KR960018762A - 방사선 감수성 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하이드록시스티렌 또는, 산에 대해 감수성인 그룹(예 : 테트라하이드로피라닐 또는 3급 부톡시카브닐 그룹)에 의해 부분적으로 보호된 하이드록시스티렌의 단독중합체 또는 공중합체(a), 폴리(N,O-아세탈) 또는, 산에 의해 분해될 수 있는 그룹에 의해 보호된 페놀 또는 비스페놀과 같은 용해 억제재(b), 노출시 산을 생성할 수 있는 감광성 화합물(c). 방사시 분해되어 노출 단계와 노출후의 고정 단계사이에서 선 너비를 조절할 수 있는 영기(d), 하기의 일반식(II)로 표시되는 구조를 갖는 저분자량의 페놀성 또는 폴리페놀성 화합물, 또는 이들의 혼합물(e) 및 성분(a) 내지 (e)를 용해시키기 의한 용매(f)를 포함하는, 화학적으로 증폭된 내식막 재료에 관한 것이다.
상기 식에서, n은 1 내지 5의 정수이며, m은 0 내지 4의 정수이고, n+m은 5 이하이며, p는 1 내지 10의 정수이며, R은 각각 C1-C12알킬 그룹, 치환되지 않거나 치환된 사이클로알켈 그룹, 또는 C1-C5하이드록시알킬 그룹이고, 단 수소원자는 할로겐 원자에 의해 치환될 수 있으며, m이 2 이상인 경우에는 R은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, A은 원자가 p인 탄화수소 원자 그룹으로, 치환되지 않거나 치환된 C1-C100지환족, 쇄지방족 또는 방향족 탄화수소 이거나, 탄소원자가 산소 원자에 의해 임의로 치환된 이들의 조합을 나타내며, 단 p가 1인 경우에는 A는 수소원자를 나타낼 수 있고, p가 2인 경우에는 A는 -S-, -SO-, -SO2-,-O-, -CO- 또는 직접 결합을 나타낼 수 있다. 혼합물은 KrF 레이저를 사용하여 너비가 0.20㎛ 이하인 선과 공간을 인쇄하는데 적합하고, 기판에 대한 접착력이 우수하며, 해상력, 촛점 범위, 내열성 및 내식성이 우수하다.

Description

방사선 감수성 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. a) 수불용성이고, 알칼리 수용액에 가용성이거나 알칼리 수용액에 팽윤성인 결합제, b) 하기 일반식(I)의 폴리(N,O-아세탈) 및/또는 산에 의해 분해될 수 있는 그룹에 의해 보호된 하이드록시 그룹을 갖는 페놀성화합물을 포함하는 용해 억제제, c) 화학 방사선에 노출시 산을 생성할 수 있는 강광성 화합물, d) 화학 방사선에 노츨시 중성 화합물로 분해될 수 있는 염기, e) 하기 일반식(II)의 페놀성 화합물 및 f) 용매를 포함하는 방사선 감수성 조성물.
    상기 식에서, R3은 알킬, 아릴 또는 치환된 아릴 그룹이고, R4는 2가 알킬렌, 사이클로알킬렌, 2가 알켄 또는 2가 알킬 그룹이며, R5는 알킬, 알켄, 알킨 또는 사이클로알킬 그룹이고, X는 -OCO-, -CO- 또는 -NHCO-이며, p는 일반식(I)에서는 1 이상의 정수이고, 일반식(II)에서는 1 내지 10의 정수이며, n은 1 내지 5의 정수이며, m은 0 내지 4의 정수이고, n+m은 5 이하이며, 온 각각 C1-C12알킬 그룹, 치환되지 않거나 치환된 사이클로알킬 그룹 또는 C1-C5하이드록시알킬 그룹이고, 단 수소원자는 할로겐 원자에 의해 치환될 수 있으며, m이 2 이상인 경우, R은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, A는 원자가 p인 탄환수소 원자 그룹으로서, 치환되지 않거나 치환된 C1-C100지환족, 쇄 지방족 또는 방향족 탄화수소이거나, 탄소원자가 산소원자에 의해 임의로 치환된 이들의 조합이며, 단 p가 1인 경우, A는 수소원자를 나타낼 수 있고, p가 2인 경우, A는 -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -CO- 또는 직접 결합을 나타낼 수 있다.
  2. 제1항에 있어서, 성분(a)가, 하이드록시 그룹의 일부가 산에 의해 분해될 수 있는 그룹에 의해 임의로 보호된 페놀 그룹을 갖는 중합체인 방사선 감수성 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 성분(a) 가 폴리(4-하이드록시스티렌), 폴리(4-하이드록시스티렌-코-3-메틸-4-하이드록시스티렌) 또는 폴리(4-하이드록시스티렌-코-스티렌)인 방사선 감수성 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 성분(a)에서 산으로 분해될 수 있는 그룹이 3급 부틸옥시카보닐, 에톡시에틸, 테트라하이드로피라닐 또는 트리알킬실릴 그룹인 방사선 감수성 조성물.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 성분(b)에서 산으로 분해될 수 있는 그룹이 3급 부틸옥시카보닐, 에톡시에틸, 테트라하이드로피라닐 또는 트리알킬실릴 그룹인 방사선 감수성 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 성분(c)가 하기 일반식(III)으로 표시되는 방사선 감수성 조성물.
    상기 식에서, Ar 및 Ar′는 독립적으로 페닐, 클로로페닐, 톨릴 또는 알킬 그룹이거나 이들의 조합이고, Y는 -SO2-, -CO- 또는 일반식 (Ar)3S+R6SO- 3(여기서, Ar은 페닐 그룹을 나타내고, R6은 알킬 또는 알킬 할라이드 그룹을 나타낸다)를 나타낸다.
  7. 제1항에 있어서, 성분(c)가 화학 방사선에 노출시 설폰산을 생성하는 방사선 감수성 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 염기 성분(d)가 아세테이트 음이온, 설포늄 이온 또는 암모늄 이온을 갖는 오늄 염인 방사선 감수성 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 조성물 중의 성분(e)의 함량이, 고체의 총 양을 기준으로 하여, 10중량% 이하인 방사선 감수성 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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