KR970028825A - 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 - Google Patents

신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 Download PDF

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가쯔야 다께무라
시게히로 나구라
아끼노부 다나까
요시오 가와이
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카나가와 치히로
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
미야쯔 준이찌로
니뽄 덴신 덴와 가부시끼가이샤
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Abstract

하기 화학식(1)으로 표시되고, 분자중의 페닐기에 적어도 1개의 산 불안정기를 가지며, 또한 직쇄상, 분지쇄상 또는 환상의 알킬술포네이트를 갖는 것을 특징으로 하는 술포늄염이 제공된다.
(상기 식에서, R1은 각각 동일하거나 상이한 것으로서, 일킬기, 알콕시기 또는 디알킬아미노기이고; OR2는 산 불안정기이고; Y는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지쇄상 또는 환상의 알킬술포네이트이며, 그 구조중에 C=O 카르보닐 이중 결합, C-O-C 에테르 결합 또는 알콜성 히드록시기를 포함할 수 있고; n은 0 내지 2의 정수이고, m은 1 내지 3의 정수이며, 또한 n+m은 3이고; r은 1 이상 5 이하의 정수이고, p는 0 내지 5의 정수이며, q는 0 내지 4의 정수로서, q+r은 1 내지 5의 정수이다). 본 발명에 관한 상기 화학식(1)의 신규한 술포늄염은, 노광부와 미노광부의 용해 콘트라스트를 크게 할 수 있고, 더우기, 노광시에는 종래의 발생 산인 트리플루오로메탄술폰산 등에 비해 약산인 알킬술폰산이 발생하기 때문에 노광후의 PEB 과정에서 부반응이나 레지스트막 표면으로부터의 염기성 화합물에 의한 발생 산의 중화에 의한 활성 상실의 영향을 작게 할 수 있고, 미세 가공 기술에 적합한 고해상성을 갖는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료의 성분으로서 유효하다.

Description

신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 하기 화학식(1)으로 표시되고, 분자 중의 페닐기에 적어도 1개의 산 불안정기를 가지며, 또한 직쇄상, 분지쇄상 또는 환상의 알킬술포네이트를 갖는 것을 특징으로 하는 술포늄염.
    상기 식에서, R1은 각각 동일하거나 상이한 것으로서, 알킬기, 알콕시기 또는 디알킬아미노기이고; OR2는 산 불안정기이고; Y는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지쇄상 또는 환상의 알킬술포네이트이며, 그 구조중에 C=O 카르보닐 이중 결합, C-O-C 에테르 결합 또는 알콜성 히드록시기를 포함할 수 있고; n은 0 내지 2의 정수이고, m은 1 내지 3의 정수이며, 또한 n+m은 3이고; r은 1 이상 5 이하의 정수이고, p는 0 내지 5의 정수이며, q는 0 내지 4의 정수로서, q+r은 1 내지 5의 정수이다.
  2. 제1항 기재의 화학식(1)로 표시되는 술포늄염을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  3. (a) 유기 용제, (b) 알칼리 가용성 수지, (c) 산 불안정기를 갖는 용해 저지제, (d) 제1항 기재의 화학식(1)로 표시되는 술포늄염, (e) 산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  4. (a) 유기 용제, (b) 알칼리 가용성 수지, (d) 제1항 기재의 화학식(1)로 표시되는 술포늄염, (e) 산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  5. 제3항 또는 4항에 있어서, (b) 성분의 알칼리 가용성 수지로서, 일부의 히드록시기의 수소 원자가 산 불안정기로 치환된 중량 평균 분자량 3,000 내지 100,000의 폴리히드록시스티렌을 사용한 레지스트 재료.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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