KR970015629A - 폴리실록산 화합물 및 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 - Google Patents

폴리실록산 화합물 및 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 Download PDF

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Abstract

하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리실록산 화합물.
식중, R은또는 로서, 이때, R1, R2는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, R3는 탄소 원자수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분자상의 알킬기, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Q는 산불안정기이고, x, y, z는 x+y+z=1이 되는 수이되, x 및 y가 0이 되는 일은 없으며, n은 1 내지 3의 정수이다.)
본 발명의 폴리실록산 화합물은 포지티브형 레지스트 재료에 알칼리 가용성 폴리머로서 유용하며, 특히 2층 레지스트 재료의 화학 증폭형 실리콘계 포지티브형 레지스트 재료에서의 알칼리 가용성 폴리머로서 사용되어, 하층 계면에 헤밍(hemming) 현상이 생기거나, 실리콘 레지스트막 표면에 표면 난용층이 생기는 문제를 해소 할 수 있다.

Description

폴리실록산 화합물 및 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 폴리실록산 화합물.
    식중, R은또는로서, 이때, R1, R2는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, R3는 탄소 원자수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분자상의 알킬기, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Q는 산불안정기이고, x, y, z는 x+y+z=1이 되는 수이되, x 및 y가 0이 되는 일은 없으며, n은 1 내지 3의 정수이다.)
  2. 제1항에 따른 폴리실록산 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 재료.
  3. 제1항에 따른 폴리실록산 화합물과, 조사되는 방사선의 작용에 의해 분해되어 산을 발생하는 산발생제의 2성분을 포함하는 알칼리 수용액으로 현상 가능한 포지티브형 레지스트 재료.
  4. 제3항에 있어서, 산 발생제가 하기 일반식으로 표시되는 오늄염인 재료.
    (R)pJM
    (식중, R은 동일하거나 또는 이종의 방향족기 또는 치환 방향족기를 나타내고, J는 술포늄 또는 요오드늄을 나타내고, M은 치환 또는 비치환된 알킬 또는 아릴술포네이트를 나타내며, p는 2 또는 3이다.)
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 추가로 용해 저지제를 첨가한 재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960041859A 1995-09-25 1996-09-24 폴리실록산 화합물 및 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 KR100233629B1 (ko)

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