記実施例１〜１１で用いた感光性シリコーンラ
ダー系樹脂組成物を用いてバッファーコート膜またはα
線遮蔽膜を形成し、これらを封止材で封止して半導体装
置を作製した。上記半導体装置の動作を確認することが
でき、しかも信頼性が向上した。なお、上記半導体装置
は光照射により記憶を消去できるので、光消去型半導体
記憶装置として使用される。
【００７１】比較例１．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
が全てビニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がメチル基であ
り、重量平均分子量が１０万のシリコーンラダー樹脂に
メトキシベンゼンを加え、さらに１０重量％の１―ヒド
ロキシ―シクロヘキシルフェニルケトンと３重量％の
２，４―ジメチルチオキサンソンを添加し、粘度を３０
００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組
成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピ
ナーを用いて毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚７
μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、１５０℃で２分間
ホットプレート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、
紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を９ｍＪ／ｃｍ2を照射
し、１５０℃で２分間ホットプレート上で熱処理した。
ついで、スピン現像器を用いて、メトキシベンゼンとキ
シレンの容積比が１／２である混合液をエッチング液と
して２５℃で６０秒間噴射した後、キシレンをリンス液
として２５℃で３０秒間噴射し現像を行い、現像後の膜
厚、パターンのぼやけや基板との密着性を評価した。そ
の結果、露光量が少ないために十分な上記樹脂膜の効果
が進行しておらず、現像後の膜厚は約１μｍと膜減りが
大きく、またパターンのぼやけや樹脂膜の剥離が認めら
れた。
が全てビニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がメチル基であ
り、重量平均分子量が１０万のシリコーンラダー樹脂に
メトキシベンゼンを加え、さらに１０重量％の１―ヒド
ロキシ―シクロヘキシルフェニルケトンと３重量％の
２，４―ジメチルチオキサンソンを添加し、粘度を３０
００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組
成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピ
ナーを用いて毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚７
μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、１５０℃で２分間
ホットプレート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、
紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を９ｍＪ／ｃｍ2を照射
し、１５０℃で２分間ホットプレート上で熱処理した。
ついで、スピン現像器を用いて、メトキシベンゼンとキ
シレンの容積比が１／２である混合液をエッチング液と
して２５℃で６０秒間噴射した後、キシレンをリンス液
として２５℃で３０秒間噴射し現像を行い、現像後の膜
厚、パターンのぼやけや基板との密着性を評価した。そ
の結果、露光量が少ないために十分な上記樹脂膜の効果
が進行しておらず、現像後の膜厚は約１μｍと膜減りが
大きく、またパターンのぼやけや樹脂膜の剥離が認めら
れた。
【００７２】比較例２．３重量％のγ―アミノプロピル
トリメトキシシランを含む水溶液をシリコンウエハ上に
スピナーを用いて毎分１０００回転の速度で回転塗布
し、１００℃で１分間ホットプレート上で乾燥させ表面
処理した。上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2の９５％がフ
ェニル基、５％がアリル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素
原子であり、重量平均分子量が３０万のシリコーンラダ
ー樹脂にメトキシベンゼンを加え、さらに２５重量％の
２，６―ジ（４’―アジドベンザル）メチルシクロヘキ
サノンを添加し、粘度を４０００ｃｐｓに調整した感光
性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶
液を表面処理したシリコンウエハ上にスピナーを用いて
毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚１５μｍの樹脂
組成物膜を得た。これを、１４０℃で１分間ホットプレ
ート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、窒素気流下
で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ以下の光
をカットするガラスフィルターを通して２００ｍＪ／ｃ
ｍ2を照射した。ついで、メトキシベンゼンとキシレン
の容積比が１／２である混合液をエッチング液として２
５℃で６０秒間浸漬した後、キシレンをリンス液として
２５℃で３０秒間浸漬し現像を行い、現像後の膜厚、パ
ターンのぼやけや基板との密着性を評価した。その結
果、感光剤の添加濃度が高いために、露光した光が上記
樹脂膜の上中層で吸収され最下層まで透過せず、樹脂膜
の剥離が生じた。
トリメトキシシランを含む水溶液をシリコンウエハ上に
スピナーを用いて毎分１０００回転の速度で回転塗布
し、１００℃で１分間ホットプレート上で乾燥させ表面
処理した。上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2の９５％がフ
ェニル基、５％がアリル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素
原子であり、重量平均分子量が３０万のシリコーンラダ
ー樹脂にメトキシベンゼンを加え、さらに２５重量％の
２，６―ジ（４’―アジドベンザル）メチルシクロヘキ
サノンを添加し、粘度を４０００ｃｐｓに調整した感光
性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶
液を表面処理したシリコンウエハ上にスピナーを用いて
毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚１５μｍの樹脂
組成物膜を得た。これを、１４０℃で１分間ホットプレ
ート上で乾燥させ、フォトマスクを密着し、窒素気流下
で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ以下の光
をカットするガラスフィルターを通して２００ｍＪ／ｃ
ｍ2を照射した。ついで、メトキシベンゼンとキシレン
の容積比が１／２である混合液をエッチング液として２
５℃で６０秒間浸漬した後、キシレンをリンス液として
２５℃で３０秒間浸漬し現像を行い、現像後の膜厚、パ
ターンのぼやけや基板との密着性を評価した。その結
果、感光剤の添加濃度が高いために、露光した光が上記
樹脂膜の上中層で吸収され最下層まで透過せず、樹脂膜
の剥離が生じた。
【００７３】比較例３．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の７５％がフェニル基、２５％がブテニル基、Ｒ3、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が２
０万のシリコーンラダー樹脂にメトキシベンゼンを加
え、さらに５重量％の４，４’―ジアジドスチルベン―
２，２’―ジ［Ｎ，Ｎ―ジ（２―エトキシエチル）スル
フォンアミド、０．７５重量％のＮ―フェニル―γ―ア
ミノプロピルトリメトキシシランを含むを添加し、粘度
を３０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上
にスピナーを用いて毎分３０００回転の速度で塗布し、
膜厚６μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気
中において１６０℃で２分間ホットプレート上で乾燥さ
せ、フォトマスクを密着し、窒素気流下で紫外線（超高
圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ以下の光をカットするガ
ラスフィルターを通して２００ｍＪ／ｃｍ2を照射し
た。ついで、スピン現像器を用いて、メトキシベンゼン
とキシレンの容積比が１／２である混合液をエッチング
液として２５℃で６０秒間噴射した後、キシレンをリン
ス液として２５℃で３０秒間噴射し現像を行い、現像後
の膜厚、パターンのぼやけや基板との密着性を評価し
た。その結果がプリベーク温度が高いために感光性架橋
剤が分解し、上記樹脂膜の熱硬化が生じ、所要のパター
ンを得ることが出来なかった。
の７５％がフェニル基、２５％がブテニル基、Ｒ3、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が２
０万のシリコーンラダー樹脂にメトキシベンゼンを加
え、さらに５重量％の４，４’―ジアジドスチルベン―
２，２’―ジ［Ｎ，Ｎ―ジ（２―エトキシエチル）スル
フォンアミド、０．７５重量％のＮ―フェニル―γ―ア
ミノプロピルトリメトキシシランを含むを添加し、粘度
を３０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上
にスピナーを用いて毎分３０００回転の速度で塗布し、
膜厚６μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気
中において１６０℃で２分間ホットプレート上で乾燥さ
せ、フォトマスクを密着し、窒素気流下で紫外線（超高
圧水銀灯ランプ）を３００ｎｍ以下の光をカットするガ
ラスフィルターを通して２００ｍＪ／ｃｍ2を照射し
た。ついで、スピン現像器を用いて、メトキシベンゼン
とキシレンの容積比が１／２である混合液をエッチング
液として２５℃で６０秒間噴射した後、キシレンをリン
ス液として２５℃で３０秒間噴射し現像を行い、現像後
の膜厚、パターンのぼやけや基板との密着性を評価し
た。その結果がプリベーク温度が高いために感光性架橋
剤が分解し、上記樹脂膜の熱硬化が生じ、所要のパター
ンを得ることが出来なかった。
【００７４】比較例４．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の７０％がエチル基で、３０％がビニル基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ6がトリメチルシリル基であり、重量平均分子量
が１０万のシリコーンラダー樹脂に酢酸ｎ―ブチルを加
え、さらに５重量％の２―メチル―１―［４―（メチル
チオ）フェニル］―２―モンフォリノ―１―プロパノン
と、１重量％の２，４―ジメチルチオキサンソン、１重
量％のγ―アミノプロピルトリエトキシシランをを添加
し、粘度を２０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコン
ウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度で
塗布し、膜厚２．５μｍの樹脂組成物膜を得た。これ
を、室温で３０分間放置し、フォトマスクを密着し、紫
外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｍＪ／ｃｍ2照射
した。ついで、キシレンをエッチング液として２５℃で
２０秒間浸漬した後、イソプロパノールをリンス液とし
て２５℃で２０秒間浸漬し現像を行い、現像後の膜厚、
パターンのぼやけや基板との密着性を評価した。その結
果、プリベークが十分でないため、ワニス溶剤が全く除
去されておらず、樹脂膜が現像時に下地基板から剥離し
た。
の７０％がエチル基で、３０％がビニル基、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ6がトリメチルシリル基であり、重量平均分子量
が１０万のシリコーンラダー樹脂に酢酸ｎ―ブチルを加
え、さらに５重量％の２―メチル―１―［４―（メチル
チオ）フェニル］―２―モンフォリノ―１―プロパノン
と、１重量％の２，４―ジメチルチオキサンソン、１重
量％のγ―アミノプロピルトリエトキシシランをを添加
し、粘度を２０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコン
ウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度で
塗布し、膜厚２．５μｍの樹脂組成物膜を得た。これ
を、室温で３０分間放置し、フォトマスクを密着し、紫
外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｍＪ／ｃｍ2照射
した。ついで、キシレンをエッチング液として２５℃で
２０秒間浸漬した後、イソプロパノールをリンス液とし
て２５℃で２０秒間浸漬し現像を行い、現像後の膜厚、
パターンのぼやけや基板との密着性を評価した。その結
果、プリベークが十分でないため、ワニス溶剤が全く除
去されておらず、樹脂膜が現像時に下地基板から剥離し
た。
【００７５】比較例５．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の６５％がメチル基、３５％がアクリロキシプロピル
基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分
子量が５万のシリコーンラダー樹脂にメトキシベンゼン
を加え、さらに５重量％の１―ヒドロキシ―シクロヘキ
シルフェニルケトンと３重量％の２，４―ジメチルチオ
キサンソンを添加し、粘度を２５００ｃｐｓに調整した
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上
記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎分２５
００回転の速度で塗布し、膜厚３μｍの樹脂組成物膜を
得た。これを、窒素雰囲気中において１５０℃で２分間
ホットプレート上で乾燥させ、フォトマスクを通して、
紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｍＪ／ｃｍ2照
射した。ついで、メトキシベンゼンとキシレンの容積比
が１／３である混合液をエッチング液として２５℃で３
０秒間浸漬した後、キシレンをリンス液として２５℃で
３０秒間浸漬し現像を行い、現像後の膜厚、パターンの
ぼやけや基板との密着性を評価した。その結果、感光剤
として架橋剤を用いず、露光後に熱処理工程がないこと
が原因で現像後の膜厚減少が大きく、さらにパターンの
ぼやけが認められた。
の６５％がメチル基、３５％がアクリロキシプロピル
基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分
子量が５万のシリコーンラダー樹脂にメトキシベンゼン
を加え、さらに５重量％の１―ヒドロキシ―シクロヘキ
シルフェニルケトンと３重量％の２，４―ジメチルチオ
キサンソンを添加し、粘度を２５００ｃｐｓに調整した
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上
記溶液をシリコンウエハ上にスピナーを用いて毎分２５
００回転の速度で塗布し、膜厚３μｍの樹脂組成物膜を
得た。これを、窒素雰囲気中において１５０℃で２分間
ホットプレート上で乾燥させ、フォトマスクを通して、
紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を３００ｍＪ／ｃｍ2照
射した。ついで、メトキシベンゼンとキシレンの容積比
が１／３である混合液をエッチング液として２５℃で３
０秒間浸漬した後、キシレンをリンス液として２５℃で
３０秒間浸漬し現像を行い、現像後の膜厚、パターンの
ぼやけや基板との密着性を評価した。その結果、感光剤
として架橋剤を用いず、露光後に熱処理工程がないこと
が原因で現像後の膜厚減少が大きく、さらにパターンの
ぼやけが認められた。
【００７６】比較例６．１重量％のγ―アミノプロピル
トリメトキシシランを含む水溶液をシリコンウエハ上に
スピナーを用いて毎分１０００回転の速度で回転塗布
し、１００℃で１分間ホットプレート上で乾燥させ表面
処理した。上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2の９５％がフ
ェニル基、５％がメタクリロキシプロピル基、Ｒ3、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が１
７万のシリコーンラダー樹脂にメトキシベンゼンを加
え、さらに３重量％の２，６―ジ（４’―アジドベンザ
ル）メチルシクロヘキサノンを添加し、粘度を２５００
ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
の溶液を得た。上記溶液を表面処理したシリコンウエハ
上にスピナーを用いて毎分２５００回転の速度で塗布
し、膜厚４μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、１４０
℃で１０５秒間ホットプレート上で乾燥させ、フォトマ
スクを密着し、空気中で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）
を３００ｎｍ以下の光をカットするガラスフィルターを
通して７００ｍＪ／ｃｍ2を照射した。ついで、メトキ
シベンゼンとキシレンの容積比が１／２である混合液を
エッチング液として２５℃で３０秒間浸漬した後、キシ
レンをリンス液として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行
い、現像後の膜厚、パターンのぼやけや基板との密着性
を評価した。その結果、ジアジド系の感光剤を用いて、
空気中で露光し場合、光照射時に生じる感光剤の活性種
が空気中の酸素により失活され、パターンのぼやけが生
じた。
トリメトキシシランを含む水溶液をシリコンウエハ上に
スピナーを用いて毎分１０００回転の速度で回転塗布
し、１００℃で１分間ホットプレート上で乾燥させ表面
処理した。上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2の９５％がフ
ェニル基、５％がメタクリロキシプロピル基、Ｒ3、
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均分子量が１
７万のシリコーンラダー樹脂にメトキシベンゼンを加
え、さらに３重量％の２，６―ジ（４’―アジドベンザ
ル）メチルシクロヘキサノンを添加し、粘度を２５００
ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
の溶液を得た。上記溶液を表面処理したシリコンウエハ
上にスピナーを用いて毎分２５００回転の速度で塗布
し、膜厚４μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、１４０
℃で１０５秒間ホットプレート上で乾燥させ、フォトマ
スクを密着し、空気中で紫外線（超高圧水銀灯ランプ）
を３００ｎｍ以下の光をカットするガラスフィルターを
通して７００ｍＪ／ｃｍ2を照射した。ついで、メトキ
シベンゼンとキシレンの容積比が１／２である混合液を
エッチング液として２５℃で３０秒間浸漬した後、キシ
レンをリンス液として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行
い、現像後の膜厚、パターンのぼやけや基板との密着性
を評価した。その結果、ジアジド系の感光剤を用いて、
空気中で露光し場合、光照射時に生じる感光剤の活性種
が空気中の酸素により失活され、パターンのぼやけが生
じた。
【００７７】比較例７．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
が全てビニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がメチル基であ
り、重量平均分子量が１０万のシリコーンラダー樹脂に
メトキシベンゼンを加え、さらに１０重量％の１―ヒド
ロキシ―シクロヘキシルフェニルケトンと１５重量％の
２，４―ジメチルチオキサンソンを添加し、粘度を２５
００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組
成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピ
ナーを用いて毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚
３．５μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、１５０℃で
３分間ホットプレート上で乾燥させ、フォトマスクを密
着し、紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を１００ｍＪ／ｃ
ｍ2を照射し、窒素雰囲気中において１３０℃で２分間
ホットプレート上で熱処理した。ついで、スピン現像器
を用いて、メトキシベンゼンとキシレンの容積比が１／
２である混合液をエッチング液として２５℃で３０秒間
噴射した後、キシレンをリンス液として２５℃で３０秒
間噴射し現像を行い、膜質を評価した。その結果、光増
感剤の添加量が過剰すぎて、樹脂膜の耐熱性が減少し
た。
が全てビニル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がメチル基であ
り、重量平均分子量が１０万のシリコーンラダー樹脂に
メトキシベンゼンを加え、さらに１０重量％の１―ヒド
ロキシ―シクロヘキシルフェニルケトンと１５重量％の
２，４―ジメチルチオキサンソンを添加し、粘度を２５
００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組
成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピ
ナーを用いて毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚
３．５μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、１５０℃で
３分間ホットプレート上で乾燥させ、フォトマスクを密
着し、紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を１００ｍＪ／ｃ
ｍ2を照射し、窒素雰囲気中において１３０℃で２分間
ホットプレート上で熱処理した。ついで、スピン現像器
を用いて、メトキシベンゼンとキシレンの容積比が１／
２である混合液をエッチング液として２５℃で３０秒間
噴射した後、キシレンをリンス液として２５℃で３０秒
間噴射し現像を行い、膜質を評価した。その結果、光増
感剤の添加量が過剰すぎて、樹脂膜の耐熱性が減少し
た。
【００７８】比較例８．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
が全てアリル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がビニル基であ
り、重量平均分子量が５万のシリコーンラダー樹脂にメ
トキシベンゼンを加え、さらに５重量％の１―ヒドロキ
シ―シクロヘキシルフェニルケトン、５重量％のγ―ア
ミノプロピルトリメトキシシランを添加し、粘度を２５
００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組
成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピ
ナーを用いて毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚３
μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気中にお
いて１５０℃で９０秒間ホットプレート上で乾燥させ、
フォトマスクを通して、紫外線（超高圧水銀灯ランプ）
を３００ｍＪ／ｃｍ2照射し、２００℃で２分間ホット
プレート上で熱処理した。ついで、メトキシベンゼンと
キシレンの容積比が１／３である混合液をエッチング液
として２５℃で３０秒間浸漬した後、キシレンをリンス
液として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行い、現像後の
膜厚、パターンのぼやけや基板との密着性を評価した。
その結果、露光後の熱処理温度が高いために残存の感光
性架橋剤が分解し、上記樹脂膜の熱硬化が生じ、所要の
パターンを得ることが出来なかった。
が全てアリル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6がビニル基であ
り、重量平均分子量が５万のシリコーンラダー樹脂にメ
トキシベンゼンを加え、さらに５重量％の１―ヒドロキ
シ―シクロヘキシルフェニルケトン、５重量％のγ―ア
ミノプロピルトリメトキシシランを添加し、粘度を２５
００ｃｐｓに調整した感光性シリコーンラダー系樹脂組
成物の溶液を得た。上記溶液をシリコンウエハ上にスピ
ナーを用いて毎分２５００回転の速度で塗布し、膜厚３
μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒素雰囲気中にお
いて１５０℃で９０秒間ホットプレート上で乾燥させ、
フォトマスクを通して、紫外線（超高圧水銀灯ランプ）
を３００ｍＪ／ｃｍ2照射し、２００℃で２分間ホット
プレート上で熱処理した。ついで、メトキシベンゼンと
キシレンの容積比が１／３である混合液をエッチング液
として２５℃で３０秒間浸漬した後、キシレンをリンス
液として２５℃で３０秒間浸漬し現像を行い、現像後の
膜厚、パターンのぼやけや基板との密着性を評価した。
その結果、露光後の熱処理温度が高いために残存の感光
性架橋剤が分解し、上記樹脂膜の熱硬化が生じ、所要の
パターンを得ることが出来なかった。
【００７９】比較例９．上記一般式（１）中のＲ1、Ｒ2
の４０％がフェニル基、６０％がメタクリロキシプロピ
ル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均
分子量が１０万のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベ
ンゼンを加え、さらに６重量％の１―ヒドロキシ―シク
ロヘキシルフェニルケトン、１５０重量％のトリメチロ
ールプロパントリアクリレート、０．５重量％のＮ―フ
ェニル―γ―アミノプロピルトリメトキシシランを添加
し、粘度を２０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコン
ウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度で
塗布し、膜厚５μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒
素雰囲気中において１１０℃で３分間ホットプレート上
で乾燥させ、フォトマスクを通して、窒素気流下で紫外
線（超高圧水銀灯ランプ）を２０００ｍＪ／ｃｍ2照射
した。ついで、メトキシベンゼンとキシレンの容積比が
１／２である混合液をエッチング液として２５℃で９０
秒間浸漬した後、キシレンをリンス液として２５℃で３
０秒間浸漬し現像を行ったところ、所定のパターンが転
写されたシリコーンラダー樹脂膜を得た。しかし、得ら
れた樹脂組成物膜は、光重合性モノマーの添加量が高い
ためにそれ自身の光重合が進行し、シリコーンラダー樹
脂特有の耐熱性が得られなかった。
の４０％がフェニル基、６０％がメタクリロキシプロピ
ル基、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6が水素原子であり、重量平均
分子量が１０万のシリコーンラダー系樹脂にメトキシベ
ンゼンを加え、さらに６重量％の１―ヒドロキシ―シク
ロヘキシルフェニルケトン、１５０重量％のトリメチロ
ールプロパントリアクリレート、０．５重量％のＮ―フ
ェニル―γ―アミノプロピルトリメトキシシランを添加
し、粘度を２０００ｃｐｓに調整した感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物の溶液を得た。上記溶液をシリコン
ウエハ上にスピナーを用いて毎分２０００回転の速度で
塗布し、膜厚５μｍの樹脂組成物膜を得た。これを、窒
素雰囲気中において１１０℃で３分間ホットプレート上
で乾燥させ、フォトマスクを通して、窒素気流下で紫外
線（超高圧水銀灯ランプ）を２０００ｍＪ／ｃｍ2照射
した。ついで、メトキシベンゼンとキシレンの容積比が
１／２である混合液をエッチング液として２５℃で９０
秒間浸漬した後、キシレンをリンス液として２５℃で３
０秒間浸漬し現像を行ったところ、所定のパターンが転
写されたシリコーンラダー樹脂膜を得た。しかし、得ら
れた樹脂組成物膜は、光重合性モノマーの添加量が高い
ためにそれ自身の光重合が進行し、シリコーンラダー樹
脂特有の耐熱性が得られなかった。
【００８０】
【発明の効果】本発明の第１の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物によれば、上記一般式（１）で表されるシ
リコーンラダー系樹脂並びに感光性架橋剤もしくは光重
合開始剤を含有したものであることにより、直接光で微
細加工可能であるという効果がある。
系樹脂組成物によれば、上記一般式（１）で表されるシ
リコーンラダー系樹脂並びに感光性架橋剤もしくは光重
合開始剤を含有したものであることにより、直接光で微
細加工可能であるという効果がある。
【００８１】本発明の第２の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物によれば、上記第１の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物において、シリコーンラダー系樹脂の不
飽和結合を有する官能基が、アルケニル基、アルキルア
クリロイル基、アルキルメタクリロイル基またはスチリ
ル基のものであることにより、感度特性も向上させると
いう効果がある。
樹脂組成物によれば、上記第１の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物において、シリコーンラダー系樹脂の不
飽和結合を有する官能基が、アルケニル基、アルキルア
クリロイル基、アルキルメタクリロイル基またはスチリ
ル基のものであることにより、感度特性も向上させると
いう効果がある。
【００８２】本発明の第３の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物によれば、上記第１または第２の感光性シリ
コーンラダー系樹脂組成物において、感光性架橋剤もし
くは光重合開始剤をシリコーンラダー系樹脂に対し０．
０１〜２０重量％含有したものであることにより、感度
がよく、耐熱性や保存安定性にもすぐれるという効果が
ある。
樹脂組成物によれば、上記第１または第２の感光性シリ
コーンラダー系樹脂組成物において、感光性架橋剤もし
くは光重合開始剤をシリコーンラダー系樹脂に対し０．
０１〜２０重量％含有したものであることにより、感度
がよく、耐熱性や保存安定性にもすぐれるという効果が
ある。
【００８３】本発明の第４の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物によれば、上記第１ないし第３のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、光増感剤また
は光開始助剤を含有したものであることにより、感度も
よいという効果がある。
樹脂組成物によれば、上記第１ないし第３のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、光増感剤また
は光開始助剤を含有したものであることにより、感度も
よいという効果がある。
【００８４】本発明の第５の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物によれば、上記第１ないし第４のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物において、光増感
剤または光開始助剤をシリコーンラダー系樹脂に対し
０．０１〜１０重量％含有したものであることにより、
感度がよく、耐熱性や保存安定性にもすぐれるという効
果がある。
樹脂組成物によれば、上記第１ないし第４のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物において、光増感
剤または光開始助剤をシリコーンラダー系樹脂に対し
０．０１〜１０重量％含有したものであることにより、
感度がよく、耐熱性や保存安定性にもすぐれるという効
果がある。
【００８５】本発明の第６の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物によれば、上記第１ないし第５のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、重合禁止剤を
含有したものであることにより、貯蔵安定性もすぐれる
という効果がある。
樹脂組成物によれば、上記第１ないし第５のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、重合禁止剤を
含有したものであることにより、貯蔵安定性もすぐれる
という効果がある。
【００８６】本発明の第７の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物によれば、上記第６の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物において、重合禁止剤をシリコーンラダ
ー系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜５重量％含有したものであ
ることにより、感度もよいという効果がある。
樹脂組成物によれば、上記第６の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物において、重合禁止剤をシリコーンラダ
ー系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜５重量％含有したものであ
ることにより、感度もよいという効果がある。
【００８７】本発明の第８の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物によれば、上記第１ないし第７のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、シランカップ
リング剤を含有したものであることにより、下地基板と
の接着性を向上させるという効果がある。
樹脂組成物によれば、上記第１ないし第７のいずれかの
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、シランカップ
リング剤を含有したものであることにより、下地基板と
の接着性を向上させるという効果がある。
【００８８】本発明の第９の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物によれば、上記第８の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物において、シランカップリング剤をシリ
コーンラダー系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜１０重量％含有
したものであることにより、樹脂組成物の粘度低下が防
止されるという効果がある。
樹脂組成物によれば、上記第８の感光性シリコーンラダ
ー系樹脂組成物において、シランカップリング剤をシリ
コーンラダー系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜１０重量％含有
したものであることにより、樹脂組成物の粘度低下が防
止されるという効果がある。
【００８９】本発明の第１０の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物によれば、上記第１ないし第９のいずれか
の感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、光重合性モ
ノマーまたは光重合性オリゴマーを含有したものである
ことにより、感度および精度が向上するという効果があ
る。
系樹脂組成物によれば、上記第１ないし第９のいずれか
の感光性シリコーンラダー系樹脂組成物に、光重合性モ
ノマーまたは光重合性オリゴマーを含有したものである
ことにより、感度および精度が向上するという効果があ
る。
【００９０】本発明の第１１の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物によれば、上記第１０の感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物において、光重合性モノマーまたは
光重合性オリゴマーをシリコーンラダー系樹脂に対し１
０ｐｐｍ〜１００重量％含有したことにより、耐熱特性
の低下が防止されるという効果がある。
系樹脂組成物によれば、上記第１０の感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物において、光重合性モノマーまたは
光重合性オリゴマーをシリコーンラダー系樹脂に対し１
０ｐｐｍ〜１００重量％含有したことにより、耐熱特性
の低下が防止されるという効果がある。
【００９１】本発明の第１のパターン転写方法は、基板
に、上記第１ないし第１１のいずれかの感光性シリコー
ンラダー系樹脂組成物を含有した樹脂組成物膜を形成す
る工程、感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤、光開
始助剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、光重合性
モノマーまたは光重合性オリゴマーの分解温度より５℃
以上低温で加熱乾燥する工程、フォトマスクを用いて露
光する工程および上記樹脂組成物膜を現像する工程を施
すことにより、容易に低コストに安定したパターンが得
られるという効果がある。
に、上記第１ないし第１１のいずれかの感光性シリコー
ンラダー系樹脂組成物を含有した樹脂組成物膜を形成す
る工程、感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤、光開
始助剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、光重合性
モノマーまたは光重合性オリゴマーの分解温度より５℃
以上低温で加熱乾燥する工程、フォトマスクを用いて露
光する工程および上記樹脂組成物膜を現像する工程を施
すことにより、容易に低コストに安定したパターンが得
られるという効果がある。
【００９２】本発明の第２のパターン転写方法は、上記
第１のパターン転写方法において、シランカップリング
処理された基板を用いることにより、基板との接着性が
向上するという効果がある。
第１のパターン転写方法において、シランカップリング
処理された基板を用いることにより、基板との接着性が
向上するという効果がある。
【００９３】本発明の第３のパターン転写方法は、上記
第１または第２のパターン転写方法において、露光を不
活性雰囲気中で行うことにより、現像後の残膜率および
感度や解像度を向上させるという効果がある。
第１または第２のパターン転写方法において、露光を不
活性雰囲気中で行うことにより、現像後の残膜率および
感度や解像度を向上させるという効果がある。
【００９４】本発明の第４のパターン転写方法は、上記
第１ないし第３のいずれかのパターン転写方法におい
て、露光後、感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤、
光開始助剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、光重
合性モノマーまたは光重合性オリゴマーの分解温度より
５℃以上低温で加熱する工程を施すことにより、基板と
の剥離を防止できるという効果がある。
第１ないし第３のいずれかのパターン転写方法におい
て、露光後、感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤、
光開始助剤、重合禁止剤、シランカップリング剤、光重
合性モノマーまたは光重合性オリゴマーの分解温度より
５℃以上低温で加熱する工程を施すことにより、基板と
の剥離を防止できるという効果がある。
【００９５】本発明の第５のパターン転写方法は、上記
第１ないし第３のいずれかのパターン転写方法におい
て、現像は樹脂組成物膜にエッチングおよびリンス交互
に複数回施すことにより行うことにより、厚膜でも解像
度が向上するという効果がある。
第１ないし第３のいずれかのパターン転写方法におい
て、現像は樹脂組成物膜にエッチングおよびリンス交互
に複数回施すことにより行うことにより、厚膜でも解像
度が向上するという効果がある。
【００９６】本発明の第１の半導体装置は、半導体基板
に上記第１ないし第１１のいずれかの感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物からなる樹脂組成物膜を設けること
により、容易に信頼性の向上したものを得ることができ
るという効果がある。
に上記第１ないし第１１のいずれかの感光性シリコーン
ラダー系樹脂組成物からなる樹脂組成物膜を設けること
により、容易に信頼性の向上したものを得ることができ
るという効果がある。
【００９７】本発明の第２の半導体装置は、上記第１の
半導体装置の樹脂組成物膜が絶縁膜であり、応力緩衝
膜、パッシベーション膜または表面保護膜として広い範
囲に適用できるという効果がある。
半導体装置の樹脂組成物膜が絶縁膜であり、応力緩衝
膜、パッシベーション膜または表面保護膜として広い範
囲に適用できるという効果がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/028 Ｇ０３Ｆ 7/028 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ
Claims (18)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1およびＲ2はアリール基、水素原子、脂肪族
アルキル基または不飽和結合を有する官能基であり、同
種でも異種でもよい。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は水素原
子、アリール基、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリ
ル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でも
異種でもよい。ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
びＲ6のうち１重量％以上は感光性を有する官能基で、
ｎは自然数である。）で表されるシリコーンラダー系樹
脂並びに感光性架橋剤もしくは光重合開始剤を含有した
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物。 - 【請求項２】 不飽和結合を有する官能基が、アルケニ
ル基、アルキルアクリロイル基、アルキルメタクリロイ
ル基またはスチリル基であることを特徴とする請求項１
に記載の感光性シリコーンラダー系樹脂組成物。 - 【請求項３】 感光性架橋剤もしくは光重合開始剤をシ
リコーンラダー系樹脂に対し０．０１〜２０重量％含有
したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物。 - 【請求項４】 光増感剤または光開始助剤を含有したこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の感光性シリコーンラダー系樹脂組成物。 - 【請求項５】 光増感剤または光開始助剤をシリコーン
ラダー系樹脂に対し０．０１〜１０重量％含有したこと
を特徴とする請求項４に記載の感光性シリコーンラダー
系樹脂組成物。 - 【請求項６】 重合禁止剤を含有したことを特徴とする
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の感光性シリ
コーンラダー系樹脂組成物。 - 【請求項７】 重合禁止剤をシリコーンラダー系樹脂に
対し１０ｐｐｍ〜５重量％含有したことを特徴とする請
求項６に記載の感光性シリコーンラダー系樹脂組成物。 - 【請求項８】 シランカップリング剤を含有したことを
特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の
感光性シリコーンラダー系樹脂組成物。 - 【請求項９】 シランカップリング剤をシリコーンラダ
ー系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜１０重量％含有したことを
特徴とする請求項８に記載の感光性シリコーンラダー系
樹脂組成物。 - 【請求項１０】 光重合性モノマーまたは光重合性オリ
ゴマーを含有したことを特徴とする請求項１ないし請求
項９のいずれかに記載の感光性シリコーンラダー系樹脂
組成物。 - 【請求項１１】 光重合性モノマーまたは光重合性オリ
ゴマーをシリコーンラダー系樹脂に対し１０ｐｐｍ〜１
００重量％含有したことを特徴とする請求項１０に記載
の感光性シリコーンラダー系樹脂組成物。 - 【請求項１２】 基板に、請求項１ないし請求項１１の
いずれかに記載の感光性シリコーンラダー系樹脂組成物
を含有した樹脂組成物膜を形成する工程、感光性架橋
剤、光重合開始剤、光増感剤、光開始助剤、重合禁止
剤、シランカップリング剤、光重合性モノマーまたは光
重合性オリゴマーの分解温度より５℃以上低温で加熱乾
燥する工程、フォトマスクを用いて露光する工程および
上記樹脂組成物膜を現像する工程を施すパターン転写方
法。 - 【請求項１３】 シランカップリング処理された基板を
用いることを特徴とする請求項１２に記載のパターン転
写方法。 - 【請求項１４】 露光を不活性雰囲気中で行うことを特
徴とする請求項１２または請求項１３に記載のパターン
転写方法。 - 【請求項１５】 露光後、感光性架橋剤、光重合開始
剤、光増感剤、光開始助剤、重合禁止剤、シランカップ
リング剤、光重合性モノマーまたは光重合性オリゴマー
の分解温度より５℃以上低温で加熱する工程を施すこと
を特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれかに
記載のパターン転写方法。 - 【請求項１６】 現像は、樹脂組成物膜にエッチングお
よびリンスを複数回交互に施すことにより行うことを特
徴とする請求項１２ないし請求項１５のいずれかに記載
のパターン転写方法。 - 【請求項１７】 半導体基板と、この半導体基板に設け
た請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の感光性
シリコーンラダー系樹脂組成物からなる樹脂組成物膜と
を備えた半導体装置。 - 【請求項１８】 樹脂組成物膜が絶縁膜であり、層間
膜、応力緩衝膜、パッシベーション膜または表面保護膜
となることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9133602A JPH10319597A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9133602A JPH10319597A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10319597A true JPH10319597A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=15108646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9133602A Pending JPH10319597A (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10319597A (ja) |
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