KR910006777A - 포지티브-작용성 감조사성 혼합물 및 이로부터 제조된 감조사성 복사물질 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (15)
- a) 조사시키면 산을 생성하는 다음 일반식(I)의 α-카보닐-α-설포닐디아조메탄 화합물, b) 산에 의해 분해될수 있는 하나 이상의 C-O-C 또는 C-O-Si-결합을 갖는 화합물 및 c) 알칼리성 수용액 속에서 가용성이거나 적어도 팽윤성인 수불용성 결합체를 필수적으로 함유하는 포지티브-작용성 감조사성 혼합물;상기식에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 알킬, 사이클로알킬, 아릴- 또는 헤테로아릴 라디칼이다.
- 제1항에 있어서, 일반식(I) 화합물의 라디칼 R1과 R2가 임의로 치환된 알킬 또는 사이클로알킬 라디칼, 임의로 치환된 아릴 라디칼 또는 헤테로아릴 라디칼인 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 일반식(I)화합물의 라디칼 R1및 R2중의 하나 이상의 탄소수 1 내지 6의 임의로 치환된 알킬 라디칼 또는 임의로 치환된 아릴 라디칼인 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 일반식(I) 화합물의 라디칼 R1및 R2중의 하나 이상이 임의로 치환된 아릴 라디칼인 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항 내지 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 방향족 라디칼의 R1및 R2의 치환체가 알킬, 알콕시, 알콕시알킬, 시아노 라디칼 또는 할로겐원자중에서 선택되는 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항 내지 제5항중의 어느 한 항에 있어서, 파장이 190 내지 450nm인 UV광이 방사선으로서 사용되는 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항 내지 제6항중의 어느 한 항에 있어서, 파장이 200 내지 400nm인 UV광을 방사선으로서 사용되는 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항 내지 제7항중의 어느 한 항에 있어서, 일반식(I)의 산-형성 화합물의 농도가 0.5 내지 25중량%인 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항 내지 제8항중의 어느 한 항에 있어서, 조사 파장 범위에서 결합제의 흡수성이 0.5㎛-1미만인 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항 내지 제9항중의 어느 한 항에 있어서, 결합제로 노볼락 축합 수지를 30중량%이하, 특히 20중량%로 이하로 함유하는 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 결합제가 페놀계하이드록실 그룹을 함유하는 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제9항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 방사선-감수성 혼합물중에 결합제가 60 내지 96중량%, 특히 70 내지 94중량%의 농도로 함유된 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제9항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서, 240nm이상에서 결합재의 흡수성이 0.3㎛(미만인 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 제1항에 있어서, 일반식(I)의 화합물이 148nm에서 모든 내식막 성분의 최대몰 흡수성을 갖는 포지티브-작용성 감조사성 혼합물.
- 지지체 및 제1항 내지 제14항중의 어느 한항에서 청구된 조사 경화성 혼합물로 구성되는 감조사성 층을 필수적으로 함유하는 포지티브-작용성 감조사성 복사물질.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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---|---|---|---|---|
DE4006190A1 (de) * | 1990-02-28 | 1991-08-29 | Hoechst Ag | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
JPH04149445A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | ポジ型感光性組成物 |
DE4106356A1 (de) * | 1991-02-28 | 1992-09-03 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliche polymere mit naphthochinon-2-diazid-4-sulfonyl-gruppen und deren verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial |
DE4106357A1 (de) * | 1991-02-28 | 1992-09-03 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliche polymere mit 2-diazo-1,3-dicarbonyl-gruppen, verfahren zu deren herstellung und verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial |
DE4112968A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Saeurespaltbare verbindungen, diese enthaltendes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE4112974A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE4112966A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE4112972A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE4112971A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Sulfonsaeureester von 2,4,6-tris-(2-hydroxy-ethoxy)-(1,3,5)triazin, ein damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial |
JP3030672B2 (ja) * | 1991-06-18 | 2000-04-10 | 和光純薬工業株式会社 | 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法 |
DE4120173A1 (de) * | 1991-06-19 | 1992-12-24 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
US5348838A (en) * | 1991-07-31 | 1994-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition comprising alkali soluble binder and photoacid generator having sulfonyl group |
DE69218393T2 (de) * | 1991-12-16 | 1997-10-16 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Resistmaterial |
JP2726348B2 (ja) * | 1992-02-03 | 1998-03-11 | 沖電気工業株式会社 | 放射線感応性樹脂組成物 |
JPH05289338A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
DE4222968A1 (de) * | 1992-07-13 | 1994-01-20 | Hoechst Ag | Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial |
DE4306152A1 (de) * | 1993-02-27 | 1994-09-01 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes Aufzeichnungsmaterial |
JP3393919B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2003-04-07 | 住友化学工業株式会社 | カラーフィルター形成用ポジ型レジスト組成物 |
DE4323289A1 (de) * | 1993-07-12 | 1995-01-19 | Siemens Ag | Strahlungsempfindliche Lackzusammensetzung |
JP3353258B2 (ja) * | 1993-10-26 | 2002-12-03 | 富士通株式会社 | 遠紫外線用レジスト |
US5558971A (en) * | 1994-09-02 | 1996-09-24 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Resist material |
JP3549592B2 (ja) * | 1994-11-02 | 2004-08-04 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 放射線感応性組成物 |
JPH08262720A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-11 | Hoechst Ind Kk | 可塑剤を含む放射線感応性組成物 |
JP3046225B2 (ja) * | 1995-06-15 | 2000-05-29 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
JP2956824B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1999-10-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
US5962192A (en) * | 1996-06-19 | 1999-10-05 | Printing Developments, Inc. | Photoresists and method for making printing plates |
US5908730A (en) * | 1996-07-24 | 1999-06-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-sensitization photoresist composition |
US5945517A (en) * | 1996-07-24 | 1999-08-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical-sensitization photoresist composition |
US6503716B1 (en) | 2000-11-28 | 2003-01-07 | Pe Corporation (Ny) | Compositions and methods for extracting a nucleic acid |
US20030215736A1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-11-20 | Oberlander Joseph E. | Negative-working photoimageable bottom antireflective coating |
US6844131B2 (en) | 2002-01-09 | 2005-01-18 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US7070914B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
ATE396426T1 (de) * | 2002-03-15 | 2008-06-15 | Kodak Graphic Comm Canada Co | Empfindlichkeitsverbesserung für strahlungsempfindliche elemente |
US20050214674A1 (en) | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US20060204732A1 (en) | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ink composition, inkjet recording method, printed material, method of producing planographic printing plate, and planographic printing plate |
DE602006003029D1 (de) | 2005-08-23 | 2008-11-20 | Fujifilm Corp | Härtbare Tinte enthaltend modifiziertes Oxetan |
JP4757574B2 (ja) | 2005-09-07 | 2011-08-24 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、及び、平版印刷版 |
EP1783184B9 (en) | 2005-11-04 | 2011-05-11 | Fujifilm Corporation | Curable ink composition and oxetane compound |
EP1829684B1 (en) | 2006-03-03 | 2011-01-26 | FUJIFILM Corporation | Curable composition, ink composition, inkjet-recording method, and planographic printing plate |
JP2008189776A (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Fujifilm Corp | 活性放射線硬化型重合性組成物、インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法、及び平版印刷版 |
JP2008208266A (ja) | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Fujifilm Corp | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の製造方法、および平版印刷版 |
JP5159141B2 (ja) | 2007-03-30 | 2013-03-06 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法、印刷物、平版印刷版の作製方法及び平版印刷版 |
JP5111039B2 (ja) | 2007-09-27 | 2012-12-26 | 富士フイルム株式会社 | 重合性化合物、重合開始剤、および染料を含有する光硬化性組成物 |
US8088548B2 (en) | 2007-10-23 | 2012-01-03 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions |
US8240838B2 (en) | 2007-11-29 | 2012-08-14 | Fujifilm Corporation | Ink composition for inkjet recording, inkjet recording method, and printed material |
JP5383133B2 (ja) | 2008-09-19 | 2014-01-08 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、インクジェット記録方法及び印刷物成形体の製造方法 |
ATE541905T1 (de) | 2008-09-26 | 2012-02-15 | Fujifilm Corp | Tintenzusammensetzung und tintenaufzeichnungsverfahren |
JP5461809B2 (ja) | 2008-09-29 | 2014-04-02 | 富士フイルム株式会社 | インク組成物、及び、インクジェット記録方法 |
US8455176B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-06-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition |
US8632948B2 (en) * | 2009-09-30 | 2014-01-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US20110086312A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Dammel Ralph R | Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating |
JP6025600B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-11-16 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
US9063420B2 (en) * | 2013-07-16 | 2015-06-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist composition, coated substrate, and method of forming electronic device |
EP3825749A1 (en) | 2019-11-22 | 2021-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Optical-element angle adjustment device and image projection device |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3502476A (en) * | 1965-10-20 | 1970-03-24 | Konishiroku Photo Ind | Light-sensitive photographic materials |
US3536489A (en) * | 1966-09-16 | 1970-10-27 | Minnesota Mining & Mfg | Heterocyclic iminoaromatic-halogen containing photoinitiator light sensitive compositions |
US3515552A (en) * | 1966-09-16 | 1970-06-02 | Minnesota Mining & Mfg | Light-sensitive imaging sheet and method of using |
GB1231789A (ko) * | 1967-09-05 | 1971-05-12 | ||
FR1590914A (ko) * | 1967-11-09 | 1970-04-20 | ||
DE1298414B (de) * | 1967-11-09 | 1969-06-26 | Kalle Ag | Lichtempfindliches Gemisch |
DE1296975B (de) * | 1967-11-09 | 1969-06-04 | Kalle Ag | Lichtempfindliches Gemisch |
GB1248036A (en) * | 1968-01-12 | 1971-09-29 | Agfa Gevaert | Photopolymerisation of ethylenically unsaturated organic compounds |
US3647443A (en) * | 1969-09-12 | 1972-03-07 | Eastman Kodak Co | Light-sensitive quinone diazide polymers and polymer compositions |
DE1949010C3 (de) * | 1969-09-27 | 1979-11-29 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verwendung von halogenmethylierten Benzophenonen als Photopolymerisationsinitiatoren |
BE754916A (nl) * | 1969-11-11 | 1971-02-17 | Agfa Gevaert Nv | Fotopolymerisatie van ethylenisch onverzadigde organische verbindingen |
US3987037A (en) * | 1971-09-03 | 1976-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Chromophore-substituted vinyl-halomethyl-s-triazines |
US3779778A (en) * | 1972-02-09 | 1973-12-18 | Minnesota Mining & Mfg | Photosolubilizable compositions and elements |
NL7205384A (ko) * | 1972-04-21 | 1973-10-23 | ||
US3912606A (en) * | 1974-11-21 | 1975-10-14 | Eastman Kodak Co | Photosensitive compositions containing benzoxazole sensitizers |
CH621416A5 (ko) * | 1975-03-27 | 1981-01-30 | Hoechst Ag | |
US4189323A (en) * | 1977-04-25 | 1980-02-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Radiation-sensitive copying composition |
DE2718254C3 (de) * | 1977-04-25 | 1980-04-10 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Strahlungsempfindliche Kopiermasse |
US4212970A (en) * | 1977-11-28 | 1980-07-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 2-Halomethyl-5-vinyl-1,3,4-oxadiazole compounds |
JPS5474728A (en) * | 1977-11-28 | 1979-06-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive composition |
US4343885A (en) * | 1978-05-09 | 1982-08-10 | Dynachem Corporation | Phototropic photosensitive compositions containing fluoran colorformer |
DE2829511A1 (de) * | 1978-07-05 | 1980-01-24 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
DE2829512A1 (de) * | 1978-07-05 | 1980-01-17 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
JPS5577742A (en) * | 1978-12-08 | 1980-06-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive composition |
US4294911A (en) * | 1979-06-18 | 1981-10-13 | Eastman Kodak Company | Development of light-sensitive quinone diazide compositions using sulfite stabilizer |
DE2928636A1 (de) * | 1979-07-16 | 1981-02-12 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
DE3021599A1 (de) * | 1980-06-09 | 1981-12-24 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | 2-(halogenmethyl-phenyl)-4-halogenoxazol-derivate, ein verfahren zu ihrer herstellung und sie enthaltende strahlungsempfindliche massen |
DE3021590A1 (de) * | 1980-06-09 | 1981-12-17 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | 4-halogen-5-(halogenmethyl-phenyl)-oxazol-derivate, ein verfahren zu ihrer herstellung und sie enthaltenden strahlungsempfindliche massen |
DE3023201A1 (de) * | 1980-06-21 | 1982-01-07 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
DE3151078A1 (de) * | 1981-12-23 | 1983-07-28 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von reliefbildern |
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
GB8321813D0 (en) * | 1983-08-12 | 1983-09-14 | Vickers Plc | Radiation sensitive compounds |
DE3337024A1 (de) * | 1983-10-12 | 1985-04-25 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Lichtempfindliche, trichlormethylgruppen aufweisende verbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltendes lichtempfindliches gemisch |
JPS61141442A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光可溶化組成物 |
DE3601264A1 (de) * | 1985-01-18 | 1986-07-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Photosolubilisierbare zusammensetzung |
GB8505402D0 (en) * | 1985-03-02 | 1985-04-03 | Ciba Geigy Ag | Modified phenolic resins |
US4737426A (en) * | 1985-05-15 | 1988-04-12 | Ciba-Geigy Corporation | Cyclic acetals or ketals of beta-keto esters or amides |
US4603101A (en) * | 1985-09-27 | 1986-07-29 | General Electric Company | Photoresist compositions containing t-substituted organomethyl vinylaryl ether materials |
CA1307695C (en) * | 1986-01-13 | 1992-09-22 | Wayne Edmund Feely | Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images |
JPS63125017A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 3ステ−ト付相補型mos集積回路 |
DE3725741A1 (de) * | 1987-08-04 | 1989-02-16 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
DE3730787A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3730783A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3730785A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
US5250669A (en) * | 1987-12-04 | 1993-10-05 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Photosensitive compound |
JPH01231039A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光脱色性層用材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2719640B2 (ja) * | 1988-06-30 | 1998-02-25 | 日本合成ゴム株式会社 | ポジ型感放射線樹脂組成物 |
US5272036A (en) * | 1988-10-28 | 1993-12-21 | Matsushita Electronic Industrial Co., Ltd. | Pattern forming contrast enhanced material utilizing water soluble photosensitive diazo compound and pattern forming method |
DE3900735A1 (de) * | 1989-01-12 | 1990-07-26 | Hoechst Ag | Neue mehrfunktionelle (alpha)-diazo-(beta)-ketoester, verfahren zu ihrer herstellung und deren verwendung |
JPH02187764A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感遠紫外線樹脂組成物 |
-
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