KR950032112A - 술포늄 염 및 레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 산 불안정 기를 가진 적어도 하나의 치환 방향족 기와 적어도 하나의 질소 함유 방향족 기를 가진 신규한 술포늄 염을 제공한다. 유기용매중에 술포늄 염 뿐만아니라, 알칼리 가용성수지 및 용해 억제제를 포함하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물은 PED문제점을 해결한다.

Description

술포늄 염 및 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 다음 일반식 (1)의 술포늄 염 :
    상기 식에서, R1, R2및 R3는 독립적으로 치환 또는 비치환 방향족기이며, R1, R2및 R3중 적어도 하나는 산불안정 기를 가진 치환 방향족 기이며, 나머지 R기중 적어도 하나는 질소 함유 방향족 기 이거나, 또는 R1, R2및 R3모두 질소함유 방향족 기이다.
  2. 제1항에 있어서, 산 불안정 기를 가진 치환 방향족 기는 tert-부톡시페닐기이며, 질소함유 방향족기는 알킬부분이 1 내지 8개의 탄소원자를 가진 디알킬아미노페닐기, 피콜일옥시페닐기 또는 피리디닐기인 것을 특징으로 하는 술포늄염.
  3. 특허청구의 범위 제l항 도는 제2항에 규정된 바의 술포늄 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물.
  4. (A) 유기용매, (B) 알칼리 가용성수지, (C) 산 불안정 기를 가진 용해억제제, (D) 특허청구의 범위 제1항 또는 제2항에 규정된 바의 술포늄 염, 및 (E) 광-산-발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물.
  5. (A) 유기용매, (B) 알칼리 가용성수지, (C) 산 불안정 기를 가진 용해억제제 및 (D) 특허청구의 범위 제1항 또는 제2항에 규정된 바의 술포늄 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 알칼리 가용성수지(B)는 일부 히드록실 기의 수소원자가 산 불안정 기로 치환되고 중량 평균 분자량이 5,000 내지 100,000인 폴리히드록시스티렌인 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001035A 1994-01-28 1995-01-21 술포늄 염 및 레지스트 조성물 (Sulfonium Salt and Resist Composition) KR100230971B1 (ko)

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