KR910001446A - 조사-경화성 조성물 및 이로부터 제조된 고-에너지 조사에 사용하기 위한 조사-민감성 기록 물질 - Google Patents
조사-경화성 조성물 및 이로부터 제조된 고-에너지 조사에 사용하기 위한 조사-민감성 기록 물질 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910001446A KR910001446A KR1019890008688A KR890008688A KR910001446A KR 910001446 A KR910001446 A KR 910001446A KR 1019890008688 A KR1019890008688 A KR 1019890008688A KR 890008688 A KR890008688 A KR 890008688A KR 910001446 A KR910001446 A KR 910001446A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- radiation
- acid
- curable composition
- curable
- substituted
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
- G03F7/0295—Photolytic halogen compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (9)
- 고-에너지 조사 작용하에 산을 형성하는 화합물(여기에서, 산을 형성하는 화합물은 방향족 탄소원자에 결합된 염소 또는 브롬을 함유하며 12 이하의 pka값을 갖는다) 및 산-경화물질을 포함하는, 고-에너지 조사에 의해 경화가능한 조성물.
- 제 1항에 있어서, 산-형성 화합물이 6 내지 10의 pka값을 갖는 조사-경화성 조성물.
- 제 1항에 있어서, 산-형성 화합물이 방향족 탄소원자에 결합된 염소 또는 브롬원자를 하나 이상 함유하는 하기 일반식의 화합물을 함유하는 조사-경화성 조성물.상기식에서, R은 OH 또는 COOH이고, R1및 R2는 동일하거나 상이하며 수소; 염소; 브롬; 아릴, 알콕시, 아릴옥시 또는 하이드록실 그룹 또는 불소원자에 의하여 치환되거나 비치환된 알킬; 또는 알콕시, 아릴옥시 또는 하이드록실 그룹 또는 할로겐원자에 의해 치환되거나 비치환된 아릴이고, n은 0 내지 3이고, 단, n=0 이면, A는 수소; 염소; 브롬; 알콕시, 아릴옥시, 하이드록실 또는 아릴 그룹 또는 불소원자에 의하여 치환되거나 비치환된 알킬; 또는 알콕시, 아릴옥시 또는 하이드록실 또는 카복실 그룹, 또는 할로겐에 의해 치환되거나 비치환된 아릴그룹이고, n=1인 경우, A는 단일결합, -O-, -S-, -SO2-, -NH-, -NR3-, 알킬렌 또는 퍼플루오로알킬렌이고, n=2인 경우, A는또는이고, n=3인 경우, A는이고 B는카복실, 치환된 카보닐, 특히 알킬카보닐 또는 아릴카보닐, 카복시알킬 또는 치환된 설포닐이미도카보닐이고, R3는 알킬, 특히 (C1-C3)알킬, 또는 아릴, 특히 페닐이다.
- 제 1항에 있어서, 산-형성 화합물이 단량체를 포함하고, 조성물이 물에 불용이고 수성 알카리에 가용인 결합제를 포함하는 조사-경화성 조성물.
- 제 1항에 있어서, 산-형성 화합물이 중합체를 함유하는 조사-경화성 조성물.
- 제 5항에 있어서, 산-형성 화합물이 하이드록시 스티렌 중합체 또는 공중합체 또는 페놀성 수지를 함유하는 조사-경화성 조성물.
- 제 5항에 있어서, 조성물이 불용이고, 수성알카리에 가용인 중합체성 결합제를 포함하는 조사-경화성 조성물.
- 지지체 및 제1항 내지 7항중 어느 한 항의 조사-경화성 조성물을 함유하는 조사-민감성 층을 필수적으로 함유하는, 고-에너지 조사에 사용하기 위한 조사-경화성 기록물질.
- 제1항 내지 7항에 따른 조사-경화성 조성물을 접촉 촉진제가 제공될 수 있는 지지체에 적용하고, 물질을 건조시킨후, 고에너지 조사, 특히 X-선 또는 전자방출로 상을 조사한 다음 승온에서 굽고, 필요한 경우 수성 알카리현상액으로 층의 조사되지 않은 부분을 제거시켜 상을 현상함을 특징으로 하는, 조사-경화성 기록물질에 의한 고-에너지 조사 기록방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP3821584.5 | 1988-06-25 | ||
DE3821584A DE3821584A1 (de) | 1988-06-25 | 1988-06-25 | Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichungsmaterial fuer hochenergetische strahlung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910001446A true KR910001446A (ko) | 1991-01-30 |
KR0150441B1 KR0150441B1 (ko) | 1998-10-01 |
Family
ID=6357316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890008688A KR0150441B1 (ko) | 1988-06-25 | 1989-06-23 | 방사선경화성조성물, 이로부터 제조된 방사선경화성기록물질 및 이에의한 고 에너지방사기록법 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5234791A (ko) |
EP (1) | EP0349803B1 (ko) |
JP (1) | JP2759079B2 (ko) |
KR (1) | KR0150441B1 (ko) |
AU (1) | AU627196B2 (ko) |
BR (1) | BR8903078A (ko) |
DE (2) | DE3821584A1 (ko) |
FI (1) | FI893071A (ko) |
HK (1) | HK123597A (ko) |
SG (1) | SG43323A1 (ko) |
ZA (1) | ZA894743B (ko) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3004044B2 (ja) * | 1990-10-29 | 2000-01-31 | 東洋合成工業株式会社 | 感光性着色樹脂組成物 |
US5312715A (en) * | 1991-03-04 | 1994-05-17 | Shipley Company Inc. | Light-sensitive composition and process |
US5206116A (en) * | 1991-03-04 | 1993-04-27 | Shipley Company Inc. | Light-sensitive composition for use as a soldermask and process |
JP2661417B2 (ja) * | 1991-07-02 | 1997-10-08 | 日本ゼオン株式会社 | レジスト組成物 |
JP2722870B2 (ja) * | 1991-06-14 | 1998-03-09 | 日本ゼオン株式会社 | レジスト組成物 |
GB2259152B (en) * | 1991-06-14 | 1995-01-11 | Nippon Zeon Co | Resist composition |
US5296332A (en) * | 1991-11-22 | 1994-03-22 | International Business Machines Corporation | Crosslinkable aqueous developable photoresist compositions and method for use thereof |
JP3429852B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2003-07-28 | シップレーカンパニー エル エル シー | ネガ型感光性組成物 |
US5370988A (en) * | 1994-02-28 | 1994-12-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Print stabilizers and antifoggants for photothermography |
CA2158915A1 (en) * | 1994-09-30 | 1996-03-31 | Dekai Loo | Liquid photoimageable resist |
JP3929653B2 (ja) | 1999-08-11 | 2007-06-13 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
US6387596B2 (en) * | 1999-08-30 | 2002-05-14 | International Business Machines Corporation | Method of forming resist images by periodic pattern removal |
JP3989149B2 (ja) | 1999-12-16 | 2007-10-10 | 富士フイルム株式会社 | 電子線またはx線用化学増幅系ネガ型レジスト組成物 |
US7521168B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
JP4303560B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2009-07-29 | 富士フイルム株式会社 | 染料含有硬化性組成物、並びに、カラーフィルターおよびその製造方法 |
KR101259491B1 (ko) * | 2005-04-28 | 2013-05-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 착색제함유 경화성 조성물, 컬러필터 및 그 제조방법 |
JP4926552B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-05-09 | 富士フイルム株式会社 | 染料含有感光性組成物並びにそれを用いたカラーフィルター及びその製造方法 |
JP4624943B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2011-02-02 | 富士フイルム株式会社 | 染料含有ネガ型感光性組成物、カラーフィルタおよびその製造方法 |
CN115976811A (zh) | 2018-06-01 | 2023-04-18 | Lg电子株式会社 | 衣物处理装置 |
KR20200057545A (ko) | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 엘지전자 주식회사 | 의류처리장치 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3692560A (en) * | 1969-09-18 | 1972-09-19 | Bayer Ag | Acid hardening resins which can be activated by ultraviolet light |
JPS5423574B2 (ko) * | 1972-09-13 | 1979-08-15 | ||
US4193799A (en) * | 1976-07-09 | 1980-03-18 | General Electric Company | Method of making printing plates and printed circuit |
US4189323A (en) * | 1977-04-25 | 1980-02-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Radiation-sensitive copying composition |
DE2718254C3 (de) * | 1977-04-25 | 1980-04-10 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Strahlungsempfindliche Kopiermasse |
US4289845A (en) * | 1978-05-22 | 1981-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Fabrication based on radiation sensitive resists and related products |
JPS561045A (en) * | 1979-06-16 | 1981-01-08 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photosensitive composition |
DE2928636A1 (de) * | 1979-07-16 | 1981-02-12 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
US4398001A (en) * | 1982-03-22 | 1983-08-09 | International Business Machines Corporation | Terpolymer resist compositions |
DE3473359D1 (de) * | 1983-06-29 | 1988-09-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosolubilizable composition |
DE3406927A1 (de) * | 1984-02-25 | 1985-08-29 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen |
ATE68272T1 (de) * | 1984-06-01 | 1991-10-15 | Rohm & Haas | Lichtempfindliche beschichtungszusammensetzung, aus diesem hergestellte thermisch stabile beschichtungen und verfahren zur herstellung von thermisch stabilen polymerbildern. |
CA1307695C (en) * | 1986-01-13 | 1992-09-22 | Wayne Edmund Feely | Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images |
DE3621376A1 (de) * | 1986-06-26 | 1988-01-07 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
FR2602235B1 (fr) * | 1986-07-31 | 1988-10-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de copolymeres greffes au moyen de faisceaux d'ions hautement energetiques et produits obtenus |
DE3730787A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3821585A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung |
EP0307752B1 (en) * | 1987-09-16 | 1995-02-22 | Hoechst Aktiengesellschaft | Poly(3-mono- and 3,5-disubstituted-4-acetoxystyrenes and 4-hydroxy-styrenes)and their use |
JPH01163207A (ja) * | 1987-09-16 | 1989-06-27 | Hoechst Ag | 3,5−ジ置換−4−アセトキシスチレンの重合、加水分解および使用法 |
US4845011A (en) * | 1987-10-23 | 1989-07-04 | Hoechst Celanese Corporation | Visible light photoinitiation compositions |
GB8802314D0 (en) * | 1988-02-03 | 1988-03-02 | Vickers Plc | Improvements in/relating to radiation-sensitive compounds |
JPH0215270A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-18 | Tosoh Corp | フォトレジスト組成物 |
-
1988
- 1988-06-25 DE DE3821584A patent/DE3821584A1/de not_active Withdrawn
-
1989
- 1989-06-16 DE DE58909782T patent/DE58909782D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-16 EP EP89110912A patent/EP0349803B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-16 SG SG1996008358A patent/SG43323A1/en unknown
- 1989-06-21 US US07/369,677 patent/US5234791A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-22 ZA ZA894743A patent/ZA894743B/xx unknown
- 1989-06-22 FI FI893071A patent/FI893071A/fi not_active Application Discontinuation
- 1989-06-23 KR KR1019890008688A patent/KR0150441B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-06-23 BR BR898903078A patent/BR8903078A/pt not_active Application Discontinuation
- 1989-06-23 AU AU36781/89A patent/AU627196B2/en not_active Ceased
- 1989-06-26 JP JP1161009A patent/JP2759079B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-26 HK HK123597A patent/HK123597A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0349803A3 (de) | 1991-07-31 |
KR0150441B1 (ko) | 1998-10-01 |
DE3821584A1 (de) | 1989-12-28 |
BR8903078A (pt) | 1990-02-06 |
FI893071A0 (fi) | 1989-06-22 |
AU627196B2 (en) | 1992-08-20 |
EP0349803A2 (de) | 1990-01-10 |
AU3678189A (en) | 1990-01-04 |
SG43323A1 (en) | 1997-10-17 |
US5234791A (en) | 1993-08-10 |
EP0349803B1 (de) | 1997-03-05 |
JPH0252348A (ja) | 1990-02-21 |
JP2759079B2 (ja) | 1998-05-28 |
DE58909782D1 (de) | 1997-04-10 |
ZA894743B (en) | 1990-04-25 |
FI893071A (fi) | 1989-12-26 |
HK123597A (en) | 1997-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910001446A (ko) | 조사-경화성 조성물 및 이로부터 제조된 고-에너지 조사에 사용하기 위한 조사-민감성 기록 물질 | |
KR910006777A (ko) | 포지티브-작용성 감조사성 혼합물 및 이로부터 제조된 감조사성 복사물질 | |
KR850006232A (ko) | 방사선 감수성 조성물 | |
EP0166682B1 (de) | Verfahren zur positiven Bilderzeugung | |
KR890005828A (ko) | 고에너지 방사선용 양성 방사선 민감성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선 민감성 기록물질 | |
KR900002123A (ko) | 감방사선성 양성 내식막 조성물 | |
KR960008428A (ko) | 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물 | |
KR960024676A (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR950019896A (ko) | 방사선 감응성 수지 조성물 | |
KR840001484A (ko) | 제막(除膜) 조성물 및 내막식(耐膜蝕) 제거방법 | |
KR880008077A (ko) | 김광성 내식막의 제조방법과 그 조성물 및 성분 | |
KR880009291A (ko) | 포지티브-작용성 감광성 내식막 조성물 | |
ATE349725T1 (de) | Chemisch verstärkte negativphotoresistzusammensetzung | |
KR870002480A (ko) | 방사선-감수성 조성물 | |
KR890007117A (ko) | 염료를 함유하는 양성-작용성 감광성 조성물 및 이 조성물로부터 제조된 양성-작용성 감광성 기록물질 | |
EP0424124B1 (en) | Positive-acting photoresist compositions | |
KR890004201A (ko) | 포지티브 방사선-감수성 혼합물 | |
KR960018762A (ko) | 방사선 감수성 조성물 | |
JP2001183837A5 (ko) | ||
CA2116624A1 (en) | Radiation-sensitive mixture and the production of relief structures having improved contrast | |
KR940022194A (ko) | 숨은 영상 붕괴에 내성을 지닌 강한 UV 민감성 포토레지스트(Photoresist) | |
KR940022180A (ko) | 양성 감광성 조성물 | |
KR920015158A (ko) | 네거티브 포토레지스트 조성물 | |
KR860008476A (ko) | 심부 자외선 석판인쇄 내식막 조성물 및 그의 이용법 | |
JP2002169295A5 (ko) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120521 Year of fee payment: 15 |
|
EXPY | Expiration of term |